電磁加熱裝置及其加熱控制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及家用電器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電磁加熱裝置的加熱控制電路以及一種電磁加熱裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在多線圈盤的加熱電路結(jié)構(gòu)中，通常都連接有很多的IGBT或諧振電容，并且當(dāng)加熱電路結(jié)構(gòu)中具有三個以上的線圈盤時，還需繼電器配合。例如，當(dāng)加熱電路結(jié)構(gòu)中具有三個線圈盤時，需要三個IGBT分別對三個線圈盤進(jìn)行諧振控制，同時每個線圈盤還連接有諧振電容，使得電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜，線圈盤的接線也復(fù)雜，并且在采用繼電器進(jìn)行配合加熱時，由于頻繁切換繼電器使得繼電器的使用壽命大大降低，同時繼電器在切換過程中產(chǎn)生較大的噪音。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此，本實用新型的一個目的在于提出一種使用元器件少、電路結(jié)構(gòu)簡單的電磁加熱裝置的加熱控制電路。
[0004]本實用新型的另一個目的在于提出一種電磁加熱裝置。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型一方面提出了一種電磁加熱裝置的加熱控制電路，包括:N個諧振電容，其中，N為大于I的整數(shù);N個功率開關(guān)管;選擇開關(guān);N+1個線圈盤，所述N+ 1個線圈盤中的任意兩個線圈盤通過所述選擇開關(guān)進(jìn)行組合，并通過所述選擇開關(guān)選擇所述任意兩個線圈盤中的一個參與諧振，其中，所述N+1個線圈盤中的其他N-1個線圈盤和所述選擇開關(guān)選擇的參與諧振的線圈盤與所述N個諧振電容、所述N個功率開關(guān)管相應(yīng)構(gòu)成N個諧振電路；以及控制模塊，所述控制模塊通過控制所述選擇開關(guān)和所述N個功率開關(guān)管以控制所述N個諧振電路輪流進(jìn)行工作。
[0006]根據(jù)本實用新型的電磁加熱裝置的加熱控制電路，能夠在一定程度上有效減少諧振電容、功率開關(guān)器件以及選擇開關(guān)的使用，以使電路結(jié)構(gòu)更加簡單，并且使得線圈盤的接線也更加簡單，而且降低了成本，另外，選擇開關(guān)僅用于選擇任意兩個線圈盤中的一個參與諧振，并通過控制模塊控制N個功率開關(guān)管以使N個諧振電路輪流進(jìn)行工作，因此大大降低了選擇開關(guān)的切換次數(shù)，提高了選擇開關(guān)的使用壽命。
[0007]具體地，所述選擇開關(guān)為繼電器，所述繼電器的第一端與所述電磁加熱裝置的供電模塊相連，所述繼電器的第二端與所述任意兩個線圈盤中的第一線圈盤相連，所述繼電器的第三端與所述任意兩個線圈盤中的第二線圈盤相連，所述繼電器的控制端與所述控制模塊相連。
[0008]進(jìn)一步地，當(dāng)N等于3時，所述N個諧振電容包括第一諧振電容至第三諧振電容，所述N個功率開關(guān)管包括第一 IGBT至第三IGBT，所述N+1個線圈盤包括第一線圈盤至第四線圈盤。
[0009]具體地，第一諧振電容的一端與所述繼電器的第一端相連，所述第一諧振電容的另一端通過第一線圈盤與所述繼電器的第二端相連，所述第一諧振電容的另一端還與第一IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容并聯(lián)后與第二 IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容并聯(lián)后與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0010]具體地，第一線圈盤與第一諧振電容串聯(lián)后接地，所述第一線圈盤與所述第一諧振電容之間的節(jié)點與第一 IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容串聯(lián)后接地，所述第三線圈盤與所述第二諧振電容之間的節(jié)點與第二IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容串聯(lián)后接地，所述第四線圈盤與所述第三諧振電容之間的節(jié)點與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0011]具體地，第一諧振電容的一端與所述繼電器的第一端相連，所述第一諧振電容的另一端通過第一線圈盤與所述繼電器的第二端相連，所述第一諧振電容的另一端還與第一IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容并聯(lián)后與第二 IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容串聯(lián)后接地，所述第四線圈盤與所述第三諧振電容之間的節(jié)點與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0012]具體地，第一線圈盤與第一諧振電容串聯(lián)后接地，所述第一線圈盤與所述第一諧振電容之間的節(jié)點與第一 IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容并聯(lián)后與第二 IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容串聯(lián)后接地，所述第四線圈盤與所述第三諧振電容之間的節(jié)點與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0013]具體地，第一諧振電容的一端與所述繼電器的第一端相連，所述第一諧振電容的另一端通過第一線圈盤與所述繼電器的第二端相連，所述第一諧振電容的另一端還與第一IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容串聯(lián)后接地，所述第三線圈盤與所述第二諧振電容之間的節(jié)點與第二 IGBT的C極相連，所述第二IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容并聯(lián)后與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0014]具體地，第一線圈盤與第一諧振電容串聯(lián)后接地，所述第一線圈盤與所述第一諧振電容之間的節(jié)點與第一 IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容并聯(lián)后與第二 IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容并聯(lián)后與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0015]具體地，第一諧振電容的一端與所述繼電器的第一端相連，所述第一諧振電容的另一端通過第一線圈盤與所述繼電器的第二端相連，所述第一諧振電容的另一端還與第一IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容串聯(lián)后接地，所述第三線圈盤與所述第二諧振電容之間的節(jié)點與第二 IGBT的C極相連，所述第二IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容串聯(lián)后接地，所述第四線圈盤與所述第三諧振電容之間的節(jié)點與第三IGBT的C極相連，所述第三IGBT的E極接地，所述第三IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連。
[0016]具體地，第一線圈盤與第一諧振電容串聯(lián)后接地，所述第一線圈盤與所述第一諧振電容之間的節(jié)點與第一 IGBT的C極相連，所述第一 IGBT的C極還與第二線圈盤相連，所述第一 IGBT的E極接地，所述第一 IGBT的G極與所述控制模塊中的IGBT驅(qū)動單元相連，第三線圈盤與第二諧振電容串聯(lián)后接地，所述第三線圈盤與所述第二諧振電容之間的節(jié)點與第二IGBT的C極相連，所述第二 IGBT的E極接地，所述第二 IGBT的G極與所述IGBT驅(qū)動單元相連，第四線圈盤與第三諧振電容并聯(lián)后與第三IGBT的C極相連，所述第三