附載體銅箔及其制造方法、印刷配線板及其制造方法、積層體、電子機(jī)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種附載體銅箱、印刷配線板、積層體、電子機(jī)器、附載體銅箱的制造 方法，及印刷配線板的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 印刷配線板通常是在使絕緣基板接著于銅箱而制成覆銅積層板之后，經(jīng)過利用蝕 刻而在銅箱面形成導(dǎo)體圖案的步驟而制造。隨著近年來電子機(jī)器的小型化、高性能化需求 的增長，搭載零件的高密度構(gòu)裝化或信號的高頻化隨之發(fā)展，對印刷配線板要求導(dǎo)體圖案 的微細(xì)化（窄間距化）或高頻對應(yīng)等。
[0003] 對應(yīng)于窄間距化，最近要求厚度9 μπι以下、進(jìn)而厚度5 μπι以下的銅箱，但這種極 薄銅箱的機(jī)械強(qiáng)度低，在制造印刷配線板時容易破損或產(chǎn)生皺褶，因此出現(xiàn)了附載體銅箱， 其將具有厚度的金屬箱用作載體，并隔著剝離層使極薄銅層電沉積到金屬箱。將極薄銅層 的表面貼合到絕緣基板并進(jìn)行熱壓接后，隔著剝離層將載體剝離去除。在露出的極薄銅層 上利用抗蝕劑形成電路圖案之后，形成特定的電路（專利文獻(xiàn)1等）。
[0004] [專利文獻(xiàn) l]W02004/005588 號。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 附載體銅箱是在如上述般將極薄銅層的表面貼合到樹脂基板并進(jìn)行熱壓接（加 熱壓制）后，將載體剝離去除而使用。進(jìn)一步，在剝離去除載體后，將圖案鍍銅層設(shè)置在 殘存在樹脂基板上的極薄銅層上，通過對極薄銅層及圖案鍍銅層進(jìn)行快速蝕刻（flash etching)，而可形成所欲的電路。
[0006] 但是，以往在如上所述般將極薄銅層的表面貼合到樹脂基板并進(jìn)行熱壓接后將載 體剝離去除，由此在樹脂基板上設(shè)置極薄銅層時，會有樹脂基板的表面粗糙，生成較大的起 伏的情況。此時所生成的樹脂基板表面的起伏會在使用于電路基板時成為引起問題的主 因。以下使用圖具體地說明。
[0007] 圖I (a)是表示剝離去除載體后的樹脂基板（例如，預(yù)浸體）上所殘存的極薄銅層 (例如，在極薄銅層表面形成有粗化處理層）。此時，在樹脂基板表面生成較大的起伏。接 著，如圖1(b)所示，在殘存在樹脂基板上的極薄銅層上設(shè)置特定形狀的干膜（DF)后，進(jìn)行 鍍銅處理，在未被干膜（DF)所被覆的區(qū)域形成圖案鍍銅層。再來，如圖1(c)所示，剝離去 除干膜（DF)。此時，設(shè)置于樹脂基板較大的起伏上的鍍銅層的厚度變得比周圍厚。繼而，如 圖1(d)所示，通過進(jìn)行快速蝕刻而形成特定寬度的電路，但此時會產(chǎn)生下述問題：在與樹 脂基板的較大起伏相對應(yīng)的區(qū)域會超過該電路寬度而產(chǎn)生銅殘?jiān)茉撱~殘?jiān)挠绊戨?路會短路。
[0008] 因此，本發(fā)明的主題在于：提供一種附載體銅箱，其在貼合于樹脂基板并剝離去除 載體后，在極薄銅層上形成特定的電路時，良好地抑制了超過該電路寬度的銅殘?jiān)漠a(chǎn)生。
[0009] 本發(fā)明在一個方面，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間層、與極薄銅層，其 通過利用下述（1)~（3)所規(guī)定的測定方法而測得的上述載體的極薄銅層側(cè)表面的條紋狀 凸部的平均高度的最大值為2. 0 μπι以下。
[0010] (1)在壓力：20kgf/cm2、220°c中2小時的條件下將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè) 加熱壓制在雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基材后，自附載體銅箱剝離載體，對上述載體的極薄銅 層側(cè)表面以非接觸式粗糙度測定機(jī)進(jìn)行測定，根據(jù)所得到的各TD方向位置（μ m)、MD方向 位置（μ m)中的高度（μ m)的測定數(shù)據(jù)，制成X軸為TD方向位置（μ m)、Y軸為MD方向位 置（μ m)、Z軸為高度（μ m)的3D影像。
[0011] (2)接著，確認(rèn)上述3D影像中長度為200 μ m以上的條紋狀凸部。
