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      修調(diào)電路的制作方法

      文檔序號(hào):8597374閱讀:677來(lái)源:國(guó)知局
      修調(diào)電路的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本實(shí)用新型涉及電路集成技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種修調(diào)電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 修調(diào)技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高精度集成電路的必要手段,它的主要工作原理就是使用模塊外 的端口,在測(cè)試后,根據(jù)測(cè)試結(jié)果對(duì)電路特性進(jìn)行調(diào)整,使其更接近目標(biāo)。修調(diào)技術(shù)一般是 對(duì)電阻網(wǎng)絡(luò)或者電容網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行修調(diào),主要是通過(guò)寄存器的設(shè)置改變?cè)陔娐分写氲碾娮杌?電容。
      [0003] 例如,一個(gè)振蕩器的輸出頻率F = lARC+Tother),其中,以R的目標(biāo)值為100歐 姆,電容值的目標(biāo)值〇. 01F,Tother很小忽略不計(jì),最終的輸出頻率為IHz。然而,在實(shí)際實(shí) 現(xiàn)的時(shí)候,由于工藝上電阻電容一般各有20%左右的偏差,從而導(dǎo)致最終生產(chǎn)出的芯片輸 出頻率從0. 7Hz到I. 6Hz不等。例如:頻率是I. 6Hz的芯片,那么它里面的電容和電阻可能 都偏小20 %,在這種情況下就需要引入修調(diào)電路進(jìn)行修調(diào),具體的,可以通過(guò)向片內(nèi)的存儲(chǔ) 器寫值以改變電路中電阻的數(shù)量,例如:可以通過(guò)修調(diào)電路在電路中多串入40 %的電阻, 從而使得芯片最終工作在目標(biāo)頻率IHz。
      [0004] 目前,常用的修調(diào)電路主要有以下兩種:
      [0005] 第一種:如圖1所示,使用二進(jìn)制碼的修調(diào)電路,該電路可以直接用01組成的修調(diào) 值來(lái)確定加入多少阻值(或容值),例如,如果輸入是:100011,那么就表示在電路中增加了 35個(gè)R,不需要額外的解碼電路來(lái)輔助進(jìn)行解碼。
      [0006] 然而,這種方法因?yàn)槊恳徊街荒茉黾右粋€(gè)固定的R,最大刻度為R/Rmin,如圖1所 示,當(dāng)修調(diào)碼從〇〇〇〇〇〇變成000001時(shí),電阻值從最初的32R變成33R,此時(shí)精度變化的步 長(zhǎng)為1/32(3. 125% ),最小刻度為R/Rmax,修調(diào)碼從111110變成111111時(shí),電阻值從最初的 95R變成96R,此時(shí)精度變化的步長(zhǎng)為1/96 (1 % )。
      [0007] 由此可見,這種修調(diào)電路修調(diào)精度差別比較大,從而使得該方法在修調(diào)位數(shù)低于8 位時(shí)無(wú)法很好的使用。
      [0008] 第二種:針對(duì)第一種方式中存在的修調(diào)精度差別大的缺陷,還提出了一種熱碼修 調(diào)電路,該電路先通過(guò)解碼電路將二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)化成熱碼,例如將二進(jìn)制碼:〇〇〇1轉(zhuǎn)化為熱 碼:000 ·· ·63個(gè)0·· ·001,每一位熱碼單獨(dú)控制一個(gè)開關(guān)來(lái)決定一段電阻是否串入電 路,這樣每一段電阻值可以互相不關(guān)聯(lián),每段電阻的阻值可以隨意設(shè)定,這樣就可以每次增 加不同值的R,例如圖1中的情況,就可以調(diào)整為從最初的32R到最終的96R中每次增加一 個(gè)等比的值,從而使得每次增加的百分比相同。
      [0009] 然而,這種修調(diào)電路中的解碼電路有1176個(gè)門,結(jié)構(gòu)十分復(fù)雜,而且修調(diào)電路本 身具有一定的規(guī)模,所以只適合在電路本身較大的情況下使用,對(duì)于一些小規(guī)模又需要修 調(diào)功能的電路,如果使用這種修調(diào)方式。很可能修調(diào)電路會(huì)比電路本身都大,因此實(shí)用性不 強(qiáng)。
