感器(L2)和第二電容器(C2) 二者。輸出端口(OUT)被耦合到第三電感器(L3)。第三電容器(C3)被耦合到第三電感器(L3)和接地端子(GND)。
[0033]在一個(gè)配置中，第一電感器(L1)和第一電容器(C1)可以交換位置并且可以是可互換的，因?yàn)樗鼈兪谴?lián)的。在另一配置中，第二電感器(L2)和第二電容器(C2)可以交換位置并且可以是可互換的，因?yàn)樗鼈兪遣⒙?lián)的。在進(jìn)一步的配置中，第三電感器(L3)和第三電容器(C3)可以交換位置并且可以是可互換的，因?yàn)樗鼈兪谴?lián)的。因此，濾波器設(shè)計(jì)300的配置并不限于圖3A中所示的配置。例如，輸入和輸出端口可以對換。作為低通濾波器，濾波器設(shè)計(jì)300也可具有更高階(具有更多電容器和電感器)或者更低階(具有更少電容器和電感器)。
[0034]圖3B是根據(jù)本公開的一方面的低通濾波器設(shè)計(jì)340的布局的頂視圖。圖3B的低通濾波器設(shè)計(jì)340的布局對應(yīng)于圖3A中的濾波器設(shè)計(jì)300的示意圖。而且，各組件在半導(dǎo)體基板320上實(shí)現(xiàn)。如本文所述的，術(shù)語“半導(dǎo)體基板”可指代已切割晶片的基板或可指代尚未切割的晶片的基板。在一個(gè)配置中，半導(dǎo)體基板包括玻璃、空氣、石英、藍(lán)寶石、高電阻率硅、或其它類似半導(dǎo)體材料或絕緣材料。
[0035]如圖3B中所示，輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND可以被實(shí)現(xiàn)為晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)焊球。在圖3A和3B中，電容器(例如，第一電容器(C1)、第二電容器(C2)和第三電容器(C3))可以實(shí)現(xiàn)為薄膜層結(jié)構(gòu)(例如，分層的金屬-絕緣體-金屬結(jié)構(gòu))，但是不限于圖3B中所示的結(jié)構(gòu)。支承元件330(例如，球柵陣列的焊球)能夠提供結(jié)構(gòu)性支撐，即，它們并不電耦合到低通濾波器。在一些配置中，互連被完全省略掉。此外，低通濾波器340中的各個(gè)電感器和電容器組件的幾何和布置可減少各組件之間的電磁耦合。圖3B中的低通濾波器設(shè)計(jì)340中所示的各種電感器和電容器組件可以交換位置，而同時(shí)又維持等效的電路。因此，低通濾波器設(shè)計(jì)340肯定不限于圖3B中所示。
[0036]在圖3A和3B中，電感器(例如，第一電感器(L1)、第二電感器(L2)以及第三電感器(L3))可被實(shí)現(xiàn)為一系列跡線以及穿板通孔，這些跡線和穿板通孔在圖3C的3D視圖中被進(jìn)一步解說。圖3B中所示的電感器的結(jié)構(gòu)并不限于所示的結(jié)構(gòu)。圖3B的低通濾波器設(shè)計(jì)340的布局也是圖3A中所示的濾波器設(shè)計(jì)300的一個(gè)實(shí)現(xiàn)。
[0037]圖3B還示出了電容器寬度326、電感器寬度336和電感器間距338。電容器寬度326和電感器寬度336也可類似于圖2中的第一器件202的器件寬度206。電感器間距338可以類似于圖2中的第一器件202的器件間距208。電容器寬度326和電感器寬度336可以小于10 μ m的印刷分辨率寬度。電感器間距338可以小于10 μ m的印刷分辨率間距。
