本實(shí)用新型涉及揚(yáng)聲器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種低音揚(yáng)聲器。

背景技術(shù)：

常見的低音揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)如圖1所示，盆架2’支撐整個(gè)系統(tǒng)，華司4’、磁鐵5’和T鐵6’形成一個(gè)環(huán)形磁路，音圈3’懸掛于華司4’與T鐵6’形成的磁間隙內(nèi)；通電后，音圈3’在磁場(chǎng)中受力，帶動(dòng)錐形紙盆1’振動(dòng)，產(chǎn)生聲音。其中，彈波7’對(duì)音圈3’和錐形紙盆1’有制動(dòng)和中心定位的作用，使音圈3’在磁隙內(nèi)運(yùn)動(dòng)，不致碰到華司4’和T鐵6’引起擦圈。

圖1中所示的低音揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)至少存在以下缺陷：

(1)該低音揚(yáng)聲器厚度過厚，不適應(yīng)當(dāng)前便攜式音箱市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)；

(2)該低音揚(yáng)聲器中的彈波與振膜根部距離較近，振膜在上下振動(dòng)過程中可能會(huì)左右搖擺，存在振動(dòng)偏差，導(dǎo)致該低音揚(yáng)聲器振動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)失真較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，本實(shí)用新型提供了一種低音揚(yáng)聲器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中低音揚(yáng)聲器厚度過厚不適應(yīng)便攜式音箱市場(chǎng)的發(fā)展趨勢(shì)，以及現(xiàn)有技術(shù)中低音揚(yáng)聲器振動(dòng)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)失真較大的問題。

為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

本實(shí)用新型提供了一種低音揚(yáng)聲器，包括盆架2和收容在盆架2內(nèi)部的磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)，磁路系統(tǒng)為U鐵6、柱形磁鐵5、第一華司41和第二華司42形成的環(huán)形磁路，其中第一華司41和第二華司42構(gòu)成環(huán)形的磁路間隙，振動(dòng)系統(tǒng)包括：振膜1和音圈3，音圈3通過其繞線部的頂端固定在振膜1上，并懸掛在環(huán)形的磁路間隙內(nèi)；振動(dòng)系統(tǒng)還包括置于環(huán)形磁路中的彈波7，彈波7的外端固定在U鐵6的內(nèi)側(cè)壁上，內(nèi)端粘接在音圈3繞線部的 底部。

優(yōu)選地，振膜1為平面振膜，其邊緣固定在盆架2的內(nèi)側(cè)壁上，中間部分位于磁路系統(tǒng)的正上方。

優(yōu)選地，U鐵6包括凹槽和側(cè)壁，第一華司41包括環(huán)形固定部411和環(huán)形延長(zhǎng)部412，第二華司42為柱形華司；

柱形磁鐵5設(shè)置在凹槽的中心位置，第二華司42設(shè)置在柱形磁鐵5上，第一華司41的環(huán)形固定部411設(shè)置在U鐵6的側(cè)壁上，第一華司41的環(huán)形延長(zhǎng)部412與第二華司42構(gòu)成環(huán)形的磁路間隙。

優(yōu)選地，磁路系統(tǒng)還包括：用于增加音圈3沖程的墊片8；

墊片8設(shè)置在U鐵6的凹槽底部，并置于柱形磁鐵5的下方。

優(yōu)選地，墊片8為柱形結(jié)構(gòu)，與柱形磁鐵5同軸心設(shè)置，且墊片8的外徑小于或等于柱形磁鐵5的外徑。

本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果是：本實(shí)用新型提供的低音揚(yáng)聲器，通過將彈波置于環(huán)形磁路中，一方面節(jié)省了揚(yáng)聲器的高度空間，顯著減小了揚(yáng)聲器的厚度；另一方面使彈波與振膜根部的距離增大，且又有音圈繞線部相連，因而彈波通過音圈的繞線部能更好的將振膜保持在中心方向上的上下振動(dòng)，避免由于振動(dòng)偏差導(dǎo)致的失真；此外，為了將彈波置于環(huán)形磁路中，需要適應(yīng)性增大U鐵的直徑，使環(huán)形磁路的磁場(chǎng)具有更好的對(duì)稱性，進(jìn)一步減少失真。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的低音揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的低音揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的剖面圖；

圖中：1’、錐形紙盆；2’、盆架；3’、音圈；4’、華司；5’、磁鐵；6’、T鐵；7’、彈波；

1、振膜；2、盆架；3、音圈；41、第一華司；411、環(huán)形固定部；412、環(huán)形延長(zhǎng)部；42、第二華司；5、柱形磁鐵；6、U鐵；7、彈波；8、墊片。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì) 本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