[0012] (3)上述測定視野是將其視野的一邊設(shè)為與MD方向平行，根據(jù)在與上述MD方向垂 直的方向以32 μ m的間距而得的各TD方向位置（μ m)中的高度（μ m)的測定數(shù)據(jù)，制成橫 軸為TD方向位置（μπ?)、縱軸為高度（μπ?)的圖表，將所得到的圖表中的相當(dāng)在上述條紋狀 凸部的部位的高度為最高的部位中的高度H m與上述部位的兩側(cè)20 μ m的范囲中高度為最 低的部位的高度Hu的差Δ H i = H H1 - H 為上述部位中的條紋狀凸部的高度，將以32 μ m 的間距測得的各條紋狀凸部中的AH的算術(shù)平均值設(shè)為上述條紋狀凸部的平均高度，針對 三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中的條紋狀凸部的平均高度的最大 值（μ m)，將上述最大值設(shè)為載體的極薄銅層側(cè)表面的條紋狀凸部的平均高度的最大值。
[0013] 本發(fā)明的附載體銅箱在一實(shí)施方案中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間 層、與極薄銅層，上述載體的極薄銅層側(cè)表面的最大高度Ry為2. 0 μπ?以下。
[0014] 本發(fā)明的附載體銅箱在另一實(shí)施方案中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、 中間層、與極薄銅層，上述極薄銅層的載體側(cè)表面的條紋狀凹部的平均深度的最大值為 2. 0 μm以下。
[0015] 本發(fā)明的附載體銅箱在另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間 層、與極薄銅層，其通過利用下述（4)~（6)所規(guī)定的測定方法而測得的上述極薄銅層側(cè)表 面的條紋狀凸部的平均高度的最大值為2. 0 μπ?以下。
[0016] (4)對上述附載體銅箱的上述極薄銅層側(cè)表面以非接觸式粗糙度測定機(jī)進(jìn)行測 定，根據(jù)所得到的各TD方向位置（μ m)、MD方向位置（μ m)中的高度（μ m)的測定數(shù)據(jù)，制 成X軸為TD方向位置（μ m)、Y軸為MD方向位置（μ m)、Z軸為高度（μ m)的3D影像。
[0017] (5)接著，確認(rèn)上述3D影像中長度為200 μπ?以上的條紋狀凸部。
[0018] (6)上述測定視野是將其視野的一邊設(shè)為與MD方向平行，根據(jù)在與上述MD方向垂 直的方向以32 μ m的間距而得的各TD方向位置（μ m)中的高度（μ m)的測定數(shù)據(jù)，制成橫 軸為TD方向位置（μπ?)、縱軸為高度（μπ?)的圖表，將所得到的圖表中的相當(dāng)在上述條紋狀 凸部的部位的高度為最高的部位中的高度H m與上述部位的兩側(cè)20 μπ?的范囲中高度為最 低的部位的高度Hu的差Δ H i = H H1 - H 為上述部位中的條紋狀凸部的高度，將以32 μ m 的間距測得的各條紋狀凸部中的AH的算術(shù)平均值設(shè)為上述條紋狀凸部的平均高度，針對 三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中的條紋狀凸部的平均高度的最大 值（μ m)，將上述最大值設(shè)為極薄銅層側(cè)表面的條紋狀凸部的平均高度的最大值。
[0019] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述極薄銅層側(cè)表面的最大高度Ry 為2. 0 μπ?以下。
[0020] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間 層、與極薄銅層，其通過下述方法而露出的樹脂基板表面的條紋狀凹部的平均深度的最大 值為2. 0 μπι以下，又，上述方法是：通過在壓力：20kgf/cm2、220°C中2小時的條件下進(jìn)行加 熱壓制而將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離上述 載體，接著通過蝕刻來去除上述極薄銅層。
[0021] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間 層、與極薄銅層，其通過下述方法而露出的樹脂基板表面中，平均深度為2.0 μπι以上的條 紋狀凹部的頻率為10條/199572 μπι2以下，又，上述方法是：通過在壓力：20kgf/cm2、220°C 中2小時的條件下進(jìn)行加熱壓制而將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺 三嗪樹脂基板后，剝離上述載體，接著通過蝕刻來去除上述極薄銅層。
