本發(fā)明涉及具備對發(fā)送信號和接收信號進(jìn)行分離的功能的高頻模塊。

背景技術(shù)：

以往，提供有具備濾波電路的高頻模塊，例如，將圖14所示的濾波電路500搭載于高頻模塊(例如參照專利文獻(xiàn)1)。濾波電路500具備連接在輸入端子501與輸出端子502之間的濾波部503、和以并聯(lián)的方式與濾波部503連接的線路504。因此，由于被輸入至輸入端子501的RF(Radio Frequency，高頻)信號所通過的信號線路分支為濾波部503的線路和線路504，所以若向輸入端子501輸入RF信號，則第一信號505通過濾波部503，第二信號506通過線路504。然后，從輸出端子502輸出通過了濾波部503的第一信號505與通過了線路504的第二信號506被合成得到的RF信號。

濾波部503由設(shè)定有規(guī)定的通過帶域的帶通濾波器構(gòu)成，使通過帶域的RF信號通過，使通過帶域外的RF信號衰減。但是，若僅通過濾波部503，則存在通過帶域外的RF信號不能衰減到所希望的值的情況。因此，在線路504設(shè)置有由電感器、電容器構(gòu)成的修正電路。而且，通過線路504的濾波部503的通過帶域外的第二信號506的相位、與通過濾波部503，并想要進(jìn)一步衰減的第一信號505的相位在濾波部503的通過帶域外的頻帶為相反相位，并且以在該濾波部503的通過帶域外的頻帶中，第一信號505的振幅與第二信號506的信號的振幅相同的方式，設(shè)定有線路504的阻抗。

因此，由于通過了濾波部503的第一信號505與通過了線路504的第二信號506在濾波部503的輸出側(cè)的信號線與線路504的輸出側(cè)的信號線的連接點(diǎn)，在濾波部503的通過帶域外的頻帶相抵消，所以從輸出端子502輸出的該頻帶的RF信號被衰減。因此，濾波電路500中的通過帶域外的RF信號的衰減特性提高。另外，在與濾波電路500鄰接地配置有由設(shè)定了與濾波電路500的通過帶域不同的通過帶域的帶通濾波器構(gòu)成的其它濾波電路的情況下，可抑制濾波電路500的通過帶域外的RF信號從輸出端子502輸出并繞回到其它濾波電路。因此，能夠提高鄰接配置的濾波電路500與其它濾波電路之間的隔離特性。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-109818號公報(bào)(第0019～0023段、圖1、摘要等)

在上述的以往的濾波電路500中，為了改善規(guī)定的通過帶域外的RF信號的衰減特性，必須將設(shè)置有修正電路的線路504與濾波部503分立地設(shè)置，上述修正電路用于生成與通過濾波部503的通過帶域外的RF信號相位相反的RF信號。因此，存在濾波電路500大型化，且具備濾波電路500的高頻模塊大型化的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明是鑒于上述的課題而完成的，其目的在于提供一種能夠不使高頻模塊大型化地、提高被輸入至發(fā)送電極的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的衰減特性，并實(shí)現(xiàn)發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性的提高的技術(shù)。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的高頻模塊的特征在于，具備：發(fā)送電極，其被輸入發(fā)送信號；共用電極，其輸出上述發(fā)送信號，并被輸入接收信號；接收電極，其輸出上述接收信號；分波器，其具備將上述發(fā)送信號的頻帶設(shè)定為通過帶域的發(fā)送濾波電路以及將與上述發(fā)送信號的頻帶不同的上述接收信號的頻帶設(shè)定為通過帶域的接收濾波電路；發(fā)送線路，其對上述發(fā)送電極和上述發(fā)送濾波電路的輸入端子進(jìn)行連接；接收線路，其對上述接收電極和上述接收濾波電路的輸出端子進(jìn)行連接；共用線路，其對上述共用電極和上述發(fā)送濾波電路的輸出端子以及上述接收濾波電路的輸入端子進(jìn)行連接；匹配電路，其與上述共用線路連接；上述發(fā)送濾波電路的特性調(diào)整用的電感器，其一端與上述發(fā)送濾波電路連接，另一端與接地電極連接，上述電感器被配置為上述電感器與上述共用線路、上述匹配電路、上述接收濾波電路以及上述接收線路中的至少一個(gè)通過磁場耦合以及/或者電場耦合，形成與上述發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)的信號線路連接的傳播線路。

在這樣構(gòu)成的發(fā)明中，對共用電極、發(fā)送濾波電路的輸出端子以及接收濾波電路的輸入端子進(jìn)行連接的共用線路與匹配電路連接，發(fā)送濾波電路的特性調(diào)整用的電感器的一端與發(fā)送濾波電路連接，另一端與接地電極連接。另外，將電感器配置為，與發(fā)送濾波電路連接的電感器與同發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)連接的共用線路、匹配電路、接收濾波電路以及接收線路中的至少一個(gè)通過磁場耦合以及/或者電場耦合(以下，也有將進(jìn)行磁場耦合以及/或者電場耦合稱為“電磁場耦合”、“高頻連接”的情況)，形成與發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)的信號線連接的傳播線路。因此，包含被輸入至發(fā)送電極的發(fā)送信號的RF信號在分別通過了發(fā)送濾波電路以及傳播線路后，在連接傳播線路的發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)的信號線路中被合成。

然而，對形成從發(fā)送濾波電路分支的傳播線路的磁場耦合以及/或者電場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整，以使通過傳播線路的發(fā)送信號的頻帶外的相位特性與通過發(fā)送濾波電路的發(fā)送信號的頻帶外的相位特性不同。因此，通過發(fā)送濾波電路的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號與通過傳播線路的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號在被合成時(shí)相互抵消而衰減。

因此，與追加電感器、電容器等電路元件來構(gòu)成修正電路的以往的結(jié)構(gòu)相比較，能夠以簡單的結(jié)構(gòu)形成用于改善濾波器特性的傳播線路，所以能夠不使高頻模塊大型化地提高發(fā)送信號的頻帶外的衰減特性。另外，由于能夠抑制發(fā)送信號的頻帶外的RF信號且是與接收信號頻帶大致相同的RF信號從發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)的信號線路繞回到接收濾波電路側(cè)而從接收電極輸出，所以能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性的提高。

