電磁加熱控制電路和電磁電器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電磁加熱控制電路和電磁電器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電磁加熱的方案主要有三種:單管、半橋和全橋，其中半橋和全橋是串聯(lián)諧振的電路拓?fù)?，單管是并?lián)諧振的電路拓?fù)洹?br>[0003]在目前的單管電磁加熱方案中，驅(qū)動電路根據(jù)微控制器發(fā)出的PWM(Pulse WidthModulat1n，脈沖寬度調(diào)制)信號，控制 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)開通或關(guān)斷，而且保護(hù)電路檢測諧振電路的兩輸出端電壓并反饋檢測信號，以對IGBT進(jìn)行過壓、過流、過溫等保護(hù)，實現(xiàn)電磁加熱控制功能。然而，IGBT在開通時存在較大的功率損耗，導(dǎo)致電磁加熱系統(tǒng)損耗大。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型的主要目的在于提供一種電磁加熱控制電路和電磁電器，旨在降低電磁加熱系統(tǒng)的損耗。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實用新型提供一種電磁加熱控制電路，所述電磁加熱控制電路包括諧振電路、微控制器和IPM模塊(Intelligent Power Modules，智能功率模塊)；
[0006]所述IPM模塊包括IGBT、用于檢測所述諧振電路的輸出電壓并輸出第一檢測信號的電壓檢測單元、用于檢測所述第一檢測信號且在檢測到所述第一檢測信號處于谷底時輸出第二檢測信號的電壓谷底檢測單元，以及用于根據(jù)所述第二檢測信號和所述微控制器輸出的PWM信號控制所述IGBT開通的驅(qū)動單元；所述諧振電路分別與所述電壓檢測單元的輸入端和IGBT的集電極連接，所述驅(qū)動單元分別與所述電壓谷底檢測單元的輸出端、微控制器的控制輸出端和IGBT的門極連接。
[0007]優(yōu)選地，所述諧振電路包括線圈盤和第一電容，所述第一電容的第一端與所述線圈盤的第一端連接，且與一直流電源連接；所述第一電容的第二端與所述線圈盤的第二端連接，且分別與所述IGBT的集電極、所述電壓檢測單元的輸入端連接。
[0008]優(yōu)選地，所述IGBT的門極與所述驅(qū)動單元的驅(qū)動輸出端連接，所述IGBT的集電極分別與所述第一電容的第二端和線圈盤的第二端連接，所述IGBT的發(fā)射極接地。
[0009]優(yōu)選地，所述電壓檢測單元包括第二電容和第一電阻；所述第二電容的第一端分別與所述第一電容的第二端和線圈盤的第二端連接，且與所述IGBT的集電極連接，所述第二電容的第二端經(jīng)由所述第一電阻接地；所述第二電容和第一電阻公共端與所述電壓谷底檢測單元的輸入端連接。
[0010]優(yōu)選地，所述電壓檢測單元還包括第二電阻和第三電阻；
[0011]所述第二電阻的一端與分別與所述第一電容的第二端和線圈盤的第二端連接，且與所述IGBT的集電極連接，所述第二電阻的另一端經(jīng)由所述第三電阻接地；所述第二電阻和第三電阻的公共端與所述第二電容的第一端連接。
[0012]此外，為了達(dá)到上述目的，本實用新型還提供一種電磁電器，所述電磁電器包括電磁加熱控制電路，所述電磁加熱控制電路包括諧振電路、微控制器和IPM模塊；
[0013]所述IPM模塊包括IGBT、用于檢測所述諧振電路的輸出電壓并輸出第一檢測信號的電壓檢測單元、用于檢測所述第一檢測信號且在檢測到所述第一檢測信號處于谷底時輸出第二檢測信號的電壓谷底檢測單元，以及用于根據(jù)所述第二檢測信號和所述微控制器輸出的PWM信號控制所述IGBT開通的驅(qū)動單元；所述諧振電路分別與所述電壓檢測單元的輸入端和IGBT的集電極連接，所述驅(qū)動單元分別與所述電壓谷底檢測單元的輸出端、微控制器的控制輸出端和IGBT的門極連接。
