高頻模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及具有多個濾波元件的高頻模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]在具備無線通信功能的移動設(shè)備等中，為了僅使所希望頻率的高頻信號通過，使該所希望頻率以外的高頻信號衰減，從而設(shè)置有濾波電路。
[0003]例如，專利文獻1中記載有具有多個SAW(聲表面波)濾波器的濾波電路。具體而言，專利文獻1的濾波電路中，在輸入端子與輸出端子之間串聯(lián)連接有多個SAW濾波器。在對串聯(lián)連接的各SAW濾波器進行連接的連接線與大地之間也分別連接有SAW濾波器。
[0004]專利文獻1所記載的濾波電路中，為了改善通頻帶以外的衰減特性，將電感器或電感器與電容器的串聯(lián)電路(稱為校正電路)、與SAW濾波器的串聯(lián)電路并聯(lián)連接。此時，對校正電路進行調(diào)整，以使得在由SAW濾波器組構(gòu)成的電路部傳輸?shù)耐l帶以外的高頻信號(抑制目標信號)與在校正電路中傳輸?shù)囊种颇繕诵盘柕恼穹恢拢辔幌喾?。由此，抑制目標信號在由SAW濾波器組構(gòu)成的電路部與校正電路的連接點處相抵消，從而不會從輸出端子輸出。
現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻
[0005]專利文獻1:日本專利特開2012 —109818號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]然而，在上述結(jié)構(gòu)中，除了由主要具有濾波功能的SAW濾波器組構(gòu)成的電路部之夕卜，僅僅為了改善衰減特性，還必須要設(shè)置由電感器或電感器和電容器的串聯(lián)電路構(gòu)成的校正電路。
[0007]因此，濾波電路的結(jié)構(gòu)要素變多，濾波電路變得大型化，從而不適于追求小型化的當前的移動終端等。
[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種具備通頻帶以外的衰減特性優(yōu)異的小型濾波電路的高頻模塊。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)手段
[0009]本發(fā)明涉及包括第1外部連接端子、第2外部連接端子、連接在第1外部連接端子與第2外部連接端子之間的濾波部、連接在第1外部連接端子與濾波部之間的第1匹配電路、以及連接在第2外部連接端子與濾波部之間的第2匹配電路的高頻模塊，第1匹配電路與第2匹配電路進行電感性耦合或電容性耦合。
[0010]在該結(jié)構(gòu)中，除了在濾波部傳輸高頻信號的主傳輸路徑以外，形成有經(jīng)由利用第1匹配電路和第2匹配電路生成的電感性耦合或電容性耦合的路徑的副傳輸路徑。因電感性耦合或電容性耦合的耦合度的不同，副傳輸路徑具有與主傳輸路徑不同的振幅特性和相位特性，通過調(diào)整副傳輸路徑的振幅特性和相位特性，能夠調(diào)整作為高頻模塊的傳輸特性。由此，即使不另外設(shè)置電感器、電容器，也能夠調(diào)整高頻模塊的傳輸特性，例如能夠改善衰減特性。
[0011]本發(fā)明的高頻模塊中，濾波部優(yōu)選包括與第1外部連接端子連接的第1串聯(lián)連接端子、與第2外部連接端子連接的第2串聯(lián)連接端子、以及串聯(lián)連接在第1串聯(lián)連接端子與第2串聯(lián)連接端子之間的多個串聯(lián)連接型的濾波元件。
[0012]在該結(jié)構(gòu)中，通過對多個濾波元件的帶通特性和衰減特性進行組合，能夠?qū)崿F(xiàn)濾波部所希望的帶通特性和通頻帶以外的衰減特性。
[0013]本發(fā)明的高頻模塊中，優(yōu)選為第1匹配電路和第2匹配電路進行電感性耦合或電容性耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的阻抗發(fā)生變化。
[0014]如上述結(jié)構(gòu)所示，通過適當調(diào)整耦合方式、耦合度，從而能在不改變通頻帶的特性的情況下改變通頻帶以外的特性即衰減特性。
[0015]本發(fā)明的高頻模塊中，優(yōu)選為第1匹配電路和第2匹配電路進行電感性耦合或電容性耦合，以使得濾波部的通頻帶以外的衰減極頻率發(fā)生變化。