[0022] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間 層、與極薄銅層，其通過下述方法而露出的樹脂基板表面中，平均深度為1.2 μπι以上的條 紋狀凹部的頻率為8條/199572 μ m2以下，又，上述方法是：通過在壓力：20kgf/cm'220°C 中2小時的條件下進(jìn)行加熱壓制而將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺 三嗪樹脂基板后，剝離上述載體，接著通過蝕刻來去除上述極薄銅層。
[0023] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合 于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離上述載體，接著于露出的極薄銅層表面形成圖案鍍 銅層，此時，通過剖面觀察而得到的自上述樹脂基板的極薄銅層側(cè)表面至上述圖案鍍銅層 的最高上端部的厚度的最大值一最小值為2. 0 μπι以下。
[0024] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述載體的厚度為5~70 μπι。
[0025] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述極薄銅層表面及上述載體表面 的任一者或兩者具有粗化處理層。
[0026] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述粗化處理層是由選自由銅、鎳、 磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅組成的群中任一單質(zhì)或含有此等單質(zhì)任一種以上的合金構(gòu) 成的層。
[0027] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述粗化處理層的表面具有選自由 耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中1種以上的層。
[0028] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述極薄銅層的表面具有選自由粗 化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中1種以上的層。
[0029] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
[0030] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述粗化處理層上具備樹脂層。
[0031] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在選自由上述粗化處理層、耐熱層、防 銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中1種以上的層上，具備樹脂層。
[0032] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，是在上述載體的一面依序具有中間層 及極薄銅層者，在上述載體的與上述極薄銅層側(cè)的表面相反側(cè)的面，設(shè)置有上述粗化處理 層。
[0033] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，在上述載體的兩面依序具有中間層及 極薄銅層。
[0034] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述載體的極薄銅層側(cè)表面的條紋狀 凸部的平均高度的最大值為I. 6 μπι以下。
[0035] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述極薄銅層的載體側(cè)表面的條紋狀 凹部的平均深度的最大值為1. 6 μπι以下。
[0036] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，上述附載體銅箱的上述極薄銅層側(cè)表 面的條紋狀凸部的平均高度的最大值為1. 6 μπι以下。
