1.一種非異頻上行載波聚合電路，其特征在于，所述電路包括：
接收各種頻段的射頻信號的合路器；
由移動產(chǎn)業(yè)處理器接口MIPI輸入的控制信息控制的射頻開關(guān)；
接收根據(jù)終端當(dāng)前是否接入上行載波聚合工作模式確定的控制信號并控制所述射頻開關(guān)的MIPI接口；
所述射頻開關(guān)的輸入端與所述合路器的輸入端連接，所述射頻開關(guān)的輸出端與所述合路器的輸出端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非異頻上行載波聚合電路，其特征在于，所述射頻開關(guān)為具有旁路Bypass功能的開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非異頻上行載波聚合電路，其特征在于，所述射頻開關(guān)的輸入端為Bypass端口；
所述射頻開關(guān)的Bypass端口同步接入到載波聚合CA頻段雙工器的公共端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的非異頻上行載波聚合電路，其特征在于，所述非異頻上行載波聚合電路還包括：為所述合路器、所述射頻開關(guān)、以及所述MIPI接口供電的電源。
5.一種非異頻上行載波聚合裝置，其特征在于，所述非異頻上行載波聚合裝置包括權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的非異頻上行載波聚合電路、以及用于承載所述非異頻上行載波聚合電路的電路結(jié)構(gòu)體；
所述非異頻上行載波聚合電路卡合于所述電路結(jié)構(gòu)體中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非異頻上行載波聚合裝置，其特征在于，所述電路結(jié)構(gòu)體還包括：射頻芯片、射頻功率放大器、雙工器、天線開關(guān)、以及天線；
所述非異頻上行載波聚合電路設(shè)置在所述雙工器和天線開關(guān)之間，所述雙工器為替換四工器的雙工器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的非異頻上行載波聚合裝置，其特征在于，所述卡合的實(shí)現(xiàn)方式至少包括之一：卡槽和卡扣卡合、凸起和凹槽卡合。