本發(fā)明涉及電聲領(lǐng)域，更具體地，涉及一種可應(yīng)用在發(fā)聲裝置振動系統(tǒng)中的音圈結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

揚(yáng)聲器的振動系統(tǒng)一般包括振膜、位于振膜下方的音圈、用于固定音圈并結(jié)合于振膜下側(cè)的音圈骨架。音圈骨架主要對音圈起支撐作用，以防止音圈發(fā)生變形。

隨著微型揚(yáng)聲器對于全頻段性能的要求越來越高，當(dāng)骨架上音圈纏繞層數(shù)較少時，音圈對骨架的束縛力比較小，音圈骨架在特定的頻率段會出現(xiàn)較強(qiáng)的自諧振；在高強(qiáng)度、長時間工作后，骨架由于諧振的不斷形變和恢復(fù)形變，存在骨架斷裂、骨架與音圈分離的風(fēng)險。而且較強(qiáng)的骨架諧振會帶動束縛力較小的音圈一起發(fā)生水平方向的形變和諧振,長時間工作后易出現(xiàn)音圈散線的問題。而且音圈骨架在水平方向上的諧振，會使揚(yáng)聲器聲學(xué)性能中的高頻特性和失真性能變差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的一個目的是提供一種音圈結(jié)構(gòu)的新技術(shù)方案。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種音圈結(jié)構(gòu)，包括由側(cè)壁部圍成的具有中空內(nèi)腔的音圈骨架，所述側(cè)壁部包括位于上部的第一側(cè)壁部、位于下部的第二側(cè)壁部，所述第一側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔與第二側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑不同，在所述第一側(cè)壁部與第二側(cè)壁部連接的位置形成一臺階；

在所述第一側(cè)壁部設(shè)置有第一音圈，在所述第二側(cè)壁部設(shè)置有第二音圈；所述第一音圈和所述第二音圈中的一個位于側(cè)壁部的內(nèi)部，另一個位于側(cè)壁部的外部，且均抵靠在所述臺階上。

可選的是，所述第一音圈與第二音圈串聯(lián)連接。

可選的是，所述第一音圈與第二音圈并聯(lián)連接。

可選的是，所述第一側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸大于第二側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸；

所述第一音圈設(shè)置在第一側(cè)壁部的內(nèi)壁上；所述第二音圈設(shè)置在第二側(cè)壁部的外壁上。

可選的是，所述第一側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸小于第二側(cè)壁部圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸；

所述第一音圈設(shè)置在第一側(cè)壁部的外壁上；所述第二音圈設(shè)置在第二側(cè)壁部的內(nèi)壁上。

可選的是，所述第一音圈和所述第二音圈在縱向上部分或全部交疊設(shè)置。

可選的是，所述第一側(cè)壁部的外徑與所述第二側(cè)壁部的外徑之間的距離小于或等于所述第一音圈、第二音圈的厚度。

可選的是，還包括覆蓋所述音圈骨架上端開口的頂部，所述側(cè)壁部、頂部一體設(shè)置圍成了下端開口的筒狀結(jié)構(gòu)。

可選的是，所述頂部為平頂型、中部凸包型、中部凹陷型或中部鏤空型。

可選的是，在所述側(cè)壁部上設(shè)置有供第一音圈、第二音圈導(dǎo)通的通孔或者缺口。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)，所述第一音圈和所述第二音圈中的一個位于側(cè)壁部的內(nèi)部，另一個位于側(cè)壁部的外部，且均抵靠在所述臺階上，使得位于外側(cè)的音圈可以對音圈骨架提供向內(nèi)的束縛力；位于外側(cè)的音圈可以對音圈骨架提供向外的支撐力，通過這兩個力可有效平衡音圈骨架諧振時的左右搖擺力，從而可以抑制音圈骨架的諧振、變形，可有效降低由于骨架諧振變形而出現(xiàn)的骨架斷裂、骨架與音圈分離、音圈散線和斷線的問題。還可以改善發(fā)聲裝置的高頻特性和失真性能。

本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在現(xiàn)有技術(shù)中，在高強(qiáng)度、長時間工作后，骨架由于諧振的不斷形變和恢復(fù)形變，存在骨架斷裂、骨架與音圈分離的風(fēng)險。因此，本發(fā)明所要實(shí)現(xiàn)的技術(shù)任務(wù)或者所要解決的技術(shù)問題是本領(lǐng)域技術(shù)人員從未想到的或者沒有預(yù)期到的，故本發(fā)明是一種新的技術(shù)方案。

通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會變得清楚。

附圖說明

被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是本發(fā)明音圈結(jié)構(gòu)的剖面圖。

圖2是本發(fā)明音圈骨架的剖面圖。

圖3是本發(fā)明音圈骨架另一實(shí)施方式的剖面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到：除非另外具體說明，否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