圖2為本實(shí)施例提供的低音揚(yáng)聲器結(jié)構(gòu)的剖面圖，如圖2所示，該低音揚(yáng)聲器包括：盆架2和收容在盆架2內(nèi)部的磁路系統(tǒng)和振動(dòng)系統(tǒng)；

磁路系統(tǒng)為U鐵6、柱形磁鐵5、第一華司41和第二華司42形成的環(huán)形磁路，其中第一華司41和第二華司42構(gòu)成環(huán)形的磁路間隙；

具體的，參考圖2所示，U鐵6包括凹槽和側(cè)壁，第一華司41包括環(huán)形固定部411和環(huán)形延長(zhǎng)部412，第二華司42為柱形華司；柱形磁鐵5設(shè)置在凹槽的中心位置，第二華司42設(shè)置在柱形磁鐵5上，第二華司42的直徑略大于柱形磁鐵5的直徑，第一華司41的環(huán)形固定部411設(shè)置在U鐵6的側(cè)壁上，從而將第一華司41固定在U鐵6上，第一華司41的環(huán)形延長(zhǎng)部412與第二華司42構(gòu)成環(huán)形的磁路間隙；即U鐵6、柱形磁鐵5、第一華司41和第二華司42形成一環(huán)形磁路。

圖2中的振動(dòng)系統(tǒng)包括：振膜1、音圈3和置于環(huán)形磁路中的彈波7，音圈3通過其繞線部的頂端固定在振膜1上，并懸掛在環(huán)形的磁路間隙內(nèi)，彈波7的外端固定在U鐵6的內(nèi)側(cè)壁上，內(nèi)端粘接在音圈3繞線部的底部。

圖2中的低音揚(yáng)聲器在通電后，音圈3在磁場(chǎng)中受力，帶動(dòng)振膜1振動(dòng)，產(chǎn)生聲音，彈波7使音圈3在磁隙內(nèi)運(yùn)動(dòng)，不致碰到第一華司41和第二華司42而引起擦圈。

本實(shí)施例通過將彈波置于環(huán)形磁路中，一方面節(jié)省了揚(yáng)聲器的高度空間，顯著減小了揚(yáng)聲器的厚度；另一方面使得彈波與振膜根部的距離增大，彈波通過音圈的繞線部能更好的將振膜保持在中心方向上的上下振動(dòng)，避免由于振動(dòng)偏差導(dǎo)致的失真；此外，為了將彈波置于環(huán)形磁路中，需要適應(yīng)性增大U鐵的直徑，使環(huán)形磁路的磁場(chǎng)具有更好的對(duì)稱性，進(jìn)一步減少失真。

在本實(shí)施例的一個(gè)實(shí)現(xiàn)方案中，振膜1為平面振膜，其邊緣固定在盆架2的內(nèi)側(cè)壁上，中間部分位于磁路系統(tǒng)的正上方。

本實(shí)現(xiàn)方案通過將現(xiàn)有技術(shù)中的錐形紙盆變形為平面振膜，能夠進(jìn)一步減小揚(yáng)聲器的厚度。

在本實(shí)施例的另一實(shí)現(xiàn)方案中，磁路系統(tǒng)還包括：用于增加音圈3沖程的墊片8，墊片8設(shè)置在U鐵6的凹槽底部，并置于柱形磁鐵5的下方。

如圖2所示，墊片8為柱形結(jié)構(gòu)，與柱形磁鐵5同軸心設(shè)置，且墊片8的外徑小于或等于柱形磁鐵5的外徑。

本實(shí)現(xiàn)方案通過在U鐵的凹槽底部增加具有一定高度的柱形墊片，來增加音圈的沖程，避免音圈在大振幅振動(dòng)時(shí)打底。

綜上所述，本實(shí)用新型提供了一種低音揚(yáng)聲器，通過將彈波置于環(huán)形磁路中，一方面節(jié)省了揚(yáng)聲器的高度空間，顯著減小了揚(yáng)聲器的厚度；另一方面使彈波與振膜根部的距離增大，且又有音圈繞線部相連，因而彈波通過音圈的繞線部能更好的將振膜保持在中心方向上的上下振動(dòng)，避免由于振動(dòng)偏差導(dǎo)致的失真；此外，為了將彈波置于環(huán)形磁路中，需要適應(yīng)性增大U鐵的直徑，使環(huán)形磁路的磁場(chǎng)具有更好的對(duì)稱性，進(jìn)一步減少失真。

為了便于清楚描述本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，在實(shí)用新型的實(shí)施例中，采用了“第一”、“第二”等字樣對(duì)功能和作用基本相同的相同項(xiàng)或相似項(xiàng)進(jìn)行區(qū)分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解“第一”、“第二”等字樣并不對(duì)數(shù)量和執(zhí)行次序進(jìn)行限定。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。