本發(fā)明涉及一種集成式音頻信號播放器,用于以智能手機(jī)為代表的智能終端領(lǐng)域。
背景技術(shù):
當(dāng)前智能機(jī)快速發(fā)展,各個手機(jī)廠商的競爭也越來越激烈。為了使產(chǎn)品更有競爭力,如何更大程度地有效利用手機(jī)空間,如何更有效的在保證質(zhì)量的前提下降低產(chǎn)品成本,是各個手機(jī)設(shè)計(jì)研發(fā)公司不斷追求的目標(biāo)。
一般來說,手機(jī)的聽筒和揚(yáng)聲器是兩套不同的通路系統(tǒng),其結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示,在工作過程中,基帶通過聽筒的輸出端EARP和EARN來控制聽筒的輸出,另外通過音頻輸出端Audio_P和Audio_N輸出到外部的音頻功率放大器Audio_PA,并通過該音頻功率放大器Audio_PA來驅(qū)動揚(yáng)聲器,實(shí)現(xiàn)音頻信號的輸出。從圖中可以看出,在該系統(tǒng)中,由于手機(jī)的聽筒和揚(yáng)聲器是兩套獨(dú)立的通路,這樣不但會占用比較緊張的系統(tǒng)空間,同時也提高了設(shè)計(jì)的成本。
隨著技術(shù)的發(fā)展,聽筒和揚(yáng)聲器兩個系統(tǒng)的二合一方案被發(fā)明出來,并被逐漸推廣使用,結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示,在工作過程中,基帶通過GPIO端口GPIO_0和GPIO_1分別控制模擬開關(guān)以及音頻功率放大器的啟動和關(guān)斷,且二者在同一時間只能選擇一個開啟,即當(dāng)選擇音頻功率放大器工作的時候,實(shí)現(xiàn)音頻在揚(yáng)聲器的播放功能;當(dāng)選擇模擬開關(guān)導(dǎo)通的時候,實(shí)現(xiàn)聽筒功能。但是,由于音頻功率放大器一般會選擇效率比較高的D類音頻功率放大器,其輸出端AOUP、AOUN為占空比隨著音頻信號幅度變化的PWM波形,一般高電平可以達(dá)到3.2V~6.5V左右。而模擬開關(guān)的電源VDD2一般是由電池直接供電,電壓范圍一般是在3.2V~4.35V之間變化。模擬開關(guān)內(nèi)部電路如圖3所示,第一控制信號 EN_SW經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換器LevelShift實(shí)現(xiàn)電壓從VL到VDD2的轉(zhuǎn)換,其中,VL是基帶的PMIC(Power Management IC,電源管理集成電路)產(chǎn)生的電源,一般是在1.8V~2.8V之間。當(dāng)?shù)谝豢刂菩盘朎N_SW經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換器LevelShift后產(chǎn)生的第二控制信號PDB為高電平VDD2時,模擬開關(guān)關(guān)閉。
當(dāng)模擬開關(guān)關(guān)閉的時候,MOS管P3的各個端口的波形如圖4所示。圖中MOS管P5和N1器件為音頻處理器內(nèi)部和端口INP相連的內(nèi)部電路,其中二極管D4和D3分別為MOS管P5和N1的寄生二極管。當(dāng)模擬開關(guān)關(guān)斷時,MOS管P5和N1一般都是為關(guān)斷狀態(tài),則INP端為高阻態(tài)。MOS管P3的柵極電壓控制電壓為VDD2,當(dāng)OUP端的輸出電平VDD3≤VDD2+Vth時(其中,Vth為P1的導(dǎo)通閾值),P3管可以完全關(guān)斷。OUP端的電壓變化,對INP端沒有影響。寄生二極管D4不會有反灌電流,由于OUP到INP的通路被完全隔絕,所以O(shè)UP端的電平對音頻處理器內(nèi)部電路沒有影響。但是當(dāng)VDD3>VDD2+Vth時,雖然模擬開關(guān)的柵極控制電壓為VDD2,MOS管P3依然處于導(dǎo)通狀態(tài)。輸出端OUP的電平可以直接傳輸?shù)絀NP端。由于電源VDD1的電平一般為1.8V~2.8V,當(dāng)OUP輸出高電平VDD3時,由于VDD3的值遠(yuǎn)大于VDD1和寄生二極管D4的導(dǎo)通閾值,即:
