頻信號。
[0103]阻抗匹配電路302經(jīng)由射頻電纜308接收射頻電源322在狀態(tài)S0期間供應(yīng)的射頻信號，并且經(jīng)由射頻電纜310接收射頻電源324在狀態(tài)S0期間供應(yīng)的射頻信號，并且基于射頻信號，使負(fù)載的阻抗與源的阻抗匹配以產(chǎn)生狀態(tài)S0的修改的射頻信號。與狀態(tài)S0相關(guān)聯(lián)的修改的射頻信號經(jīng)由射頻傳輸線312提供到卡盤304。
[0104]在一些實(shí)施例中，與狀態(tài)S0對應(yīng)的修改的射頻信號增大與狀態(tài)Sla或狀態(tài)Slb期間的沉積速率相比的在晶片318上沉積材料的沉積速率。在各種實(shí)施例中，與狀態(tài)S0對應(yīng)的修改的射頻信號減小相比于狀態(tài)Sla或狀態(tài)Slb期間的蝕刻速率的蝕刻晶片318的層或晶片上的層的蝕刻速率。在幾個實(shí)施例中，與狀態(tài)S0對應(yīng)的修改的射頻信號用于在晶片318上沉積材料，并且在狀態(tài)Sla期間產(chǎn)生的修改的射頻信號或在狀態(tài)Slb期間產(chǎn)生的修改的射頻信號用于蝕刻晶片318的層或晶片上的層。在一些實(shí)施例中，在狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的修改的射頻信號的一部分用于在等離子體室304內(nèi)產(chǎn)生(例如激勵)等離子體等。例如，當(dāng)加工氣體被供應(yīng)到等離子體室304并且由一個或多個X和y MHz射頻發(fā)生器供應(yīng)一個或多個射頻信號時(shí)，加工氣體被點(diǎn)燃以在等離子體室304內(nèi)產(chǎn)生等離子體。
[0105]在各種實(shí)施例中，取代使X MHz射頻發(fā)生器的每個功率控制器PWRS0x、PWRSlax和PWRSlbx耦合至DSPx的不同的輸出，功率控制器PWRSOx、PWRSlax和PWRSlbx經(jīng)由開關(guān)，例如，復(fù)用器等，連接至DSPx的一個且相同的輸出。開關(guān)使DSPx在狀態(tài)S0期間連接至功率控制器PWRSOx，并且使DSPx在狀態(tài)Sla期間連接至功率控制器PWRSlax，并且使DSPx在狀態(tài)Slb期間連接至功率控制器PWRSlbx。
[0106]類似地，在幾個實(shí)施例中，取代使y MHz射頻發(fā)生器的每個功率控制器PWRSOy和PWRSly耦合至DSPy的不同的輸出，功率控制器PWRSOy和PWRSly經(jīng)由開關(guān)連接至DSPy的一個且相同的輸出。開關(guān)使DSPy在狀態(tài)S0期間連接到功率控制器PWRSOy并且使DSPy在狀態(tài)S1期間連接到功率控制器PWRSly。
[0107]另外，在各種實(shí)施例中，取代使X MHz射頻發(fā)生器的每個調(diào)諧器AFTSOx、AFTSlax和AFTSlbx耦合至DSPx的不同的輸出，調(diào)諧器AFTSOx、AFTSlax和AFTSlbx經(jīng)由開關(guān)，例如，復(fù)用器等，連接至DSPx的一個且相同的輸出。開關(guān)使DSPx在狀態(tài)S0期間連接至調(diào)諧器AFTSOx，并且使DSPx在狀態(tài)Sla期間連接至調(diào)諧器AFTSlax，并且使DSPx在狀態(tài)Slb期間連接至調(diào)諧器AFTSlbx。
[0108]類似地，在幾個實(shí)施例中，取代使y MHz射頻發(fā)生器的每個調(diào)諧器AFTSOy和AFTSly耦合至DSPy的不同的輸出，調(diào)諧器AFTSOy和AFTSly經(jīng)由開關(guān)連接至DSPy的一個且相同的輸出。開關(guān)使DSPy在狀態(tài)S0期間連接至調(diào)諧器AFTSOy，并且使DSPy在狀態(tài)S1期間連接至調(diào)諧器AFTSly。
[0109]圖3B是在狀態(tài)S1期間用于控制離子能量的系統(tǒng)350的實(shí)施例的示意圖。系統(tǒng)350包括x MHz射頻發(fā)生器、y MHz射頻發(fā)生器、阻抗匹配電路302、等離子體室304和工具UI系統(tǒng)307。系統(tǒng)350與系統(tǒng)300 (圖3A)按照相同的方式操作，不同的是，在系統(tǒng)350中，DSPx產(chǎn)生時(shí)鐘信號TTL1和數(shù)字脈沖信號TTL3。x MHz射頻發(fā)生器是主射頻發(fā)生器并且yMHz射頻發(fā)生器是從射頻發(fā)生器。時(shí)鐘信號TTL1和TTL3信號經(jīng)由電纜從x MHz射頻發(fā)生器的DSPx發(fā)送到y(tǒng) MHz射頻發(fā)生器的DSPy。
