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      平膜發(fā)聲裝置的制作方法

      文檔序號:12499828閱讀:220來源:國知局
      平膜發(fā)聲裝置的制作方法

      本發(fā)明屬于發(fā)聲裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體地,本發(fā)明涉及一種平膜發(fā)聲裝置。



      背景技術(shù):

      平膜揚聲器是將揚聲器的音圈與膜片結(jié)合成一體,音圈導(dǎo)線由很薄的金屬導(dǎo)體構(gòu)成并平展在振動膜片平面上,磁路部分是分布在平面音膜一側(cè)或兩側(cè)的平行磁體,當(dāng)給平膜線圈輸入電流信號時通過電磁受力,帶動平面音膜在磁體一側(cè)或者中間的縫隙里振動,從而發(fā)出聲音。此類平膜揚聲器振動系統(tǒng)質(zhì)量非常輕,瞬態(tài)響應(yīng)較好,且產(chǎn)品散熱效率較高,耐功率性好等。

      現(xiàn)有的平膜揚聲器01的線圈02的分布方式如圖1所示,線圈02以類似“M”型排布,線圈02的主要部分沿直線延伸,在線圈的端部有彎折部分。與這種平振膜相配套使用的是條狀磁鐵,揚聲器中等間距排列設(shè)置有多個條狀磁鐵,條狀磁鐵的延伸方向與線圈02上沿直線延伸的線段平行。這種平振膜的平均磁通密度不高,線圈02具有彎折區(qū)域,其中一部分彎折區(qū)域分布在磁鐵的有效磁場以外,對產(chǎn)生作用力沒有貢獻(xiàn);另一部分彎折區(qū)域雖然分布在有效磁場內(nèi),但是由于延伸方向與磁鐵的磁感線有平行的趨勢,基本不滿足左手定則,實際有效的線長較短,對產(chǎn)生點磁作用力的貢獻(xiàn)較少。所以,現(xiàn)有的平膜揚聲器受到的驅(qū)動力較小,輻射的聲壓較低。

      所以,有必要對平振膜上的線圈走線方式進(jìn)行改進(jìn),或者改善平模揚聲器中的磁路結(jié)構(gòu),以提高線圈的利用率。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的一個目的是提供一種平膜發(fā)聲裝置的新技術(shù)方案。

      根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種平膜發(fā)聲裝置,包括:

      平振膜;

      音圈導(dǎo)線層,所述音圈導(dǎo)線層設(shè)置在所述平振膜的一側(cè)表面上,所述音圈導(dǎo)線層由多條同心設(shè)置的導(dǎo)線圓環(huán)布設(shè)形成,每條所述導(dǎo)線圓環(huán)的半徑不同,相鄰的兩條導(dǎo)線圓環(huán)之間由半徑切換段連接,各條所述導(dǎo)線圓環(huán)按照半徑遞減的順序依次串聯(lián),所述半徑切換段中至少包括一段方向切換段,在所述音圈導(dǎo)線層通入電流時,所述方向切換段使相鄰的兩條導(dǎo)線圓環(huán)中的電流方向反轉(zhuǎn);

      磁鐵組件,所述磁鐵組件至少包括兩條同心設(shè)置的環(huán)形磁鐵,所述環(huán)形磁鐵的數(shù)量比方向切換段的數(shù)量大1,所述磁鐵組件位于所述平振膜的一側(cè),所述環(huán)形磁鐵與所述導(dǎo)線圓環(huán)同軸,所述方向切換段所在的位置與相鄰的兩條環(huán)形磁鐵之間的間隙位置對應(yīng),相鄰的兩條所述環(huán)形磁鐵在之間的間隙處的磁極相同;