[0037] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，其通過下述方法而露出的樹脂基板表 面的條紋狀凹部的平均深度的最大值為1.6 μπι以下，又，上述方法是：通過在壓力：20kgf/ cm2、220°C中2小時的條件下進(jìn)行加熱壓制而將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬 來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離上述載體，接著通過蝕刻來去除上述極薄銅層。
[0038] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合 于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離上述載體，接著于露出的極薄銅層表面形成圖案鍍 銅層，此時，通過剖面觀察而得到的自上述樹脂基板的極薄銅層側(cè)表面至上述圖案鍍銅層 的最高上端部的厚度的最大值一最小值為1. 6 μπι以下。
[0039] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間層、與極薄銅 層，將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離上述載體， 接著于露出的極薄銅層表面形成圖案鍍銅層，此時，通過剖面觀察而得到的自上述樹脂基 板的極薄銅層側(cè)表面至上述圖案鍍銅層的最高上端部的厚度的最大值一最小值為2. 0 μπι 以下。
[0040] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間層、與極薄銅 層，將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離載體，在極 薄銅層的厚度比1. 5 μ m厚的情形時，對露出的極薄銅層表面進(jìn)行蝕刻，而使極薄銅層的厚 度成為1.5μπι，在極薄銅層的厚度比1.5μπι薄的情形時，對露出的極薄銅層表面進(jìn)行鍍 銅，而使極薄銅層與鍍銅的合計(jì)厚度成為1. 5 μ m，接著，對所露出的極薄銅層表面（在進(jìn)行 蝕刻或鍍銅的情形時，進(jìn)行了蝕刻或鍍銅的表面）以L(線）/S(間距）=21μπι/9μπι且圖 案鍍銅層的厚度成為15 μ m的方式形成寬度為21 μ m的圖案鍍銅層，然后利用以下的條件， 對圖案鍍銅層進(jìn)行快速蝕刻直至成為電路上端的寬度為15 μπι的鍍銅層，此時，通過剖面 觀察而得到的自樹脂基板的極薄銅層側(cè)表面至鍍銅層的厚度的最大值一最小值為2.0 μπι 以下。
[0041] (蝕刻條件）
[0042] ?蝕刻形式：噴霧蝕刻
[0043] ?噴霧噴嘴：實(shí)心圓錐（full cone)型
[0044] ?噴霧壓力：0· IOMpa
[0045] ?蝕刻液溫度：30°C
[0046] ?蝕刻液組成：
[0047] H2O218 g/L
[0048] H2S0492g/L
[0049] Cu 8g/L
[0050] 具有過氧化氫穩(wěn)定劑及電路形狀穩(wěn)定劑的功能的添加劑0. 4vol%
[0051] 剩余部分為水。
[0052] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，對上述圖案鍍銅層進(jìn)行快速蝕刻直至 成為電路上端的寬度為15 μπι的鍍銅層，此時，通過剖面觀察而得到的自樹脂基板的極薄 銅層側(cè)表面至鍍銅層的厚度的最大值一最小值為1. 6 μπι以下。
[0053] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種附載體銅箱，其依序具備載體、中間層、與極薄銅 層，將上述附載體銅箱自極薄銅層側(cè)貼合于雙馬來亞酰胺三嗪樹脂基板后，剝離載體，在極 薄銅層的厚度比1. 5 μ m厚的情形時，對露出的極薄銅層表面進(jìn)行蝕刻，而使極薄銅層的厚 度成為1.5μπι，在極薄銅層的厚度比1.5μπι薄的情形時，對露出的極薄銅層表面進(jìn)行鍍 銅，而使極薄銅層與鍍銅的合計(jì)厚度成為1. 5 μ m，接著，對所露出的極薄銅層表面（在進(jìn)行 蝕刻或鍍銅的情形時，進(jìn)行了蝕刻或鍍銅的表面）以L(線）/S(間距）=21μπι/9μπι且圖 案鍍銅層的厚度成為15 μ m的方式形成寬度為21 μ m的圖案鍍銅層，然后利用以下的條件， 對圖案鍍銅層進(jìn)行快速蝕刻直至成為電路上端的寬度為15 μπι的鍍銅層，此時，通過俯視 觀察而得到的在俯視時由自鍍銅層的寬度為15 μπι的電路上端朝與電路延伸方向垂直的 方向延伸的銅殘?jiān)鶚?gòu)成的拖尾部的最大長度為5. 0 μπι以下。