[0110]工具UI系統(tǒng)307提供對應(yīng)配方到X和y MHz射頻發(fā)生器的每個，該配方包括執(zhí)行參數(shù)。對應(yīng)配方存儲在每個DSPx和DSPy中。
[0111]在一些實(shí)施例中，由X MHz射頻發(fā)生器供應(yīng)的射頻信號的功率的頻率與信號202 (圖2A)或信號212(圖2B)或信號222 (圖2C)或信號232 (圖2D)的頻率相同。
[0112]在各種實(shí)施例中，取代經(jīng)由電纜從DSPx發(fā)送TTL3信號到DSPy，有關(guān)TTL3信號的信息經(jīng)由使DSPx連接至DSPy的電纜從DSPx提供到DSPy。例如，有關(guān)TTL3信號的信息在數(shù)據(jù)文件內(nèi)從DSPx提供到DSPy。DSPy包括虛擬鎖相回路，該鎖相回路產(chǎn)生鎖定到TTL3信號的頻率的信號，并且該信號用于調(diào)節(jié)功率控制器PWRSly所確定的功率并且/或者調(diào)節(jié)由調(diào)諧器AFTSly所確定的頻率。
[0113]圖4A是曲線圖400的實(shí)施例的示意圖，示出了在兩個狀態(tài)S1和S0中操作的xMHz射頻發(fā)生器，以及在狀態(tài)S1、狀態(tài)SOa和狀態(tài)SOb中操作的y MHz射頻發(fā)生器。曲線圖400包括從X MHz射頻發(fā)生器供應(yīng)的射頻信號產(chǎn)生的輸送功率信號402以及從y MHz射頻發(fā)生器供應(yīng)的射頻信號產(chǎn)生的輸送功率信號404。曲線圖400描繪了輸送功率與時(shí)間的關(guān)系。輸送功率信號404的頻率與數(shù)字脈沖信號TTL3的頻率相同。
[0114]輸送功率信號404在輸送功率信號402處于狀態(tài)S0的時(shí)間段期間在狀態(tài)SOa和SOb之間過渡，例如，交替等。輸送功率信號404在輸送功率信號402處于狀態(tài)S1的時(shí)間段期間不會在兩個狀態(tài)之間過渡。在輸送功率信號402處于狀態(tài)S1的時(shí)間段期間，輸送功率信號404也處于狀態(tài)S1。
[0115]輸送功率信號402在狀態(tài)S0期間的功率水平，例如，零功率水平，小于5瓦的功率水平等，便于沉積速率增大，或蝕刻速率減小，或?yàn)R射速率減小等。輸送功率信號402在狀態(tài)S0期間的功率水平小于輸送功率信號402在狀態(tài)S1期間的功率水平。
[0116]此外，輸送功率信號404在輸送功率信號402的狀態(tài)S0期間在狀態(tài)SOa和SOb之間過渡便于控制，例如，增大、減小等，在等離子體室304 (圖3A)中產(chǎn)生的等離子體阻抗。阻抗控制增加了等離子體的穩(wěn)定性。例如，當(dāng)X MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供輸送功率信號402到等離子體室304用于達(dá)到粗略的蝕刻速率時(shí)，y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供在狀態(tài)SOa和SOb之間過渡的輸送功率信號404。輸送功率信號404在狀態(tài)SOa和SOb之間進(jìn)行過渡以達(dá)到精細(xì)的蝕刻速率。又如，當(dāng)X MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供輸送功率信號402到等離子體室304用于達(dá)到粗略的沉積速率時(shí)，y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供在狀態(tài)SOa和SOb之間過渡的輸送功率信號404。輸送功率信號404在狀態(tài)SOa和SOb之間進(jìn)行過渡以達(dá)到精細(xì)的沉積速率。又如，當(dāng)X MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供輸送功率信號402到等離子體室304用于達(dá)到粗略的濺射速率時(shí)，y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生射頻信號以進(jìn)一步提供在狀態(tài)SOa和SOb之間過渡的輸送功率信號404。輸送功率信號404在狀態(tài)SOa和SOb之間進(jìn)行過渡以達(dá)到精細(xì)的濺射速率。
