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      一種多功能攝錄設(shè)備用的射頻調(diào)制電路的制作方法

      文檔序號:11844419閱讀:222來源:國知局

      本發(fā)明涉及電子電路等技術(shù)領(lǐng)域,具體的說,是一種多功能攝錄設(shè)備用的射頻調(diào)制電路。



      背景技術(shù):

      射頻技術(shù)(RF)是Radio Frequency的縮寫。較常見的應(yīng)用有無線射頻識別(Radio Frequency Identification,RFID),常稱為感應(yīng)式電子晶片或近接卡、感應(yīng)卡、非接觸卡、電子標(biāo)簽、電子條碼等。其原理為由掃描器發(fā)射一特定頻率之無線電波能量給接收器,用以驅(qū)動接收器電路將內(nèi)部的代碼送出,此時(shí)掃描器便接收此代碼。

      接收器的特殊在于免用電池、免接觸、免刷卡故不怕臟污,且晶片密碼為世界唯一無法復(fù)制,安全性高、長壽命。RFID的應(yīng)用非常廣泛,目前典型應(yīng)用有動物晶片、汽車晶片防盜器、門禁管制、停車場管制、生產(chǎn)線自動化、物料管理。RFID標(biāo)簽有兩種:有源標(biāo)簽和無源標(biāo)簽。

      自2004年起,全球范圍內(nèi)掀起了一場無線射頻識別技術(shù)(RFID)的熱潮,包括沃爾瑪、寶潔、波音公司在內(nèi)的商業(yè)巨頭無不積極推動RFID在制造、物流、零售、交通等行業(yè)的應(yīng)用。RFID技術(shù)及其應(yīng)用正處于迅速上升的時(shí)期,被業(yè)界公認(rèn)為是本世紀(jì)最具潛力的技術(shù)之一,它的發(fā)展和應(yīng)用推廣將是自動識別行業(yè)的一場技術(shù)革命。而RFID在交通物流行業(yè)的應(yīng)用更是為通信技術(shù)提供了一個(gè)嶄新的舞臺,將成為未來電信業(yè)有潛力的利潤增長點(diǎn)之一。

      無線射頻識別技術(shù)(Radio Frequency Identification),英文簡稱為“RFID”。

      電子標(biāo)簽,電子標(biāo)簽即為 RFID 有的稱射頻標(biāo)簽、射頻識別。它是一種非接觸式的自動識別技術(shù),通過射頻信號識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),識別工作無須人工干預(yù),作為條形碼的無線版本,RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、防磁、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更大、存儲信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)。

      RFID技術(shù),RFID射頻識別是一種非接觸式的自動識別技術(shù),它通過射頻信號自動識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù),識別工作無須人工干預(yù),可工作于各種惡劣環(huán)境。RFID技術(shù)可識別高速運(yùn)動物體并可同時(shí)識別多個(gè)標(biāo)簽,操作快捷方便。

      短距離射頻產(chǎn)品不怕油漬、灰塵污染等惡劣的環(huán)境,可在這樣的環(huán)境中替代條碼,例如用在工廠的流水線上跟蹤物體。長距射頻產(chǎn)品多用于交通上,識別距離可達(dá)幾十米,如自動收費(fèi)或識別車輛身份等。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種多功能攝錄設(shè)備用的射頻調(diào)制電路,將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M(jìn)行后級處理,整個(gè)電路具有設(shè)計(jì)可以,使用合理等特點(diǎn)。

      本發(fā)明通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種多功能攝錄設(shè)備用的射頻調(diào)制電路,設(shè)置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路,所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接;所述射頻輸出電路內(nèi)設(shè)置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2,電容C6的第一端與后級射頻處理電路相連接,電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接,電容C7的第二端接地,電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接,電容C8的第二端接地,電感L2的第二端連接處理電路。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:在所述音頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3,所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接,電容C1的第二端接地,電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接,電阻R2的第二端接地,電容C3的第二端連接處理電路。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述視頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3,所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接,電容C13的第二端接地,電位器W1的第二固定端接地,電位器W1的可調(diào)端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接,電感L3的第二端與處理電路相連接。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述處理電路內(nèi)設(shè)置有集成處理芯片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4,所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接,電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理芯片IC1的15腳相連接;電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理芯片IC1的2腳相連接,集成處理芯片IC1的2腳還通過電阻R4接地,集成處理芯片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端,電容C10的第二端連接集成處理芯片IC1的4腳;電感L4與電容C11并聯(lián)且連接在集成處理芯片IC1的4腳和5腳上;所述電感L3的第二端分別與集成處理芯片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接,電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接,電容R7的第一端連接集成處理芯片IC1的15腳,集成處理芯片IC1的14腳接地,集成處理芯片的13腳通過電容C15接地,集成處理芯片IC1的12腳通過電容C16接地,電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理芯片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接,晶振X1的第一端連接集成處理芯片IC1的11腳,電阻R8的第一端分別與集成處理芯片IC1的8腳和供電電路相連接,集成處理芯片IC1的7腳接地。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述供電電路內(nèi)設(shè)置有電容C4和電容C5,電容C4和電容C5的第一端分別與前級供電電路和集成處理芯片IC1的8腳相連接,電容C4和電容C5的第二端接地,且前級供電電路采用+6V供電電源。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述電容C14采用電解電容,且電容C14的正極與電感L3相連接。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述集成處理芯片IC1采用型號為TA7673P的集成芯片。

