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      用于減輕電源外殼中的電弧故障的電弧故障通路的制作方法_3

      文檔序號(hào):9816816閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
      釋放,如圖5B所示。最后,在方框606,等離子208通過(guò)開啟的頂減壓瓣205/504從第二室202/500泄出。
      [0033]圖7是示出具有用于減輕電弧故障的電弧故障通路的電源外殼700的另一個(gè)實(shí)施例的截面的方框圖。電源外殼700包括:相鄰第一室701A — B,該相鄰第一室701A—B對(duì)應(yīng)于第一室201/400;以及第二室702,該第二室702對(duì)應(yīng)于第二室202/500,并且與第一室701B相鄰。電源的任何適當(dāng)部分都可以位于第一室701A — B或者第二室702內(nèi)。第一室701B和第二室702包括進(jìn)氣窗703,諸如上面參考圖3討論的進(jìn)氣窗,這樣使得氣流706通過(guò)進(jìn)氣窗703進(jìn)入電源外殼700,以冷卻電源,并且在發(fā)生電弧故障207時(shí),減少等離子708從進(jìn)氣窗703排出。第一室701A—B還包含中間減壓瓣704A — B,諸如上面參考圖4A—B討論的中間減壓瓣,該中間減壓瓣704A—B位于電源外殼700的內(nèi)部。中間減壓瓣704A位于第一室701A與第一室701B之間,并且中間減壓瓣704B位于第一室701B與第二室702之間。第二室702包含頂減壓瓣705,諸如上面參考圖5A—B討論的頂減壓瓣,該頂減壓瓣705位于電源外殼700的外表面上。當(dāng)?shù)谝皇?01A內(nèi)發(fā)生電弧故障707時(shí),電弧故障707產(chǎn)生的等離子708通過(guò)中間減壓瓣704A從第一室701A泄入第一室701B內(nèi),并且然后,通過(guò)中間減壓瓣704B,泄入第二室702內(nèi)。然后,等離子708通過(guò)頂減壓瓣705泄到電源外殼700的外部。在一些實(shí)施例中,在電源工作時(shí),頂減壓瓣705可以位于2米或者更高的高度,以避免等離子708泄向電源的用戶。圖7僅出于說(shuō)明性目的示出,電源外殼可以包含通過(guò)中間減壓瓣連結(jié)的任何構(gòu)造的室,并且諸如電弧故障707的電弧故障可能發(fā)生在電源外殼的任何室內(nèi)。
      [0034]示例性實(shí)施例的技術(shù)效果和好處包含使電源內(nèi)的電弧故障產(chǎn)生的等離子排泄到電源外殼的頂部,離開可能位于電源外殼的前面、側(cè)面或者背面的任何用戶。
      [0035]在此使用的術(shù)語(yǔ)僅為了描述特定實(shí)施例,并且不旨在限制本發(fā)明。在此使用的單數(shù)形式“一個(gè)”、“一”和“該”旨在也包含復(fù)數(shù)形式,除非上下文另外明確指出。還應(yīng)當(dāng)明白,本說(shuō)明書中使用的術(shù)語(yǔ)“包括”和/或者“含括”說(shuō)明存在陳述的特征、整數(shù)、步驟、操作、要素和/或者部件,但是不排除存在或者附加一個(gè)或者多個(gè)其他特征、整數(shù)、步驟、操作、要素、部件和/或者其組。
      [0036]下面的權(quán)利要求中的相應(yīng)結(jié)構(gòu)、材料、動(dòng)作以及所有裝置或者步驟加功能要素的等同旨在包含具體要求保護(hù)的與要求保護(hù)的其他要素組合執(zhí)行功能的任何結(jié)構(gòu)、材料或者動(dòng)作。出于說(shuō)明和描述的目的,提供對(duì)本發(fā)明的描述,對(duì)本發(fā)明的描述不旨在窮盡的,也不旨局限于所公開型式的發(fā)明。在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下,許多修改和變型對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員顯而易見。對(duì)于適合設(shè)想的特定用途、有各種修改的各種實(shí)施例,為了最好地解釋發(fā)明原理和實(shí)際應(yīng)用并且使本技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的其他普通技術(shù)人員理解本發(fā)明,選擇并且描述了實(shí)施例。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種用于電源的外殼,包括: 第一室; 第二室,所述第二室與所述第一室相鄰布置;以及 電弧故障通路,所述電弧故障通路包括: 中間減壓瓣,所述中間減壓瓣位于所述外殼內(nèi)在所述第一室與所述第二室之間;以及頂減壓瓣,所述頂減壓瓣位于所述第二室的外表面上; 所述中間減壓瓣和所述頂減壓瓣配置為在所述外殼內(nèi)沒有電弧故障時(shí)關(guān)閉,并且所述中間減壓瓣和所述頂減壓瓣配置為根據(jù)所述外殼內(nèi)存在所述電弧故障開啟,使得所述電弧故障產(chǎn)生的等離子通過(guò)所述開啟的中間減壓瓣從所述第一室泄入所述第二室,并且通過(guò)所述開啟的頂減壓瓣從所述第二室泄出。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外殼,所述第一室包括第一外表面和位于所述外殼內(nèi)的第二面,所述第二面包括板,所述板包括與所述第一外表面的材料不同的材料,并且其中,所述中間減壓瓣位于所述板中并且包括與所述板相同的材料。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外殼,其中,所述第一外表面包括金屬,并且所述板和所述中間減壓瓣包括復(fù)合材料。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外殼,其中,在所述板中刻劃所述中間減壓瓣的邊緣。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外殼,其中,從所述板切下所述中間減壓瓣,并且在沒有所述電弧故障的情況下,利用重力和墊圈中的一個(gè)使所述中間減壓瓣保持關(guān)閉。