[0117]在一些實(shí)施例中，粗略的速率比精細(xì)的速率具有寬的范圍。例如，粗略的蝕刻速率的蝕刻范圍在D埃/分鐘至E埃/分鐘之間，精細(xì)的蝕刻速率的蝕刻范圍在F埃/分鐘至G埃/分鐘之間。F埃/分鐘與G埃/分鐘之間的范圍位于在D埃/分鐘與E埃/分鐘之間的范圍內(nèi)。在各種實(shí)施例中，F(xiàn)埃/分鐘與G埃/分鐘之間的范圍小于D埃/分鐘與E埃/分鐘之間的范圍。
[0118]在各種實(shí)施例中，在輸送功率信號404的狀態(tài)SOb期間，等離子體室304(圖3A)內(nèi)的離子能量的量小于在輸送功率信號404的狀態(tài)SOa期間等離子體室304內(nèi)的離子能量的量。由y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻信號產(chǎn)生的較低量的離子能量便于控制等離子體室304內(nèi)的等離子體以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)速率的可重復(fù)性并且實(shí)現(xiàn)等離子體的穩(wěn)定性。此外，在輸送功率信號402處于狀態(tài)S0的時(shí)間段期間產(chǎn)生較低量的離子能量允許將要朝著發(fā)生器反射的X和y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻信號供應(yīng)大部分功率。大部分功率的反射提高了等離子體在等離子體室304內(nèi)的穩(wěn)定性。
[0119]圖4B是曲線圖410的實(shí)施例的示意圖，示出了根據(jù)y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻信號推導(dǎo)的輸送功率信號412的水平。曲線圖410描繪了輸送功率與時(shí)間的關(guān)系。在狀態(tài)SOa期間，輸送功率信號412的水平高于輸送功率信號404 (圖4A)在狀態(tài)SOb期間的水平。輸送功率信號412的頻率與數(shù)字脈沖信號TTL3的頻率相同。
[0120]在各種實(shí)施例中，在狀態(tài)SOa期間，輸送功率信號412的水平高于輸送功率信號404的水平。在各種實(shí)施例中，在狀態(tài)SOa期間的，輸送功率信號412的水平低于輸送功率信號404的水平。
[0121]圖4C是曲線圖420的實(shí)施例的示意圖，示出了根據(jù)yMHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻信號推導(dǎo)的輸送功率信號422的水平。曲線圖420描繪了輸送功率與時(shí)間的關(guān)系。在狀態(tài)SOb期間，輸送功率信號422的水平低于輸送功率信號404 (圖4A)在狀態(tài)SOa期間的水平。此外，在狀態(tài)SOa期間，輸送功率信號422的水平低于輸送功率信號422在狀態(tài)S1期間的水平。輸送功率信號422的頻率與數(shù)字脈沖信號TTL3的頻率相同。
[0122]圖4D是曲線圖430的實(shí)施例的示意圖，示出了使用與曲線圖400 (圖4A)所示的水平不同的水平的輸送功率信號432。輸送功率信號432的頻率與數(shù)字脈沖信號TTL3的頻率相同。輸送功率信號432是y MHz射頻發(fā)生器供應(yīng)的射頻信號以及經(jīng)由射頻傳輸線312、阻抗匹配電路302和射頻電纜310 (圖3A)從等離子體室304朝著y MHz射頻發(fā)生器反射的射頻信號的函數(shù)。輸送功率信號432在狀態(tài)SOa期間的功率水平小于輸送功率信號404(圖4A)在狀態(tài)SOa期間的功率水平。此外，輸送功率信號432在狀態(tài)SOa期間的功率水平小于輸送功率信號402在狀態(tài)S1期間的功率水平。另外，輸送功率信號432在狀態(tài)SOb期間的功率水平大于輸送功率信號402在狀態(tài)SOb期間的功率水平。輸送功率信號432在狀態(tài)SOb期間的功率水平小于輸送功率信號402在狀態(tài)S1期間的功率水平并且大于輸送功率信號402在狀態(tài)S0期間的功率水平。
[0123]在各種實(shí)施例中，輸送功率信號402在狀態(tài)S0期間的功率水平大于輸送功率信號432在狀態(tài)SOb期間的功率水平。在各種實(shí)施例中，輸送功率信號402在狀態(tài)S1期間的功率水平小于輸送功率信號432在狀態(tài)SOa期間的功率水平。