另外，高頻模塊還具備模塊基板，該模塊基板設(shè)置有上述發(fā)送電極、上述接收電極以及上述共用電極和上述匹配電路，并且安裝有上述分波器，上述電感器由設(shè)置于上述模塊基板的布線電極形成，形成上述電感器的布線電極在俯視時(shí)配置于上述分波器的正下方，在該布線電極與上述分波器之間未配置上述接地電極。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使配置于分波器內(nèi)的共用線路以及接收線路、接收濾波電路與設(shè)置于模塊基板的電感器電磁場耦合。

另外，也可以將形成上述電感器的布線電極配置于上述模塊基板的安裝面。

這樣，由于電感器與分波器的距離變近，所以能夠使配置于分波器內(nèi)的共用線路以及接收線路、接收濾波電路與設(shè)置于模塊基板的電感器更加可靠地電磁場耦合。

也可以將形成上述電感器的布線電極配置為，在俯視時(shí)至少與上述分波器內(nèi)的上述共用線路重疊、或者鄰接。

這樣，能夠使配置于分波器內(nèi)的共用線路與設(shè)置于模塊基板的電感器電磁場耦合。因此，由于傳播線路與共用線路連接，所以能夠使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號在從發(fā)送電路濾波器的輸出端子輸出后立即在共用線路中衰減。因此，能夠進(jìn)一步提高發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性。

另外，也可以為上述匹配電路由設(shè)置于上述模塊基板的布線電極形成，形成上述匹配電路的布線電極被配置為，在俯視時(shí)與形成上述電感器的布線電極重疊。

這樣，能夠使匹配電路與電感器電磁場耦合。另外，與將芯片部件等安裝于模塊基板的分波器的周邊來形成匹配電路的結(jié)構(gòu)相比較，能夠使模塊基板小型化，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高頻模塊的小型化。

另外，也可以為高頻模塊還具備模塊基板，該模塊基板設(shè)置有上述發(fā)送電極、上述接收電極以及上述共用電極和上述匹配電路，并且安裝有上述分波器，上述電感器由芯片型的電感器部件構(gòu)成，與上述分波器的共用端子用電極鄰接配置并安裝于上述模塊基板的安裝面。

這樣，能夠在分波器內(nèi)使與共用端子用電極連接的共用線路與電感器電磁場耦合。另外，與由設(shè)置于模塊基板的布線電極來形成電感器的情況相比較，能夠更高精度并且容易地對電感器的電感進(jìn)行調(diào)整。因此，能夠高精度并且容易地對發(fā)送濾波電路的衰減特性、形成用于使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號衰減的傳播線路的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整。

另外，也可以為高頻模塊還具備模塊基板，該模塊基板設(shè)置有上述發(fā)送電極、上述接收電極以及上述共用電極和上述匹配電路，并且安裝有上述分波器，上述電感器由芯片型的電感器部件構(gòu)成，安裝于上述模塊基板的安裝面，上述匹配電路由芯片型的電路部件構(gòu)成，安裝于上述模塊基板的上述安裝面，上述電感器部件與上述電路部件鄰接配置。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，與由設(shè)置于模塊基板的布線電極來形成電感器的情況相比較，能夠更高精度并且容易地調(diào)整電感器的電感。另外，與由設(shè)置于模塊基板的布線電極形成匹配電路的情況相比較，能夠更高精度并且容易地調(diào)整匹配電路的阻抗特性。因此，能夠進(jìn)一步高精度并且容易地對發(fā)送濾波電路的衰減特性、形成用于使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號衰減的傳播線路的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整。

另外，也可以為高頻模塊還具備模塊基板，該模塊基板設(shè)置有上述發(fā)送電極、上述接收電極以及上述共用電極和上述匹配電路，并且安裝有上述分波器，上述電感器由設(shè)置于上述模塊基板的布線電極形成，上述匹配電路由芯片型的電路部件構(gòu)成，安裝于上述模塊基板的安裝面，形成上述電感器的布線電極與上述電路部件被配置為在俯視時(shí)重疊。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使電感器與構(gòu)成匹配電路的芯片型電路部件電磁場耦合。

另外，也可以為高頻模塊還具備模塊基板，該模塊基板設(shè)置有上述發(fā)送電極、上述接收電極以及上述共用電極和上述匹配電路，并且安裝有上述分波器，上述電感器由芯片型的電感器部件構(gòu)成，并安裝于上述模塊基板的上述安裝面，上述匹配電路由設(shè)置于上述模塊基板的布線電極形成，形成上述匹配電路的布線電極與上述電感器部件被配置為在俯視時(shí)重疊。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使由芯片型電感器部件形成的電感器與匹配電路電磁場耦合。

另外，也可以為上述分波器包含覆蓋層，上述電感器由設(shè)置于上述覆蓋層的布線電極形成。

根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠使配置于分波器內(nèi)的共用線路以及接收線路、接收濾波電路與電感器進(jìn)一步接近配置，所以能夠使共用線路以及接收線路、接收濾波電路與電感器更可靠地電磁場耦合來形成傳播線路。

根據(jù)本發(fā)明，由于能夠以簡單的結(jié)構(gòu)形成用于改善濾波器特性的傳播線路，所以能夠不使高頻模塊大型化地提高發(fā)送信號的頻帶外的衰減特性。另外，由于能夠抑制發(fā)送信號的頻帶外的RF信號且是與接收信號頻帶大致相同的RF信號從發(fā)送濾波電路的輸出端子側(cè)的信號線路繞回到接收濾波電路側(cè)而從接收電極輸出，所以能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性的提高。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的高頻模塊的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。

圖2是第一實(shí)施方式的高頻模塊的剖面構(gòu)造圖的一個(gè)例子。

圖3是表示設(shè)置于分波器內(nèi)的共用線路與設(shè)置于模塊基板的電感器的俯視時(shí)的配置關(guān)系的透視圖，(a)是表示將共用線路與電感器鄰接配置的狀態(tài)的圖，(b)是表示將共用線路與電感器配置為重疊的狀態(tài)的圖。

圖4是表示發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性的圖。

圖5是表示本發(fā)明的高頻模塊的第二實(shí)施方式的圖。

圖6是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式的設(shè)置于高頻模塊的分波器內(nèi)的共用線路與設(shè)置于模塊基板的電感器的配置關(guān)系的俯視圖。

