多重反射 和多重吸收。借著控制電磁波吸收層21內(nèi)電磁波吸收粒子212的電磁特性，讓電磁波有適 當(dāng)?shù)恼穹c相位在電磁波吸收層21內(nèi)多重反射，使電磁波在電磁波吸收層21內(nèi)有多重吸 收，而電磁波的總反射量減少，達(dá)到電磁波吸收效率的提升。
[0026] 請(qǐng)參考圖4,圖4顯示本發(fā)明的另一實(shí)施例的電磁波干擾遮蔽薄膜。與第三圖實(shí)施 例的差異在于本實(shí)施例的電磁波干擾遮蔽薄膜有兩層金屬層和兩層吸收層，不同種類(lèi)的金 屬層可遮蔽不同頻率的電磁波。如圖4所示，電磁波干擾遮蔽薄膜30,包括：含有電磁波吸 收粒子312的第一電磁波吸收層31，具有第一面313與第二面314 ;含有導(dǎo)電粒子332的導(dǎo) 電層33,位于第一電磁波吸收層31的第一面313上；第一金屬層34,位于第一電磁波吸收 層31的第二面314上；含有電磁波吸收粒子352的第二電磁波吸收層35,位于第一金屬層 34上；第二金屬層36,位于第二電磁波吸收層35上；及絕緣層37,位于第二金屬層36上。 電磁波干擾遮蔽薄膜30還包含設(shè)置在導(dǎo)電層33上的第一離型膜38,以及設(shè)置在絕緣層37 上的第二離型膜39。
[0027] 第一電磁波吸收層31和第二電磁波吸收層35的材質(zhì)為環(huán)氧樹(shù)脂或壓克力樹(shù)脂。 分散在第一電磁波吸收層31中的電磁波吸收粒子312可為軟磁粒子例如氧化鐵、鐵硅鋁 合金、坡莫合金或鐵硅鉻鎳合金。分散在第二電磁波吸收層35中的電磁波吸收粒子352 可為軟磁粒子例如氧化鐵、鐵硅鋁合金、坡莫合金或鐵硅鉻鎳合金。利用軟磁粒子的多導(dǎo) 磁率的高頻吸收，可以抑制電磁波的干擾。此外，電磁波吸收粒子312和電磁波吸收粒子 352亦可為碳酸鈣、水泥、天然礦石、遠(yuǎn)紅外線(xiàn)礦石材料。電磁波吸收粒子312的含量可為 5wt%-30wt%。電磁波吸收粒子352的含量可為5wt%-30wt%。第一電磁波吸收層31的厚度 為2微米至10微米。第二電磁波吸收層35的厚度為2微米至10微米。
[0028] 導(dǎo)電層33的材質(zhì)為環(huán)氧樹(shù)脂或壓克力樹(shù)脂。分散在導(dǎo)電層33中的導(dǎo)電粒子332 為金、銀、銅、鋁、鎳、鐵或錫金屬顆粒、表面涂覆有銀的銅或鋁金屬顆粒、表面涂覆有金、銀、 銅、鋁、鎳、鐵或錫的樹(shù)脂顆?；虿Ａе?，或是碳粉、碳60、碳黑、石墨、膨脹石墨、奈米碳管或 石墨烯。導(dǎo)電粒子232的含量可為15wt%-40wt%。導(dǎo)電層33的厚度為15微米至40微米。 導(dǎo)電層33含有導(dǎo)電粒子332,不僅可降低導(dǎo)電層33的電阻值之外，更可以大幅減低因電磁 波進(jìn)入此電磁波干擾遮蔽薄膜30所產(chǎn)生的熱量。
[0029] 第一金屬層34和第二金屬層36主要是提供遮蔽電磁波的功能。第一金屬層34 的材質(zhì)可為金、銀、銅、鋁、鎳、鈦、錫或上述金屬的合金，較佳為銀、鋁或銀-鋁合金。第二金 屬層36的材質(zhì)可選用與第一金屬層34的材質(zhì)不同，不同種類(lèi)的金屬層可遮蔽不同頻率的 電磁波。第一金屬層34厚度可為0. 05微米至2. 5微米。第二金屬層36厚度可為0. 05微 米至2. 5微米。第一金屬層34和第二金屬層36可利用真空蒸鍍、濺鍍、電鍍、真空沉積、化 學(xué)氣相沉積（CVD)等鍍膜設(shè)備，借由卷對(duì)卷（roll-to-roll)方式，完成連續(xù)鍍膜。此外，第 一金屬層34和第二金屬層36并不限定使用上述方式進(jìn)行鍍膜，也可選用金屬箔或合金箔 作為第一金屬層34和第二金屬層36的另一選擇。
[0030] 絕緣層37,位于第二金屬層36上。形成絕緣層37的方式，可在第二金屬層36上 貼覆軟板專(zhuān)用的覆蓋膜，其中組成包括：硬層為PI，軟層為Epoxy樹(shù)脂。形成絕緣層37的 另外方式單純使用絕緣膠，例如是環(huán)氧樹(shù)脂、壓克力樹(shù)脂或可經(jīng)UV/電子束固化樹(shù)脂。較佳 的絕緣膠不會(huì)自第二離型膜39流出。絕緣層37的厚度可為5微米至50微米。