[0124]在一些實(shí)施例中，發(fā)生狀態(tài)S1的時(shí)間段與發(fā)生狀態(tài)SOa和SOb的時(shí)間段相同。例如，狀態(tài)S1發(fā)生時(shí)鐘信號TTL1的半個時(shí)鐘周期，而狀態(tài)SOa和SOb發(fā)生剩余的半個時(shí)鐘周期。在幾個實(shí)施例中，狀態(tài)S1發(fā)生的時(shí)間段小于或大于時(shí)鐘信號TTL1的半個時(shí)鐘周期，并且狀態(tài)SOa和SOb發(fā)生時(shí)鐘周期的剩余時(shí)間段。
[0125]圖4E是曲線圖440的實(shí)施例，用于示出在狀態(tài)S0期間與50%工作周期不同的工作周期。曲線圖440描繪了 60MHz射頻發(fā)生器輸送的功率與時(shí)間t的關(guān)系。輸送的功率被圖示為脈沖信號442。應(yīng)該指出的是，信號442在狀態(tài)S0期間的工作周期大于50%，并且狀態(tài)S1發(fā)生的時(shí)間與狀態(tài)S0發(fā)生的時(shí)間相同。例如，信號442在狀態(tài)SOa期間比在狀態(tài)SOb期間占據(jù)更多的時(shí)間。在一些實(shí)施例中，信號442在狀態(tài)S0期間的工作周期小于50 %。例如，輸送信號在狀態(tài)SOa期間比在狀態(tài)SOb期間占據(jù)更少的時(shí)間。
[0126]應(yīng)該進(jìn)一步指出的是，每個信號404、412、422和432(圖4A至圖4D)在狀態(tài)S0期間的工作周期是50%。
[0127]在幾個實(shí)施例中，y MHz射頻發(fā)生器輸送的功率發(fā)生狀態(tài)S0的時(shí)間小于或大于yMHz射頻發(fā)生器輸送的功率發(fā)生狀態(tài)S1的時(shí)間。在這些實(shí)施例中，輸送功率在狀態(tài)S0期間的工作周期是50%。
[0128]在各種實(shí)施例中，y MHz射頻發(fā)生器輸送的功率發(fā)生狀態(tài)S0的時(shí)間小于或大于yMHz射頻發(fā)生器輸送的功率發(fā)生狀態(tài)S1的時(shí)間。在這些實(shí)施例中，輸送功率在狀態(tài)S0期間的工作周期大于或小于50%。
[0129]在一些實(shí)施例中，TTL信號具有與脈沖信號442的頻率相同的頻率。TTL信號由產(chǎn)生TTL3信號的裝置產(chǎn)生。例如，DSPx從TTL1信號和調(diào)制信號產(chǎn)生TTL信號。調(diào)制信號調(diào)制TTL1信號以產(chǎn)生TTL信號。
[0130]圖5A是系統(tǒng)500的實(shí)施例的示意圖，用于圖示y MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生具有狀態(tài)SUSOa和SOb的射頻信號。系統(tǒng)500包括等離子體室304、x MHz射頻發(fā)生器、y MHz射頻發(fā)生器和工具UI系統(tǒng)306。工具UI系統(tǒng)306的時(shí)鐘源提供時(shí)鐘信號TTL1到X MHz射頻發(fā)生器的DSPx和y MHz射頻發(fā)生器的DSPy。DSPx基于時(shí)鐘信號TTL1產(chǎn)生數(shù)字脈沖信號TTL3，并且提供TTL3信號到DSPy。例如，DSPx發(fā)送具有狀態(tài)SOb的數(shù)字脈沖信號TTL3的一部分到DSPy。
[0131]在一些實(shí)施例中，取代DSPx產(chǎn)生數(shù)字脈沖信號TTL3并且提供TTL3信號到DSPy，DSPy基于時(shí)鐘信號TTL1產(chǎn)生TTL3。例如，DSPy從工具UI系統(tǒng)306的時(shí)鐘源亦或在DSPx內(nèi)部的時(shí)鐘源接收的時(shí)鐘信號產(chǎn)生TTL3信號。又如，DSPy從DSPy內(nèi)部的時(shí)鐘源產(chǎn)生的時(shí)鐘信號TTL1產(chǎn)生TTL3信號。作為又一個實(shí)例，DSPy從y MHz射頻發(fā)生器內(nèi)部的時(shí)鐘源產(chǎn)生的時(shí)鐘信號TTL1產(chǎn)生TTL3信號。
[0132]在狀態(tài)SOb期間，DSPx經(jīng)由電纜提供數(shù)字脈沖信號TTL3到DSPy。DSPy在狀態(tài)SOb期間提供數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1到y(tǒng) MHz射頻發(fā)生器的功率控制器PWRSOby。例如，DSPy提供具有狀態(tài)SOb的數(shù)字脈沖信號TTL3和具有狀態(tài)S0的時(shí)鐘信號TTL1的一部分。功率控制器PWRSOby響應(yīng)于接收數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1確定或識別yMHz射頻發(fā)生器將要產(chǎn)生的射頻信號的功率水平。例如，功率控制器PWRSOby識別在功率控制器PWRSOby的存儲裝置內(nèi)映射到數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0的功率水平。功率控制器PWRSOby發(fā)送功率水平到射頻電源324。