圖7是表示第四實(shí)施方式的高頻模塊的電氣結(jié)構(gòu)的電路框圖。

圖8是第四實(shí)施方式的高頻模塊的剖面構(gòu)造圖的一個(gè)例子。

圖9是表示形成設(shè)置于模塊基板的匹配電路的布線電極的結(jié)構(gòu)的示意圖。

圖10是表示分波器與設(shè)置于模塊基板的匹配電路以及電感器的配置關(guān)系的圖，(a)～(c)分別是表示不同的配置關(guān)系的圖。

圖11是表示本發(fā)明的第五實(shí)施方式的配置于高頻模塊的分波器的周圍的電感器與匹配電路的配置關(guān)系的俯視圖。

圖12是表示本發(fā)明的高頻模塊的第六實(shí)施方式的圖。

圖13是表示本發(fā)明的高頻模塊的第七實(shí)施方式的圖。

圖14是表示以往的高頻模塊所具備的濾波電路的圖。

具體實(shí)施方式

＜第一實(shí)施方式＞

參照圖1～圖4對本發(fā)明的高頻模塊的第一實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的高頻模塊的電路框圖，圖2是圖1的高頻模塊的剖面構(gòu)造圖。另外，圖3是表示設(shè)置于分波器內(nèi)的共用線路與設(shè)置于模塊基板的電感器的俯視時(shí)的配置關(guān)系的俯視圖，(a)是表示將共用線路與電感器鄰接配置的狀態(tài)的圖，(b)是表示將共用線路與電感器配置為重疊的狀態(tài)的圖。另外，圖4是表示發(fā)送濾波電路與接收濾波電路之間的隔離特性的圖。

此外，在圖1～圖3中，僅圖示有本發(fā)明的主要結(jié)構(gòu)，為了使說明簡單，圖示省略了其它結(jié)構(gòu)。另外，對于在后面的說明中所參照的各附圖，也與圖1～圖3相同，僅圖示有主要的結(jié)構(gòu)，但在以下的說明中省略其說明。

(高頻模塊)

圖1以及圖2所示的高頻模塊1搭載于移動(dòng)電話、便攜式信息終端等通信移動(dòng)終端所具備的主基板，在本實(shí)施方式中，高頻模塊1具備設(shè)置有發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15的分波器10(雙工器)、模塊基板2、匹配電路3、開關(guān)IC、濾波器、電阻、電容、線圈等各種電子部件(省略圖示)，形成為高頻天線開關(guān)模塊。

另外，用于形成分波器10、匹配電路3的芯片型的電路部件3a、其它各種電子部件安裝于設(shè)置在模塊基板2的安裝面2a上的安裝用的電極2b，經(jīng)由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4與形成于模塊基板2的背面的多個(gè)安裝用電極5、其它電子部件電連接。另外，由安裝用電極5形成被從外部輸入發(fā)送信號的發(fā)送電極Txa、將該發(fā)送信號輸出至外部并且被從外部輸入接收信號的共用電極ANTa、將被輸入至共用電極ANTa的接收信號輸出至外部的接收電極Rxa、以及與接地線路GND連接的接地電極GNDa。

另外，在通信移動(dòng)終端所具備的主基板設(shè)置有與共用線路、接地線路、發(fā)送線路、接收線路等各種信號線路對應(yīng)的布線電極。而且，通過將高頻模塊1安裝于主基板，其布線電極與共用電極ANTa、接地電極GNDa、發(fā)送電極Txa、以及接收電極Rxa連接，在主基板與高頻模塊1之間進(jìn)行收發(fā)信號的輸入輸出。

在本實(shí)施方式中，模塊基板2由多個(gè)電介質(zhì)層形成。在各電介質(zhì)層適當(dāng)?shù)匦纬蓪?dǎo)通孔導(dǎo)體以及面內(nèi)導(dǎo)體圖案，從而在模塊基板2形成安裝于模塊基板2的分波器10、電路部件3a、對各種電子部件進(jìn)行連接的布線電極4、安裝用電極5等。即，在各電介質(zhì)層適當(dāng)?shù)卦O(shè)置面內(nèi)導(dǎo)體圖案以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體，來形成布線電極4、安裝用電極5等，從而使安裝于模塊基板2的分波器10以及電路部件3a、各種電子部件與安裝用電極5相互電連接。此時(shí)，也可以由形成于各電介質(zhì)層的面內(nèi)導(dǎo)體圖案以及導(dǎo)通孔導(dǎo)體形成電容器、電感器等電路元件，或由所形成的電容器、電感器等電路元件形成濾波電路、匹配電路3等。

在本實(shí)施方式中，匹配電路3由形成在安裝于模塊基板2的安裝面2a的芯片型的電路部件3a的內(nèi)部的電感器3b形成。具體而言，電感器3b的一端與對分波器10的共用端子用電極ANTb和模塊基板2的共用電極ANTa進(jìn)行連接的基板側(cè)共用線路6c連接。而且，電感器3b的另一端經(jīng)由設(shè)置于模塊基板2的基板側(cè)接地線路6d與接地電極GNDa連接，從而形成匹配電路3。

此外，基板側(cè)共用線路6c由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成。另外，匹配電路3并不限定于圖1所示的結(jié)構(gòu)，也可以通過將圖1所示的電感器3b置換為電容器來形成匹配電路3，也可以通過將電感器、電容器以串聯(lián)的方式與對共用電極ANTa和共用端子用電極ANTb進(jìn)行連接的基板側(cè)共用線路6c連接來形成匹配電路3。另外，也可以對電感器以及電容器進(jìn)行組合來形成匹配電路3。即，匹配電路3的電路結(jié)構(gòu)也可以是在高頻模塊1中，為了使與共用電極ANTa連接的天線等電路元件與分波器10的共用端子用電極ANTb的阻抗匹配而通常使用的那樣的電路結(jié)構(gòu)。

另外，在模塊基板2設(shè)置有濾波電路14的特性調(diào)整用的電感器L1、L2、L3，該電感器L1、L2、L3的每一個(gè)的一端與發(fā)送濾波電路14連接，且每一個(gè)的另一端與接地電極GNDa連接。此外，在后面，對各電感器L1～L3與發(fā)送濾波電路14的連接狀態(tài)進(jìn)行詳細(xì)說明。

(分波器)

分波器10具有晶圓級封裝(WLP)構(gòu)造，具備俯視矩形的元件基板11、絕緣層12、覆蓋層13、RF信號的通過帶域不同的發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15。在元件基板11的一個(gè)主面11a的規(guī)定區(qū)域形成有發(fā)送濾波電路14所具備的發(fā)送用SAW濾波器元件14a以及接收濾波電路15所具備的接收用SAW濾波器元件15a。