[0031] 第一離型膜38由工程塑料作成，例如聚丙烯（PP)、（交鏈）聚乙烯（PE)、聚碳酸 酯（PC)、聚酯（PET)、聚酰亞胺（PI)、聚酰亞胺酰胺（PAI)、聚醚酰亞胺（PEI)、環(huán)氧樹(shù)脂 (Epoxy)、聚胺酯樹(shù)脂及壓克力樹(shù)脂（Acrylic)等高分子所形成的工程塑料材料。另外，第 一離型膜38亦可選用離型紙或是含有離型劑的工程塑料薄膜。第一離型膜38的功能是保 護(hù)導(dǎo)電層33防止受到外界環(huán)境的污染（如水解、灰塵…等等），該電磁波干擾遮蔽薄膜30 使用時(shí)，會(huì)將第一離型膜38撕去。第一離型膜38的厚度可為7. 5微米至50微米。
[0032] 第二離型膜39由工程塑料作成，例如聚丙烯（PP)、（交鏈）聚乙烯（PE)、聚碳酸 酯（PC)、聚酯（PET)、聚酰亞胺（PI)、聚酰亞胺酰胺（PAI)、聚醚酰亞胺（PEI)、環(huán)氧樹(shù)脂 (Epoxy)、聚胺酯樹(shù)脂及壓克力樹(shù)脂（Acrylic)等高分子所形成的工程塑料材料。另外，第 二離型膜39亦可選用離型紙或是含有離型劑的工程塑料薄膜。第二離型膜39的功能是保 護(hù)絕緣層37防止受到外界環(huán)境的污染（如水解、灰塵…等等），該電磁波干擾遮蔽薄膜30 使用時(shí)，會(huì)將第二離型膜39撕去。第二離型膜39的厚度可為7. 5微米至50微米。
[0033] 實(shí)施例 第一實(shí)施例-電磁波干擾遮蔽薄膜 本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽薄膜可借由下列的制程步驟完成，其制程步驟如下： 首先提供一厚度為10微米的第一離型膜；在第一離型膜上形成一厚度為20微米的導(dǎo) 電層；提供一厚度為10微米的第二離型膜；在第二離型膜上形成電磁波吸收層；將第二離 型膜上的電磁波吸收層疊置于導(dǎo)電層上；于電磁波吸收層上使用濺鍍（或蒸鍍）方式形成 一厚度為1. 〇微米的銀金屬層；將絕緣層形成在第三離型膜上；及將絕緣層及第三離型膜 疊置于銀金屬層上，即形成電磁波干擾遮蔽薄膜。
[0034] 第二實(shí)施例-具有二金屬層的電磁波干擾遮蔽薄膜 本發(fā)明的具有二金屬層的電磁波干擾遮蔽薄膜，可借由下列的制程步驟完成，其制程 步驟如下： 首先提供一厚度為10微米的第一離型膜；在第一離型膜上形成一厚度為20微米的導(dǎo) 電層；提供一厚度為10微米的第二離型膜；在第二離型膜上形成第一電磁波吸收層；將第 二離型膜上的第一電磁波吸收層疊置于導(dǎo)電層上；于第一電磁波吸收層上使用濺鍍（或蒸 鍍）方式形成一厚度為1. 〇微米的銀金屬層；在第三離型膜上形成第二電磁波吸收層；將 第三離型膜上的第二電磁波吸收疊置于銀金屬層上；于第二電磁波吸收層上使用濺鍍（或 蒸鍍）方式形成一厚度為1. 〇微米的銀-鋁金屬層；將絕緣層形成在第四離型膜上；及將絕 緣層及第四離型膜疊置于銀-鋁金屬層上，即形成具有二金屬層的電磁波干擾遮蔽薄膜。
[0035] 以下以第一實(shí)施例的電磁波干擾遮蔽薄膜說(shuō)明導(dǎo)電粒子含量、電磁波吸收粒子含 量及金屬層厚度對(duì)于電磁波干擾遮蔽薄膜特性的影響。表1的導(dǎo)電層中除了導(dǎo)電粒子外， 尚添加有無(wú)機(jī)填料氧化鋁增加散熱性。由表1可看出導(dǎo)電層中隨著石墨烯含量增加，電阻 值降低。表2的電磁波吸收層中除了電磁波吸收粒子外，尚添加有無(wú)機(jī)填料氧化鋁增加散 熱性。由表2可看出隨著電磁波吸收粒子含量增加，電阻值并無(wú)明顯增加的趨勢(shì)，電阻值大 約在1014。由表3可看出，隨著金屬層的厚度增加，電磁波遮蔽值呈現(xiàn)增加的趨勢(shì)。表4的 導(dǎo)電層中除了導(dǎo)電粒子外，尚添加有無(wú)機(jī)填料氧化鋁增加散熱性。由表4可看出導(dǎo)電層中 導(dǎo)電粒子含量增加，散熱K值增加。
[0036] 表1導(dǎo)電層中導(dǎo)電粒子含量對(duì)于電阻值的影響
表2電磁波吸收粒子含量對(duì)于電阻值的影響 ' '
表3金屬層厚度對(duì)電磁波遮蔽值的影響
表4導(dǎo)電層中導(dǎo)電粒子含量對(duì)于散熱K值的影響
