述蝕刻液可以對于第二添加劑也具有腐蝕性。
[0026]另外，為了達(dá)成上述目的，在權(quán)利要求5所涉及的發(fā)明中，上述合金中含有的上述第一添加劑為鈀，上述第二添加劑為銅。
[0027]根據(jù)上述發(fā)明，能夠制造出具有上述權(quán)利要求2所涉及的發(fā)明的作用效果的壓電振動元件。
[0028]另外，為了達(dá)成上述目的，權(quán)利要求6所涉及的發(fā)明是一種壓電設(shè)備的制造方法，具有:接合工序，將通過權(quán)利要求4或權(quán)利要求5所述的制造方法得到的壓電振動元件接合在容器的內(nèi)部;微調(diào)整工序，通過對壓電振動元件的上述激勵電極照射離子束，減少激勵振子電極的質(zhì)量來進(jìn)行壓電振動元件的頻率的微調(diào)整;和密封工序，通過在上述容器上接合蓋來氣密地密封壓電振動元件。
[0029]根據(jù)上述發(fā)明，能夠制造出可抑制頻率調(diào)整時的激勵電極的外形尺寸的微觀縮小的壓電設(shè)備。這是根據(jù)，由于壓電振動元件的激勵電極的外周部成為富含第一添加劑的狀態(tài)，同時第一添加劑為濺射率比銀低的金屬元素，因此相對于離子束的照射比銀更難以濺射。
[0030]發(fā)明的效果
[0031]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可抑制頻率調(diào)整時的電極尺寸的縮小，同時耐候性及耐熱性優(yōu)異的可靠性高的壓電振動元件和使用該壓電振動元件的壓電設(shè)備，以及上述壓電振動元件的制造方法和使用該壓電振動元件的壓電設(shè)備的制造方法。
【附圖說明】
[0032]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的晶體諧振器的俯視示意圖。
[0033I圖2是圖1的A-A線處的剖面示意圖。
[0034]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0035]圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0036]圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0037]圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0038]圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0039]圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0040]圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體振動元件的制造方法的剖面示意圖。
[0041]圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的表示晶體諧振器的制造方法的剖面示意圖。
[0042]圖11是表示傳統(tǒng)的晶體諧振器的老化特性的圖表。
[0043]圖12是表示本發(fā)明所涉及的晶體諧振器的老化特性的圖表。
[0044]圖13是表示傳統(tǒng)的晶體濾波器的高溫保存性的圖表。
[0045]圖14是表示本發(fā)明所涉及的晶體濾波器的高溫保存性的圖表。
[0046]圖15是表示傳統(tǒng)的晶體濾波器的冷熱沖擊性的圖表。
[0047]圖16是表示本發(fā)明所涉及的晶體濾波器的冷熱沖擊性的圖表。
[0048]圖17是表示傳統(tǒng)的晶體諧振器的激勵功率依賴性的圖表。
[0049]圖18是表示本發(fā)明的晶體諧振器的激勵功率依賴性的圖表。
[0050]圖19是表示傳統(tǒng)的晶體諧振器的激勵功率依賴性的圖表。
[0051]圖20是表示本發(fā)明所涉及的晶體諧振器的激勵功率依賴性的圖表。
[0052]圖21是傳統(tǒng)的晶體諧振器的俯視示意圖。