      發(fā)聲裝置殼體,所述發(fā)聲裝置殼體配置為用于承載所述環(huán)形磁鐵和平振膜。

      可選地,所述音圈導(dǎo)線層上具有兩段方向切換段,所述磁鐵組件包括三條同心設(shè)置的環(huán)形磁鐵。

      可選地,相鄰的兩條所述導(dǎo)線圓環(huán)之間的間距大于0.3mm。

      可選地,所述平膜發(fā)聲裝置包括兩組所述磁鐵組件,兩組所述磁鐵分別設(shè)置在所述平振膜的兩側(cè)。

      可選地,所述平膜發(fā)聲裝置包括圓形導(dǎo)磁板,所述圓形導(dǎo)磁板固定在所述發(fā)聲裝置殼體內(nèi),所述磁鐵組件固定設(shè)置在所述圓形導(dǎo)磁板上,所述圓形導(dǎo)磁板上具有傳聲孔,所述傳聲孔與所述環(huán)形磁鐵之間的間隙位置相對應(yīng)。

      可選地,所述平振膜的邊緣具有第一信號連接點和第二信號連接點,半徑最大的所述導(dǎo)線圓環(huán)與所述第一信號連接點電連接,半徑最小的所述導(dǎo)線圓環(huán)或者音圈導(dǎo)線層中心的導(dǎo)線與所述第二信號連接點電連接。

      可選地,所述平振膜呈圓形,所述平振膜的邊緣具有環(huán)形加強(qiáng)筋,所述平振膜的邊緣固定在所述發(fā)聲裝置殼體上。

      可選地,所述音圈導(dǎo)線層中設(shè)置有強(qiáng)化環(huán),所述強(qiáng)化環(huán)位于所述方向切換段連接的兩條導(dǎo)線圓環(huán)之間,將兩條所述導(dǎo)線圓環(huán)隔開,所述強(qiáng)化環(huán)上具有缺口,所述方向切換段位于所述缺口處。

      可選地,所述發(fā)聲裝置殼體包括前殼和后殼,所述圓形導(dǎo)磁板固定設(shè)置在所述后殼上,所述后殼上設(shè)置有后聲孔,所述后殼的外表面上覆蓋有調(diào)音網(wǎng)布,所述調(diào)音網(wǎng)布覆蓋所述后聲孔,所述前殼扣合在所述后殼上,所述平振膜靠近所述前殼。

      可選地,所述發(fā)聲裝置殼體上設(shè)置有兩支焊片,兩支所述焊片分別與第一信號連接點和第二信號連接點電連接。

      本發(fā)明的一個技術(shù)效果是通過對音圈和磁鐵組件的結(jié)構(gòu)改進(jìn)提高了音圈的利用率。

      通過以下參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例的詳細(xì)描述,本發(fā)明的其它特征及其優(yōu)點將會變得清楚。

      附圖說明

      被結(jié)合在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分的附圖示出了本發(fā)明的實施例,并且連同其說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。

      圖1是現(xiàn)有技術(shù)中平振膜的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖2是本發(fā)明提供的平膜發(fā)聲裝置的零件爆炸圖;

      圖3是本發(fā)明提供的平振膜的正面結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖4是本發(fā)明提供的平膜發(fā)聲裝置中的磁鐵組件的結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖5是所述磁路組件和平振膜的側(cè)面剖視示意圖;

      圖6是本發(fā)明提供的平振膜的背面結(jié)構(gòu)示意圖;

      圖7是本發(fā)明提供的平膜發(fā)聲裝置的后殼的結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實施方式

      現(xiàn)在將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的各種示例性實施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說明,否則在這些實施例中闡述的部件和步驟的相對布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本發(fā)明的范圍。

      以下對至少一個示例性實施例的描述實際上僅僅是說明性的,決不作為對本發(fā)明及其應(yīng)用或使用的任何限制。

      對于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,所述技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說明書的一部分。

      在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實施例的其它例子可以具有不同的值。

      應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號和字母在下面的附圖中表示類似項,因此,一旦某一項在一個附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對其進(jìn)行進(jìn)一步討論。

      本發(fā)明提供了一種平膜發(fā)聲裝置,該平膜發(fā)聲裝置包括平振膜1、音圈導(dǎo)線層2、磁鐵組件以及發(fā)聲裝置殼體,如圖2所示。所述發(fā)聲裝置殼體用于承載所述環(huán)形磁鐵31和平振膜1,所述平振膜1和磁鐵組件設(shè)置在所述發(fā)聲裝置殼體內(nèi),平振膜1與磁鐵組件位置相對。所述音圈導(dǎo)線層2布設(shè)在所述平振膜1上,在所述音圈導(dǎo)線層2中通入有聲音信號的電流時,所述音圈導(dǎo)線層2受力驅(qū)動平振膜1振動。