VDD3>>VDD1+Vth_D4。所以,VDD3會通過MOS管P3在D4端產(chǎn)生很高的電流,反灌到電源VDD1端。D4的反灌電流如圖5所示。反灌電流的存在,很容易導(dǎo)致音頻處理器內(nèi)部器件的損壞。
同時,音頻處理器內(nèi)部和INP相連的器件,一般都是低壓器件,關(guān)態(tài)擊穿電壓點(diǎn)一般會比較低。當(dāng)OUP端的高電平傳遞到音頻處理器內(nèi)部時,同樣會有導(dǎo)致不可恢復(fù)的N1被擊穿損壞的風(fēng)險。
另外,由于反灌電流的存在,OUP端在高電平輸出時,電壓被迅速拉低,導(dǎo)致輸出波形的變形、失真,極度惡化了音頻信號的品質(zhì)。同樣,由于VDD1在瞬 間被灌入電流,極易導(dǎo)致VDD1的電壓狀態(tài)的紊亂,進(jìn)而導(dǎo)致整個系統(tǒng)的工作異常。
對于傳統(tǒng)的分立器件的二合一方案,當(dāng)音頻功率放大器中有輸出升壓功能的時候,會導(dǎo)致較大的反灌電流;而當(dāng)音頻功率放大器輸出沒有升壓功能的時候,也由于外部的分立的模擬開關(guān)模塊,而占據(jù)系統(tǒng)面積,并且會帶來信號傳輸增益損耗、穩(wěn)定性及一致性較差等多種問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的是為解決目前傳統(tǒng)的聽筒和揚(yáng)聲器二合一的音頻信號播放器存在反灌電流,導(dǎo)致器件擊穿,輸出波形變形、失真,極度惡化音頻信號的品質(zhì),使整個系統(tǒng)的工作異常,且占據(jù)系統(tǒng)面積,導(dǎo)致信號傳輸增益損耗、穩(wěn)定差性及一致性差的技術(shù)問題。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供一種集成式音頻信號播放器,包括:音頻處理器、音頻控制器和揚(yáng)聲器;
所述音頻控制器包括音頻功率放大器、運(yùn)算放大器組件、最高電平選擇器和電平轉(zhuǎn)換器,所述音頻功率放大器用于揚(yáng)聲器模式音頻信號的放大,所述運(yùn)算放大器組件用于聽筒模式音頻信號的放大,所述音頻功率放大器和運(yùn)算放大器的輸出端均連接到所述揚(yáng)聲器;
所述音頻處理器輸出兩組音頻信號,第一音頻信號為聽筒模式音頻信號,所述第一音頻信號連接到所述運(yùn)算放大器組件輸入端;第二音頻信號為揚(yáng)聲器模式音頻信號,所述第二音頻信號連接到所述音頻功率放大器輸入端;
所述音頻處理器具有兩個I/O端口,其中第一端口連接到所述運(yùn)算放大器組件的控制端,用于控制運(yùn)算放大器組件的通斷;第二端口連接到所述音頻功率 放大器的控制端,用于控制音頻功率放大器的通斷;所述第一端口還連接到所述電平轉(zhuǎn)換器輸入端;
所述最高電平選擇器用于從所述音頻功率放大器的電源電平、所述揚(yáng)聲器的正輸入電平和所述揚(yáng)聲器的負(fù)輸入電平中選出最大電平,即所述最高電平選擇器輸出所述最大電平,所述最大電平供給所述運(yùn)算放大器組件和所述電平轉(zhuǎn)換器;
所述電平轉(zhuǎn)換器用于將所述第一端口輸出的電平轉(zhuǎn)換到所述最大電平,即所述電平轉(zhuǎn)換器輸出所述最大電平,所述最大電平供給所述運(yùn)算放大器組件。
進(jìn)一步地,所述運(yùn)算放大器組件包括運(yùn)算放大器及所述運(yùn)算放大器的晶體管輸入電路,所述晶體管輸入電路包括正端晶體管輸入電路和負(fù)端晶體管輸入電路;所述正端晶體管輸入電路并聯(lián)于所述運(yùn)算放大器的正輸入端和負(fù)輸出端之間,所述負(fù)端晶體管輸入電路并聯(lián)于所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端和正輸出端之間;所述晶體管輸入電路中包括晶體管。