[0014]本實用新型提供的電磁加熱控制電路和電磁電器，通過電壓檢測單元檢測諧振電路的輸出電壓并輸出第一檢測信號至電壓谷底檢測單元，電壓谷底檢測單元對第一檢測信號進(jìn)行檢測，且在第一檢測信號處于谷底時輸出第二檢測信號至驅(qū)動單元，驅(qū)動單元根據(jù)電壓谷底檢測單元輸出的第二檢測信號和微控制器輸出的PWM信號控制IGBT開通。由于電壓檢測單元是對諧振電路的輸出電壓，即IGBT的集電極電壓進(jìn)行檢測，從而當(dāng)?shù)谝粰z測信號處于谷底時，IGBT的集電極電壓達(dá)到最低值，驅(qū)動單元根據(jù)接收到的第二檢測信號和PWM信號輸出驅(qū)動信號控制IGBT開通，從而使得IGBT每次開通時IGBT的集電極電壓都處于最低值，有效地降低了 IGBT的開通損耗，從而能夠降低電磁加熱系統(tǒng)的損耗，提高電磁加熱系統(tǒng)的可靠性。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型電磁加熱控制電路較佳實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]本實用新型的目的、功能特點及優(yōu)點的實現(xiàn)，將結(jié)合實施例，并參照附圖作進(jìn)一步說明。
【具體實施方式】
[0017]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0018]本實用新型提供一種電磁加熱控制電路，該電磁加熱控制電路可應(yīng)用于電磁電器，如電磁爐。
[0019]參照圖1，圖1為本實用新型電磁加熱控制電路較佳實施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]本實用新型較佳實施例中，如圖1所示，所述電磁加熱控制電路包括諧振電路10、微控制器20和IPM模塊30。
[0021]其中，所述IPM模塊30包括IGBT Q1、驅(qū)動單元31、電壓檢測單元32和電壓谷底檢測單元33。電壓檢測單元32用于檢測所述諧振電路10的輸出電壓并輸出第一檢測信號，電壓谷底檢測單元33用于檢測所述第一檢測信號且在檢測到所述第一檢測信號處于谷底時輸出第二檢測信號，驅(qū)動單元31用于根據(jù)所述第二檢測信號和所述微控制器20輸出的PWM信號控制所述IGBT Ql開通；所述諧振電路10分別與所述電壓檢測單元32的輸入端和IGBT Ql的集電極連接，所述驅(qū)動單元31分別與所述電壓谷底檢測單元33的輸出端、微控制器20的控制輸出端和IGBT Ql的門極連接。
[0022]在本實施例中，電壓檢測單元32檢測諧振電路10的輸出電壓并輸出第一檢測信號至電壓谷底檢測單元33，電壓谷底檢測單元33對電壓檢測單元32輸出的第一檢測信號進(jìn)行檢測，以獲取第一檢測信號的谷底電壓，電壓谷底檢測單元33在第一檢測信號處于谷底時輸出第二檢測信號至驅(qū)動單元31，驅(qū)動單元31根據(jù)電壓谷底檢測單元33輸出的第二檢測信號確定此時諧振電路10的輸出電壓，即IGBT Ql的集電極電壓達(dá)到最低值，從而根據(jù)微控制器20輸出的PWM信號輸出驅(qū)動信號控制IGBT Ql開通。
[0023]相對于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型的電磁加熱控制電路通過電壓檢測單元32對諧振電路10的輸出電壓進(jìn)行檢測，由于電壓檢測單元32是對諧振電路10的輸出電壓，即IGBTQl的集電極電壓進(jìn)行檢測，從而當(dāng)電壓檢測單元32輸出的第一檢測信號處于谷底時，IGBTQl的集電極電壓達(dá)到最低值，驅(qū)動單元31根據(jù)接收