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外殼,其中,所述第二室的所述外表面和所述頂減壓瓣包括金屬O7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的外殼,所述頂減壓瓣還包括:連接件,所述連接件配置為將所述頂減壓瓣裝接到所述第二室的所述外表面;以及R鎖,在沒有所述電弧故障的情況下,所述閂鎖與所述第二室的所述外表面接合,其中,所述頂減壓瓣配置為在存在所述電弧故障的情況下彎曲,并且其中,所述閂鎖配置為根據(jù)所述頂減壓瓣的彎曲,與所述第二室的所述外表面斷開。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外殼,所述外殼還包括位于所述外殼的外表面中的進(jìn)氣窗,所述進(jìn)氣窗配置為使氣流進(jìn)入所述外殼用于冷卻,并且阻擋所述電弧故障產(chǎn)生的一部分所述等離子通過(guò)所述進(jìn)氣窗從所述外殼泄出。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外殼,還包括第三室,所述第三室與所述第一室相鄰布置,并且所述電弧故障通路還包括位于所述外殼內(nèi)在所述第一室與所述第三室之間的第二中間減壓瓣; 所述第二中間減壓瓣配置為在所述外殼內(nèi)沒有電弧故障時(shí)關(guān)閉,并且所述第二中間減壓瓣配置為根據(jù)在所述外殼內(nèi)存在所述電弧故障開啟,使得所述電弧故障產(chǎn)生的等離子通過(guò)所述開啟的第二中間減壓瓣從所述第三室泄入所述第一室。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外殼,其中,所述頂減壓瓣位于距所述外殼的底表面處于2米或者更高的高度。11.一種通過(guò)包括中間減壓瓣和頂減壓瓣的電弧故障通路從電源的外殼排泄電弧故障的方法,所述方法包括: 根據(jù)所述電弧故障,開啟所述中間減壓瓣,所述中間減壓瓣位于所述外殼內(nèi)在所述外殼的第一室與第二室之間,所述第二室與所述第一室相鄰布置; 所述電弧故障產(chǎn)生的等離子通過(guò)所述開啟的中間減壓瓣從所述外殼的所述第一室泄入所述第二室; 根據(jù)所述等離子泄入所述第二室,開啟所述頂減壓瓣,所述頂減壓瓣位于所述第二室的外表面上;以及 通過(guò)所述開啟的頂減壓瓣,從所述第二室泄出所述等離子。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,所述第一室包括第一外表面和位于所述外殼內(nèi)的第二面,所述第二面包括板,所述板包括與所述第一外表面的材料不同的材料,并且其中,所述中間減壓瓣位于所述板中并且包括與所述板相同的材料。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,所述第一外表面包括金屬,并且所述板和所述中間減壓瓣包括復(fù)合材料。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,在所述板中刻劃所述中間減壓瓣的邊緣。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法,其中,從所述板切下所述中間減壓瓣,并且在沒有所述電弧故障的情況下,利用重力和墊圈中的一個(gè)使所述中間減壓瓣保持關(guān)閉。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述第二室的所述外表面和所述頂減壓瓣包括金屬。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,所述頂減壓瓣還包括:連接件,連接件配置為將所述頂減壓瓣裝接到所述第二室的所述外表面;以及R鎖,在沒有所述電弧故障的情況下,所述閂鎖與所述第二室的所述外表面接合,其中,所述頂減壓瓣配置為在存在所述電弧故障的情況下彎曲,并且其中,所述閂鎖配置為根據(jù)所述頂減壓瓣的彎曲,與所述第二室的所述外表面斷開。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,所述外殼還包括位于所述外殼的外表面中的進(jìn)氣窗,所述進(jìn)氣窗配置為使氣流進(jìn)入所述外殼用于冷卻,并且阻擋所述電弧故障產(chǎn)生的一部分所述等離子通過(guò)所述進(jìn)氣窗從所述外殼泄出。19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,所述外殼還包括第三室,所述第三室與所述第一室相鄰布置,并且第二中間減壓瓣位于所述外殼內(nèi)在所述第一室與所述第三室之間,所述方法還包括: 根據(jù)所述存在電弧故障,開啟所述第二中間減壓瓣;以及 所述電弧故障產(chǎn)生的等離子通過(guò)所述開啟的第二中間減壓瓣,從所述外殼的所述第三室泄入所述第一室。20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其中,所述頂減壓瓣位于距所述外殼的底表面處于2米或者更高的高度。
      【專利摘要】提供了一種用于電源的外殼。一種方案包含:第一室;第二室,該第二室與第一室相鄰布置。另一種方案包含:中間減壓瓣,該中間減壓瓣位于外殼內(nèi)在第一室與第二室之間;以及頂減壓瓣,該頂減壓瓣位于第二室的外表面上。另一種方案包含:中間減壓瓣和頂減壓瓣,構(gòu)造中間減壓瓣和頂減壓瓣,以在外殼內(nèi)沒有電弧故障時(shí)關(guān)閉,并且構(gòu)造中間減壓瓣和頂減壓瓣,以根據(jù)外殼內(nèi)存在電弧故障開啟,使得電弧故障產(chǎn)生的等離子通過(guò)開啟的中間減壓瓣從第一室泄入第二室并且通過(guò)開啟的頂減壓瓣從第二室泄出。
      【IPC分類】H02B13/025, H05K7/14
      【公開號(hào)】CN105580502
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201380065557
      【發(fā)明人】J.S.法爾, K.D.威斯納, E.A.諾瓦克, G.M.湯普森
      【申請(qǐng)人】西門子公司
      【公開日】2016年5月11日
      【申請(qǐng)日】2013年11月6日
      【公告號(hào)】CA2891598A1, EP2918154A2, US20150303661, WO2014074570A2, WO2014074570A3
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