另外，在元件基板11的一個(gè)主面11a設(shè)置有與形成發(fā)送用SAW濾波器元件14a以及接收用SAW濾波器元件15a的梳齒電極、反射器連接的端子電極16。而且，各端子電極16分別與貫通絕緣層12而形成的電極17連接，由從覆蓋層13的主面露出的電極17構(gòu)成發(fā)送端子用電極Txb、接收端子用電極Rxb、共用端子用電極ANTb、多個(gè)接地端子用電極GNDb。此外，發(fā)送濾波電路14(發(fā)送用SAW濾波器元件14a)的輸入端子和發(fā)送端子用電極Txb通過分波器內(nèi)發(fā)送線路16a連接。另外，接收濾波電路15(接收用SAW濾波器元件15a)的輸出端子與接收端子用電極Rxb通過分波器內(nèi)接收線路16b連接。另外，發(fā)送濾波電路14的輸出端子以及接收濾波電路15的輸入端子與共用端子用電極ANTb通過分波器內(nèi)共用線路16c連接。另外，由形成各SAW濾波器元件14a、15a的梳齒電極(IDT電極)、反射器構(gòu)成的諧振器與接地端子用電極GNDb通過分波器內(nèi)接地線路16d連接。

此外，分波器內(nèi)發(fā)送線路16a、分波器內(nèi)接收線路16b、分波器內(nèi)共用線路16c、分波器內(nèi)接地線路16d由形成于元件基板11的一個(gè)主面11a的布線電極(省略圖示)、端子電極16形成。

絕緣層12圍繞元件基板11的一個(gè)主面11a的設(shè)置有梳齒電極以及反射器的規(guī)定區(qū)域而配置。

覆蓋層13配置在絕緣層12上，在與元件基板11之間形成與絕緣層12一起圍繞成的空間，在該形成的空間內(nèi)，配置發(fā)送用SAW濾波器元件14a以及接收用SAW濾波器元件15a。

另外，以使得覆蓋層13與模塊基板2的安裝面2a對置的方式，使用焊料等接合材料18將分波器10安裝于安裝面2a的電極2b，從而模塊基板2的發(fā)送電極Txa與分波器10的發(fā)送端子用電極Txb通過基板側(cè)發(fā)送線路6a連接，發(fā)送電極Txa與發(fā)送濾波電路14的輸入端子經(jīng)由發(fā)送端子用電極Txb連接。另外，模塊基板2的接收電極Rxa與分波器10的接收端子用電極Rxb通過基板側(cè)接收線路6b連接，接收電極Rxa與接收濾波電路15的輸出端子經(jīng)由接收端子用電極Rxb連接。另外，模塊基板2的共用電極ANTa與分波器10的共用端子用電極ANTb通過基板側(cè)共用線路6c連接，共用電極ANTa與發(fā)送濾波電路14的輸出端子以及接收濾波電路15的輸入端子經(jīng)由共用端子用電極ANTb連接。另外，模塊基板2的接地電極GNDa與分波器10的各接地端子用電極GNDb通過基板側(cè)接地線6d連接，接地電極ANTa與各濾波電路14、15的接地位置經(jīng)由各接地端子用電極GNDb連接。

此外，基板側(cè)發(fā)送線路6a、基板側(cè)接收線路6b、基板側(cè)共用線路6c、基板側(cè)接地線路6d分別由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成。另外，由基板側(cè)發(fā)送線路6a以及分波器內(nèi)發(fā)送線路16a構(gòu)成對發(fā)送電極Txa與發(fā)送濾波電路14的輸入端子進(jìn)行連接的本發(fā)明的“發(fā)送線路”。另外，由基板側(cè)接收線路6b以及分波器內(nèi)接收線路16b構(gòu)成對接收電極Rxa與接收濾波電路15的輸出端子進(jìn)行連接的本發(fā)明的“接收線路”。另外，由基板側(cè)共用線路6c以及分波器內(nèi)共用線路16c構(gòu)成對共用電極ANTa與發(fā)送濾波電路14的輸出端子以及接收濾波電路15的輸入端子進(jìn)行連接的本發(fā)明的“共用線路”。

接下來，對發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在發(fā)送濾波電路14作為通過帶域設(shè)定發(fā)送信號的頻帶，在接收濾波電路15作為通過帶域設(shè)定與發(fā)送信號的頻帶不同的接收信號的頻帶。

發(fā)送濾波電路14所具備的發(fā)送用SAW濾波器元件14a將從不平衡的發(fā)送端子用電極Txb輸入的第一頻帶的不平衡的發(fā)送信號輸出至共用端子用電極ANTb，如圖1以及圖3(a)、(b)所示，在由與元件基板11的一組對邊正交并通過共用端子用電極ANTb的假想線劃分的一個(gè)主面11a的一方區(qū)域A，具有梳齒電極以及反射器的諧振器連接成階梯型而形成。具體而言，發(fā)送濾波電路14具備對發(fā)送濾波電路14的輸入端子以及輸出端子進(jìn)行連接的配置成串聯(lián)臂的多個(gè)(在本實(shí)施方式中是10個(gè))諧振器S1～S10、和連接在串聯(lián)臂與接地端子用電極GNDb之間的多個(gè)(在本實(shí)施方式中是7個(gè))并聯(lián)臂諧振器P1～P7。

另外，并聯(lián)臂諧振器P1的一端連接在串聯(lián)臂諧振器S2與S3之間，另一端經(jīng)由分波器內(nèi)接地線路16d與接地端子用電極GNDb連接。而且，電感器L1的一端經(jīng)由接地端子用電極GNDb與并聯(lián)臂諧振器P1的另一端連接，電感器L1的另一端經(jīng)由基板側(cè)接地線路6d與接地電極GNDa連接，從而并聯(lián)臂諧振器P1與接地電極GNDa連接。

另外，并聯(lián)臂諧振器P2的一端連接在串聯(lián)臂諧振器S4與S5之間，另一端與并聯(lián)臂諧振器P3的一端連接。另外，并聯(lián)臂諧振器P3的另一端經(jīng)由分波器內(nèi)接地線路16d與接地端子用電極GNDb連接。而且，電感器L2的一端經(jīng)由接地端子用電極GNDb與諧振器P3的另一端連接，電感器L2的另一端經(jīng)由基板側(cè)接地線路6d與接地電極GNDa連接，從而并聯(lián)臂諧振器P2以及P3與接地電極GNDa連接。

