一種可調(diào)充電電流的振蕩器電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型設(shè)及振蕩器，尤其設(shè)及到可調(diào)充電電流的振蕩器。
【背景技術(shù)】
[0002] 為了得到頻率準(zhǔn)確度高的振蕩信號，設(shè)計了一種可調(diào)充電電流的振蕩器電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實用新型旨在提供一種可調(diào)充電電流的振蕩器電路。
[0004] 一種可調(diào)充電電流的振蕩器電路，包括第一電阻、第一NPN管、第二NPN管、第二電 阻、第SNPN管、第一PMOS管、第S電阻、第四電阻、第四NPN管、第五電阻、第五NPN管、第 六電阻、第六NPN管、第二PMOS管、第一運(yùn)算放大器、第屯NPN管、第屯電阻、第SPMOS管、 第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第屯PMOS管、第一電容、第一比較器和第一NMOS 管： 陽0化]所述第一電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NPN管的基極和集電極 和所述第SNPN管的基極；
[0006] 所述第一NPN管的基極和集電極接在一起再接所述第一電阻的一端和所述第S NPN管的基極，發(fā)射極接所述第二NPN管的基極和集電極；
[0007] 所述第二NPN管的基極和集電極接在一起再接所述第一NPN管的發(fā)射極，發(fā)射極 接地；
[0008] 所述第二電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第SNPN管的集電極；
[0009] 所述第SNPN管的基極接第一電阻的一端和所述第一NPN管的基極和集電極，集 電極接所述第二電阻的一端，發(fā)射極接所述第=電阻的一端和所述第一PMOS管的漏極；
[0010] 所述第一PMOS管的柵極接所述第二PMOS管的柵極和漏極和所述第六NPN管的集 電
[0011] 極，漏極接所述第SNPN管的發(fā)射極和所述第S電阻的一端，源極接電源電壓 VCC；
[0012] 所述第S電阻的一端接所述第SNPN管的發(fā)射極和所述第一PMOS管的漏極，另一 端接所述第四電阻的一端和所述第五電阻的一端和所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端和所 述第一比較器的負(fù)輸入端；
[0013] 所述第四電阻的一端接所述第=電阻的一端和所述第五電阻的一端和所述第一 運(yùn)算放大器的正輸入端和所述第一比較器的負(fù)輸入端，另一端接所述第四NPN管的基極和 集電極和所述第五NPN管1的基極；
[0014] 所述第四NPN管的基極和集電極接在一起再接所述第四電阻的一端和所述第五 NPN管的基極，發(fā)射極接地；
[0015] 所述第五電阻的一端接所述第=電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第一 運(yùn)算放大器的正輸入端和所述第一比較器的負(fù)輸入端，另一端接所述第五NPN管的集電極 和所述第六NPN管的基極；
[0016] 所述第五NPN管的基極接所述第四電阻的一端和所述第四NPN管的基極和集電 極，集電極接所述第五電阻的一端和所述第六NPN管的基極，發(fā)射極接所述第六電阻的一 端；
[0017] 所述第六電阻的一端接所述第五NPN管的發(fā)射極，另一端接地；
[0018] 所述第六NPN管的基極接所述第五電阻的一端和所述第五NPN管的集電極，集電 極接所述第一PMOS管的柵極和所述第二PMOS管的柵極和漏極，發(fā)射極接地；
[0019] 所述第二PMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第一PMOS管的柵極和所述第六 NPN管的集電極，源極接電源電壓VCC;
[0020] 所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端接所述第=電阻的一端和所述第四電阻的一端 和所述第五電阻的一端和所述第一比較器的負(fù)輸入端，負(fù)輸入端接所述第屯電阻的一端和 所述第屯NPN管的發(fā)射極，輸出端接所述第屯NPN管的基極；
[0021] 所述第屯NPN管的基極接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端，集電極接所述第SPMOS 管的柵極和漏極和所述第四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和所述第六PMOS管 的柵極和所述第屯PMOS管的柵極，發(fā)射極接所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和所述第屯 電阻的一端；
[0022] 所述第屯電阻的一端接所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和所述第屯NPN管的發(fā) 射極，另一端接地；
[0023] 所述第SPMOS管的柵極和漏極接在一起再接所述第屯NPN管的集電極和所述第 四PMOS管的柵極和所述第五PMOS管的柵極和所述第六PMOS管和所述第屯PMOS管的柵極， 源極接電源電壓；
[0024] 所述第四PMOS管、所述第五PMOS管、所述第六PMOS管和所述第屯PMOS管的柵極 接在一起再接所述第=PMOS管的柵極和漏極，漏極接在一起再接所述第一比較器的正輸 入端和所述第一電容的一端和所述第一NMOS管的漏極，源極都接在電源電壓VCC;
[0025] 所述第一電容的一端接所述第四PMOS管的漏極和所述第五PMOS管的漏極和所述 第六PMOS管的漏極和所述第屯PMOS管的漏極和所述第一比較器的正輸入端和所述第一 NMOS管的漏極，另一端接地；
[00%] 所述第一比較器的正輸入端接所述第四PMOS管的漏極和所述第五PMOS管的漏極 和所述第六PMOS管的漏極和所述第屯PMOS管的漏極和所述第一電容的一端和所述第一NMOS管的漏極，負(fù)輸入端接所述第=電阻的一端和所述第四電阻的一端和所述第五電阻的 一端和所述第一運(yùn)算放大器的正輸入端，輸出端接所述第一NMOS管的柵極并作為振蕩器 的輸出端OSCOUT;