進(jìn)一步地,所述晶體管輸入電路中的晶體管為PMOS管,所述最高電平選擇器輸出的最大電平施加于所述PMOS管的源極。
進(jìn)一步地,所述音頻處理器的第一端口連接到所述運(yùn)算放大器的控制端;所述音頻處理器的第二端口連接到所述音頻功率放大器的控制端;所述電平轉(zhuǎn)換器輸出的最大電平施加于所述PMOS管的柵極。
進(jìn)一步地,在所述PMOS管的源極和漏極之間并聯(lián)有寄生二極管,寄生二極管的正端連接到PMOS管的漏極。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述第一端口為低電平時,所述運(yùn)算放大器通路開通,且所述晶體管輸入電路導(dǎo)通,當(dāng)所述第一端口為高電平時,所述運(yùn)算放大器通路關(guān)斷,且所述晶體管輸入電路截止;當(dāng)所述第二端口為低電平時,所述音頻功率 放大器通路關(guān)斷,當(dāng)所述第二端口為高電平時,所述音頻功率放大器通路開通。
進(jìn)一步地,所述第一音頻信號的正端連接到所述運(yùn)算放大器的正輸入端,所述第一音頻信號的負(fù)端連接到所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端;所述運(yùn)算放大器的正輸出端連接到所述揚(yáng)聲器的正輸入端,所述運(yùn)算放大器的負(fù)輸出端連接到所述揚(yáng)聲器的負(fù)輸入端。
進(jìn)一步地,所述第二音頻信號的正端連接到所述音頻功率放大器的正輸入端,所述第二音頻信號的負(fù)端連接到所述音頻功率放大器的負(fù)輸入端;所述音頻功率放大器的正輸出端連接到所述揚(yáng)聲器的正輸入端,所述音頻功率放大器的負(fù)輸出端連接到所述揚(yáng)聲器的負(fù)輸入端。
進(jìn)一步地,所述晶體管輸入電路由所述晶體管與可調(diào)電阻串聯(lián)而成。
進(jìn)一步地,還在所述晶體管輸入電路之前串聯(lián)有電阻。
本發(fā)明使用可調(diào)增益的運(yùn)算放大器組件代替直通式的模擬開關(guān),可實(shí)現(xiàn)音頻信號的多增益可控傳輸;兼容了音頻功率放大器升壓/不升壓兩種工作模式,在應(yīng)用上有更大的適應(yīng)性;杜絕了音頻功率放大器升壓后,高電平損壞音頻處理器內(nèi)部器件的現(xiàn)象;大幅度減小了占用系統(tǒng)的空間;有更好的一致性、穩(wěn)定性和可靠性。
附圖說明
圖1為傳統(tǒng)的手機(jī)的聽筒和揚(yáng)聲器是兩套不同的通路系統(tǒng)的音頻信號播放器結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為傳統(tǒng)的聽筒和揚(yáng)聲器二合一的音頻信號播放器結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為圖2中所示的模擬電子開關(guān)的內(nèi)部電路圖;
圖4為圖2中所示的模擬電子開關(guān)關(guān)閉時,MOS管P3的各個端口的波形圖;
圖5為圖2中所示的模擬電子開關(guān)關(guān)閉時,音頻處理器中D4的反灌電流圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例集成式音頻信號播放器的結(jié)構(gòu)圖;
圖7為本發(fā)明電路原理圖;
圖8為本發(fā)明控制信號波形圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成,且其不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