另外，并聯(lián)臂諧振器P4的一端連接在串聯(lián)臂諧振器S6與S7之間，另一端與并聯(lián)臂諧振器P5的一端連接。另外，并聯(lián)臂諧振器P6的一端連接在串聯(lián)臂諧振器S7與S8之間，另一端與并聯(lián)臂諧振器P7的一端連接。另外，并聯(lián)臂諧振器P5與P7的另一端經(jīng)由分波器內(nèi)接地線路16d與接地端子用電極GNDb連接。而且，電感器L3的一端經(jīng)由接地端子用電極GNDb與諧振器P7和P5的另一端連接，電感器L3的另一端經(jīng)由基板側(cè)接地線路6d與接地電極GNDa連接，從而并聯(lián)臂諧振器P4～P7與接地電極GNDa連接。

另外，能夠通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各電感器L1～L3的電感值，來調(diào)整發(fā)送濾波電路14的衰減特性。具體而言，通過對各電感器L1～L3的電感值進(jìn)行調(diào)整，能夠在發(fā)送濾波電路14的通過帶域的低域側(cè)或廣域側(cè)的任意的頻率的位置形成衰減極。另外，各諧振器S1～S10以及P1～P7在梳齒電極的表面聲波的行進(jìn)方向上的兩側(cè)配置反射器而形成。

接收濾波電路15所具備的接收用SAW濾波器元件15a將被輸入至共用端子用電極ANTb的第二頻帶的不平衡的接收信號輸出至接收端子用電極Rxb。另外，如圖1以及圖3(a)、(b)所示，接收濾波電路15通過在由與元件基板11的一組對邊正交并通過共用端子用電極ANTb的假想線劃分的一個(gè)主面11a的另一方區(qū)域B，連接具有梳齒電極以及反射器的多個(gè)諧振器而形成。由于接收濾波電路15的結(jié)構(gòu)與發(fā)送濾波電路14的結(jié)構(gòu)相同，所以省略其詳細(xì)的說明。

此外，接收濾波電路15也可以形成為設(shè)置2個(gè)接收端子用電極Rxb以平衡的狀態(tài)輸出接收信號的平衡型。

(有關(guān)分波器10與電感器L的配置關(guān)系)

在本實(shí)施方式中，分波器10的發(fā)送濾波電路14的特性調(diào)整用的各電感器L1～L3分別由形成于模塊基板2的布線電極4形成。另外，如圖2所示，在俯視時(shí)，形成電感器L1的布線電極4配置于分波器10的正下方，在形成電感器L1的布線電極4與分波器10之間未配置屏蔽用的接地電極。

另外，如圖3(a)、(b)所示，在俯視時(shí)，形成電感器L1的布線電極4被配置為至少與分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c重疊、或者、鄰接。即，在本實(shí)施方式中，若RF信號流過高頻模塊1的信號線路，則如圖1以及圖3(a)、(b)中的用單點(diǎn)劃線圍起的區(qū)域所示，在并聯(lián)臂諧振器P1與接地電極GNDa之間以串聯(lián)的方式連接的電感器L1與分波器內(nèi)共用線路16c通過磁場耦合以及/或者電場耦合而高頻連接，形成與發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)的信號線路(分波器內(nèi)共用線路16c)連接的傳播線路WP。

另外，通過傳播線路WP的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的相位與通過發(fā)送濾波電路14的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號為相反相位，并且對形成傳播線路WP的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整，以使該RF信號的振幅大致相同。

具體而言，例如，在經(jīng)由發(fā)送濾波電路14而流入分波器內(nèi)共用線路16c的發(fā)送信號與經(jīng)由傳播線路WP而流入分波器內(nèi)共用線路16的發(fā)送信號這兩個(gè)信號的振幅一致，并且相位相差180°的情況下，兩個(gè)信號完全相互抵消。然而，由于設(shè)計(jì)、制造的偏差等，也有兩個(gè)信號的相位的差不是180°的情況、兩個(gè)信號的振幅不是完全相同的振幅的情況。然而，這樣，即使在兩個(gè)信號的相位的差不是正好180°的情況下，只要相位的差是180°附近，也能夠得到相同的效果。另外，即使在兩個(gè)信號的振幅不是完全相同的情況下，在兩個(gè)信號的振幅大致相同的情況下也能夠得到相同的效果。

(隔離特性)

接下來，參照圖4對分波器10的隔離特性進(jìn)行說明。此外，圖4所示的隔離特性是表示在將接收信號的頻帶上的任意的頻率的RF信號輸入至發(fā)送電極Txa(發(fā)送端子用電極Txb)時(shí)在接收電極Rxa(接收端子用電極Rxb)中觀測的RF信號的大小。此外，圖4的橫軸表示被輸入至發(fā)送電極Txa的RF信號的頻率(MHz)，縱軸表示在接收電極Rxb觀測到的RF信號的信號等級(dB)。

另外，圖4中的實(shí)線表示向如上所述具備通過電磁場耦合形成的傳播線路WP的高頻模塊1輸入了規(guī)定的RF信號時(shí)的隔離特性，該圖中的虛線作為比較例表示向不具備傳播線路WP的高頻模塊輸入了規(guī)定的RF信號時(shí)的隔離特性。

如圖4所示，若與比較例相比較，接收信號的頻帶(在本實(shí)施例中為2100～2170MHz)中的隔離特性改善約4dB左右。

如上所述，在本實(shí)施方式中，對共用電極ANTa和分波器10的共用端子用電極ANTb進(jìn)行連接的基板側(cè)共用線路6c與匹配電路3連接，發(fā)送濾波電路14的特性調(diào)整用的電感器L1～L3的每一個(gè)電感器的一端與發(fā)送濾波電路14連接，另一端與接地電極GNDa連接。另外，與發(fā)送濾波電路14連接的電感器L1、和與發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)連接的分波器內(nèi)共用線路16c通過磁場耦合以及/或者電場耦合而高頻連接，從而配置電感器L1，以便形成與發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)的信號線路(分波器內(nèi)共用線路16c)連接的傳播線路WP。因此，在包含被輸入至發(fā)送電極Txa的發(fā)送信號的RF信號分別通過發(fā)送濾波電路14以及傳播線路WP后，在連接傳播線路WP的發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)的信號線路上被合成。

然而，對形成從發(fā)送濾波電路14分支的傳播線路WP的磁場耦合以及/或者電場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整，以使通過傳播線路WP的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的至少相位特性與通過發(fā)送濾波電路14的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號不同。