[0038]圖3C是圖3B中的低通濾波器設(shè)計(jì)340的3D視圖，并且因此具有與圖3B中示出的相同的組件。在圖3A和3C中，電感器(例如，第一電感器(L1)、第二電感器(L2)和第三電感器(L3))被示為穿板通孔電感器(或者當(dāng)半導(dǎo)體基板320是玻璃時(shí)為穿玻通孔電感器)。代表性地，電感器(例如，第一電感器(LJ、第二電感器(L2)以及第三電感器(L3))被布置在半導(dǎo)體基板320的上表面上的第一組跡線、與半導(dǎo)體基板320的同第一表面對向的第二表面上的第二組跡線之間。在這一配置中，各組跡線位于半導(dǎo)體基板320的對向的第一和第二表面上，并且以蛇形方式由穿板通孔耦合在一起。在圖3C中，半導(dǎo)體基板320是透明的，以易于看到第一電感器(Q)、第二電感器(L2)、和第三電感器(L3)的這兩組跡線以及穿板通孔。
[0039]如圖3C中所示，各電容器(例如，第一電容器(C1)、第二電容器(C2)以及第三電容器(C3))被沉積在半導(dǎo)體基板320的第一表面上。而且，輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND在半導(dǎo)體基板320的第一表面上。輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND也可以藉由圓柱形通孔(或其他連接)來訪問以便用于電耦合到其他電壓/電流源。在一個(gè)配置中，低通濾波器設(shè)計(jì)340的尺寸小于常規(guī)濾波器，諸如多層陶瓷芯片器件、2D平面無源器件、或低溫共燒芯片器件。此類器件可能會(huì)消耗過量的空間或者使用過多的資源。而且，此類器件可能不得不被放大以降低插入損耗，這占去了附加的資源。低通濾波器設(shè)計(jì)340通過使用穿板通孔電感器和/或穿玻通孔電感器、以及分層的金屬-絕緣體-金屬電容器來節(jié)省空間。
[0040]圖3C也示出了來自圖3B的電容器寬度326、電感器寬度336和電感器間距338，以及電容器厚度324和電感器厚度334。電容器厚度324和電感器厚度334也可類似于圖2中的第一器件202的器件厚度204。電容器厚度324和電感器厚度334可以小于I μπι的印刷分辨率厚度。
[0041]雖然電感器寬度336和電感器間距338是針對第二電感器(L2)的跡線選取的，并且電感器厚度334是針對第三電感器(L3)的跡線選取的，但是該電感器寬度、電感器間距和電感器厚度值可以代表該設(shè)計(jì)中所有電感器的此類值。而且，雖然電容器寬度326和電容器厚度324是針對第二電容器(C2)示出的，但是相同的電容器寬度和電容器厚度值也可以應(yīng)用到第一電容器(C1)和第三電容器(C3)。
[0042]圖4Α是根據(jù)本公開的一方面的濾波器設(shè)計(jì)400的示意圖。在一個(gè)配置中，濾波器設(shè)計(jì)400是用于高通濾波器的。濾波器設(shè)計(jì)400包括耦合到第一電容器(C1)的輸入端口(IN)。第一電容器(C1)耦合到第一電感器(L1)和第三電容器(C3)。第一電感器(L1)被耦合到第二電容器(C2)。第二電容器(C2)被耦合到接地端子(GND)。第三電容器(C3)被耦合到輸出端口(OUT)。在一個(gè)配置中，任何電感器或電容器位置可以被交換，而同時(shí)又維持等效電路。例如，第一電感器(L1)和第二電容器(C2)可以被交換并且可以是可互換的，因?yàn)樗鼈兪谴?lián)的。因此，濾波器設(shè)計(jì)400的配置并不限于圖4A中所示的。例如，輸入和輸出端口可以被對換。
[0043]圖4B是根據(jù)本公開的一方面的高通濾波器設(shè)計(jì)450的布局的頂視圖。圖4B的高通濾波器設(shè)計(jì)450的布局對應(yīng)于來自圖4A的濾波器設(shè)計(jì)400的示意圖。而且，各組件在半導(dǎo)體基板420上實(shí)現(xiàn)。在該配置中，輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND可以被實(shí)現(xiàn)為晶片級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)焊球，雖然任何合適的實(shí)現(xiàn)可以被替換性地使用。類似地，支承元件430可以被實(shí)現(xiàn)為WLCSP焊球或者可以被全然省略。
