一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及射頻測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器。
【背景技術(shù)】
[0002]在CATV及WIFI等射頻類(lèi)測(cè)試中，經(jīng)常需要測(cè)試設(shè)備在網(wǎng)絡(luò)中各不同衰減值下的性能指標(biāo)，傳統(tǒng)方式是采用手動(dòng)可調(diào)衰減器，將可調(diào)衰減器打到不同的衰減值來(lái)實(shí)現(xiàn)，在每個(gè)衰減值測(cè)試完成后都需要手動(dòng)重新調(diào)整衰減器的衰減值，測(cè)試人員必須守候在旁邊，以便調(diào)整衰減器的衰減值來(lái)進(jìn)行下一個(gè)衰減值的測(cè)試。隨著人力成本的不斷增加，測(cè)試人員需要提高效率以完成更多的測(cè)試項(xiàng)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器，解決現(xiàn)有技術(shù)中，需要人工調(diào)節(jié)衰減器，導(dǎo)致人力成本的增加并且效率低，測(cè)試精準(zhǔn)度不高的問(wèn)題。
[0004]為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:
[0005]一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器，包括至少兩組衰減檔位電路和主控制器，所述衰減檔位電路由兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片和一個(gè)Π型衰減電路組成，所述π型衰減電路由分別并接在接地端的兩個(gè)分流電阻、以及串聯(lián)在兩個(gè)發(fā)射段的分壓電阻構(gòu)成，每個(gè)所述射頻開(kāi)關(guān)芯片上有兩個(gè)電壓控制端并分別連接至主控制器的GP1引腳；
[0006]同一個(gè)衰減檔位電路中:兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFl引腳相互連接，RF2引腳分別連接Π型衰減電路的兩個(gè)接地端；
[0007]同一個(gè)衰減檔位電路中:兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片中一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接待測(cè)射頻輸入端RF-1N，另一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接至下一組衰減檔位電路中的一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳，最后一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接至待測(cè)射頻輸出端RF-OUT0
[0008]進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述衰減檔位電路有7個(gè):
[0009]射頻開(kāi)關(guān)芯片U1、射頻開(kāi)關(guān)芯片U2、分流電阻R1、分流電阻R2、分壓電阻Rll構(gòu)成IdB衰減檔位電路；
[0010]射頻開(kāi)關(guān)芯片U3、射頻開(kāi)關(guān)芯片U4、分流電阻R3、分流電阻R4、分壓電阻R12構(gòu)成2dB衰減檔位電路；
[0011]射頻開(kāi)關(guān)芯片U5、射頻開(kāi)關(guān)芯片U6、分流電阻R5、分流電阻R6、分壓電阻R13構(gòu)成4dB衰減檔位電路；
[0012]射頻開(kāi)關(guān)芯片U7、射頻開(kāi)關(guān)芯片U8、分流電阻R7、分流電阻R8、分壓電阻R14構(gòu)成8dB衰減檔位電路；
[0013]射頻開(kāi)關(guān)芯片U9、射頻開(kāi)關(guān)芯片UlO、分流電阻R9、分流電阻RlO、分壓電阻Rl5構(gòu)成16dB衰減檔位電路；
[0014]射頻開(kāi)關(guān)芯片U11、射頻開(kāi)關(guān)芯片U12、分流電阻R17、分流電阻R18、分壓電阻R16構(gòu)成32dB衰減檔位電路；
[0015]射頻開(kāi)關(guān)芯片U13、射頻開(kāi)關(guān)芯片U14、分流電阻R20、分流電阻R21、分壓電阻R19構(gòu)成64dB衰減檔位電路；
[0016]其中，射頻開(kāi)關(guān)芯片Ul的RF2引腳連接至串接有分流電阻Rl的接地端，射頻開(kāi)關(guān)芯片U2的RF2引腳連接至串接有分流電阻R2的接地端，所述射頻開(kāi)關(guān)芯片Ul的RFl引腳連接至射頻開(kāi)關(guān)芯片U2的RFl引腳，射頻開(kāi)關(guān)芯片Ul的RFC引腳連接至待測(cè)射頻輸入端RF-1N，射頻開(kāi)關(guān)芯片U2的RFC引腳連接至射頻開(kāi)關(guān)芯片U3的RFC引腳，依次類(lèi)推，直至射頻開(kāi)關(guān)芯片U14的RFC引腳連接至待測(cè)射頻輸出端RF-OUT。
