32的增益和/或相位控制為即使存在時間相關(guān)的熱改變也基本恒定。
[0091]在某些實現(xiàn)方式中，雙極型參考晶體管72和雙極型功率放大器晶體管61可以被熱耦合并且在類似的偏置條件下操作，因此可以具有類似的溫度和功率密度。通過以類似的溫度和/或功率密度操作雙極型參考晶體管72和雙極型功率放大器晶體管61，偏置電路55可以提供增強的DEVM補償。例如，示出的配置相對于使用電流鏡產(chǎn)生偏置電壓的方案可以提供增強的性能，因為這樣的電流鏡晶體管和功率放大器晶體管可能以不同的功率密度操作。
[0092]圖8是根據(jù)另一實施例的功率放大器系統(tǒng)80的電路圖。功率放大器系統(tǒng)80包括可以如之前所描述的DC阻隔電容器52和偏置電路55。功率放大器系統(tǒng)80進(jìn)一步包括電源高偏置電路81和功率放大器82。電源高偏置電路81可被用于將電源高電壓提供到功率放大器
82ο
[0093]如先前所述，偏置電路55包括電流源71、雙極型參考晶體管72和放大器73。在示出的配置中，偏置電路55已被用于產(chǎn)生用于功率放大器晶體管的偏置電壓VBIAS，該功率放大器晶體管已經(jīng)使用從晶傳管陣列83選擇的晶體管元件61a-61d實現(xiàn)。
[0094]在某些實現(xiàn)方式中，功率放大器晶體管使用從晶傳管陣列選擇的多個晶體管元件實現(xiàn)，該晶傳管陣列例如為圖8的晶傳管陣列83。以此方式實現(xiàn)功率放大器晶體管可以有助于減小寄生效應(yīng)和/或要不然增強功率放大器的性能。
[0095]在某些配置中，參考雙極型晶體管72還使用從被用于實現(xiàn)功率放大器晶體管的晶傳管陣列83選擇的一個或多個晶體管元件實現(xiàn)。晶傳管陣列83的晶體管元件可以以相對于彼此基本上相同的幾何形狀和尺寸以共同的布局實現(xiàn)。以此方式實現(xiàn)雙極型參考晶體管72可以改善與制造或處理相關(guān)聯(lián)的功率放大器晶體管和雙極型參考晶體管72的晶體管匹配。
[0096]此外，以此方式實現(xiàn)參考晶體管72還可以改善參考晶體管72和功率放大器晶體管之間的熱耦合，這可以減小與熱失配相關(guān)聯(lián)的功率放大器的增益和/或相位變化。在一個實施例中，為提供魯棒的熱耦合，參考晶體管72和功率放大器晶體管被分開小于大約9μπι。
[0097]圖9Α是根據(jù)一個實施例的多級功率放大器90的電路圖。多級功率放大器90包括第一可變電流源91a、第二可變電流源91b、第三可變電流源91c、第一功率放大器級95a、第二功率放大器級95b、第三功率放大器級95c、第一反饋偏置電路96a、第二反饋偏置電路96b、第三反饋偏置電路96c和控制電路97。
[0098]如使用箭頭示意性地示出的，第一功率放大器級95a、第二功率放大器級95b和第三功率放大器級95c以級聯(lián)布置。例如，第一功率放大器級95a的輸入可以接收RF輸入信號，第二功率放大器級95b的輸入可以電連接到第一功率放大器級95a的輸出，第三功率放大器級95c的輸入可以電連接到第二功率放大器級95b的輸出，并且第三功率放大器級95c的輸出可以產(chǎn)生放大的RF信號。盡管多級功率放大器90示出了使用三個功率放大器級的配置，但多級功率放大器90可以包括更多或更少的功率放大器級。
[0099]在示出的配置中，使用控制電路97控制第一到第三可變電流源91a — 91c?？刂齐娐?7可被用于控制第一、第二和第三可變電流源91a、91b、91c，使得由電流源產(chǎn)生的第一、第二和第三參考電流！ref1、Iref2、Iref3在溫度上具有相對小的變化。例如，在一個實施例中，控制電路97包括帶隙參考電路，其可被用于產(chǎn)生基本上與溫度無關(guān)并且可被用于控制電流源的參考信號。在某些配置中，控制電路97接收可被用于選擇性地使功率放大器的輸出脈動的使能信號。
[0100]如在圖9A中所示，第三功率放大器級95c包括已被用于實現(xiàn)功率放大器和參考晶體管的多個晶傳管陣列。例如，在示出的配置中，第三功率放大器級95c包括第一到第四晶傳管陣列94a-94d。在示出的配置中，第一到第四參考晶體管92a-92d分別實現(xiàn)在第一到第四晶體管陣列94a-94d中。此外，第一到第四晶傳管陣列94a-94d的剩余晶體管元件的至少一部分可以相互電連接以作為與第三功率放大器級95c相關(guān)聯(lián)的雙極型功率放大器晶體管操作。為了附圖的清晰，與晶體管61a-61d的陣列相關(guān)聯(lián)的電連接已被忽略。
