本發(fā)明涉及一種埋容結(jié)構(gòu)、埋容結(jié)構(gòu)的制作方法和MEMS麥克風(fēng)。

背景技術(shù)：

隨著無(wú)線通訊的發(fā)展，全球移動(dòng)電話用戶越來(lái)越多，用戶對(duì)移動(dòng)電話的要求已不僅滿足于通話，而且要能夠提供高質(zhì)量的通話效果，尤其是目前移動(dòng)多媒體技術(shù)的發(fā)展，移動(dòng)電話的通話質(zhì)量更顯重要，移動(dòng)電話的麥克風(fēng)作為移動(dòng)電話的語(yǔ)音拾取裝置，其設(shè)計(jì)好壞直接影響通話質(zhì)量。

而目前應(yīng)用較多且性能較好的麥克風(fēng)是微電機(jī)系統(tǒng)麥克風(fēng)(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，簡(jiǎn)稱(chēng)MEMS)，與本發(fā)明相關(guān)的麥克風(fēng)包括線路板、置于線路板上的控制電路芯片和微機(jī)電芯片、與線路板蓋接形成收容空腔的外殼。所述線路板中的埋容結(jié)構(gòu)包括一層金屬層及一層介電層，此種結(jié)構(gòu)的埋容結(jié)構(gòu)的電容值太低，影響產(chǎn)品的性能。

因此，有必要提供一種埋容結(jié)構(gòu)來(lái)解決上述問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明需解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以提高產(chǎn)品性能的埋容結(jié)構(gòu)、埋容結(jié)構(gòu)的制作方法和MEMS麥克風(fēng)。

根據(jù)上述需解決的技術(shù)問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一種埋容結(jié)構(gòu)，其可用于線路板中，所述埋容結(jié)構(gòu)從上到下依次包括堆疊設(shè)置的第三金屬層、第一介電層、第一金屬層、第二介電層以及第二金屬層。

優(yōu)選的，所述第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層為銅箔。

優(yōu)選的，所述第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層形成電容，所述第一金屬層接地作為電容的一極，所述第二金屬層和第三金屬層并聯(lián)作為電容的另一極。

本發(fā)明還提供了一種MEMS麥克風(fēng)，其包括殼體、與所述殼體蓋接形成收容空間的線路板以及置于所述收容空間中的MEMS芯片和ASIC芯片，所述線路板中設(shè)有如前所述的埋容結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明還提供了一種埋容結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括如下步驟：

S1：提供一第一金屬層和第一介電材料，將所述第一介電材料通過(guò)絲印工藝絲印至所述第一金屬層的上表面；

S2：將絲印了第一介電材料的第一金屬層放入高溫爐中烘烤固化，以使得第一介電材料在第一金屬層的上表面形成第一介電層；

S3：提供第二介電材料，將所述第二介電材料通過(guò)絲印工藝絲印至所述第一金屬層的下表面；

S4：將絲印了第二介電材料的第一金屬層和第一介電層放入高溫爐中烘烤固化，以使得第二介電材料在第一金屬層的下表面形成第二介電層；

S5：將上下表面分別設(shè)有第一介電層和第二介電層的第一金屬層置于電鍍液中，從而在第一介電層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的表面形成第三金屬層，在第二介電層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的表面形成第二金屬層；

S6：水洗烘干，得到埋容結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選的，所述第一介電材料和第二介電材料均為聚酰亞胺。

優(yōu)選的，所述第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層均為銅箔。

優(yōu)選的，在步驟S2中，高溫爐中的溫度為220℃，烘烤時(shí)間為20分鐘,所述第一介電層的厚度為20μm。

優(yōu)選的，在步驟S4中，高溫爐中的溫度為220℃，烘烤時(shí)間為20分鐘，所述第二介電層的厚度為20μm。

本發(fā)明的有益效果在于：由于本發(fā)明的埋容結(jié)構(gòu)第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層形成電容，所述第一金屬層接地作為電容的一極，所述第二金屬層和第三金屬層鉆孔后并聯(lián)作為電容的另一極，從而實(shí)現(xiàn)電容的并聯(lián)，最終增加埋容結(jié)構(gòu)的容值。另外，本發(fā)明的埋容結(jié)構(gòu)制作過(guò)程簡(jiǎn)單。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明MEMS麥克風(fēng)的剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1所示，本發(fā)明提供了一種MEMS麥克風(fēng)，其包括殼體10、與所述殼體10蓋接形成收容空間的線路板20以及置于所述收容空間中的MEMS芯片31和ASIC芯片32，殼體10上設(shè)有入聲孔11。

所述線路板20中嵌設(shè)有埋容結(jié)構(gòu)201，該埋容結(jié)構(gòu)201從上到下依次包括堆疊設(shè)置的第三金屬層223、第一介電層211、第一金屬層221、第二介電層212以及第二金屬層222。所述第一金屬層221、第二金屬層222以及第三金屬層223為銅箔。所述第一金屬層221、第二金屬層222以及第三金屬層223形成電容，所述第一金屬層221接地作為電容的一極，所述第二金屬層222和第三金屬層223鉆孔后并聯(lián)作為電容的另一極，從而實(shí)現(xiàn)電容的并聯(lián)，最終增加埋容結(jié)構(gòu)201的容值。

本發(fā)明還提供了上述埋容結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括如下步驟：

S1：提供一第一金屬層221和第一介電材料，將所述第一介電材料通過(guò)絲印工藝絲印至所述第一金屬層221的上表面；

S2：將絲印了第一介電材料的第一金屬層221放入高溫爐中烘烤固化，以使得第一介電材料在第一金屬層的上表面形成第一介電層211，其中，高溫爐中的溫度為220℃，烘烤時(shí)間為20分鐘，所述第一介電層211的厚度為20μm，在其它實(shí)施方式中，所述高溫爐的溫度、烘烤時(shí)間，可以根據(jù)所需第一介電層的厚度在調(diào)整；

S3：提供第二介電材料，將所述第二介電材料通過(guò)絲印工藝絲印至所述第一金屬層221的下表面；

S4：將絲印了第二介電材料的第一金屬層221和第一介電層211放入高溫爐中烘烤固化，以使得第二介電材料在第一金屬層的下表面形成第二介電層212，其中，高溫爐中的溫度為220℃，烘烤時(shí)間為20分鐘，所述第二介電層212的厚度為20μm，在其它實(shí)施方式中，所述高溫爐的溫度、烘烤時(shí)間，可以根據(jù)所需第二介電層的厚度在調(diào)整；

S5：將上下表面分別設(shè)有第一介電層211和第二介電層212的第一金屬層221置于電鍍液中，從而在第一介電層211遠(yuǎn)離所述第一金屬層221的表面形成第三金屬層223，在第二介電層212遠(yuǎn)離所述第一金屬層221的表面形成第二金屬層222；

S6：水洗烘干，得到埋容結(jié)構(gòu)201。

具體的，所述第一介電材料和第二介電材料均為聚酰亞胺。所述第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層均為銅箔。

利用上述方法得到的埋容結(jié)構(gòu)，不但可以簡(jiǎn)化制作工藝、降低生產(chǎn)成本，還可以使得埋容結(jié)構(gòu)厚度變薄，從而便于MEMS麥克風(fēng)的微型化發(fā)展。

本發(fā)明的保護(hù)范圍并不以上述實(shí)施方式為限，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書(shū)中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。