以下對至少一個示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說明性的，決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論，但在適當(dāng)情況下，所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

在這里示出和討論的所有例子中，任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的，而不是作為限制。因此，示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。

應(yīng)注意到：相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項，因此，一旦某一項在一個附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

參考圖1，本發(fā)明提供了一種音圈結(jié)構(gòu)，其包括由側(cè)壁部1圍成的具有中空內(nèi)腔的音圈骨架，所述音圈骨架的橫截面形狀可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的矩形、圓形或者腰形。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)，還包括設(shè)置在側(cè)壁部1上的第一音圈3、第二音圈4，所述第一音圈3和所述第二音圈4中的一個位于側(cè)壁部1的內(nèi)部，另一個位于側(cè)壁部1的外部。在側(cè)壁部1上形成音圈的方法屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識，例如可在側(cè)壁部1的外側(cè)直接進(jìn)行纏繞，以形成位于側(cè)壁部1外側(cè)的第一音圈3。在形成第二音圈4的時候，可首先按照預(yù)定的形狀繞制第二音圈4，之后將第二音圈4套在側(cè)壁部1的內(nèi)壁上，并可通過膠材進(jìn)行粘結(jié)，從而形成了位于側(cè)壁部1內(nèi)側(cè)的第二音圈4。當(dāng)然，第一音圈3也可以設(shè)置在側(cè)壁部1的內(nèi)側(cè)，第二音圈4也可以設(shè)置在側(cè)壁部1的外側(cè)，這將在下面進(jìn)行詳細(xì)的描述。

本發(fā)明的第一音圈3需要與第二音圈4導(dǎo)通在一起，以將第一音圈3、第二音圈4連通到外部電路中。在本發(fā)明一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，可在側(cè)壁部1上設(shè)置一通孔或者缺口，第一音圈3、第二音圈4通過穿過該通孔或缺口的連接線導(dǎo)通在一起。

本發(fā)明的第一音圈3與第二音圈4可采用同一根音圈線繞制而成，例如在形成第二音圈4后，可將第二音圈4的其中一個自由端頭穿過側(cè)壁部1上設(shè)置的上述通孔或缺口，并在側(cè)壁部1的外側(cè)側(cè)壁上繞制形成上述的第一音圈3，實(shí)現(xiàn)了第一音圈3與第二音圈4的串聯(lián)。在本發(fā)明另一優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述第一音圈3與第二音圈4可以并聯(lián)連接在一起，從而可以增大輸出的功率。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)，所述第一音圈3與第二音圈4在側(cè)壁部1的高度方向上可以是完全交疊的，也可以是部分交疊，或者是完全錯開的。例如第一音圈3可以設(shè)置在側(cè)壁部1外側(cè)的上部，而第二音圈4可以設(shè)置在側(cè)壁部1內(nèi)側(cè)的下部，二者完全錯開或者部分交疊；反之亦然。當(dāng)音圈結(jié)構(gòu)應(yīng)用到發(fā)聲裝置的振動系統(tǒng)中時，需要將音圈結(jié)構(gòu)的自由端伸入至磁路系統(tǒng)的磁間隙中，通電后，使得音圈結(jié)構(gòu)可在磁路系統(tǒng)的作用下發(fā)生振動，從而驅(qū)動振膜發(fā)出聲音，這屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員的公知常識。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)在安裝的時候，可以選擇使第一音圈3與磁路系統(tǒng)的磁間隙配合在一起，通電后，第一音圈3在磁路系統(tǒng)的作用下驅(qū)動振膜振動；也可以選擇使第二音圈4與磁路系統(tǒng)的磁間隙配合在一起，通電后，第二音圈4在磁路系統(tǒng)的作用下驅(qū)動振膜振動；也可以選擇使第一音圈3、第二音圈4共同與磁路系統(tǒng)的磁間隙配合在一起，通電后第一音圈3、第二音圈4在磁路系統(tǒng)的作用下共同驅(qū)動振膜振動。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，在所述音圈骨架的上端還設(shè)有覆蓋其上端開口的頂部2；該頂部2與側(cè)壁部1的上端連接在一起，使得所述側(cè)壁部1、頂部2共同圍成了一個下端開口的筒狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中的側(cè)壁部1、頂部2可以采用完全相同的材質(zhì)，例如可采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的鎂材料、鋁材料、鎂鋁合金，或者其它合金材料。所述側(cè)壁部1、頂部2可以是一體的，例如可對同一塊板材進(jìn)行裁剪、折彎，從而形成本發(fā)明的側(cè)壁部1、頂部2；進(jìn)一步地，所述側(cè)壁部1與頂部2之間采用圓弧狀的折彎形狀。

