儲(chǔ)單元114或118將具有跨其施加的將其編程到HRS中(例如到復(fù)位狀態(tài)中)的近似+V伏的完全寫入電壓，并且另一 ReRAM存儲(chǔ)單元將施加有近似O伏并且將不被編程。NVM存儲(chǔ)單元114和118將保持其相應(yīng)HRS或LRS直到再次被編程為止，甚至是在包括狀態(tài)保持邏輯單元100的電路斷電之后。
[0012]根據(jù)示例，為了對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元100進(jìn)行編程，假定在編程軌116的低時(shí)段期間，附接到高節(jié)點(diǎn)(例如輸入節(jié)點(diǎn)108)的NVM存儲(chǔ)單元114將具有跨其施加的將其編程到LRS中的近似-V伏的完全寫入電壓，在該情況下NVM存儲(chǔ)單元118將施加有近似O伏并且將不被編程。類似地，假定在編程軌116的低時(shí)段期間，附接到高節(jié)點(diǎn)(例如輸出節(jié)點(diǎn)112)的NVM存儲(chǔ)單元118將具有跨其施加的將其編程到LRS中的近似-V伏的完全寫入電壓，在該情況下NVM存儲(chǔ)單元114將施加有近似O伏并且將不被編程。同樣地，假定在編程軌116的高時(shí)段期間，附接到低節(jié)點(diǎn)(例如輸入節(jié)點(diǎn)108)的NVM存儲(chǔ)單元114將具有跨其施加的將其編程到HRS中的近似+V伏的完全寫入電壓，在該情況下NVM存儲(chǔ)單元118將施加有近似O伏并且將不被編程。類似地，假定在編程軌116的高時(shí)段期間，附接到低節(jié)點(diǎn)(例如輸出節(jié)點(diǎn)112)的NVM存儲(chǔ)單元118將具有跨其施加的將其編程到HRS中的近似+V伏的完全寫入電壓，在該情況下NVM存儲(chǔ)單元114將施加有近似O伏并且將不被編程。輸入節(jié)點(diǎn)108或輸出節(jié)點(diǎn)112可以基于存儲(chǔ)在狀態(tài)保持邏輯單元100中的值而被指定為高節(jié)點(diǎn)或低節(jié)點(diǎn)。因此，如果輸入節(jié)點(diǎn)108被指定為高節(jié)點(diǎn)，則輸出節(jié)點(diǎn)112可以被指定為低節(jié)點(diǎn)，并且反之亦然。
[0013]在對(duì)包括狀態(tài)保持邏輯單元100的電路上電時(shí)，在分別提升前饋和反饋反相器102、104的功率軌之前可以將編程軌116帶到近似V/2伏(例如1AVddX在編程軌116的近似V/2伏狀態(tài)中，LRS NVM存儲(chǔ)單元可以將電流傾瀉(dump)到其相應(yīng)反相器節(jié)點(diǎn)(例如輸入節(jié)點(diǎn)108或輸出節(jié)點(diǎn)112)上。當(dāng)分別用于前饋和反饋反相器102、104的功率斜升(ramp)到近似V伏(例如Vdd)時(shí)，由LRS NVM存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的不平衡朝向?qū)⒎聪嗥鲗?duì)的LRS側(cè)拉高而傾斜(tip)狀態(tài)保持邏輯單元100 (即當(dāng)NVM存儲(chǔ)單元114和118最后被編程時(shí)反相器對(duì)的LRS側(cè)所處于的相同狀態(tài))。因此，當(dāng)用于前饋和反饋反相器102、104的功率斜升到近似V伏時(shí)，狀態(tài)保持邏輯單元100可以在斷電之前回復(fù)到其原始狀態(tài)。
[0014]圖2圖示了根據(jù)本公開的示例的狀態(tài)保持邏輯單元200的另一架構(gòu)。狀態(tài)保持邏輯單元200可以包括以串聯(lián)布置部署的反相器202、204。反相器202和204可以被指定為前饋反相器。傳輸門206可以連接到反相器202。電阻器208可以提供在反相器204的輸出與節(jié)點(diǎn)210 (例如在位置A處)之間的反相器204的輸出處。電阻器208可以確保在正常操作期間，通過傳輸門206將新值施加在鄰近反相器202的輸入節(jié)點(diǎn)上可以克服反相器204的反饋以翻轉(zhuǎn)(flip)狀態(tài)保持邏輯單元200的狀態(tài)。節(jié)點(diǎn)210因此鄰近反相器204的輸出節(jié)點(diǎn)而連接。節(jié)點(diǎn)210可以包括電阻器212和電容器214。節(jié)點(diǎn)210可以連接到NVM存儲(chǔ)單元216 (即輸出節(jié)點(diǎn)NVM存儲(chǔ)單元)。在圖2的示例中，NVM存儲(chǔ)單元216可以是雙極型ReRAM存儲(chǔ)單元。一般地，NVM存儲(chǔ)單元216的狀態(tài)可以針對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元200的每一個(gè)狀態(tài)改變而設(shè)置。因此，相比于使用編程軌116的狀態(tài)保持邏輯單元100，狀態(tài)保持邏輯單元100可以針對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元200的每一個(gè)狀態(tài)改變而設(shè)置NVM存儲(chǔ)單元216的狀態(tài)。
[0015]為了將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到HRS，位置A處的靜態(tài)高電壓可以將NVM存儲(chǔ)單元216帶到HRS。例如，如果向位置A施加高電壓，電流流過電阻器212并且通過NVM存儲(chǔ)單元216到地以將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到HRS (假定NVM存儲(chǔ)單元216被配置成使得從位置A流動(dòng)到地的電流將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到NRS)。