[0027] 所述第一NMOS管的柵極接所述第一比較器的輸出端，漏極接所述第四PMOS管的 漏極和所述第五PMOS管的漏極和所述第六PMOS管的漏極和所述第屯PMOS管的漏極和所 述第一電容的一端和所述第一比較器的正輸入端，源極接地。
[0028] 所述第一電阻、所述第一NPN管、所述第二NPN管、所述第二電阻和所述第SNPN 管構(gòu)成啟動電路，從電源電壓VCC依次第一電阻、所述第一NPN管、所述第二NPN管形成 電流，然后通過所述第一NPN管鏡像給所述第=NPN管；所述第四電阻、所述第四NPN管、 所述第五電阻、所述第五NPN管、所述第六電阻構(gòu)成基準(zhǔn)電壓源的核屯、部分，基準(zhǔn)電壓
，m為所述第五NPN管和所述第四NPN管的面積比值；啟 動電路提供啟動電流后，電壓基準(zhǔn)源正常工作后，由于所述第SNPN管的發(fā)射極電壓升高， 所述第=NPN管的發(fā)射極就不會有電流流出，所述第六NPN管和所述第二PMOS管構(gòu)成電壓 基準(zhǔn)源正常工作后反饋到基準(zhǔn)電壓源核屯、部分的工作電流，通過所述第二PMOS管鏡像給 所述第一PMOS管；所述第一運(yùn)算放大器和所述第屯NPN管構(gòu)成跟隨器，所述第一運(yùn)算放大 器的正輸入端接基準(zhǔn)電壓VREF，所述第一運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端的電壓也為VREF，在所述 第屯電阻電阻上產(chǎn)生電流，電流等于VREF/R203,運(yùn)個電流IO再通過所述第SPMOS管鏡像 給所述第四PMOS管的電流Il和所述第五PMOS管的電流12和所述第六PMOS管的電流13 和所述第屯PMOS管的電流14,電流II、12、13、14對所述第一電容進(jìn)行充電，當(dāng)所述第一電 容電壓上升到基準(zhǔn)電壓VREF時，所述第一比較器輸出為高，控制所述第一NMOS管導(dǎo)通，運(yùn) 時所述第一電容進(jìn)行放電，所述第一比較器的正輸入端電壓低于基準(zhǔn)電壓V旭F時，所述第 一比較器翻轉(zhuǎn)為低電平，接著下一個周期；為了得到準(zhǔn)確的振蕩信號的頻率，通過調(diào)節(jié)電流 II、12、13、14合在一起的電流大小對所述第一電容305進(jìn)行充電；電流II、12、13、14通過 設(shè)置倍數(shù)關(guān)系使得電流之和更能接近要得到的大小。
【附圖說明】
[0029] 圖1為本實用新型的可調(diào)充電電流的振蕩器電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0030] W下結(jié)合附圖對本【實用新型內(nèi)容】進(jìn)一步說明。
[0031] 一種可調(diào)充電電流的振蕩器電路，如圖1所示，包括第一電阻101、第一NPN管 102、第二NPN管103、第二電阻104、第SNPN管105、第一PMOS管106、第S電阻107、第四 電阻108、第四NPN管109、第五電阻110、第五NPN管111、第六電阻112、第六NPN管113、 第二PMOS管114、第一運(yùn)算放大器201、第屯NPN管202、第屯電阻203、第SPMOS管204、第 四PMOS管301、第五PMOS管302、第六PMOS管303、第屯PMOS管304、第一電容305、第一比 較器306和第一NMOS管307 : 陽03引所述第一電阻101的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NPN管102的基極和 集電極和所述第SNPN管105的基極；
[0033] 所述第一NPN管102的基極和集電極接在一起再接所述第一電阻101的一端和所 述第SNPN管105的基極，發(fā)射極接所述第二NPN管103的基極和集電極；
[0034] 所述第二NPN管103的基極和集電極接在一起再接所述第一NPN管102的發(fā)射極， 發(fā)射極接地；
[0035] 所述第二電阻104的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第SNPN管105的集電 極；
[0036] 所述第SNPN管105的基極接第一電阻101的一端和所述第一NPN管102的基極 和集電極，集電極接所述第二電阻104的一端，發(fā)射極接所述第=電阻107的一端和所述第 一PMOS管106的漏極；
[0037] 所述第一PMOS管106的柵極接所述第二PMOS管114的柵極和漏極和所述第六 NPN管113的集電極，漏極接所述第SNPN管105的發(fā)射極和所述第S電阻107的一端，源 極接電源電壓VCC;
[0038] 所述第S電阻107的一端接所述第SNPN管105的發(fā)射極和所述第一PMOS管106 的漏極，另一端接所述第四電阻108的一端和所述第五電阻110的一端和所述第一運(yùn)算放 大器201的正輸入端和所述第一比較器306的負(fù)輸入端；
[0039] 所述第四電阻108的一端接所述第S電阻107的一端和所述第五電阻110的一端 和所述第一運(yùn)算放大器201的正輸入端和所述第一比較器306的負(fù)輸入端，另一端接所述 第四NPN管109的基極和集電極和所述第五NPN管111的基極； W40] 所述第四NPN管109的基極和集電極接在一起再接所述第四電阻108的一端和所 述第五NPN管111的基極，發(fā)射極接地；
[0041] 所述第五電阻110的一端接所述第=電阻107的一端和所述第四電阻108的一端 和所述第一運(yùn)算放大器201的正輸入端和所述第一比較器306的負(fù)輸入端，另一端接所述 第五NPN管111的集電極和所述第六NPN管113的基極；
[0042] 所述第五NPN管111的基極接所述第四電阻108的一端和所述第四NPN管109的 基極和集電極，集電極接所述第五電阻110的一端和所述第六NPN管113的基極，發(fā)射極接 所述第六電阻112的一端；
[0043] 所述第六電阻112的一端接所述第五