      [0010] 針對(duì)上述問題,目前尚未提出有效的解決方案。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0011] 本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種修調(diào)電路,以解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法在不明顯增加修 調(diào)電路規(guī)模的前提下提高修調(diào)精度的技術(shù)問題,該電路包括:
      [0012] n+2個(gè)電阻,其中,所述n+2個(gè)電阻中有兩個(gè)電阻的阻值為2n,其余η個(gè)電阻的阻 值從2-1至2 °等比遞減,所述η+2個(gè)電阻按照電阻的阻值大小順序串聯(lián),其中,η為大于等 于4的正整數(shù);
      [0013] 控制電路,與所述n+2個(gè)電阻相連,用于控制所述n+2個(gè)電阻中的各個(gè)電阻是否串 入修調(diào)電路。
      [0014] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述控制電路為二進(jìn)制邏輯控制電路,所述控制電路的輸入為 一串二進(jìn)制代碼,其中,輸入的二進(jìn)制代碼的位數(shù)為n+1。
      [0015] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述二進(jìn)制代碼控制的邏輯控制電路的表達(dá)式和控制對(duì)象為:
      [0016] 表達(dá)式Tn,用于控制第一電阻,其中,Tn表示二進(jìn)制代碼的最高位,所述第一電阻 為一個(gè)阻值為2"的電阻;
      [0017] 表達(dá)式Tn ,用于控制第二電阻,其中,T lri表示二進(jìn)制代碼的第二高位,所述第 二電阻為另一個(gè)阻值為2"的電阻;
      [0018] 表達(dá)式,用于控制第三電阻,其中,Tn_m表示二進(jìn)制代碼的第 m+1高位,Tn_m+1表示二進(jìn)制代碼的第m高位,所述第三阻值為所述n+2個(gè)電阻中阻值為2 ^+1 的電阻,m為閉區(qū)間0到n-2中的任一整數(shù);
      [0019] 表達(dá)式t·?;,用于控制第四電阻,其中,Ttl表示二進(jìn)制代碼的最低位,所述第四電 阻為所述n+2個(gè)電阻中阻值為2°的電阻。
      [0020] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述二進(jìn)制邏輯控制電路由多個(gè)與非門和非門組成。
      [0021] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述η的值為5。
      [0022] 本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了另一種修調(diào)電路,以解決現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法在不明顯增 加修調(diào)電路規(guī)模的前提下提高修調(diào)精度的技術(shù)問題,該電路包括:
      [0023] n+2個(gè)電容,其中,所述n+2個(gè)電容中有兩個(gè)電容的容值為2η,其余η個(gè)電容的容 值從2-1至2 °等比遞減,所述n+2個(gè)電容按照電容的容值大小順序串聯(lián),其中,η為大于等 于4的正整數(shù);
      [0024] 控制電路,與所述n+2個(gè)電容相連,用于控制所述n+2個(gè)電容中的各個(gè)電容是否串 入修調(diào)電路。
      [0025] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述控制電路為二進(jìn)制邏輯控制電路,所述控制電路的輸入為 一串二進(jìn)制代碼,其中,輸入的二進(jìn)制代碼的位數(shù)為n+1。
      [0026] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述二進(jìn)制代碼控制的邏輯控制電路的表達(dá)式和控制對(duì)象為:
      [0027] 表達(dá)式Tn,用于控制第一電容,其中,Tn表示二進(jìn)制代碼的最高位,所述第一電容 為一個(gè)容值為2"的電容;
      [0028] 表達(dá)式Tn ,用于控制第二電容,其中,T lri表示二進(jìn)制代碼的第二高位,所述第 二電容為另一個(gè)容值為2"的電容;
      [0029] 表達(dá)式?; ·7;_", + ?7,, ·,用于控制第三電容,其中,Tn_m表示二進(jìn)制代碼的第 m+1高位,Tn_m+1表示二進(jìn)制代碼的第m高位,所述第三容值為所述n+2個(gè)電容中容值為2 n^1+1 的電容,m為閉區(qū)間O到n-2中的任一整數(shù);