注：表4中其他材料，包含非導(dǎo)熱材料與導(dǎo)熱材料。其中，非導(dǎo)熱材料例如是硬化劑、催 化劑及阻燃劑等；導(dǎo)熱材料例如是二氧化硅、熔融態(tài)二氧化硅、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、 碳酸鈣、氮化鋁、氮化硼、氫氧化鋁、碳化鋁硅、碳化硅、碳酸鈉、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、 石英、金屬氧化物、非金屬氧化物、氮化物、硅化合物、硅酸鹽物、玻璃、陶瓷材料、煅燒高嶺 土及釉料等。
[0037] 以上所述實(shí)施例僅是為充分說(shuō)明本發(fā)明而所舉的較佳的實(shí)施例，本發(fā)明的保護(hù)范 圍不限于此。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明基礎(chǔ)上所作的等同替代或變換，均在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，包含： 含有電磁波吸收粒子的一電磁波吸收層，具有一第一面與一第二面； 含有導(dǎo)電粒子的一導(dǎo)電層，位于該電磁波吸收層的該第一面上； 一金屬層，位于該電磁波吸收層的該第二面上；及 一絕緣層，位于該金屬層上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該導(dǎo)電層的材質(zhì)為 環(huán)氧樹(shù)脂或壓克力樹(shù)脂。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該導(dǎo)電粒子為金、 銀、銅、鋁、鎳、鐵或錫金屬顆粒、表面涂覆有銀的銅或鋁金屬顆粒、表面涂覆有金、銀、銅、 鋁、鎳、鐵或錫的樹(shù)脂顆?；虿Ａе椋蛱挤?、碳60、碳黑、石墨、膨脹石墨、奈米碳管或石墨 烯。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該導(dǎo)電層的厚度為 15微米至40微米。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該電磁波吸收層的 材質(zhì)為環(huán)氧樹(shù)脂或壓克力樹(shù)脂。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該電磁波吸收粒子 為軟磁粒子。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該軟磁粒子為氧化 鐵、鐵硅鋁合金、坡莫合金或鐵硅鉻鎳合金。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該電磁波吸收粒子 為碳酸鈣、水泥、天然礦石、遠(yuǎn)紅外線(xiàn)礦石材料。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該電磁波吸收層的 厚度為5微米至20微米。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電磁波干擾遮蔽薄膜，其特征在于，其中該金屬層的材質(zhì)為 金、銀、銅、鋁、鎳、鈦或錫。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明有關(guān)一種電磁波干擾遮蔽薄膜，包含：含有電磁波吸收粒子的電磁波吸收層；含有導(dǎo)電粒子的導(dǎo)電層，位于電磁波吸收層的一表面上；金屬層，位于電磁波吸收層的另一表面上；及絕緣層，位于金屬層上。本發(fā)明的電磁波干擾遮蔽薄膜可阻止電磁波對(duì)鄰近線(xiàn)路及組件的干擾。
【IPC分類(lèi)】H05K9/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105283056
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410335469
【發(fā)明人】鄭承熙
【申請(qǐng)人】聯(lián)茂電子股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2014年7月15日