[0133]此外，在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間，DSPy提供數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1到y(tǒng) MHz射頻發(fā)生器的調(diào)諧器AFTSOby。調(diào)諧器AFTSOby響應(yīng)于接收數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1確定或識別y MHz射頻發(fā)生器將要產(chǎn)生的射頻信號的頻率水平。例如，調(diào)諧器AFTSOby識別從調(diào)諧器AFTSOby的存儲裝置映射到數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)SO的頻率水平。調(diào)諧器AFTSOby提供該頻率水平到射頻電源324。在接收來自功率控制器PWRSOby在狀態(tài)SOb期間的功率水平和來自調(diào)諧器AFTSOby在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)SO期間的頻率水平時(shí)，射頻電源324產(chǎn)生具有該頻率水平和該功率水平的射頻信號。
[0134]在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間的功率水平和頻率水平與達(dá)到例如，蝕刻速率或沉積速率或清潔速率或?yàn)R射速率等速率相關(guān)聯(lián)。例如，yMHz射頻發(fā)生器在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOb和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的射頻信號有助于在精細(xì)調(diào)節(jié)蝕刻晶片318或沉積在晶片318上的材料期間在多個蝕刻速率之間實(shí)現(xiàn)平衡。多個蝕刻速率中的一個與狀態(tài)SOb相關(guān)聯(lián)，并且多個速率中的另一個與狀態(tài)SOa相關(guān)聯(lián)。
[0135]此外，在y MHz射頻發(fā)生器的狀態(tài)SOb期間，x MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)S0中操作。在狀態(tài)S0期間，DSPx發(fā)送時(shí)鐘信號TTL1到功率控制器PWRSOx并且發(fā)送到x MHz射頻發(fā)生器的調(diào)諧器AFTSOx。在接收時(shí)鐘信號TTL1時(shí)，功率控制器PWRSOx確定或識別功率水平。功率水平從功率控制器PWRSOx的存儲裝置識別。功率水平提供到射頻電源322。
[0136]此外，在接收時(shí)鐘信號TTL1時(shí)，調(diào)諧器AFTSOx確定或識別頻率水平。頻率水平從調(diào)諧器AFTSOx的存儲裝置識別。調(diào)諧器AFTSOx提供頻率水平到射頻電源322。在狀態(tài)S0期間接收功率水平和頻率水平時(shí)，射頻電源322產(chǎn)生具有該頻率水平和功率水平的射頻信號。
[0137]應(yīng)該指出的是，在X MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生的射頻信號的狀態(tài)S0期間的頻率水平和功率水平有助于達(dá)到加工速率，例如，沉積速率、蝕刻速率、清潔速率、濺射速率等。例如，在狀態(tài)S0期間，X MHz射頻發(fā)生器產(chǎn)生具有映射到粗略的蝕刻水平并且/或者映射到粗略的頻率水平的功率水平的射頻信號。
[0138]阻抗匹配電路302接收X MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的射頻信號以及yMHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)SOb期間產(chǎn)生的射頻信號，并且使負(fù)載的阻抗與源匹配以產(chǎn)生修改的射頻信號。修改的射頻信號由阻抗匹配電路302提供到卡盤314以產(chǎn)生或修改等離子體來加工晶片318，從而達(dá)到速率。
