高頻模塊的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發(fā)明涉及具有多個濾波元件的高頻模塊。
【背景技術】
[0002]在具備無線通信功能的移動設備等中，為了僅使所希望頻率的高頻信號通過，并使該所希望頻率以外的高頻信號衰減，而設置有濾波電路。
[0003]例如，專利文獻1中記載有具有多個SAW(聲表面波)濾波器的濾波電路。具體而言，專利文獻1的濾波電路中，在輸入端子與輸出端子之間串聯(lián)連接有多個SAW濾波器。在對串聯(lián)連接的各SAW濾波器進行連接的連接線與接地之間也分別連接有SAW濾波器。
[0004]專利文獻1所記載的濾波電路中，為了改善通頻帶以外的衰減特性，將電感器或電感器與電容器的串聯(lián)電路(稱為校正電路)與SAW濾波器的串聯(lián)電路并聯(lián)連接。此時，對校正電路進行調(diào)整，以使得在由SAW濾波器組構成的電路部傳輸?shù)耐l帶以外的高頻信號(抑制對象信號)與在校正電路中傳輸?shù)囊种茖ο笮盘柕恼穹恢?，相位相反。由此，抑制對象信號在由SAW濾波器組構成的電路部與校正電路的連接點處相抵消，從而不會從輸出端子輸出。
現(xiàn)有技術文獻專利文獻
[0005]專利文獻1:日本專利特開2012-109818號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術問題
[0006]然而，在上述結構中，除了由主要具有濾波功能的SAW濾波器組構成的電路部之夕卜，僅僅為了改善衰減特性，還必須要另行設置由電感器或電感器和電容器的串聯(lián)電路構成的校正電路。
[0007]因此，濾波電路的結構要素變多，濾波電路變得大型化，從而不適于追求小型化的當前的移動終端等。
[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種具備通頻帶以外的衰減特性優(yōu)異的小型濾波電路的高頻模塊。
解決技術問題所采用的技術手段
[0009]本發(fā)明涉及一種高頻模塊，具有以下特征，包括:第1外部連接端子;第2外部連接端子;濾波部，該濾波部連接在第1外部連接端子與第2外部連接端子之間；匹配電路，該匹配電路連接在第1外部連接端子或第2外部連接端子的至少其中一方與濾波部之間；以及電感器，該電感器連接在接地與濾波部之間。
[0010]濾波部包括與第1外部連接端子連接的第1串聯(lián)連接端子、與第2外部連接端子連接的第2串聯(lián)連接端子、以及利用多個連接線串聯(lián)連接在第1串聯(lián)連接端子與第2串聯(lián)連接端子之間的多個串聯(lián)連接型的濾波元件。濾波部包括并聯(lián)連接端子，該并聯(lián)連接端子經(jīng)由電感器接地，并且與一個所述連接線相連接。濾波部包括并聯(lián)連接型的濾波元件，該并聯(lián)連接型的濾波元件連接在并聯(lián)連接端子所連接的所述連接線和并聯(lián)連接端子之間。電感器與匹配電路電感耦合或電容耦合。
[0011]在該結構中，在由多個濾波元件傳輸高頻信號的主傳輸路徑以外，形成有副傳輸路徑，該副傳輸路徑是通過由連接在接地和濾波部之間的電感器和匹配電路所產(chǎn)生的電感耦合或電容耦合的路徑。因電感耦合或電容耦合的耦合度的不同，副傳輸路徑具有與主傳輸路徑不同的振幅特性和相位特性，通過調(diào)整副傳輸路徑的振幅特性和相位特性，能夠調(diào)整作為高頻模塊的傳輸特性。由此，即使不另外設置電感器、電容器，也能夠調(diào)整高頻模塊的傳輸特性，例如能夠改善衰減特性。
[0012]此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具有下述結構。互相之間進行電感耦合或電容耦合的電感器和匹配電路進行電感耦合或者電容耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的阻抗發(fā)生變化。
[0013]如上述結構所示，通過適當調(diào)整親合方式、親合度，從而能在不改變通頻帶的特性的情況下改變通頻帶以外的特性即衰減特性。