[Ο?Ο?] 在圖9Α;^出的配置中，每個功率放大器級95a_95c被使用反饋偏置電路部分偏置。例如，第三反饋偏置電路96c包括跨阻抗放大器93，該跨阻抗放大器93可被用于產(chǎn)生用于第三功率放大器級95c的功率放大器晶體管的偏置電壓。跨阻抗放大器93可以基于放大對應(yīng)于第三參考電流Irefs和第一參考晶體管92a的集電極電流之間的差的誤差電流產(chǎn)生用于第三功率放大器級95c的偏置電壓。由于跨阻抗放大器93利用負(fù)反饋操作，跨阻抗放大器93可以將第一參考晶體管92a的集電極電流控制為基本上等于由第三可變電流源91c產(chǎn)生的第三參考電流Iref3。
[0102]在某些實現(xiàn)方式中，諸如多路復(fù)用器的選擇電路(在圖9A中未示出)可被用于選擇性地將第一到第四參考晶體管92a-92d的一個連接到第三反饋偏置電路96c。例如，如在圖9A中所示，第一參考晶體管92a的集電極已被電連接到跨阻抗放大器93的輸入，并且第一參考晶體管92a的基極已被電連接到跨阻抗放大器93的輸出。通過包括多個參考晶體管，最好地跟蹤功率放大器級的熱溫度的參考晶體管可被用于產(chǎn)生該級的偏置電壓。
[0103]在另一個實現(xiàn)方式中，可以使用多個參考晶體管產(chǎn)生用于功率放大器級的偏置電壓。例如，兩個或更多個參考晶體管可以并聯(lián)電連接并且電連接到第三反饋電路96c，使得為該功率放大器級產(chǎn)生的偏置電壓基于參考晶體管的平均值。所述兩個或更多個參考晶體管可以使用選擇電路(在圖9A中未示出)來選擇或使用互連而被并聯(lián)電連接。
[0104]盡管為了清楚未在圖9A中示出，第一和第二功率放大器級95a、95b可以包括類似于第三功率放大器級95c的電路。此外，第一和第二反饋偏置電路96a、96b可以包括與第三反饋偏置電路96c的電路類似的電路。盡管圖9A示出了多級功率放大器的每個功率放大器級被使用反饋偏置電路偏置的配置，但是這里的教導(dǎo)可應(yīng)用于不是所有的功率放大器的級都使用反饋偏置電路的配置。例如，在某些配置中，只有功率放大器的輸出級被使用反饋偏置電路偏置。
[0105]圖9B是根據(jù)另一實施例的多級功率放大器100的電路圖。除了多級功率放大器100進(jìn)一步包括第一隔離電路98a、第二隔離電路98b和第三隔離電路98c之外，圖9B的多級功率放大器100類似于圖9A的多級功率放大器90。
[0106]此外，第三功率放大器級95c被示出為包括選擇電路99，該選擇電路99可被用于選擇性地將第一參考晶體管92a、第二參考晶體管92b、第三參考晶體管92c和/或第四參考晶體管92d的一個或多個連接到第三反饋偏置電路96c。在多于一個的參考晶體管被選擇的配置中，選擇的參考晶體管可以相互并聯(lián)電連接，使得為第三功率放大器級100產(chǎn)生的偏置電壓基于選擇的參考晶體管的平均值。
[0107]第一到第三隔離電路98a_98c可被用于將偏置電壓提供到功率放大器晶體管，同時幫助防止噪聲到達(dá)偏置電路。在一個實施例中，第三隔離電路98c包括電感器或電阻器的至少一個。類似地，在某些配置中，第一和第二隔離電路98a、98b每個可以包括電感器或電阻器的至少一個。盡管圖9B示出了對于每個功率放大器級包括隔離電路的配置，但是在其它配置中，對于不是所有的功率放大器級，包括隔離電路。
[0108]圖1OA是封裝的功率放大器模塊300的一個實施例的示意圖。圖1OB是圖1OA的封裝的功率放大器模塊300沿線1B — 1B截取的橫截面的示意圖。
[0109]封裝的功率放大器模塊300包括IC或裸芯301、表面安裝組件303、鍵合線308、封裝基底320和包封結(jié)構(gòu)340。封裝基底320包括從布置在其中的導(dǎo)體形成的焊盤(pad)306。此夕卜，裸芯301包括焊盤304，并且鍵合線308已被用于將裸芯301的焊盤304電連接到封裝基底301的焊盤306。
[0110]如圖1OA和1B所示，裸芯301包括在其中形成的功率放大器32和功率放大器偏置電路55。功率放大器偏置電路55包括可以如之前所描述的電流源71、參考晶體管72和功率放大器73。
[0111]封裝基底320可被配置為容納多個組件，例如裸芯301和表面安裝組件303，表面安裝組件303例如可以包括表面安裝電容器和/或電感器。
[0112]如圖1OB所示，封裝的功率放大器模塊300被示出為包括布置在封裝的功率放大器模塊300的與用于安裝裸芯301的一側(cè)相對的一側(cè)上的多個接觸焊盤332。以此方式配置封裝的功率放大器模塊300可以有助于將封裝的功率放大器模塊300連接到諸如無線裝置的電話板的電路板。示例接觸焊盤332可被配置為將RF信號、偏置信號、(一個或多個)電源低電壓和/或(一個或多個)電源高電壓提供到裸芯301和