[0054] (蝕刻條件）
[0055] ?蝕刻形式：噴霧蝕刻
[0056] ?噴霧噴嘴：實(shí)心圓錐型
[0057] ?噴霧壓力：0· IOMpa
[0058] ?蝕刻液溫度：30°C
[0059] ?蝕刻液組成：
[0060] H2O2I8g/L
[0061] H2S0492g/L
[0062] Cu 8g/L
[0063] 具有過氧化氫穩(wěn)定劑及電路形狀穩(wěn)定劑的功能的添加劑0. 4vol%
[0064] 剩余部分為水。
[0065] 本發(fā)明的附載體銅箱在再另一實(shí)施方案中，對上述圖案鍍銅層進(jìn)行快速蝕刻直至 成為電路上端的寬度為15 μπι的鍍銅層，此時，通過俯視觀察而得到的在俯視時由自鍍銅 層的寬度為15 μπι的電路上端朝與電路延伸方向垂直的方向延伸的銅殘?jiān)鶚?gòu)成的拖尾 部的最大長度為3. 8 μπι以下。
[0066] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種積層板，其是使用本發(fā)明的附載體銅箱而制得。
[0067] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種積層體，其含有本發(fā)明的附載體銅箱與樹脂，上述 附載體銅箱的端面的一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
[0068] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種積層體，其是將一個本發(fā)明的附載體銅箱自上述 載體側(cè)或上述極薄銅層側(cè)積層在另一個本發(fā)明的附載體銅箱的上述載體側(cè)或上述極薄銅 層側(cè)而成者。
[0069] 本發(fā)明的積層體在一實(shí)施方案中，上述一個附載體銅箱的上述載體側(cè)表面或上述 極薄銅層側(cè)表面與上述另一個附載體銅箱的上述載體側(cè)表面或上述極薄銅層側(cè)表面，視需 要經(jīng)由接著劑而直接積層構(gòu)成。
[0070] 本發(fā)明的積層體在另一實(shí)施方案中，上述一個附載體銅箱的上述載體或上述極薄 銅層與上述另一個附載體銅箱的上述載體或上述極薄銅層接合。
[0071] 本發(fā)明的積層體在另一實(shí)施方案中，上述積層體的端面的一部分或全部被樹脂覆 蓋。
[0072] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其使用有本發(fā)明的積層 體。
[0073] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包含下述步驟：在本發(fā) 明的積層體至少設(shè)置一次樹脂層與電路此兩層，及在至少形成一次上述樹脂層與電路此兩 層后，自上述積層體的附載體銅箱剝離上述極薄銅層或上述載體。
[0074] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板，其是使用本發(fā)明的附載體銅箱制造 而成者。
[0075] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種電子機(jī)器，其是使用本發(fā)明的印刷配線板制造而 成者。
[0076] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種附載體銅箱的制造方法，其使用本發(fā)明的表面的 條紋狀凹部的平均深度的最大值為2. 0 μπι以下的電解滾筒而制造電解銅箱載體，在上述 電解銅箱載體的光澤面，依序設(shè)置中間層與極薄銅層。
[0077] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種附載體銅箱的制造方法，其是準(zhǔn)備通過利用下述 (7)~（9)所規(guī)定的測定方法而測得的至少一個表面中的條紋狀凸部的平均高度的最大值 為2. 0 μπι以下的載體，在上述載體的上述表面依序設(shè)置中間層與極薄銅層。
[0078] (7)對上述載體表面以非接觸式粗糙度測定機(jī)進(jìn)行測定，根據(jù)所得到的各TD方向 位置（μm)、MD方向位置（μm)中的高度（μm)的測定數(shù)據(jù)，制成X軸為TD方向位置（μm)、 Y軸為MD方向位置（μ m)、Z軸為高度（μ m)的3D影像。
[0079] (8)接著，確認(rèn)上述3D影像中長度為200 μπι以上的條紋狀凸部。