[0139]此外，在狀態(tài)SOa期間，DSPx經(jīng)由電纜提供數(shù)字脈沖信號TTL3到DSPy并且經(jīng)由電纜提供時(shí)鐘信號TTL1到DSPy。DSPy在狀態(tài)SOa期間提供數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1到y(tǒng) MHz射頻發(fā)生器的功率控制器PWRSOay。例如，DSPy提供具有狀態(tài)SOa的數(shù)字脈沖信號TTL3的一部分和提供具有狀態(tài)S0的時(shí)鐘信號TTL1。功率控制器PWRSOay響應(yīng)于接收數(shù)字脈沖信號TTL3和時(shí)鐘信號TTL1確定或識別y MHz射頻發(fā)生器將要產(chǎn)生的射頻信號的功率水平。例如，功率控制器PWRSOay識別在功率控制器PWRSOay的存儲裝置內(nèi)映射到數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0的功率水平。功率控制器PWRSOay發(fā)送功率水平到射頻電源324。
[0140]此外，在數(shù)字脈沖信號TTL3狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間，DSPy提供數(shù)字脈沖信號TTL3到y(tǒng) MHz射頻發(fā)生器的調(diào)諧器AFTSOay。調(diào)諧器AFTSOay響應(yīng)于接收具有狀態(tài)SOa的數(shù)字脈沖信號TTL3和具有狀態(tài)S0的時(shí)鐘信號TTL1確定或識別y MHz射頻發(fā)生器將要產(chǎn)生的射頻信號的頻率水平。例如，調(diào)諧器AFTSOay識別在調(diào)諧器AFTSOay的存儲裝置內(nèi)映射到數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)SO的頻率水平。調(diào)諧器AFTSOay提供該頻率水平到射頻電源324。在接收來自功率控制器SOay在狀態(tài)SOa期間的功率水平和來自調(diào)諧器AFTSOay在狀態(tài)SOa期間的頻率水平時(shí)，射頻電源324產(chǎn)生具有該頻率水平和該功率水平的射頻信號。
[0141]在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間的功率水平和頻率水平與達(dá)到加工速率相關(guān)聯(lián)，加工速率如，蝕刻速率或沉積速率或?yàn)R射速率或清潔速率等。例如，y MHz射頻發(fā)生器在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的射頻信號有助于在精細(xì)調(diào)節(jié)蝕刻晶片318或沉積在晶片318上的材料期間實(shí)現(xiàn)平衡。如圖示，y MHz射頻發(fā)生器在數(shù)字脈沖信號TTL3的狀態(tài)SOa和時(shí)鐘信號TTL1的狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的射頻信號有助于增大蝕刻晶片318或沉積在晶片318上的材料的蝕刻速率，以進(jìn)一步在狀態(tài)SOb期間在增大的蝕刻速率與減小的蝕刻速率之間實(shí)現(xiàn)平衡。
[0142]此外，在y MHz射頻發(fā)生器的狀態(tài)SOa期間，x MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)S0中操作。X MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)S0期間的操作如上所述。阻抗匹配電路302接收X MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)S0期間產(chǎn)生的射頻信號以及y MHz射頻發(fā)生器在狀態(tài)SOa期間產(chǎn)生的射頻信號，并且使負(fù)載的阻抗與源匹配以產(chǎn)生修改的射頻信號。修改的射頻信號由阻抗匹配電路302提供到卡盤314以修改等離子體來加工晶片318，例如，蝕刻晶片、在晶片上沉積材料等，或者加工沉積在晶片318上的材料。
[0143]在狀態(tài)S1期間，DSPy提供TTL3信號到功率控制器PWRSly。例如，在狀態(tài)S1期間，DSPy提供TTL3信號的一部分到功率控制器PWRSly。應(yīng)該指出的是，TTL3信號與狀態(tài)S