      特別地,如圖3所示,所述音圈導(dǎo)線層2由多條同心設(shè)置的導(dǎo)線圓環(huán)21布設(shè)形成,每條所述導(dǎo)線圓環(huán)21的半徑不同。相鄰的兩條導(dǎo)線圓環(huán)21之間由半徑切換段22連接,如圖3所示。各條所述導(dǎo)線圓環(huán)21按照半徑遞減的順序依次串聯(lián),所有導(dǎo)線圓環(huán)21由外至內(nèi)串聯(lián)成一條電路通路。特別地,所述半徑切換段22中還至少包括一段方向切換段221,所述方向切換段221除起到連接半徑不同的導(dǎo)線圓環(huán)21的作用外,還起到改變導(dǎo)線圓環(huán)21的環(huán)繞方向的作用。在音圈導(dǎo)線層2中通入有信號電流時,所述方向切換段221使相鄰的兩條導(dǎo)線圓環(huán)21中的電流方向反轉(zhuǎn)。

      以圖3所示的平振膜1為例,最外層的導(dǎo)線圓環(huán)21順時針環(huán)繞一周后經(jīng)過所述半徑切換段22連接到內(nèi)側(cè)相鄰導(dǎo)線圓環(huán)21上,內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線圓環(huán)21也是順時針環(huán)繞一周后通過半徑切換段22與內(nèi)側(cè)相鄰的導(dǎo)線圓環(huán)21連接。而從外向內(nèi)第三支導(dǎo)線圓環(huán)21在順時針環(huán)繞一周后,經(jīng)過方向切換段221與內(nèi)側(cè)的第四支導(dǎo)線圓環(huán)21連接,第四支導(dǎo)線圓環(huán)21則是沿著逆時針的方向環(huán)繞一周后再通過半徑切換段22連接到內(nèi)側(cè)的導(dǎo)線圓環(huán)21上??梢?,由方向切換段221連接的相鄰的兩支導(dǎo)線圓環(huán)21的環(huán)繞方向是相反的。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計使通入音圈導(dǎo)線層2的信號電流在方向切換段221兩側(cè)的導(dǎo)線圓環(huán)21中的流動方向相反,環(huán)繞方向翻轉(zhuǎn)180度。

      所述磁鐵組件則至少包括兩條同心設(shè)置的環(huán)形磁鐵31,所述環(huán)形磁鐵31的數(shù)量比所述方向切換段221的數(shù)量大1。以圖2-5所示的實施方式為例,當(dāng)所述音圈導(dǎo)線層2上設(shè)置有兩端方向切換段221時,所述磁鐵組件包括有三條環(huán)形磁鐵31,三條所述環(huán)形磁鐵31同心設(shè)置。所述磁鐵組件位于所述平振膜1的一側(cè),基本與所述平振膜1平行設(shè)置,所述環(huán)形磁鐵31與所述導(dǎo)線圓環(huán)21的位置是相對同軸的。所述方向切換段221所在的位置與相鄰的兩條環(huán)形磁鐵31之間的間隙位置相對應(yīng)。這樣,導(dǎo)線圓環(huán)21的環(huán)繞方向每切換一次,導(dǎo)線圓環(huán)21所對應(yīng)的環(huán)形磁鐵31是不同的。進(jìn)一步地,如圖5所示,相鄰的兩條所述環(huán)形磁鐵31在之間的間隙處的磁極是相同的。