此外，所謂的通過傳播線路WP的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的至少相位特性與通過發(fā)送濾波電路14的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的相位特性不同例如是上述信號的振幅相互一致，并且這些信號的相位相互相差180°的情況。然而，即使在兩個(gè)信號的相位的差不是180°的情況下、兩個(gè)信號的振幅不是完全相同的振幅的情況下，只要兩個(gè)信號的相位的差是180°附近，就能夠得到相同的效果，即使在兩個(gè)信號的振幅不是完全相同的情況下，在大致相同的情況下也能夠得到相同的效果。作為其結(jié)果，通過發(fā)送濾波電路14的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號、和通過傳播線路WP的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號在被合成時(shí)，相互抵消而衰減。

因此，與追加電感器、電容器等電路元件而構(gòu)成修正電路的以往的結(jié)構(gòu)相比較，由于能夠以使用了以往的濾波電路所具備的構(gòu)成要素的簡單的結(jié)構(gòu)形成用于改善濾波器特性的傳播線路WP，所以不用使高頻模塊1大型化，就能夠提高發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的衰減特性。另外，是發(fā)送信號的頻帶外的RF信號且是與接收信號頻帶大致相同的RF信號從發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)的信號線路繞回到接收濾波電路15側(cè)并被抑制從接收電極Rxa輸出，所以能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)送濾波電路14與接收濾波電路15之間的隔離特性的提高。

具體而言，例如，發(fā)送濾波電路14的通過帶域外的如下的RF信號的衰減特性提高。即，若包含發(fā)送信號的2倍波或3倍波的高次諧波的RF信號流過發(fā)送濾波電路14，則對形成傳播線路WP的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整，以使包含該高次諧波的RF信號的相位反轉(zhuǎn)約180°所得到的相反相位的RF信號流經(jīng)傳播線路WP，所以包含通過發(fā)送濾波電路14的高次諧波的RF信號與包含通過傳播線路WP的高次諧波的相反相位的RF信號相互抵消。因此，包含發(fā)送濾波電路14中的發(fā)送信號的高次諧波的RF信號的衰減特性提高。

另外，若接收信號的頻帶的RF信號流過發(fā)送濾波電路14，則如上所述，作為發(fā)送信號的頻帶外的信號的該接收信號的頻帶的RF信號被抵消，所以發(fā)送濾波電路14中的接收信號的頻帶的RF信號的衰減特性提高。因此，能夠抑制接收信號的頻帶的RF信號通過發(fā)送濾波電路14而繞回到接收濾波電路15側(cè)的信號線路，所以發(fā)送濾波電路14與接收濾波電路15之間的隔離特性提高。

此外，形成傳播線路WP的電場耦合以及/或者磁場耦合的程度能夠通過使電感器L1的配置位置移動(dòng)從而使想要與電感器L1電磁場耦合的信號線路與以串聯(lián)的方式連接在并聯(lián)臂諧振器P1與接地電極GNDa之間的電感器L1的距離變化來調(diào)整。另外，也可以根據(jù)與被輸入至發(fā)送電極Txa的RF信號所包含的高次諧波成分、接收信號相同的頻帶的RF信號等主要想要衰減的頻帶，來設(shè)定形成傳播線路WP的電場耦合(電容耦合)以及磁場耦合(電感耦合)的每一種耦合的程度。

另外，由于在俯視時(shí)，在配置于分波器10的正下方的形成電感器L1的布線電極4與分波器10之間未配置有屏蔽用的接地電極，所以能夠使配置于分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c以及分波器內(nèi)接收線路16b、接收濾波電路15與設(shè)置于模塊基板2的電感器L1可靠地電磁場耦合。

進(jìn)一步，在本實(shí)施方式中，形成電感器L1的布線電極4被配置為在俯視時(shí)至少與分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c重疊、或者鄰接。因此，能夠使配置于分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c與設(shè)置于模塊基板2的電感器L1電磁場耦合。因此，由于傳播線路WP與分波器內(nèi)共用線路16c連接，所以能夠使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號在從發(fā)送電路濾波器14的輸出端子輸出之后立即在分波器內(nèi)共用線路16c中被抑制并衰減。因此，能夠進(jìn)一步提高發(fā)送濾波電路14與接收濾波電路15之間的隔離特性。

另外，能夠通過與同各諧振器S1～S10的串聯(lián)臂分路連接的各并聯(lián)臂諧振器P1～P7連接的電感器L1～L3更有效地調(diào)整利用了彈性波的階梯型的發(fā)送濾波電路14的衰減特性。

另外，通過將絕緣層12配置為圍繞元件基板11的一個(gè)主面11a的形成有形成發(fā)送濾波電路14的各串聯(lián)臂諧振器S1～S10以及各并聯(lián)臂諧振器P1～P7、和形成接收濾波電路15的各諧振器的規(guī)定區(qū)域，并將覆蓋層13層疊配置于絕緣層12，以在與元件基板11之間形成由絕緣層12圍成的空間，能夠提供一種將被構(gòu)成為晶圓級封裝(WLP)構(gòu)造的分波器10安裝于模塊基板2的高頻模塊1。

＜第二實(shí)施方式＞

接下來，參照圖5對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖5是表示本發(fā)明的高頻模塊的第二實(shí)施方式的圖。

如圖5所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于將形成電感器L1的布線電極4配置于模塊基板2的安裝面2a。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

在本實(shí)施方式中，由于將形成電感器L1的布線電極4配置于模塊基板2的安裝面2a，且電感器L1與分波器10的距離較近，所以能夠使配置于分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c以及分波器內(nèi)接收線路16b、接收濾波電路15與設(shè)置于模塊基板2的電感器L1更可靠地電磁場耦合。

＜第三實(shí)施方式＞

接下來，參照圖6對本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖6是表示設(shè)置于本發(fā)明的第三實(shí)施方式的頻模塊的分波器內(nèi)的共用線路與設(shè)置于模塊基板的電感器的配置關(guān)系的俯視圖。

如圖6所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于電感器L1由芯片型的電感器部件7構(gòu)成，與分波器10的共用端子用電極ANTb鄰接配置地安裝于模塊基板2的安裝面2a。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