如圖6所示,本發(fā)明實(shí)施例的集成式音頻信號播放器,包括音頻處理器、音頻控制器和揚(yáng)聲器;其中音頻控制器包括音頻功率放大器、運(yùn)算放大器組件、最高電平選擇器和電平轉(zhuǎn)換器,音頻功率放大器用于揚(yáng)聲器模式音頻信號的放大,運(yùn)算放大器組件用于聽筒模式音頻信號的放大,音頻功率放大器和運(yùn)算放大器的輸出端均連接到揚(yáng)聲器;
音頻處理器輸出兩組音頻信號,第一音頻信號為聽筒模式音頻信號,聽筒模式音頻信號連接到運(yùn)算放大器組件輸入端;第二音頻信號為揚(yáng)聲器模式音頻信號,揚(yáng)聲器模式音頻信號連接到音頻功率放大器輸入端;
音頻處理器具有兩個I/O端口,其中第一端口I/O1連接到運(yùn)算放大器組件的控制端,用于控制運(yùn)算放大器組件的通斷;第二端口I/O2連接到音頻功率放大器的控制端,用于控制音頻功率放大器的通斷;第一端口I/O1還連接到電平轉(zhuǎn)換器輸入端;
最高電平選擇器用于從音頻功率放大器的電源電平VBAT、揚(yáng)聲器的正輸入電平和揚(yáng)聲器的負(fù)輸入電平中選出最大電平,即最高電平選擇器輸出最大電平,此最大電平供給運(yùn)算放大器組件和電平轉(zhuǎn)換器;
電平轉(zhuǎn)換器用于將第一端口I/O1輸出的電平轉(zhuǎn)換到上述最大電平,即電平轉(zhuǎn)換器輸出上述最大電平,此最大電平供給運(yùn)算放大器組件。
具體地,如圖7所示,運(yùn)算放大器組件包括運(yùn)算放大器及運(yùn)算放大器的晶體管輸入電路,晶體管輸入電路包括正端晶體管輸入電路和負(fù)端晶體管輸入電路;正端晶體管輸入電路并聯(lián)于運(yùn)算放大器的正輸入端IP1和負(fù)輸出端OUTN之間,負(fù)端晶體管輸入電路并聯(lián)于運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端IN1和正輸出端OUTP之間;晶體管輸入電路中包括PMOS晶體管P1和P2,最高電平選擇器從VBAT、OUTP和OUTN選出最大電平VH施加于PMOS管P1和P2的源極。
音頻處理器的第一端口GPIO_0連接到運(yùn)算放大器的控制端PD_amp;音頻處理器的第二端口GPIO_1連接到音頻功率放大器的控制端EN_AP;音頻處理器的第一端口GPIO_0還連接到電平轉(zhuǎn)換器LevelShift的輸入端,音頻功率放大器的電源電平VBAT和最高電平選擇器輸出的最大電平VH連接到LevelShift的兩個電平輸入端,LevelShift的輸出端分別連接到PMOS管P1和P2的柵極PD。
在PMOS管P1的源極和漏極之間并聯(lián)有寄生二極管D2,寄生二極管D2的正端連接到PMOS管P1的漏極;在PMOS管P2的源極和漏極之間并聯(lián)有寄生二極管D3,寄生二極管D3的正端連接到PMOS管P2的漏極。
第一音頻信號的正端EARP連接到運(yùn)算放大器的正輸入端IP1,第一音頻信號的負(fù)端EARN連接到運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端IN1;運(yùn)算放大器的正輸出端OUTP連接到揚(yáng)聲器的正輸入端,運(yùn)算放大器的負(fù)輸出端OUTN連接到揚(yáng)聲器的負(fù)輸入端。
第二音頻信號的正端Auido_P連接到音頻功率放大器的正輸入端AIP,第二音頻信號的負(fù)端Auido_N連接到音頻功率放大器的負(fù)輸入端AIN;音頻功率放大器的正輸出端OUTP連接到揚(yáng)聲器的正輸入端,音頻功率放大器的負(fù)輸出端OUTN 連接到揚(yáng)聲器的負(fù)輸入端。
正端晶體管輸入電路由PMOS管P2和可調(diào)電阻Rf2串聯(lián)而成,負(fù)端晶體管輸入電路由PMOS管P1和可調(diào)電阻Rf1串聯(lián)而成。
