墊片204所在的區(qū)域相同，控深銑的深度抵達阻膠墊片204，這樣，控深銑之后，去除阻膠墊片204，得到一個凹槽206，該凹槽206的底部顯露出內(nèi)層導電層205。
[0049]1104、對電路板進行第二次控深銑，加工出與凹槽連通的通槽，通槽小于凹槽，通槽與凹槽共同組成貫穿電路板的凸臺形的臺階槽。
[0050]如圖2d所示，本步驟中，可以從電路板20的一面或另一面進行第二次控深銑，第二次控深銑的區(qū)域落入阻膠墊片204所在的區(qū)域，但應(yīng)當小于阻膠墊片204所在的區(qū)域，第二次控深銑直接銑穿電路板20，加工出與凹槽206連通的通槽208，通槽208小于凹槽206，通槽208與凹槽206共同組成貫穿電路板20的凸臺形的臺階槽209。其中，通槽208的長度小于凹槽206的長度，且通槽208的寬度小于凹槽206的寬度。從圖2d中可以看出，凸臺形的臺階槽209的肩部210處，顯露出內(nèi)層導電層205。
[0051]可選的，步驟1104之后，還可以包括:
[0052]1105、如圖2e所示，對電路板20進行沉銅和電鍍，將臺階槽209的槽壁金屬化。本步驟是可選步驟，如果需要通過臺階槽209的槽壁進行層間互連，則可以執(zhí)行本步驟，如果不需要，也可以不執(zhí)行本步驟。
[0053]可選的，步驟1105之后，還可以包括:
[0054]1106、在電路板20的表面制作外層線路圖形。本步驟可采用常規(guī)的外層圖形工藝加工，此處不再詳細贅述。
[0055]可選的，步驟1106之后，還可以包括:
[0056]1107、在電路板20的表面形成防氧化金屬保護層。
[0057]由于銅箔層容易被氧化，本發(fā)明實施例中，優(yōu)選在上述制作外層線路圖形步驟之后，再在電路板20的表面形成防氧化金屬保護層。該防氧化金屬保護層可以是通過化學方法生成的化金層，或化銀層，或化錫層，也可以是通過電鍍方法形成的鍍金層，或鍍銀層，或鍍銀層。
[0058]120、在臺階槽的肩部設(shè)置半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片，采用壓合方式將一凸臺金屬基嵌入臺階槽中。
[0059]如圖2f,本發(fā)明實施例還提供一與臺階槽209匹配的凸臺金屬基211,該凸臺金屬基211用于嵌入電路板20的臺階槽209，例如起散熱作用。本發(fā)明實施例中，凸臺金屬基211可以是臺階形狀的銅塊，鑰塊，鎢塊，鑰銅塊或鎢銅塊。
[0060]為了防止氧化，可在嵌入操作之前，在凸臺金屬基211的表面形成防氧化金屬保護層。該防氧化金屬保護層可以是通過化學方法生成的化金層，或化銀層，或化錫層，也可以是通過電鍍方法形成的鍍金層，或鍍銀層，或鍍銀層。
[0061]如圖2g所示，本步驟中，先在臺階槽209的肩部210設(shè)置半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片212，然后采用壓合方式將凸臺金屬基211嵌入臺階槽209中。半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片212可其粘結(jié)作用，如果需要凸臺金屬基211與內(nèi)層導電層205電連接，則可選擇設(shè)置導電粘結(jié)片，例如當內(nèi)層導電層205充當?shù)仉妼訒r；如果不需要凸臺金屬基211與內(nèi)層導電層205電連接，則可選擇設(shè)置半固化片。
[0062]至此，得到本發(fā)明實施例的嵌入凸臺金屬基的電路板。
[0063]由上可見，本發(fā)明實施例采用在壓合形成電路板之后，再在電路板上加工出凸臺形的臺階槽，進而嵌入凸臺金屬基的技術(shù)方案，取得了以下技術(shù)效果:
[0064]1、由于是在壓合形成電路板之后，再加工凸臺形的臺階槽并嵌入凸臺金屬基，因此，針對銅箔壓合的電路板結(jié)構(gòu)，不會因壓合導致的對位偏移和銅箔起皺等缺陷影響凸臺金屬基的嵌入；可見，本發(fā)明技術(shù)同時適用于芯板壓合和銅箔壓合的PCB結(jié)構(gòu)，還可以應(yīng)用在銅箱壓合的HDI (High Density Interconnector,高密度互連)板件上。
[0065]2、本發(fā)明技術(shù)方案中，可以在嵌入凸臺金屬基之前對電路板進行電鍍處理，因此，對于鑰塊、鎢塊、鑰銅塊、鎢銅塊等形式的凸臺金屬基，電路板和凸臺金屬基可以分開電鍍，不會產(chǎn)生無法電鍍的問題，可以保證電鍍的品質(zhì)；
[0066]3、由于在電路板上加工凸臺形的臺階槽時，使電路板的一內(nèi)層導電層顯露于臺階槽的肩部，因此，可以實現(xiàn)凸臺金屬基與內(nèi)層接地導電層直接導通。
[0067]實施例二、
[0068]請參考圖2g，本發(fā)明實施例提供一種嵌入凸臺金屬基的電路板20。
[0069]電路板20具有凸臺形的臺階槽209，臺階槽209貫穿電路板20 ；臺階槽209內(nèi)嵌入有凸臺金屬基211，臺階槽209與凸臺金屬基211的肩部210通過半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片連接。
[0070]可選的，凸臺金屬基為臺階形狀的銅塊，鑰塊，鎢塊，鑰銅塊或鎢銅塊。
[0071]由上可見，本發(fā)明實施例提供了一種嵌入凸臺金屬基的電路板，取得了以下技術(shù)效果:
[0072]1、由于是在壓合形成電路板之后，再加工凸臺形的臺階槽并嵌入凸臺金屬基，因此，針對銅箔壓合的電路板結(jié)構(gòu)，不會因壓合導致的對位偏移和銅箔起皺等缺陷影響凸臺金屬基的嵌入；可見，本發(fā)明技術(shù)同時適用于芯板壓合和銅箔壓合的PCB結(jié)構(gòu)，還可以應(yīng)用在銅箱壓合的HDI (High Density Interconnector,高密度互連)板件上。