將本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)應(yīng)用到發(fā)聲裝置中的振動系統(tǒng)時，所述音圈骨架的頂部2可通過涂膠的方式粘結(jié)在振膜的下端，使頂部2與振膜粘結(jié)在一起；此時，該音圈骨架的頂部2可以發(fā)揮振膜球頂?shù)淖饔?，以擴(kuò)展發(fā)聲裝置的高頻特性。所述頂部2可以采用平頂型、中部凸包型、中部凹陷型或者采用中部鏤空的形狀，這些都是發(fā)聲領(lǐng)域中球頂所常用的幾種結(jié)構(gòu)，在此不再具體說明。

在本發(fā)明一個優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述側(cè)壁部1包括位于上部的第一側(cè)壁部10、位于下部的第二側(cè)壁部11，參考圖1、圖2。其中，所述第一側(cè)壁部10圍成的內(nèi)腔與第二側(cè)壁部11圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑不同，使得在所述第一側(cè)壁部10與第二側(cè)壁部11連接的位置形成一臺階12。

例如在一個具體的實(shí)施方式中，所述第一側(cè)壁部10圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸大于第二側(cè)壁部11圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸，參考圖2。此時所述第一音圈3可以設(shè)置在第一側(cè)壁部10的內(nèi)側(cè)側(cè)壁上，且所述第一音圈3的下端抵靠在臺階12的位置；所述第二音圈4可以設(shè)置在第二側(cè)壁部11的外側(cè)側(cè)壁上，且所述第二音圈4的上端抵靠在臺階12的位置。

由于第二側(cè)壁部11圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸小于第一側(cè)壁部10圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸，因此將第一音圈3設(shè)置在第一側(cè)壁部10的內(nèi)壁上，將第二音圈4設(shè)置在第二側(cè)壁部11的外壁上，可大大降低側(cè)壁部1與第二音圈4、第一音圈3結(jié)合后的整體厚度，從而可以保證音圈結(jié)構(gòu)在振動系統(tǒng)的磁間隙中有足夠的振動空間。

在本發(fā)明另一具體的實(shí)施方式中，所述第一側(cè)壁部10圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸小于第二側(cè)壁部11圍成的內(nèi)腔的內(nèi)徑尺寸，參考圖3。此時，所述第一音圈3可以設(shè)置在第一側(cè)壁部10的外壁上，且所述第一音圈3的下端抵靠在臺階12的位置；第二音圈4可以設(shè)置在第二側(cè)壁部11的內(nèi)壁上，且所述第二音圈4的上端抵靠在臺階12的位置；。

由于第二側(cè)壁部11圍成的內(nèi)腔尺寸大于第一側(cè)壁部10圍成的內(nèi)腔尺寸，將第一音圈3設(shè)置在第一側(cè)壁部10的外壁上，第二音圈4設(shè)置在第二側(cè)壁部11的內(nèi)壁上，可大大降低側(cè)壁部與第二音圈4、第一音圈3結(jié)合后的整體厚度，保證音圈結(jié)構(gòu)在振動系統(tǒng)的磁間隙中有足夠的振動空間。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)，第一側(cè)壁部10與第二側(cè)壁部11連接處的臺階12可以通過折彎的方式形成，通過該臺階12可提高側(cè)壁部1整體的強(qiáng)度，有效防止了音圈骨架在垂直方向、水平方向上的諧振和形變。將第一音圈3、第二音圈4設(shè)置在對應(yīng)的第一側(cè)壁部10、第二側(cè)壁部11上，通過第一音圈3提供束縛力或支撐力，通過第二音圈4提供支撐力或束縛力，可有效抑制音圈骨架在水平方向上的諧振。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述第一側(cè)壁部10的外徑與所述第二側(cè)壁部11的外徑之間的距離小于或等于所述第一音圈3、第二音圈4的厚度。也就是說，第一側(cè)壁部10與第二側(cè)壁部11連接位置形成的臺階12的寬度小于或等于所述第一音圈3、第二音圈4的厚度，防止臺階12占用側(cè)壁部1厚度方向上的空間，以保證音圈結(jié)構(gòu)在磁間隙中有足夠的振動空間。

本發(fā)明的音圈結(jié)構(gòu)，所述第一音圈和所述第二音圈中的一個位于側(cè)壁部的內(nèi)部，另一個位于側(cè)壁部的外部，且均抵靠在所述臺階上，使得位于外側(cè)的音圈可以對音圈骨架提供向內(nèi)的束縛力；位于外側(cè)的音圈可以對音圈骨架提供向外的支撐力，通過這兩個力可有效平衡音圈骨架諧振時的左右搖擺力，從而可以抑制音圈骨架的諧振、變形，可有效降低由于骨架諧振變形而出現(xiàn)的骨架斷裂、骨架與音圈分離、音圈散線和斷線的問題。還可以改善發(fā)聲裝置的高頻特性和失真性能。

雖然已經(jīng)通過例子對本發(fā)明的一些特定實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，以上例子僅是為了進(jìn)行說明，而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下，對以上實(shí)施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。