      [0030] 表達(dá)式巧· ?;,用于控制第四電容,其中,Ttl表示二進(jìn)制代碼的最低位,所述第四電 容為所述n+2個(gè)電容中容值為2°的電容。
      [0031] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述二進(jìn)制邏輯控制電路由多個(gè)與非門和非門組成。
      [0032] 在一個(gè)實(shí)施例中,所述η的值為5。
      [0033] 在本實(shí)用新型實(shí)施例中,因?yàn)轫樞虼?lián)的電阻(或電容)中最高阻值(或容值)的 電阻(或電容)不止一個(gè),從而使得在具體進(jìn)行電路修調(diào)的時(shí)候,可以實(shí)現(xiàn)不同電阻(或電 容)增加值的修調(diào),通過(guò)邏輯電路的控制,可以使得前半段和后半段的修調(diào)增加值不同,從 而解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法在不明顯增加修調(diào)電路規(guī)模的前提下提高修調(diào)精度的技術(shù)問題, 達(dá)到了在不明顯增加修調(diào)電路規(guī)模的情況下,有效提高修調(diào)精度的技術(shù)效果。
      【附圖說(shuō)明】
      [0034] 此處所說(shuō)明的附圖用來(lái)提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分, 并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。在附圖中:
      [0035] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)的二進(jìn)制碼的修調(diào)電路的電路示意圖;
      [0036] 圖2是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的修調(diào)電路的電路示意圖;
      [0037] 圖3是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的張弛振蕩器的電路示意圖;
      [0038] 圖4是根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的修調(diào)電路的修調(diào)效果曲線示意圖;
      [0039] 圖5是現(xiàn)有的修調(diào)電路的修調(diào)效果曲線示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0040] 為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合實(shí)施方式和附 圖,對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在此,本實(shí)用新型的示意性實(shí)施方式及其說(shuō)明用于解 釋本實(shí)用新型,但并不作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
      [0041] 在本例中提供了一種修調(diào)電路,以修調(diào)電路修調(diào)的目標(biāo)為電阻為例進(jìn)行說(shuō)明,該 修調(diào)電路包括:
      [0042] n+2個(gè)電阻,其中,所述n+2個(gè)電阻中有兩個(gè)電阻的阻值為2η,其余η個(gè)電阻的阻 值從2-1至2 °等比遞減,所述n+2個(gè)電阻按照電阻的阻值大小順序串聯(lián),其中,η為大于等 于4的正整數(shù);
      [0043] 控制電路,與所述n+2個(gè)電阻相連,用于控制所述n+2個(gè)電阻中的各個(gè)電阻是否串 入修調(diào)電路。
      [0044] 即,電路中串入多個(gè)等比例遞減的電阻,其中,最高值的電阻重復(fù)設(shè)定一個(gè),然后, 通過(guò)一個(gè)控制電路來(lái)對(duì)這多個(gè)電阻進(jìn)行控制,控制電路中哪些電阻被串入電路中。
      [0045] 在上述實(shí)施例中,因?yàn)轫樞虼?lián)的電阻中最高阻值的電阻不止一個(gè),從而使得在 具體進(jìn)行電路修調(diào)的時(shí)候,可以實(shí)現(xiàn)不同電阻增加值的修調(diào),通過(guò)邏輯電路的控制,可以使 得前半段和后半段的修調(diào)增加值不同,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中無(wú)法在不明顯增加修調(diào)電路 規(guī)模的前提下提高修調(diào)精度的技術(shù)
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