[0016]為了將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到LRS，對(duì)于位置A處的高電壓到低電壓轉(zhuǎn)變，發(fā)送負(fù)脈沖通過NVM存儲(chǔ)單元216以將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到LRS。例如，對(duì)于位置A處的高電壓到低電壓轉(zhuǎn)變，當(dāng)位置A處于高電壓時(shí)，使電容器214充電。當(dāng)位置A處的電壓從高電壓轉(zhuǎn)變到低電壓時(shí)，電容器底部處的電壓被發(fā)送到負(fù)值，其在圖2中的取向中的NVM存儲(chǔ)單元216的向上方向上發(fā)送電流，因此將NVM存儲(chǔ)單元216設(shè)置到LRS。
[0017]電阻器212還可以通過NVM存儲(chǔ)單元216的重復(fù)設(shè)置向狀態(tài)保持邏輯單元200的操作添加可靠性，使得狀態(tài)保持邏輯單元200返回到正確的狀態(tài)。例如，電阻器212的值可以控制存儲(chǔ)在電容器214中的電荷量，并且因此控制在如以上所描述的高和低轉(zhuǎn)變期間流過NVM存儲(chǔ)單元216的電流。電阻器212還可以通過耗盡電容器214的電荷來提供用于單事件翻轉(zhuǎn)(SEU)電流的分流路徑以便避免錯(cuò)誤事件。
[0018]參照?qǐng)D1-3，圖3圖示了根據(jù)示例的狀態(tài)保持邏輯單元300的另一架構(gòu)。狀態(tài)保持邏輯單元300可以包括另外的NVM存儲(chǔ)單元302以及包括電阻器306和電容器308的另一節(jié)點(diǎn)304。除NVM存儲(chǔ)單元216之外，NVM存儲(chǔ)單元302的使用還提供了另外的元件以用于針對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元300的狀態(tài)保留。NVM存儲(chǔ)單元216和302可以確保在狀態(tài)保持邏輯單元300上電時(shí)到反相器202或反相器204的輸入將被拉低。另外，對(duì)于不包括NVM存儲(chǔ)單元302的狀態(tài)保持邏輯單元200，可以使反相器204的組件足夠強(qiáng)以在NVM存儲(chǔ)單元216處于HRS時(shí)在狀態(tài)保持邏輯單元200上電時(shí)輸出高。
[0019]狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300還可以包括NVM組件(例如用于狀態(tài)保持邏輯單元110和類似地用于狀態(tài)保持邏輯單元200和300的NVM存儲(chǔ)單元114和118)上的傳輸門晶體管以消除在操作的非刷新時(shí)段期間汲取的電流。
[0020]參照?qǐng)D1-4，圖4圖示了根據(jù)示例的包括包含多個(gè)狀態(tài)保持邏輯單元100、200和/或300 (例如邏輯單元(I) - (N))的電路402的設(shè)備400。設(shè)備400可以包括例如蜂窩電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、家用電子設(shè)備和通?？梢陨想娀驍嚯姷娜魏卧O(shè)備。狀態(tài)保留模塊404可以控制電路和狀態(tài)保持邏輯單元100、200和/或300以實(shí)時(shí)地例行存儲(chǔ)設(shè)備400和/或電路402的邏輯狀態(tài)，例如在每個(gè)狀態(tài)改變處，在檢測到即將發(fā)生的斷電處或在其它所選時(shí)間處。狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300可以提供進(jìn)入到針對(duì)設(shè)備400的低功率狀態(tài)的較高發(fā)生率、在功率失去之后較快的設(shè)備重啟和通過施加存儲(chǔ)在狀態(tài)保持邏輯單元中的復(fù)位值的較快設(shè)備啟動(dòng)和重啟。
[0021]模塊404和狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300的各種其它組件以及可以使用和操作狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300的設(shè)備400可以包括存儲(chǔ)在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的機(jī)器可讀指令。此外或可替換地，模塊404和狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300的各種其它組件以及可以使用和操作狀態(tài)保持邏輯單元100、200和300的設(shè)備400可以包括硬件或機(jī)器可讀指令和硬件的組合。
[0022]圖5和6分別圖示了用于針對(duì)對(duì)應(yīng)于以上詳細(xì)描述其構(gòu)造的狀態(tài)保持邏輯單元100的示例的狀態(tài)保持邏輯單元的狀態(tài)保留的方法500和600的流程圖。通過示例而非限制的方式，方法500和600可以實(shí)現(xiàn)在參照?qǐng)D1的狀態(tài)保持邏輯單元100上。方法500和600可以在其它裝置中實(shí)踐。
[0023]參照?qǐng)D5，對(duì)于方法500，在塊502處，為了對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元進(jìn)行編程，編程軌可以從近似V/2伏脈沖到近似O伏。例如，參照?qǐng)D1，編程軌116可以如124處所示從近似V/2伏脈沖到近似O伏(例如接地)。
[0024]在塊504處，編程軌可以進(jìn)一步脈沖到近似V伏。例如，參照?qǐng)D1，編程軌116可以脈沖高至近似V伏(例如Vdd )。
[0025]在塊506處，編程軌可以進(jìn)一步返回到近似V/2伏。例如，參照?qǐng)D1，編程軌116可以回復(fù)到近似V/2伏(例如1AVddX
[0026]參照?qǐng)D6，對(duì)于方法600，在塊602處，為了對(duì)狀態(tài)保持邏輯單元進(jìn)行編程，編程軌可以從近似V/2伏脈沖到近似O伏。例如，參照?qǐng)D1，編程軌116可以如124處所示從近似V/2伏脈沖到近似O伏(例如接地)。
[0027]在塊604處，編程軌可以進(jìn)一步脈沖到近似V伏。例如，如圖1中所示，編程軌116可以脈沖高至近似V伏(例如VDD)。另外，對(duì)狀態(tài)保持邏輯