在本實(shí)施方式中，由于形成電感器L1的電感器部件7與分波器10的共用端子用電極ANTb鄰接配置，所以如用單點(diǎn)劃線圍起的區(qū)域所示，能夠使在分波器10內(nèi)與共用端子用電極ANTb連接的分波器內(nèi)共用線路16c與電感器L1電磁場耦合。另外，由于電感器L1由芯片型的電感器部件7形成，所以與由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成電感器L1的情況相比較，能夠更高精度并且容易地對電感器L1的電感進(jìn)行調(diào)整。因此，能夠高精度并且容易地對發(fā)送濾波電路14的衰減特性、形成用于使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號衰減的傳播線路WP的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整。

＜第四實(shí)施方式＞

接下來，參照圖7～圖10對本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖7是第四實(shí)施方式的高頻模塊的電路框圖，圖8是圖7的高頻模塊的剖面構(gòu)造圖，圖9是表示形成設(shè)置于模塊基板的匹配電路的布線電極的結(jié)構(gòu)的示意圖。另外，圖10是表示分波器與設(shè)置于模塊基板的匹配電路以及電感器的配置關(guān)系的圖，(a)～(c)分別是表示不同的配置關(guān)系的圖。

如圖7以及圖8所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于匹配電路3由電感器3c構(gòu)成，該電感器3c由設(shè)置于模塊基板4的布線電極4形成。另外，在俯視時(shí)，形成構(gòu)成匹配電路3的電感器3c的布線電極4配置于分波器10的正下方，在俯視時(shí)，被配置為與形成電感器L1的布線電極4重疊。而且，若向發(fā)送電極Txa輸入發(fā)送信號，則發(fā)送電路14的特性調(diào)整用的電感器L1與匹配電路3的電感器3c電磁場耦合而高頻連接，從而形成傳播線路WP。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

構(gòu)成匹配電路3的電感器3c例如形成為如圖9所示的結(jié)構(gòu)。即，電感器3c具備分別形成于模塊基板2所具備的多個(gè)電介質(zhì)層的多個(gè)大致呈L字形的面內(nèi)導(dǎo)體圖案(布線電極4)。另外，從上數(shù)第一層、第三層的大致呈L字形的面內(nèi)導(dǎo)體圖案被配置于相同的朝向，從上數(shù)第二層、第四層的大致呈L字形的面內(nèi)導(dǎo)體圖案被配置于使第一層、第三層面內(nèi)導(dǎo)體圖案旋轉(zhuǎn)約180°所成的朝向。而且，第一層面內(nèi)導(dǎo)體圖案的短邊側(cè)的一端與第二層面內(nèi)導(dǎo)體圖案的長邊側(cè)的另一端通過導(dǎo)通孔導(dǎo)體(布線電極4)連接，第二層面內(nèi)導(dǎo)體圖案的短邊側(cè)的一端與第三層面內(nèi)導(dǎo)體圖案的長邊側(cè)的另一端通過導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接，第三層面內(nèi)導(dǎo)體圖案的短邊側(cè)的一端與第四層的面內(nèi)導(dǎo)體圖案的長邊側(cè)的另一端通過導(dǎo)通孔導(dǎo)體連接，從而形成螺旋狀的電感器3c。

另外，例如如圖10(a)～(c)所示，形成電感器3c的布線電極4與形成電感器L1的布線電極4被配置為在俯視時(shí)重疊。在圖10(a)所示的例子中，形成電感器L1的布線電極4被配置為與在分波器10的元件基板11的中央位置形成電感器3c的布線電極4重疊。另外，在圖10(b)所示的例子中，形成電感器L1的布線電極4被配置為，與在俯視時(shí)配置成環(huán)狀形成電感器3c的布線電極4的大致整周重疊。另外，在圖10(c)所示的例子中，形成電感器L1的布線電極4被配置為，與在遠(yuǎn)離共用端子用電極ANTb的位置形成電感器3c的布線電極4重疊。

如上所述，在本實(shí)施方式中，在模塊基板2，形成匹配電路3(電感器3c)的布線電極4與形成電感器L1的布線電極4被配置為在俯視時(shí)重疊。因此，能夠使匹配電路3與電感器L1電磁場耦合。另外，匹配電路3由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成。因此，能夠在分波器10的下方配置匹配電路3。因此，與將芯片部件等安裝于模塊基板2的分波器10的周邊來形成匹配電路3的結(jié)構(gòu)相比較，能夠使模塊基板2小型化，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高頻模塊1的小型化。

此外，也可以在模塊基板2上將布線電極4形成為，在俯視時(shí)，在分波器10的外側(cè)的區(qū)域形成電感器L1的布線電極4與形成匹配電路3的電感器3c的布線電極4重疊。

＜第五實(shí)施方式＞

接下來，參照圖11對本發(fā)明的第五實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖11是表示配置于本發(fā)明的第五實(shí)施方式的高頻模塊的分波器的周圍的電感器與匹配電路的配置關(guān)系的俯視圖。

如圖11所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于，將形成電感器L1的芯片型的電感器部件7、和內(nèi)置有形成匹配電路3的電感器3b的芯片型的電路部件3a安裝于模塊基板2的安裝面2a，電感器部件7與電路部件3a鄰接配置。在俯視時(shí)，在電感器部件7與電路部件3a之間未配置其它部件。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

本實(shí)施方式中，由于形成電感器L1的電感器部件7與形成匹配電路3的電路部件3a鄰接配置，所以能夠使匹配電路3與電感器L1電磁場耦合。

另外，由于電感器L1由芯片型的電感器部件7形成，所以與由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成電感器L1的情況相比較，能夠更高精度并且容易地調(diào)整電感器L1的電感。另外，由于匹配電路3由芯片型的電路部件3a形成，所以與由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成匹配電路3的情況相比較，能夠更高精度并且容易地調(diào)整匹配電路3的阻抗特性。因此，能夠進(jìn)一步高精度并且容易地對發(fā)送濾波電路14的衰減特性、形成用于使發(fā)送信號的頻帶外的RF信號衰減的傳播線路WP的電磁場耦合的程度進(jìn)行調(diào)整。

＜第六實(shí)施方式＞

接下來，參照圖12對本發(fā)明的第六實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖12是表示本發(fā)明的高頻模塊的第六實(shí)施方式的圖。

如圖12所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于，在俯視時(shí)，形成匹配電路3的電路部件3a與形成電感器L1的布線電極4被配置為在分波器10的元件基板11的外側(cè)的區(qū)域重疊。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