[0073]2、本發(fā)明技術(shù)方案中，可以在嵌入凸臺金屬基之前對電路板進行電鍍處理，因此，對于鑰塊、鎢塊、鑰銅塊、鎢銅塊等形式的凸臺金屬基，電路板和凸臺金屬基可以分開電鍍，不會產(chǎn)生無法電鍍的問題，可以保證電鍍的品質(zhì)；
[0074]3、由于在電路板上加工凸臺形的臺階槽時，使電路板的一內(nèi)層導電層顯露于臺階槽的肩部，因此，可以實現(xiàn)凸臺金屬基與內(nèi)層接地導電層直接導通。
[0075]在上述實施例中，對各個實施例的描述都各有側(cè)重，某個實施例中沒有詳細描述的部分，可以參見其它實施例的相關(guān)描述。
[0076]需要說明的是，對于前述的各方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明并不受所描述動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明，某些步驟可以采用其它順序或者同時進行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作和模塊并不一定是本發(fā)明所必須的。
[0077]以上對本發(fā)明實施例所提供的嵌入凸臺金屬基的電路板及其加工方法進行了詳細介紹，但以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種嵌入凸臺金屬基的電路板的加工方法，其特征在于，包括: 在電路板上加工出凸臺形的臺階槽，所述臺階槽貫穿所述電路板，且所述臺階槽的肩部顯露出所述電路板的一內(nèi)層導電層； 在所述臺階槽的肩部設(shè)置半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片，采用壓合方式將一凸臺金屬基嵌入所述臺階槽中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在電路板上加工出凸臺形的臺階槽包括: 預(yù)先在第一層壓結(jié)構(gòu)上開設(shè)鏤空槽，所述第一層壓結(jié)構(gòu)包括至少一內(nèi)層芯板和至少一絕緣層，并在所述鏤空槽中設(shè)置阻膠墊片； 基于所述第一層壓結(jié)構(gòu)層疊壓合得到電路板，其中，所述阻膠墊片的一面與所述電路板的一內(nèi)層導電層直接接觸； 對所述電路板進行第一次控深銑，控深銑的深度抵達所述阻膠墊片，去除所述阻膠墊片后，得到底部顯露出所述內(nèi)層導電層的凹槽； 對所述電路板進行第二次控深銑，加工出與所述凹槽連通的通槽，所述通槽的長度小于所述凹槽的長度，所述通槽的寬度小于所述凹槽的寬度，所述通槽與所述凹槽共同組成貫穿所述電路板的凸臺形的臺階槽。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在電路板上加工出凸臺形的臺階槽之后，還包括: 對所述電路板進行沉銅和電鍍，將所述臺階槽的槽壁金屬化。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述將所述臺階槽的槽壁金屬化之后，還包括: 在所述電路板的表面制作外層線路圖形。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述電路板的表面制作外層線路圖形后，還包括: 在所述電路板的表面形成防氧化金屬保護層。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用壓合方式將一凸臺金屬基嵌入所述臺階槽中之前，還包括: 在所述凸臺金屬基的表面形成防氧化金屬保護層。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一所述的方法，其特征在于， 所述凸臺金屬基為臺階形狀的銅塊，鑰塊，鎢塊，鑰銅塊或鎢銅塊。8.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的方法，其特征在于， 所述防氧化金屬保護層為化金層，或化銀層，或化錫層，或鍍金層，或鍍銀層，或鍍銀層。9.一種嵌入凸臺金屬基的電路板，其特征在于， 所述電路板具有凸臺形的臺階槽，所述臺階槽貫穿所述電路板； 所述臺階槽內(nèi)嵌入有凸臺金屬基，所述臺階槽與所述凸臺金屬基的肩部通過半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路板，其特征在于， 所述凸臺金屬基為臺階形狀的銅塊，鑰塊，鎢塊，鑰銅塊或鎢銅塊。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種嵌入凸臺金屬基的電路板及其加工方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中嵌入凸臺金屬基的電路板的加工方法所存在的缺陷。本發(fā)明一些可行的實施方式中，方法包括：在電路板上加工出凸臺形的臺階槽，所述臺階槽貫穿所述電路板，且所述臺階槽的肩部顯露出所述電路板的一內(nèi)層導電層；在所述臺階槽的肩部設(shè)置半固化片或?qū)щ娬辰Y(jié)片，采用壓合方式將一凸臺金屬基嵌入所述臺階槽中。
【IPC分類】H05K3/00, H05K1/02
【公開號】CN105722302
【申請?zhí)枴緾N201410734398
【發(fā)明人】繆樺, 李傳智, 王守亭, 周艷紅, 孫善軍
【申請人】深南電路有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2014年12月4日