      本發(fā)明對音圈導(dǎo)線層的導(dǎo)線排布以及磁路組件的排布進(jìn)行了優(yōu)化,利用多個環(huán)形磁鐵和串聯(lián)的多條導(dǎo)線圓環(huán)實現(xiàn)線長利用率的提高。如圖4、5所示,各導(dǎo)線圓環(huán)21同心排布,向鄰近的相同磁極使磁感線在環(huán)形磁鐵31上下兩側(cè)更收束,提高磁感線與平振膜1所在平面的平行度。這樣,導(dǎo)線圓環(huán)21的全部區(qū)域都基本垂直于磁感線的方向,導(dǎo)線圓環(huán)21內(nèi)的電流的切線方向始終垂直于磁感線方向。根據(jù)左手定則,導(dǎo)線圓環(huán)上所有線長均對產(chǎn)生洛侖磁力作出了貢獻(xiàn),大大提高了磁場的利用率和音圈導(dǎo)線層的有效線長。僅有半徑切換段22的區(qū)域有平行于磁感線的趨勢,利用率相對較低。音圈導(dǎo)線層2所有線長的利用率能夠提高到95%以上。所述方向切換段221使信號電流的方向在環(huán)形磁鐵31的間隙處反轉(zhuǎn)180度,使音圈導(dǎo)線層2受到的洛倫茲力的方向一致。

      進(jìn)一步地,在音圈導(dǎo)線層2獲取洛侖磁力的效率提高的情況下,平振膜1在振動時能夠產(chǎn)生更大的振幅,提高了發(fā)聲裝置的聲壓和產(chǎn)生的聲音的音量。

      本發(fā)明并不對所述方向切換段的數(shù)量進(jìn)行限制,根據(jù)磁鐵組件中包括的環(huán)形磁鐵的數(shù)量,本領(lǐng)域技術(shù)人員可相應(yīng)的調(diào)整方向切換段的數(shù)量。在環(huán)形磁鐵的數(shù)量較多,例如3-4條的情況下,相對的磁極之間的作用會使磁場收束程度提高,提高磁場的利用率。為了使音圈導(dǎo)線層2受到的洛倫茲力方向一致,音圈導(dǎo)線層2上應(yīng)在相鄰的環(huán)形磁鐵31之間的間隙處設(shè)置相應(yīng)的方向切換段221。

      可選地,相鄰的兩條所述導(dǎo)線圓環(huán)21之間的間距可大于0.3mm。相鄰的所述導(dǎo)線圓環(huán)之間保持適當(dāng)?shù)木嚯x能夠減小導(dǎo)線圓環(huán)中的電流相互影響,提高平膜發(fā)聲裝置的可靠性。相反的,導(dǎo)線圓環(huán)之間的間距過大會造成平振膜上的空間利用率下降。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際產(chǎn)品的性能要求,設(shè)計所述導(dǎo)線圓環(huán)之間的間距大小。

      可選地,在一些實施方式中,所述平膜發(fā)聲裝置也可以包括兩組上述磁鐵組件。圖2-5示出的實施方式中只有一組磁鐵組件,所述磁鐵組件位于平振膜1的一側(cè)。在具有兩組磁鐵組件的平膜發(fā)聲裝置中,兩組磁鐵組件中包括的環(huán)形磁鐵31相同,兩組磁鐵組件分別位于所述平振膜1的兩側(cè)。在這種實施方式中,音圈導(dǎo)線層2能夠獲得更強(qiáng)的洛倫茲力,平振膜1產(chǎn)生的振動振幅更大,能夠產(chǎn)生更大的聲壓。

      可選地,所述平膜發(fā)聲裝置還可以包括圓形導(dǎo)磁板5,如圖2所示。所述圓形導(dǎo)磁板5用于調(diào)整、收束所述磁鐵組件的磁場,提高磁場的利用率。所述圓形導(dǎo)磁板5可以固定在所述發(fā)聲裝置殼體內(nèi),所述磁鐵組件固定設(shè)置在所述圓形導(dǎo)磁板5上,可以采用粘接固定等方式。所述圓形導(dǎo)磁板5上具有傳聲孔51,如圖2所示,所述傳聲孔51的位置與所述環(huán)形磁鐵31之間的間隙位置相對應(yīng)。平振膜1振動產(chǎn)生的聲音可以通過傳聲孔51向發(fā)聲裝置殼體外傳遞。所述圓形導(dǎo)磁板5的邊緣上還可以具有外凸筋位,所述外凸筋位用于使圓形導(dǎo)磁板5卡接固定在所述發(fā)聲裝置殼體上。