本實(shí)施方式中，由于在圖12中的用單點(diǎn)劃線圍起的區(qū)域，設(shè)置于模塊基板2的形成電感器L1的布線電極4與安裝于模塊基板2的安裝面2a的形成匹配電路3的電路部件3a被配置為在俯視時(shí)重疊，所以能夠使電感器L1與匹配電路3電磁場耦合。

此外，在圖12所示的高頻模塊1中，也可以代替電感器L1，使匹配電路3由設(shè)置于模塊基板2的布線電極4形成，代替電路部件3a，將形成電感器L1的芯片型的電感器部件7安裝于模塊基板2的安裝面2a，將形成匹配電路3的布線電極4與電感器部件7配置為在俯視時(shí)重疊。這樣，由于在該圖中的用單點(diǎn)劃線圍起的區(qū)域，將設(shè)置于模塊基板2的形成匹配電路3的布線電極4與安裝于模塊基板2的安裝面2a的形成電感器L1的電感器部件7配置為在俯視時(shí)重疊，所以能夠使電感器L1與匹配電路3電磁場耦合。

＜第七實(shí)施方式＞

接下來，參照圖13對本發(fā)明的第七實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖13是表示本發(fā)明的高頻模塊的第七實(shí)施方式的圖。

如圖13所示，本實(shí)施方式與上述的第一實(shí)施方式不同的點(diǎn)在于，電感器L1由設(shè)置于分波器10的覆蓋層13的布線電極4形成。由于其它的結(jié)構(gòu)與上述的第一實(shí)施方式是相同的結(jié)構(gòu)，所以通過引用相同附圖標(biāo)記而省略該結(jié)構(gòu)的說明。

在本實(shí)施方式中，電感器L1由設(shè)置于分波器10的覆蓋層13的布線電極4形成。因此，由于能夠使配置于分波器10內(nèi)的分波器內(nèi)共用線路16c以及分波器內(nèi)接收線路16b、接收濾波電路15與電感器L1進(jìn)一步接近配置，所以能夠使分波器內(nèi)共用線路16c以及分波器內(nèi)接收線路16b、接收濾波電路15與電感器L1更可靠地電磁場耦合來形成傳播線路WP。

此外，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式，只要不脫離其宗旨，除了上述的方式以外，還能夠進(jìn)行各種變更，也可以使上述的實(shí)施方式所具備的結(jié)構(gòu)以任意的方式組合。例如，在上述的實(shí)施方式中，以發(fā)送濾波電路14的特性調(diào)整用的電感器L1與分波器內(nèi)共用線路16c或者匹配電路3高頻連接的例子為中心進(jìn)行了說明，但也可以將電感器L1與接收濾波電路15、分波器內(nèi)接收線路16b高頻連接來形成傳播線路WP。另外，調(diào)整形成傳播線路WP的電磁場耦合的程度，以使通過傳播線路WP的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號的至少相位特性與通過發(fā)送濾波電路14的發(fā)送信號的頻帶外的RF信號不同即可。

另外，發(fā)送濾波電路14所具備的階梯型的濾波器的結(jié)構(gòu)并不限定于上述的例子，只要是具備為了調(diào)整濾波器特性而分路連接的諧振器的結(jié)構(gòu)，也可以以任意的方式形成發(fā)送濾波電路14。另外，接收濾波電路15的結(jié)構(gòu)也可以為具備利用了彈性波的諧振器的結(jié)構(gòu)，也可以由一般的LC濾波器形成接收濾波電路15。另外，作為利用了彈性波的濾波器，并不局限于SAW濾波器，也可以由利用了FBAR型、SMR型的體聲波的BAW濾波器形成發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15。

另外，分波器10的結(jié)構(gòu)并不局限于上述的WLP構(gòu)造，也可以形成為所謂的具有封裝基板的CSP構(gòu)造，也可以不設(shè)置上述的覆蓋層13，而是將裸芯片構(gòu)造的分波器10直接安裝于模塊基板2的安裝面2a的結(jié)構(gòu)。

另外，在上述的實(shí)施方式中，以在模塊基板2搭載有一個(gè)分波器10的高頻模塊1為例進(jìn)行了說明，但也可以在模塊基板2搭載2個(gè)以上的分波器10來形成高頻模塊，在該情況下，也可以在模塊基板2搭載開關(guān)IC，并通過開關(guān)IC從搭載于模塊基板2的多個(gè)分波器10中選擇并切換所使用的分波器10。

另外，在上述的實(shí)施方式中，將發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15配置于相同的空間，但也可以在元件基板11與覆蓋層13之間形成2個(gè)由絕緣層12圍起的空間，并在各空間分別配置發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，通過將發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15分離地配置在構(gòu)造上，例如能夠抑制通過對發(fā)送濾波電路14施加電力而產(chǎn)生的熱給接收濾波電路15的特性帶來影響，并且能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)發(fā)送濾波電路14以及接收濾波電路15間的隔離特性的提高。

另外，在上述的各實(shí)施方式中，通過發(fā)送濾波電路14的特性調(diào)整用的電感器L1同與發(fā)送濾波電路14的輸出端子側(cè)連接的各電路元件高頻連接，形成有傳播線路WP。然而，也可以為了形成傳播線路WP，代替電感器L1，而使用電感器L2或者電感器L3。另外，也可以使多個(gè)電感器與發(fā)送濾波電路14的輸出側(cè)的信號線路高頻連接。

能夠?qū)⒈景l(fā)明廣泛應(yīng)用于具備對發(fā)送信號和接收信號進(jìn)行分離的功能的高頻模塊。

附圖標(biāo)記說明

1…高頻模塊；2…模塊基板；2a…安裝面；2b…安裝用的電極；3…匹配電路；3a…電路部件；4…布線電極；6a…基板側(cè)發(fā)送線路(發(fā)送線路)；6b…基板側(cè)接收線路(接收線路)；6c…基板側(cè)共用線路(共用線路)；7…電感器部件；10…分波器；11…元件基板；11a…一個(gè)主面；12…絕緣層；13…覆蓋層；14…發(fā)送濾波電路；15…接收濾波電路；16a…分波器內(nèi)發(fā)送線路(發(fā)送線路)；16b…分波器內(nèi)接收線路(接收線路)；16c…分波器內(nèi)共用線路(共用線路)；ANTa…共用電極；Rxa…接收電極；Txa…發(fā)送電極；ANTb…共用端子用電極；Rxb…接收端子用電極；Txb…發(fā)送端子用電極；L1…電感器；WP…傳播線路。