[0017]進(jìn)一步的技術(shù)方案是，所述分流電阻Rl為869.8 Ω、分流電阻R2為869.8 Ω、分壓電阻Rll為5.8 Ω、分流電阻R3為436.3 Ω、分流電阻R4為436.3 Ω、分壓電阻R12為11.6 Ω、分流電阻R5為221 Ω、分流電阻R6為221 Ω、分壓電阻R13為23.8 Ω、分流電阻R7為116.2 Ω、分流電阻R8為116.2 Ω、分壓電阻R14為52.8 Ω、分流電阻R9為68.8 Ω、分流電阻RlO為68.8 Ω、分壓電阻R15為153.7 Ω、分流電阻R17為52.6 Ω、分流電阻R18為52.6 Ω、分壓電阻R16為993.7 Ω、分流電阻R20為50.1 Ω、分流電阻R21為50.1 Ω、分壓電阻 R19 為 39.54ΚΩ ο
[0018]采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于:本實(shí)用新型利用簡(jiǎn)單的電路實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)設(shè)定衰減值，在OdB到127dB之間可任意設(shè)定，在主控制器中設(shè)定好測(cè)試步驟，即可實(shí)現(xiàn)無(wú)人值守自動(dòng)化測(cè)試，有效解放了人力，提高了產(chǎn)品的測(cè)試效率。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本實(shí)用新型一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器的電路連接示意圖。
[0020]圖2是衰減值控制表。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0022]根據(jù)本實(shí)用新型的一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器一個(gè)實(shí)施例:一種自動(dòng)調(diào)節(jié)的射頻衰減器，包括至少兩組衰減檔位電路和主控制器，所述衰減檔位電路由兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片和一個(gè)Π型衰減電路組成，所述π型衰減電路由分別并接在接地端的兩個(gè)分流電阻、以及串聯(lián)在兩個(gè)發(fā)射段的分壓電阻構(gòu)成，每個(gè)所述射頻開(kāi)關(guān)芯片上有兩個(gè)電壓控制端并分別連接至主控制器的GP1引腳；
[0023]同一個(gè)衰減檔位電路中:兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFl引腳相互連接，RF2引腳分別連接Π型衰減電路的兩個(gè)接地端；
[0024]同一個(gè)衰減檔位電路中:兩個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片中一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接待測(cè)射頻輸入端RF-1N，另一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接至下一組衰減檔位電路中的一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳，最后一個(gè)射頻開(kāi)關(guān)芯片的RFC引腳連接至待測(cè)射頻輸出端RF-OUT0
[0025]圖1示出了本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述衰減檔位電路有7個(gè):
[0026]射頻開(kāi)關(guān)芯片U1、射頻開(kāi)關(guān)芯片U2、分流電阻R1、分流電阻R2、分壓電阻Rll構(gòu)成IdB衰減檔位電路；
[0027]射頻開(kāi)關(guān)芯片U3、射頻開(kāi)關(guān)芯片U4、分流電阻R3、分流電阻R4、分壓電阻R12構(gòu)成2dB衰減檔位電路；
[0028]射頻開(kāi)關(guān)芯片U5、射頻開(kāi)關(guān)芯片U6、分流電阻R5、分流電阻R6、分壓電阻R13構(gòu)成4dB衰減檔位電路；
[0029]射頻開(kāi)關(guān)芯片U7、射頻開(kāi)關(guān)芯片U8、分流電阻R7、分流電阻R8、分壓電阻R14構(gòu)成8dB衰減檔位電路；
[0030]射頻開(kāi)關(guān)芯片U9、射頻開(kāi)關(guān)芯片U10、分流電阻R9、分流電阻R10、分壓電阻R15構(gòu)成16dB衰減檔位電路；
[0031]射頻開(kāi)關(guān)芯片U11、射頻開(kāi)關(guān)芯片U12、分流電阻R17、分流電阻R18、分壓電阻R16構(gòu)成32dB衰減檔位電路；
[0032]射頻開(kāi)關(guān)芯片U13、射頻開(kāi)關(guān)芯片U14、分流電阻R20、分流電阻R21、分壓電阻R19構(gòu)成6