      進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,特別采用下述設(shè)置方式:所述晶振X1采用85.25MHz的晶振芯片。

      本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:

      本發(fā)明將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M(jìn)行后級處理,整個(gè)電路具有設(shè)計(jì)可以,使用合理等特點(diǎn)。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明的電路原理圖。

      具體實(shí)施方式

      下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

      實(shí)施例1:

      一種多功能攝錄設(shè)備用的射頻調(diào)制電路,將前級所接收的視頻信號及音頻信號利用處理電路進(jìn)行轉(zhuǎn)換,并采用射頻工作模式將轉(zhuǎn)換后的音頻信號和視頻信號傳輸?shù)胶蠹夒娐飞弦詡溥M(jìn)行后級處理,整個(gè)電路具有設(shè)計(jì)可以,使用合理等特點(diǎn),如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:設(shè)置有音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路、供電電路及處理電路,所述處理電路分別與音頻信號輸入電路、射頻信號輸出電路、視頻信號輸入電路及供電電路相連接;所述射頻輸出電路內(nèi)設(shè)置有電容C6、電容C7、電感L1、電容C8、電感L2,電容C6的第一端與后級射頻處理電路相連接,電容C6的第二端分別與電容C7的第一端和迪昂L1的第一端相連接,電容C7的第二端接地,電感L1的第二端分別與電容C8的第一端和電感L2的第一端相連接,電容C8的第二端接地,電感L2的第二端連接處理電路。

      在設(shè)計(jì)使用時(shí),處理電路將音頻信號和視頻信號處理為能被射頻信號加載輸出的信號源并通過RF out節(jié)點(diǎn)輸送至后級射頻處理電路內(nèi),以備后續(xù)處理。

      實(shí)施例2:

      本實(shí)施例是在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:在所述音頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C1、電容C2、電阻R1、電阻R2及電容C3,所述電容C1的第一端分別與電阻R1的第一端、電容C2的第一端及前級音頻處理電路相連接,電容C1的第二端接地,電阻R1的第二端分別與電容C2的第二端、電容C3的第一端及電阻R2的第一端相連接,電阻R2的第二端接地,電容C3的第二端連接處理電路。

      在設(shè)計(jì)使用時(shí),前級音頻處理電路內(nèi)輸出的音頻信號將經(jīng)過AUDIO in節(jié)點(diǎn)輸入到音頻信號輸入電路內(nèi)進(jìn)行音頻信號處理。

      實(shí)施例3:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述視頻信號輸入電路內(nèi)設(shè)置有電容C13、電位器W1、電容C14及電感L3,所述電容C13的第一端分別與前級視頻處理電路和電位器W1的第一固定端相連接,電容C13的第二端接地,電位器W1的第二固定端接地,電位器W1的可調(diào)端通過電容C14與定稿L3的第一端相連接,電感L3的第二端與處理電路相連接。

      在設(shè)計(jì)使用時(shí),前級視頻處理電路輸出的視頻信號將通過VIDEO in節(jié)點(diǎn)輸入到射頻信號輸入電路內(nèi)進(jìn)行視頻信號處理。

      實(shí)施例4:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述處理電路內(nèi)設(shè)置有集成處理芯片IC1、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、電阻R8、電容C9、電容C10、電容C11、電容C12、電容C15、電容C16、電容C17、晶振X1及電感L4,所述電感L2的第二端分別與電阻R3的第一端和電阻R5的第一端相連接,電阻R5的第二端通過電容C12與集成處理芯片IC1的15腳相連接;電阻R3的第二端通過電容C9與集成處理芯片IC1的2腳相連接,集成處理芯片IC1的2腳還通過電阻R4接地,集成處理芯片IC1的1腳分別連接地和電容C10的第一端,電容C10的第二端連接集成處理芯片IC1的4腳;電感L4與電容C11并聯(lián)且連接在集成處理芯片IC1的4腳和5腳上;所述電感L3的第二端分別與集成處理芯片IC1的16腳和電阻R6的第一端相連接,電阻R6的第二端分別與地和電阻R7的第二端相連接,電容R7的第一端連接集成處理芯片IC1的15腳,集成處理芯片IC1的14腳接地,集成處理芯片的13腳通過電容C15接地,集成處理芯片IC1的12腳通過電容C16接地,電容C16的接地端通過電容C17與晶振X1的第二端、集成處理芯片IC1的10腳和電阻R8的第二端相連接,晶振X1的第一端連接集成處理芯片IC1的11腳,電阻R8的第一端分別與集成處理芯片IC1的8腳和供電電路相連接,集成處理芯片IC1的7腳接地;優(yōu)選的電感L4采用可調(diào)磁芯電感。

      實(shí)施例5:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述供電電路內(nèi)設(shè)置有電容C4和電容C5,電容C4和電容C5的第一端分別與前級供電電路和集成處理芯片IC1的8腳相連接,電容C4和電容C5的第二端接地,且前級供電電路采用+6V供電電源。

      實(shí)施例6:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述電容C14采用電解電容,且電容C14的正極與電感L3相連接。

      實(shí)施例7:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述集成處理芯片IC1采用型號為TA7673P的集成芯片。

      實(shí)施例8:

      本實(shí)施例是在上述任一實(shí)施例的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化,進(jìn)一步的為更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明,如圖1所示,特別采用下述設(shè)置方式:所述晶振X1采用85.25MHz的晶振芯片。

      以上所述,僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例,并非對本發(fā)明做任何形式上的限制,凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化,均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。

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