[0016]在該結(jié)構(gòu)中，調(diào)整衰減極頻率來作為衰減特性的調(diào)整方式。
[0017]此外，本發(fā)明的高頻模塊還具有下述結(jié)構(gòu)。第1匹配電路是串聯(lián)連接在第1外部連接端子與濾波部之間的串聯(lián)連接型的匹配電路，或者是連接在對第1外部連接端子與濾波部進行連接的連接線、與地之間的并聯(lián)連接型的匹配電路。第2匹配電路是串聯(lián)連接在第2外部連接端子與濾波部之間的串聯(lián)連接型的匹配電路，或者是連接在對第2外部連接端子與濾波部進行連接的連接線、與地之間的并聯(lián)連接型的匹配電路。
[0018]在該結(jié)構(gòu)中，示出匹配電路的具體的連接方式。通過適當?shù)卮_定這些連接方式，能夠適當?shù)剡M行濾波部與外部之間的阻抗匹配，并且也能夠適當?shù)剡M行上述衰減特性的調(diào)整。
[0019]此外，本發(fā)明的高頻模塊還具有下述結(jié)構(gòu)。濾波部包括第3端子和第2濾波部。第2濾波部連接在對第1串聯(lián)連接端子及連接至該第1串聯(lián)連接端子的濾波元件進行連接的連接線、與第3端子之間。
[0020]在該結(jié)構(gòu)中，能夠?qū)崿F(xiàn)將第1串聯(lián)連接端子作為公共端子、將第2串聯(lián)連接端子及第3端子作為獨立端子的合成分波器(雙工器等)。
[0021]此外，本發(fā)明的高頻模塊還具有下述結(jié)構(gòu)。高頻模塊包括:在第1主面形成有構(gòu)成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、隔開間隔與該濾波器基板的第1主面相對的平板狀的保護層、從第1主面突出且具有貫穿保護層的形狀的連接電極、以及安裝或形成有第1匹配電路及第2匹配電路的層疊基板。濾波器基板配置為第1主面?zhèn)瘸驅(qū)盈B基板的安裝面。濾波器基板經(jīng)由連接電極與層疊基板相連接。
[0022]在該結(jié)構(gòu)中，通過由WLP(Wafer Level Package:晶圓級封裝)構(gòu)成的濾波部和層疊基板來實現(xiàn)高頻模塊。由此，能夠使高頻模塊小型化。
[0023]此外，本發(fā)明的高頻模塊還具有下述結(jié)構(gòu)。高頻模塊包括在第1主面形成有構(gòu)成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、具有從第1主面突出的形狀的連接電極、安裝或形成有第1匹配電路和第2匹配電路的層疊基板、以及用于密封濾波部的樹脂層。所述濾波器基板配置為使得第1主面?zhèn)扰c層疊基板的安裝面隔開間隔地相對。濾波器基板經(jīng)由連接電極與層疊基板相連接。樹脂層覆蓋配置有濾波器基板的層疊基板的安裝面。
[0024]在該結(jié)構(gòu)中，通過由裸片構(gòu)成的濾波部和層疊基板來實現(xiàn)高頻模塊。由此，能夠使高頻模塊小型化。
[0025]此外，本發(fā)明的高頻模塊還具有下述結(jié)構(gòu)。第1匹配電路和第2匹配電路包含安裝于層疊基板的安裝面的安裝型電路元件。第1匹配電路和第2匹配電路相靠近地進行配置。
[0026]在該結(jié)構(gòu)中，示出第1匹配電路和第2匹配電路的具體結(jié)構(gòu)例。通過該結(jié)構(gòu)，能夠可靠地實現(xiàn)第1匹配電路和第2匹配電路的耦合。
[0027]此外，本發(fā)明的高頻模塊還優(yōu)選具有下述結(jié)構(gòu)。第1匹配電路和第2匹配電路包括長方體形狀的殼體、以及形成在該殼體內(nèi)且俯視時由大致長方形的外周形狀形成的螺旋導(dǎo)體。構(gòu)成第1匹配電路的殼體的長邊配置為與構(gòu)成第2匹配電路的殼體的長邊相靠近。
[0028]在該結(jié)構(gòu)中，能夠容易地進行第1匹配電路與第2匹配電路的耦合，向所希望的耦合量的調(diào)整也變得容易。
[0029]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。第1匹配電路和第2匹配電路形成在層疊基板的安裝面或內(nèi)部。從層疊基板的層疊方向觀察，第1匹配電路和第2匹配電路相重合。
[0030]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。第1匹配電路和第2匹配電路形成在層疊基板的內(nèi)部。從與層疊基板的安裝面平行的方向觀察，第1匹配電路和第2匹配電路相重合。