      可選地,如圖3、6所示,所述平振膜1上可以具有第一信號連接點11和第二信號連接點12,兩個連接點可以位于平振膜1的邊緣。所述第一信號連接點11和第二信號連接點12用于與外部電子設(shè)備電連接,使信號能夠通入所述音圈導(dǎo)線層2中,形成信號回路。半徑最大的所述導(dǎo)線圓環(huán)21與所述第一信號連接點11電連接,如圖3所示,半徑最小的所述導(dǎo)線圓環(huán)21或者位于音圈導(dǎo)線層2中心的導(dǎo)線與所述第二信號連接點12電連接,如圖6所示。

      可選地,所述平振膜1整體呈圓形,所述平振膜1的邊緣具有環(huán)形加強(qiáng)筋13。所述環(huán)形加強(qiáng)筋13用于強(qiáng)化平振膜1整體的結(jié)構(gòu),防止平振膜1在振動、裝配時變形。所述平振膜1的邊緣可以固定在所述發(fā)聲裝置殼體上。在其它實施方式中,所述平振膜上也可以設(shè)置有其它結(jié)構(gòu)形式的加強(qiáng)筋,本發(fā)明并不對此進(jìn)行限制。

      特別地,所述音圈導(dǎo)線層2中可以設(shè)置有強(qiáng)化環(huán)23,如圖3所示,所述強(qiáng)化環(huán)23位于由方向切換段221連接的兩條導(dǎo)線圓環(huán)21之間,所述強(qiáng)化環(huán)23將兩條環(huán)繞方向相反的兩條導(dǎo)線圓環(huán)21隔開。所述強(qiáng)化環(huán)23上可以具有缺口,以便所述方向切換段221從缺口處連接兩條導(dǎo)線圓環(huán)21。所述強(qiáng)化環(huán)23對所述平振膜1起到支撐、強(qiáng)化的作用,提高平振膜1的整體強(qiáng)度,防止平振膜振動時自身產(chǎn)生大幅變形。

      可選地,如圖2、7所示,所述發(fā)聲裝置殼體可以包括前殼31和后殼32,所述圓形導(dǎo)磁板5固定設(shè)置在所述后殼32上,所述后殼32上可以設(shè)置有后聲孔321,以便聲音從中傳出。如圖7所述,所述后殼32上可以設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)323,所述臺階結(jié)構(gòu)用于與所述圓形導(dǎo)磁板5上的外凸筋位相配合,所述外凸筋位可以卡接固定在所述臺階結(jié)構(gòu)323上,以使圓形導(dǎo)磁板5與所述后殼32固定連接。如圖2所示,所述后殼32的外表面上還可以覆蓋有調(diào)音網(wǎng)布6,所述調(diào)音網(wǎng)布6覆蓋所述后聲孔321。所述前殼31扣合在所述后殼32上,構(gòu)成用于承載平振膜1和磁鐵組件的容納空間。所述平振膜1可以靠近所述前殼31,所述前殼上也可以設(shè)置有用于出聲的孔洞結(jié)構(gòu),本發(fā)明不對此進(jìn)行限制。

      可選地,為了方便所述音圈導(dǎo)線層2與外部設(shè)備電連接,形成信號回路,所述發(fā)聲裝置殼體上可以設(shè)置有兩支焊片7,兩支所述焊片7分別與第一信號連接點11和第二信號連接點12電連接。所述音圈導(dǎo)線層2可以通過第一、第二信號連接點連接到焊片7上,當(dāng)平膜發(fā)聲裝置裝配或固定在外部電子設(shè)備上時,所述焊片7可以與外部電子設(shè)備進(jìn)行電連接。如圖7所示,所述后殼32上可以具有卡槽322,所述焊片7可以固定設(shè)置在所述卡槽中。本發(fā)明并不限制所述焊片的固定方式,在其它實施方式中,本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以采用焊片與后殼一體注塑等形式固定所述焊片。

      雖然已經(jīng)通過例子對本發(fā)明的一些特定實施例進(jìn)行了詳細(xì)說明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,以上例子僅是為了進(jìn)行說明,而不是為了限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,可在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的情況下,對以上實施例進(jìn)行修改。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來限定。

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