、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 共二^^一個(gè) MOS 晶體管構(gòu)成；其中:
[0020]第一、第六、第七PMOS晶體管M0、M5、M6的源極共同接供電電源VDD ;所有PMOS晶體管MO、Mia, Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、MlO的襯底端接供電電源VDD ;第一至第十NMOS 晶體管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 的襯底接地 GND ;第五至第十NMOS晶體管M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c的源極共同接地GND ；
[0021]第一 PMOS晶體管MO的柵極接第一偏置電壓Vbl，漏極接第二至第五PMOS晶體管Mla、Mlb、M2a、M2b的源極；第二至第三PMOS晶體管Mla、Mlb的柵極接輸入端Vp ;第四至第五PMOS晶體管M2a、M2b的柵極接輸入端Vn ；
[0022]第二 PMOS晶體管Mla的漏極、第五NMOS晶體管M3a的漏極共同接第十PMOS晶體管M9的漏極和第九PMOS晶體管M8的柵極；第四PMOS晶體管M2a的漏極、第八NMOS晶體管M4a的漏極共同接第i^一 NMOS晶體管MlO的漏極和第八PMOS晶體管M7的柵極；
[0023]第三PMOS晶體管Mlb的漏極、第四NMOS晶體管M12b的漏極、第八至第九NMOS晶體管M4a、M4b的柵極共同接第三NMOS晶體管M12a的漏極；第五PMOS晶體管M2b的漏極、第二 NMOS晶體管Mllb的漏極、第五至第六NMOS晶體管M3a、M3b的柵極共同接第一 NMOS晶體管Mlla的漏極；第一 NMOS晶體管Mlla的源極接第六NMOS晶體管M3b的漏極；第三NMOS晶體管M12a的源極接第九NMOS晶體管M4b的漏極；第一至第四NMOS晶體管Ml la、Mllb、M12a、M12b的柵極共同接第二偏置電壓Vb2 ;第七、第十NMOS晶體管M3c、M4c的柵極接第三偏置電壓Vb3 ;
[0024]第六、第七PMOS晶體管M5、M6的柵極共同接第八PMOS晶體管M7的漏極和第十PMOS晶體管M9的源極；第十、第i^一 PMOS晶體管M9、M10的柵極共同接第三偏置電壓Vb3 ;第六PMOS晶體管M5的漏極接第八PMOS晶體管M7的源極；第七PMOS晶體管M6的漏極接第九PMOS晶體管M8的源極；第九PMOS晶體管M8的漏極、第^^一 PMOS晶體管MlO的源極共同接輸出端Vout。
[0025]如圖1所示，選取第四至第五PMOS晶體管Mla、Mlb的柵極輸入端Vp和第六至第七PMOS晶體管M2a、M2b的柵極輸入端Vn分別輸入差模信號(hào)Vin-和Vin+，經(jīng)過(guò)cascode電流鏡的擺率增強(qiáng)作用后，最終經(jīng)過(guò)PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)到輸出端Vout。從而實(shí)現(xiàn)同等功耗的面積條件下提高SR、PSRR和容性負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力的目的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種適用于超寬帶微波檢測(cè)的低功耗高擺率運(yùn)算放大器，其特征是，由Recyclingfolded cascode放大級(jí)、擺率增強(qiáng)級(jí)和PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)組成；由由Recycling foldedcascode放大級(jí)輸入差模信號(hào)Vin-和Vin+，經(jīng)過(guò)cascode電流鏡的擺率增強(qiáng)作用后，最終經(jīng)過(guò)PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)到輸出端Vout。2.如權(quán)利要求1所述的適用于超寬帶微波檢測(cè)的低功耗高擺率運(yùn)算放大器，其特征是，Recycling folded cascode放大級(jí)包括輸入跨導(dǎo)增強(qiáng)級(jí)gml和cascode電流鏡。擺率增強(qiáng)級(jí)增強(qiáng)環(huán)路包括晶體管M3a-M3c、M4a-M4c、Mlla-Mllb、M12a-M12b ；PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)包括晶體管M5-M10。3.如權(quán)利要求1所述的適用于超寬帶微波檢測(cè)的低功耗高擺率運(yùn)算放大器，Recycling folded cascode 放大級(jí)由 PMOS 晶體管 Mia、Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、MlO 和 NMOS 晶體管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 組成。