[0014]此外，本發(fā)明的高頻模塊優(yōu)選具有下述結構?；ハ嘀g進行電感耦合或電容耦合的電感器和匹配電路進行電感耦合或者電容耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的衰減極頻率發(fā)生變化。
[0015]在該結構中，調(diào)整衰減極頻率來作為衰減特性的調(diào)整方式。
[0016]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，匹配電路可以是串聯(lián)連接在第1外部連接端子與第1串聯(lián)連接端子之間、或者串聯(lián)連接在第2外部連接端子與第2串聯(lián)連接端子之間的、串聯(lián)連接型的匹配電路。
[0017]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，匹配電路也可以是連接在將第1外部連接端子與第1串聯(lián)連接端子連接的連接線與接地之間、或者連接在將第2外部連接端子與第2串聯(lián)連接端子連接的連接線與接地之間的、并聯(lián)連接型的匹配電路。
[0018]這些結構中，示出了匹配電路的具體連接方式。通過適當?shù)卮_定這些連接方式，能夠適當?shù)剡M行濾波部與外部之間的阻抗匹配，并且也能夠適當?shù)剡M行上述衰減特性的調(diào)整。
[0019]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結構。濾波部包括第3端子和第2濾波部。第2濾波部連接在對第1串聯(lián)連接端子及連接至該第1串聯(lián)連接端子的濾波元件進行連接的連接線、與第3端子之間。
[0020]在該結構中，能夠實現(xiàn)將第1串聯(lián)連接端子作為公共端子、將第2串聯(lián)連接端子及第3端子作為獨立端子的合成分波器(雙工器等)。
[0021]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結構。高頻模塊包括:在第1主面形成有構成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、隔開間隔與濾波器基板的第1主面相對的平板狀的保護層、從第1主面突出且具有貫穿保護層的形狀的連接電極、以及安裝或形成有匹配電路的層疊基板。濾波器基板配置為第1主面?zhèn)瘸驅盈B基板的安裝面。濾波器基板經(jīng)由連接電極與層疊基板相連接。
[0022]在該結構中，通過由WLP(Wafer Level Package:晶圓級封裝)構成的濾波部和層疊基板來實現(xiàn)高頻模塊。由此，能夠使高頻模塊小型化。
[0023]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結構。匹配電路包含安裝在層疊基板的安裝面上的安裝型電路元件。電感器安裝或形成在層疊基板的安裝面或內(nèi)部。安裝型電路元件與電感器接近配置。
[0024]上述結構中，示出了匹配電路為安裝型電路元件時使用WLP的高頻模塊的具體結構例。此外，還示出了電感器的具體結構例。通過該結構，能可靠地實現(xiàn)匹配電路與電感器的耦合。
[0025]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，優(yōu)選為形成于濾波器基板上的連接線與電感器之間最接近的部分的距離比安裝型電路元件與電感器之間最接近的部分的距離要遠。
[0026]優(yōu)選為形成于濾波器基板上的連接線和安裝型電路元件之間最接近的部分的距離比安裝型電路元件和電感器之間最接近的部分的距離要遠。
[0027]該結構中，能縮小連接線和電感器之間的電感耦合，能獲得所希望的衰減特性。
[0028]此外，本發(fā)明的高頻模塊中，電感器可以是產(chǎn)生與形成于濾波器基板上的連接線所產(chǎn)生的磁場正交的磁場的形狀。
[0029]該結構中，能抑制連接線與電感器之間的電感耦合。
[0030]本發(fā)明的高頻模塊中，電感器可以在濾波器基板中與濾波器基板的規(guī)定的邊接近配置，該規(guī)定的邊與連接線最接近的邊不同。
[0031]該結構中，連接線和電感器隔開距離配置，因此能獲得所希望的衰減特性。