[0080] (9)上述測定視野是將其視野的一邊設(shè)為與MD方向平行，根據(jù)在與上述MD方向垂 直的方向以32 μ m的間距而得的各TD方向位置（μ m)中的高度（μ m)的測定數(shù)據(jù)，制成橫 軸為TD方向位置（μπι)、縱軸為高度（μπι)的圖表，將所得到的圖表中的相當(dāng)在上述條紋狀 凸部的部位的高度為最高的部位中的高度H m與上述部位的兩側(cè)20 μπι的范囲中高度為最 低的部位的高度Hu的差Δ H i = H H1 - H 為上述部位中的條紋狀凸部的高度，將以32 μ m 的間距測得的各條紋狀凸部中的AH的算術(shù)平均值設(shè)為上述條紋狀凸部的平均高度，針對 三個視野中各條紋狀凸部求出平均高度，測定三個視野中的條紋狀凸部的平均高度的最大 值（μ m)，將上述最大值設(shè)為載體表面的條紋狀凸部的平均高度的最大值。
[0081] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包含下述步驟：準(zhǔn)備本 發(fā)明的附載體銅箱與絕緣基板；將上述附載體銅箱與絕緣基板積層；及在將上述附載體銅 箱與絕緣基板積層后，經(jīng)過剝離上述附載體銅箱的載體的步驟而形成覆銅積層板，然后，通 過半加成法、減成法、部分加成法或改進(jìn)半加成法中的任一方法而形成電路。
[0082] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：在本發(fā) 明的附載體銅箱的上述極薄銅層側(cè)表面或上述載體側(cè)表面形成電路；以埋沒上述電路的方 式在上述附載體銅箱的上述極薄銅層側(cè)表面或上述載體側(cè)表面形成樹脂層；在上述樹脂層 上形成電路；在上述樹脂層上形成電路后，將上述載體或上述極薄銅層剝離；及將上述載 體或上述極薄銅層剝離后，去除上述極薄銅層或上述載體，由此使形成在上述極薄銅層側(cè) 表面或上述載體側(cè)表面且埋沒于上述樹脂層的電路露出。
[0083] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：將本發(fā) 明的附載體銅箱的上述極薄銅層側(cè)表面或上述載體側(cè)表面與樹脂基板積層；在與和上述附 載體銅箱的樹脂基板積層的側(cè)相反側(cè)的上述極薄銅層側(cè)表面或上述載體側(cè)表面，至少設(shè)置 一次樹脂層與電路此兩層；及在形成上述樹脂層及電路此兩層后，自上述附載體銅箱剝離 上述載體或上述極薄銅層。
[0084] 本發(fā)明在再另一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其含有下述步驟：將本發(fā) 明的附載體銅箱的上述載體側(cè)表面與樹脂基板積層；在與和上述附載體銅箱的樹脂基板積 層的側(cè)相反側(cè)的上述極薄銅層側(cè)表面，至少設(shè)置一次樹脂層與電路此兩層；及在形成上述 樹脂層及電路此兩層后，自上述附載體銅箱剝離上述極薄銅層。
[0085] 通過本發(fā)明，可提供一種附載體銅箱，其在貼合于樹脂基板并剝離去除載體后，在 極薄銅層上形成特定的電路時，良好地抑制了超過該電路寬度的銅殘?jiān)漠a(chǎn)生。
【附圖說明】
[0086] 圖I (a)是以往的剝離去除載體后殘留于預(yù)浸體上的極薄銅層。圖I (b)是在殘存 在樹脂基板上的極薄銅層上設(shè)置干膜（DF)后進(jìn)行鍍銅處理，在未被干膜（DF)覆蓋的區(qū)域 形成圖案鍍銅層的圖。圖1(c)是剝離去除干膜（DF)后的圖。圖1(d)是通過進(jìn)行快速蝕 刻而形成特定寬度的電路的圖。
[0087] 圖2A~圖2C是使用有本發(fā)明的附載體銅箱的印刷配線板其制造方法的具體實(shí)施 例的曝光影像至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止的步驟中配線板剖面的示意圖。
[0088] 圖3D~圖3F是使用有本發(fā)明的附載體銅箱的印刷配線板其制造方法的具體實(shí)施 例的自積層樹脂及第2層附載體銅箱至雷射開孔為止的步驟中配線板剖面的示意圖。
[0089] 圖4G~圖41是使用有本發(fā)明的附載體銅箱的印刷配線板其制造方法的具體實(shí)施 例的自形成通孔填充物至剝離第1層載體為止的步驟中配線板剖面的示意圖。
[0090] 圖5J~圖5K是使用有本發(fā)明的附載體銅箱的印刷配線板其制造方法的具體實(shí)施 例的自快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止的步驟中配線板剖面的示意圖。
[0091] 圖6是表示條紋狀凸部的3D影像。
[0092] 圖7是用以說明載體的極薄