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      功率器件合封的led驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號:8757151閱讀:311來源:國知局
      功率器件合封的led驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及一種LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu),特別是涉及一種功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著LED燈具走進千家萬戶,對燈具效率和成本的要求也越來越高。目前市面的LED電源存在零件多、體積大等缺點。如圖3所示,常見的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路一般包括:整流橋301、輸入電解電容302、第一啟動電阻303、第二啟動電阻304、芯片供電電容305、電流調(diào)節(jié)電阻306、功率電感307、輸出濾波電容308、主控芯片310、續(xù)流二極管312及LED負載309,其中主控芯片310內(nèi)封裝有降壓型恒流驅(qū)動主芯片和功率MOS管113,所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片為通用的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路主控芯片,其主要通過控制所述功率MOS管113的導(dǎo)通和關(guān)斷來實現(xiàn)LED恒流驅(qū)動功能。
      [0003]但是,如果所述主控芯片310采用上述封裝結(jié)構(gòu),其還需要續(xù)流二極管312等外圍電路的配合才能最終實現(xiàn)其恒流驅(qū)動功能,如此會造成最終的產(chǎn)品體積較大、生產(chǎn)成本高等問題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004]本實用新型所要解決的技術(shù)問題是,提供一種功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)通過對元件進行合理的布局,使得主控芯片除了能夠封裝降壓型恒流驅(qū)動主芯片和功率MOS管之外,還封裝有續(xù)流二極管,從而使得最終產(chǎn)品體積縮小,生產(chǎn)成本降低。
      [0005]為解決上述技術(shù)問題,本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)包括:主控芯片,所述主控芯片包括:基島一,所述基島一上設(shè)有降壓型恒流驅(qū)動主芯片;基島二,所述基島二上設(shè)有功率MOS管,所述功率MOS管的漏極直接通過導(dǎo)電膠與所述基島二相連接,所述功率MOS管的其余兩極連入所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片,所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片控制所述功率MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷;所述基島一上還設(shè)有續(xù)流二極管,所述續(xù)流二極管的陰極直接通過導(dǎo)電膠與所述基島一相連接,陽極作為對外連接腳。
      [0006]進一步,所述的功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)中,所述主控芯片包括:續(xù)流二極管正極腳、電流設(shè)置腳、供電腳、漏極腳及接地腳,所述續(xù)流二極管正極腳與所述續(xù)流二極管的陽極連接,所述續(xù)流二極管的陰極在芯片內(nèi)部與所述接地腳相連接;所述電流設(shè)置腳與所述功率MOS管的源極相連;所述供電腳為主控芯片供電;所述漏極腳與所述功率MOS管的漏極相連,所述功率MOS管導(dǎo)通時所述漏極腳和電流設(shè)置腳之間便導(dǎo)通;所述接地腳作為所述主控芯片的基準地。
      [0007]進一步,所述的功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)還包括以下外部電路:整流橋、輸入電解電容、第一啟動電阻、第二啟動電阻、芯片供電電容、電流調(diào)節(jié)電阻、功率電感、輸出濾波電容及LED負載;所述整流橋?qū)涣鬏斎腚妷盒盘栠M行整流后經(jīng)過所述輸入電解電容進行濾波儲能,隨后通過所述第一啟動電阻、第二啟動電阻及芯片供電電容為所述主控芯片供電,所述主控芯片通過所述功率MOS管和電流設(shè)置電阻對所述功率電感充電,最后通過所述輸出濾波電容為所述LED負載供電。
      [0008]進一步,所述的功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)中,所述第一啟動電阻和第二啟動電阻合并為一個電阻。
      [0009]本實用新型的優(yōu)點是,本實用新型所涉及的功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)包括:基島一、降壓型恒流驅(qū)動主芯片、基島二及功率MOS管等,所述基島一上還設(shè)有續(xù)流二極管,所述續(xù)流二極管的陰極直接通過導(dǎo)電膠與所述基島一相連接,陽極作為對外連接腳。本封裝結(jié)構(gòu)通過對元件進行合理的布局,使得主控芯片除了能夠封裝降壓型恒流驅(qū)動主芯片和功率MOS管之外,還封裝有續(xù)流二極管,從而使得最終產(chǎn)品體積縮小,生產(chǎn)成本降低。
      【附圖說明】
      [0010]圖1為本實用新型功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的電路圖;
      [0011]圖2為圖1中所示的主控芯片的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)圖;
      [0012]圖3為現(xiàn)有的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路的電路圖。
      【具體實施方式】
      [0013]為進一步揭示本實用新型的技術(shù)方案,茲結(jié)合附圖詳細說明本實用新型的實施方式:
      [0014]本實用新型功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)明構(gòu)思如下:本實用新型功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)是基于現(xiàn)有的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路開發(fā)的。如圖3所示,圖3為現(xiàn)有的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路的電路圖,圖中的主控芯片310內(nèi)封裝有降壓型恒流驅(qū)動主芯片和功率MOS管,圖3中的主控芯片310內(nèi)封裝的降壓型恒流驅(qū)動主芯片和本實用新型中的降壓型恒流驅(qū)動主芯片111在實現(xiàn)時均可采用現(xiàn)有通用的降壓結(jié)構(gòu)開關(guān)電路主芯片。
      [0015]下面結(jié)合圖1和圖2,詳細說明作為本實用新型實施例的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的電路組成和連接關(guān)系。
      [0016]圖1為本實用新型功率器件合封的LED驅(qū)動電路封裝結(jié)構(gòu)的電路圖,圖中包括:整流橋101、輸入電解電容102、第一啟動電阻103、第二啟動電阻104、芯片供電電容105、電流調(diào)節(jié)電阻106、功率電感107、輸出濾波電容108、主控芯片110及LED負載109 ;所述整流橋101對交流輸入電壓信號進行整流后經(jīng)過所述輸入電解電容102進行濾波儲能,隨后通過所述第一啟動電阻103、第二啟動電阻104及芯片供電電容105為所述主控芯片110供電,給降壓型恒流驅(qū)動主芯片111提供正常工作電壓,所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片111通過內(nèi)部的所述功率MOS管113和所述電流設(shè)置電阻106對所述功率電感107充電,同時所述電流設(shè)置電阻106用于設(shè)置LED驅(qū)動電路的輸出電流。最后通過所述輸出濾波電容108為所述LED負載109供電。
      [0017]圖2為圖1中所示主控芯片的內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)圖。圖2中所示的主控芯片110內(nèi)部包括:基島一 115,所述基島一 115上設(shè)有降壓型恒流驅(qū)動主芯片111 ;基島二 114,所述基島二 114上設(shè)有功率MOS管113,所述功率MOS管113的漏極直接通過導(dǎo)電膠與所述基島二114相連接,所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片111控制所述功率MOS管113的導(dǎo)通和關(guān)斷,所述功率MOS管113的其余兩極連入所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片111 ;所述基島一 115上還設(shè)有續(xù)流二極管112,所述續(xù)流二極管112的陰極直接通過導(dǎo)電膠與所述基島一 115相連接,陽極作為對外連接腳。所述降壓型恒流驅(qū)動主芯片111包括:續(xù)流二極管正極腳P、電流設(shè)置腳CS、供電腳VDD、漏極腳DRAIN及接地腳GND,所述續(xù)流二極管正極腳
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