[0032]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結構。匹配電路包含安裝在層疊基板的安裝面上的安裝型電路元件。電感器形成在保護層的內(nèi)部。安裝型電路元件與電感器接近配置。
[0033]上述結構中，示出了匹配電路為安裝型電路元件時使用WLP的高頻模塊的具體結構例。此外，還示出了電感器的具體結構例。通過該結構，能可靠地實現(xiàn)匹配電路與電感器的耦合。
[0034]此外，本發(fā)明的高頻模塊還優(yōu)選具有下述結構。匹配電路包括長方體形狀的框體、以及形成在該框體內(nèi)且俯視時由大致長方形的外周形狀形成的螺旋導體。匹配電路配置成框體的長邊接近電感器。
[0035]在該結構中，能夠容易地進行匹配電路與電感器的耦合，向所希望的耦合量的調(diào)整也變得容易。
[0036]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結構。高頻模塊包括在第1主面形成有構成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、以及配置在濾波器基板的第1主面?zhèn)惹野惭b有濾波器基板的第1主面?zhèn)鹊钠桨鍫畹臑V波器安裝用基板。匹配電路安裝或形成于濾波器安裝用基板的安裝面。
[0037]在該結構中，示出利用CSP(ChipSize Package:芯片尺寸封裝)來實現(xiàn)高頻模塊的情況。
發(fā)明效果
[0038]根據(jù)本發(fā)明，能夠實現(xiàn)具備具有優(yōu)異的通頻帶以外的衰減特性的小型濾波電路的高頻模塊。
【附圖說明】
[0039]圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。
圖4是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。
圖5是表示圖1至圖4所示的高頻模塊的匹配電路的具體例的電路圖。
圖6是表示使匹配電路與電感器的電感耦合的耦合度變化時的高頻模塊的通過特性的變化的曲線圖。
圖7是由雙工器結構構成的高頻模塊的等效電路圖。
圖8是表示使匹配電路與電感器的電感耦合的耦合度變化時的高頻模塊的第2外部連接端子與第3外部連接端子之間的隔離度的變化的曲線圖。
圖9是表示高頻模塊的第1結構的主要結構的側視示意圖。
圖10是表示高頻模塊的第1結構的第1變形例的主要結構的俯視示意圖。
圖11是表示高頻模塊的第1結構的第2變形例的主要結構的俯視示意圖。
圖12是表示高頻模塊的第1結構的第3變形例的主要結構的側視示意圖。
圖13是表示高頻模塊的第2結構的主要結構的俯視示意圖。
圖14是表示高頻模塊的第3結構的主要結構的側視示意圖。
【具體實施方式】
[0040]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。圖4是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。另外，圖1?圖4中，為便于觀察附圖，示出了電感耦合或電容耦合的代表例。圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)、圖5(D)是表示第1外部連接端子側的匹配電路的具體例的電路圖。圖5(E)、圖5(F)、圖5(G)、圖5(H)是表示第2外部連接端子側的匹配電路的具體例的電路圖。
[0041]首先，對圖1至圖4所分別示出的高頻模塊11、12、13、14中共通的電路結構進行說明。
[0042]高頻模塊11、12、13、14具有第1外部連接端子P1、第2外部連接端子P2、以及濾波部20。濾波部20連接在第1外部連接端子P1與第2外部連接端子P2之間。
[0043]濾波部20具有第1串聯(lián)連接端子P21、第2串聯(lián)連接端子P22、第1并聯(lián)連接端子P23UP232、以及第2并聯(lián)連接端子P24。第1串聯(lián)連接端子P21經(jīng)由后述的串聯(lián)連接型的匹配電路或并聯(lián)連接型的匹配電路與第1外部連接端子P1相連接。第2串聯(lián)連接端子P22經(jīng)由后述的串聯(lián)連接型的匹配電路或并聯(lián)連接型的匹配電路與第2外部連接端子P2相連