[0053]圖22是傳統(tǒng)的晶體振動元件的激勵電極的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0054]以下，作為壓電設(shè)備以晶體諧振器為例，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，晶體諧振器I是由大致長方體形的封裝結(jié)構(gòu)構(gòu)成的表面安裝型的晶體諧振器。再有，在圖1?2中，為了便于說明，以取下后述的蓋的狀態(tài)來表示。晶體諧振器I的主要構(gòu)成部件包括:具有凹部8的容器3、晶體振動元件2和密封凹部8的平板狀的蓋(圖示省略)。通過接合蓋和容器3，將晶體振動元件2氣密地密封在凹部8內(nèi)。在本實(shí)施方式中，用流縫熔接法接合容器3和蓋。再有，容器3與蓋的接合不限于流縫熔接法，也可適用其他接合方法。例如，也可以適用使玻璃樹脂在加熱氣氛下熔融來接合蓋和容器的方法、或使金錫(AuSn)等的合金在加熱氣氛下熔融來接合蓋和容器的熔合法。
[0055]在圖1?2中，容器3為以氧化鋁等的陶瓷為主體的絕緣性材料所構(gòu)成的箱狀體，通過層積陶瓷生片并一體地?zé)啥尚?。容?在俯視呈環(huán)形的堤部30的內(nèi)側(cè)具有俯視呈矩形的凹部8，在凹部8的內(nèi)底面301的一端側(cè)形成有階梯部4。而且，在階梯部4的上表面并列地形成有一對晶體振動元件裝載用墊(電極)5、5。該一對晶體振動元件裝載用墊5、5，例如通過在鎢金屬化層的上表面按照鎳、金的順序用鍍覆等的方法層積金屬層來形成。一對晶體振動元件裝載用墊5、5，經(jīng)由在容器3的內(nèi)部形成的內(nèi)部布線(圖示省略)，與在容器3的外底面設(shè)置的多個外部連接端子7的一部分電連接。
[0056]在圖1中，在堤部30的上表面300上形成有俯視呈環(huán)形的未圖示的接合材料。在本實(shí)施方式中，上述接合材料包括三層，從下按順序?yàn)殒u金屬化層、鍍鎳層、鍍金層的結(jié)構(gòu)。再有，也可以使用鉬來代替鎢。上述接合材料與未圖示的蓋的外周部分相對應(yīng)。
[0057]上述蓋為以可伐鐵鎳鈷合金為基體的俯視呈矩形的金屬性的蓋體，在該蓋的正反表面形成有鍍鎳層。另外，在蓋和容器的接合面一側(cè)，在上述鍍鎳層的上面，整面地形成有由金屬構(gòu)成的釬料(未圖示)。在本實(shí)施方式中，使用銀釬料作為上述釬料。
[0058]如圖1?2所示，晶體振動元件2為在俯視呈矩形的AT切割晶體振動板的正反主面上附加有各種電極的壓電振動元件。在晶體振動板上形成有作為振動部的中央部分被加工成比周圍薄的俯視呈矩形的薄壁部20和在薄壁部20外側(cè)的比薄壁部厚的框形的厚壁部21(所謂的反向臺面形狀)。在厚壁部21與薄壁部20之間，形成有趨向薄壁部20而逐漸變薄的傾斜面22。這樣的晶體振動板的外形形狀通過濕式蝕刻(濕蝕刻)來成形，上述傾斜面22是對AT切割晶體振動板進(jìn)行濕式蝕刻而出現(xiàn)的結(jié)晶面。
[0059]如圖1?2所示，在晶體振動板的薄壁部20的正反主面的大致中央，夾持薄壁部20相對地形成有俯視呈大致矩形的一對激勵電極23a、23b。從包含在薄壁部20的一主面201上設(shè)置的激勵電極23a的角部的區(qū)域起，朝向晶體振動板的一短邊側(cè)211的一個角部在傾斜方向上引出引出電極24a，引出電極24a的終端成為粘合電極25a。
[0060]同樣地，從包含在薄壁部20的另一主面202上設(shè)置的激勵電極23b的角部的區(qū)域起，朝向晶體振動板的一短邊側(cè)211的另一個角部在傾斜方向上引出引出電極24b，引出電極24b的終端成為粘合電極25b。
[0061 ]引出電極24a和24b以及粘合電極25a和25b分別成為一對，并且在俯視上不重疊地配置。
[0062]在本實(shí)施方式中，一對引出電極24a、24b不是以等寬來形成的，而是從激勵電極23a或23b的角部趨向粘合電極25a或25b而逐漸幅度變寬地形成的。通過這樣的形狀，可有效地抑制寄生的產(chǎn)生。
[0063]在本實(shí)施方式中，激勵電極23a、23b、引出電極24a、24b和粘合電極25a、25b為以鉻(Cr)為基底，并在其上層層積銀合金的構(gòu)成，這些金屬膜通過濺射來成膜。再有，激勵電極、引出電極和粘合電極使用光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)來形成圖案。通過使用光刻技術(shù)，即使晶體振動板的外形尺寸較微小，也能夠高精度地形成各種電極。
[0064]上述銀合金由三元系銀合金構(gòu)成，該三元系銀合金以銀為主成分，并且作為添加劑含有第一添加劑和第二添加劑，第一添加劑是濺射率比銀低且相對于蝕刻液難以腐蝕的金屬元素，第二添加劑是與銀形成固溶體的元素。具體地，上述銀合金是以銀為主成分，含有鈀(Pd)作為第一添加劑，并且含有銅(Cu)作為第二添加劑的合金(Ag-Pd-Cu合金)。在本實(shí)施方式中，相對于Ag-