[0044]在圖4A和圖4B中，各電容器(例如，第一電容器(C1)、第二電容器(C2)和第三電容器(C3))可以實(shí)現(xiàn)為分層結(jié)構(gòu)(例如，分層的金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)構(gòu))，但是不限于此類結(jié)構(gòu)。在一個(gè)配置中，電容器在半導(dǎo)體基板420的一側(cè)上，以便節(jié)省空間和材料。此外，高通濾波器設(shè)計(jì)450中的各個(gè)電感器和電容器組件的幾何和布置可減少各組件之間的電磁耦合。在一個(gè)配置中，圖4B中的高通濾波器設(shè)計(jì)450中所示的各種電感器和電容器組件可以交換位置，而同時(shí)又維持等效電路。高通濾波器設(shè)計(jì)450的配置并不限于圖4B中所示的。
[0045]在該配置中，第一電感器(L1)可以被實(shí)現(xiàn)為圖4C的3D視圖中所進(jìn)一步解說的一系列跡線和穿板通孔。圖4C中提供了這些電感器的更詳細(xì)闡釋。再一次，圖4B中示出的電感器的結(jié)構(gòu)不被限定于所示出的結(jié)構(gòu)，并且可采用任何結(jié)構(gòu)。圖4B的高通濾波器設(shè)計(jì)450的布局也是圖4A中所示的濾波器設(shè)計(jì)400的一個(gè)實(shí)現(xiàn)。
[0046]圖4B還示出了電容器寬度426、電感器寬度436和電感器間隔438。電容器寬度426和電感器寬度436可以類似于圖2中的第一器件202的器件寬度206、以及圖3B-3C的電容器寬度326和電感器寬度336。電感器間距438可以類似于圖2中的第一器件202的器件間距208、以及圖3B-3C的電感器間距338。電容器寬度426和電感器寬度436可以小于10 μ m的印刷分辨率寬度。電感器間距438可以小于10 μ m的印刷分辨率間距。
[0047]圖4C是圖4B中的高通濾波器設(shè)計(jì)450的3D視圖。在圖4C中，第一電感器(L1)被示為穿板通孔電感器(例如，若半導(dǎo)體基板420是玻璃，則為穿玻通孔電感器)。代表性地，第一電感器(L1)可以具有在半導(dǎo)體基板420的第一表面上的第一組跡線、以及在半導(dǎo)體基板420的第二表面上的第二組跡線。在這一配置中，各組跡線位于半導(dǎo)體基板420的對向的第一和第二表面上，并且以蛇形方式由穿板通孔耦合在一起。在圖4C中，半導(dǎo)體基板420是透明的，以易于看到這些電感器的這兩組跡線以及穿板通孔。
[0048]如圖4C所示，這些電容器(例如，第一電容器(Q)、第二電容器(C2)以及第三電容器(C3))可被沉積在半導(dǎo)體基板420的第一表面上。而且，輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND可以在半導(dǎo)體基板420的第一表面上。輸入端口 IN、輸出端口 OUT和接地端子GND也可以藉由圓柱形通孔(或其他連接)來訪問以便用于電耦合到其他電壓或電流源。在一個(gè)配置中，高通濾波器設(shè)計(jì)450的尺寸小于常規(guī)濾波器設(shè)計(jì)，諸如多層陶瓷芯片器件、2D平面無源器件、或低溫共燒芯片器件。高通濾波器設(shè)計(jì)450通過使用穿板通孔電感器和/或穿玻通孔電感器、以及分層的金屬-絕緣體-金屬電容器來節(jié)省空間。
[0049]圖4C還示出了來自圖4B的電容器寬度426、電感器寬度436和電感器間距438，以及電容器厚度424和電感器厚度434。電容器厚度424和電感器厚度43