輸入跨導(dǎo)級(jí)gml 由 PMOS 晶體管 Mia、Mlb、M2a、M2b 組成。cascode 電流鏡由 NMOS 晶體管 Mila、Ml lb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 組成。4.如權(quán)利要求1所述的適用于超寬帶微波檢測(cè)的低功耗高擺率運(yùn)算放大器，其特征是，具體的實(shí)施電路如下:所述的放大器由第一至第i^一 PMOS晶體管MO、Mia, Mlb, M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、M10 以及第一至第十 NMOS 晶體管 Mlla、Mllb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c共二^^一個(gè)MOS晶體管構(gòu)成；其中: 第一、第六、第七PMOS晶體管M0、M5、M6的源極共同接供電電源VDD ;所有PMOS晶體管MO、Mia、Mlb、M2a、M2b、M5、M6、M7、M8、M9、MlO 的襯底端接供電電源 VDD ;第一至第十 NMOS晶體管 Mila、Ml lb、M12a、M12b、M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 的襯底接地 GND ;第五至第十NMOS 晶體管 M3a、M3b、M3c、M4a、M4b、M4c 的源極共同接地 GND ； 第一 PMOS晶體管MO的柵極接第一偏置電壓Vbl，漏極接第二至第五PMOS晶體管Mla、Mlb、M2a、M2b的源極；第二至第三PMOS晶體管Mla、Mlb的柵極接輸入端Vp ;第四至第五PMOS晶體管M2a、WZh的柵極接輸入端Vn ; 第二 PMOS晶體管Mla的漏極、第五NMOS晶體管M3a的漏極共同接第十PMOS晶體管M9的漏極和第九PMOS晶體管M8的柵極；第四PMOS晶體管M2a的漏極、第八NMOS晶體管M4a的漏極共同接第i^一 NMOS晶體管MlO的漏極和第八PMOS晶體管M7的柵極； 第三PMOS晶體管Mlb的漏極、第四NMOS晶體管M12b的漏極、第八至第九NMOS晶體管M4a、M4b的柵極共同接第三NMOS晶體管M12a的漏極；第五PMOS晶體管M2b的漏極、第二NMOS晶體管Mllb的漏極、第五至第六NMOS晶體管M3a、M3b的柵極共同接第一 NMOS晶體管Mlla的漏極；第一 NMOS晶體管Mlla的源極接第六NMOS晶體管M3b的漏極；第三NMOS晶體管M12a的源極接第九NMOS晶體管M4b的漏極；第一至第四NMOS晶體管Mlla、Mllb,M12a、M12b的柵極共同接第二偏置電壓Vb2 ;第七、第十NMOS晶體管M3c、M4c的柵極接第三偏置電壓Vb3 ； 第六、第七PMOS晶體管M5、M6的柵極共同接第八PMOS晶體管M7的漏極和第十PMOS晶體管M9的源極；第十、第i^一 PMOS晶體管M9、M10的柵極共同接第三偏置電壓Vb3 ;第六PMOS晶體管M5的漏極接第八PMOS晶體管M7的源極；第七PMOS晶體管M6的漏極接第九PMOS晶體管M8的源極；第九PMOS晶體管M8的漏極、第^^一 PMOS晶體管MlO的源極共同接輸出端Vout。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及大規(guī)模集成電路，為達(dá)到高擺率，同時(shí)提高放大器的PSRR和CMRR。為此，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是，適用于超寬帶微波檢測(cè)的低功耗高擺率運(yùn)算放大器，由Recycling？folded？cascode放大級(jí)、擺率增強(qiáng)級(jí)和PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)組成；由Recycling？folded？cascode放大級(jí)輸入差模信號(hào)Vin-和Vin+，經(jīng)過(guò)cascode電流鏡的擺率增強(qiáng)作用后，最終經(jīng)過(guò)PSRR增強(qiáng)輸出級(jí)到輸出端Vout。本發(fā)明主要應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)制造。
【IPC分類(lèi)】H03F3/45, H03F1/38
【公開(kāi)號(hào)】CN105262448
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510648570
【發(fā)明人】肖夏, 張庚宇
【申請(qǐng)人】天津大學(xué)
【公開(kāi)日】2016年1月20日
【申請(qǐng)日】2015年10月9日