還在正端晶體管輸入電路之前串聯(lián)有電阻Rin2,在負(fù)端晶體管輸入電路之前串聯(lián)有電阻Rin1。
由于VH是三個電平中的最高電平,當(dāng)音頻功率放大器有升壓過程的時候,VH和升壓后的較高電平值相同;當(dāng)音頻功率放大器沒有升壓過程的時候,VH和電源電壓VBAT相等。
所以,在P1、P2關(guān)斷的時候,無論音頻功率放大器如何設(shè)計(jì),都不會存在P1、P2弱導(dǎo)通的情況,避免了電流反灌現(xiàn)象的出現(xiàn),同時保護(hù)了音頻處理器中的器件不被損壞。
圖7中的運(yùn)算放大器,可以是包括AB類運(yùn)算放大器在內(nèi)的各種高性能的放大器,通過調(diào)節(jié)Rf1,Rf2和Rin1,Rin2的比例,可以實(shí)現(xiàn)對IN1,IP1的比例放大,相對于模擬開關(guān)單一的直通傳輸功能,有著更大的調(diào)整和應(yīng)用設(shè)計(jì)空間。本發(fā)明用于手機(jī)時,當(dāng)輸入BB(BaseBand,基帶)的音頻輸出端口比較緊缺的時候,可以把AIP與IP1;AIN與IN1在芯片外部相連,這樣便可以實(shí)現(xiàn)一對輸入信號分別輸出到聽筒和喇叭端,既節(jié)省了BB的輸出管腳,又不會影響音頻信號的性能,大大提高了應(yīng)用的靈活度。
對于音頻功率放大器的控制信號EN_AP,以及運(yùn)算放大器組件的控制信號PD的邏輯關(guān)系,如圖8所示,當(dāng)EN_AP為高電平VDD2的時候,打開音頻功率放大器通路,為低電平0的時候則關(guān)閉此通路;當(dāng)PD為低電平0的時候,運(yùn)算放大器組件的晶體管輸入電路導(dǎo)通,為高電平VH的時候,運(yùn)算放大器組件的晶體管輸入電路截止。另外,運(yùn)算放大器組件的運(yùn)算放大器的通斷由音頻處理器的第一端 口GPIO_0控制運(yùn)算放大器的控制端PD_amp實(shí)現(xiàn),當(dāng)GPIO_0輸出為低電平時,運(yùn)算放大器通路開通,當(dāng)GPIO_0輸出為高電平時,運(yùn)算放大器通路關(guān)斷。
工作時,當(dāng)音頻處理器的第一端口GPIO_0輸出為低電平時,與GPIO_0連接的PD_amp為低電平,運(yùn)算放大器通路開通,且與GPIO_0連接的電平轉(zhuǎn)換器LevelShift輸出最大電平VH,VH施加到PMOS管P1和P2的柵極PD,使兩個PMOS管的漏、源極導(dǎo)通,則晶體管輸入電路導(dǎo)通,可以調(diào)節(jié)運(yùn)算放大器的增益,當(dāng)GPIO_0輸出為高電平時,與GPIO_0連接的PD_amp為高電平,運(yùn)算放大器通路關(guān)斷,且晶體管輸入電路截止;當(dāng)音頻處理器的第二端口GPIO_1輸出為低電平時,與GPIO_1連接的EN_AP為低電平0,音頻功率放大器通路關(guān)斷,當(dāng)音頻處理器的第二端口GPIO_1輸出為高電平時,與GPIO_1連接的EN_AP為高電平VDD2,音頻功率放大器通路開通。通過芯片內(nèi)部的邏輯處理,保證運(yùn)算放大器通路和音頻功率放大器通路兩者在任意時刻,只能有一路導(dǎo)通。
本發(fā)明以上實(shí)施例使用可調(diào)增益的運(yùn)算放大器組件代替直通式的模擬開關(guān),可實(shí)現(xiàn)音頻信號的多增益可控傳輸;兼容了音頻功率放大器升壓/不升壓兩種工作模式,在應(yīng)用上有更大的適應(yīng)性;杜絕了音頻功率放大器升壓后,高電平損壞音頻處理器內(nèi)部器件的現(xiàn)象;大幅度減小了占用系統(tǒng)的空間;有更好的一致性、穩(wěn)定性和可靠性。
以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示,通過上述的說明內(nèi)容,相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。