[0031]在這些結(jié)構(gòu)中，示出第1匹配電路和第2匹配電路的具體結(jié)構(gòu)例。通過這些結(jié)構(gòu)，能夠可靠地實現(xiàn)第1匹配電路和第2匹配電路的耦合。
[0032]此外，第1匹配電路或第2匹配電路也可以形成在保護層的內(nèi)部。
[0033]在該結(jié)構(gòu)中，示出第1匹配電路或第2匹配電路的具體結(jié)構(gòu)例。
[0034]此外，本發(fā)明的高頻模塊還可以具有下述結(jié)構(gòu)。高頻模塊包括在第1主面形成有構(gòu)成濾波部的IDT電極的平板狀的濾波器基板、以及配置在該濾波器基板的第1主面?zhèn)惹野惭b有該濾波器基板的第1主面?zhèn)鹊钠桨鍫畹臑V波器安裝用基板。第1匹配電路和第2匹配電路安裝或形成于濾波器安裝用基板。
[0035]在該結(jié)構(gòu)中，示出利用CSP(ChipSize Package:芯片尺寸封裝)來實現(xiàn)高頻模塊的情況。
發(fā)明效果
[0036]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)具備具有優(yōu)異的通頻帶以外的衰減特性的小型濾波電路的高頻模塊。
【附圖說明】
[0037]圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。
圖3是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。
圖4是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。
圖5是表示圖1至圖4所示的高頻模塊的匹配電路的具體例的電路圖。
圖6是表示使第1匹配電路與第2匹配電路的電感性耦合的耦合度變化時的高頻模塊的通過特性的變化的曲線圖。
圖7是由雙工器結(jié)構(gòu)構(gòu)成的高頻模塊的等效電路圖。
圖8是表示使第1匹配電路與第2匹配電路的電感性耦合的耦合度變化時的高頻模塊的第2外部連接端子與第3外部連接端子之間的隔離度的變化的曲線圖。
圖9是表示高頻模塊的第1結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖10是表示高頻模塊的第1結(jié)構(gòu)的變形例的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖11是表示高頻模塊的第2結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖12是表示高頻模塊的第3結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
圖13是表示高頻模塊的第4結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖14是表示高頻模塊的第5結(jié)構(gòu)的主要結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。
【具體實施方式】
[0038]參照附圖，對本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊進行說明。圖1是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第1電路例的電路框圖。圖2是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第2電路例的電路框圖。圖3是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第3電路例的電路框圖。圖4是表示本發(fā)明的實施方式所涉及的高頻模塊的第4電路例的電路框圖。圖5(A)、圖5(B)、圖5(C)、圖5(D)是表示第1外部連接端子側(cè)的第1匹配電路的具體例的電路圖。圖5(E)、圖5(F)、圖5(G)、圖5(H)是表示第2外部連接端子側(cè)的第2匹配電路的具體例的電路圖。
[0039]首先，對圖1至圖4所分別示出的高頻模塊11、12、13、14中共通的電路結(jié)構(gòu)進行說明。
[0040]高頻模塊11、12、13、14具有第1外部連接端子P1、第2外部連接端子P2、以及濾波部20。濾波部20連接在第1外部連接端子P1與第2外部連接端子P2之間。
[0041]濾波部20具有第1串聯(lián)連接端子P21、第2串聯(lián)連接端子P22、第