本實(shí)用新型涉及一種基于SIP技術(shù)的射頻電路功能模塊，屬于微波電路技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

高精尖的通信技術(shù)對(duì)微收發(fā)信道提出了多通道、小型化、幅相一致性和高可靠性等要求。

微波收發(fā)信道傳統(tǒng)工藝設(shè)計(jì)，選用FR4、Rogers5880、Rogers4003等高頻印制板為基板，以鋁合金或銅為結(jié)構(gòu)，將器件或芯片封裝在一個(gè)獨(dú)立的金屬模塊內(nèi)，這種方式存在以下難以克服的缺點(diǎn)：

第一，高頻電路與低頻電路裝配連接關(guān)系復(fù)雜，可靠性差，同時(shí)使信道結(jié)構(gòu)尺寸過(guò)大，無(wú)法適應(yīng)輕質(zhì)化，小型化的要求。

第二，項(xiàng)目背景和需求的多樣化，導(dǎo)致射頻電路的多樣化，MIC工藝的復(fù)雜工序和高頻電路的高輻射能力導(dǎo)致同批次產(chǎn)品的一致性差，調(diào)試量度和難度都非常大，不適應(yīng)低成本和通用性需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是：為克服現(xiàn)有技術(shù)不足，提供一種基于SIP技術(shù)的射頻電路功能模塊，實(shí)現(xiàn)高集成度，有效縮小尺寸，減少調(diào)試工作量，節(jié)約成本。

本實(shí)用新型的技術(shù)解決方案是：

一種基于SIP技術(shù)的射頻電路功能模塊，包括混頻單元、衰減單元、第一放大單元、第二放大單元和保護(hù)單元，

混頻單元、衰減單元、第一放大單元、第二放大單元和保護(hù)單元集成于陶瓷無(wú)引線載體封裝中，

當(dāng)接收射頻信號(hào)時(shí)，射頻信號(hào)輸入到保護(hù)單元，保護(hù)單元接收射頻信號(hào)，對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行限幅處理，并將限幅處理后的射頻信號(hào)輸入給第一放大單元，第一放大單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的射頻信號(hào)輸入給衰減單元，衰減單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行衰減處理，并將衰減處理后的射頻信號(hào)輸入給混頻單元；

本振信號(hào)輸入給第二放大單元，第二放大單元對(duì)本振信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的本振信號(hào)輸入給混頻單元，混頻單元對(duì)經(jīng)衰減處理后的射頻信號(hào)及經(jīng)放大處理后的本振信號(hào)進(jìn)行混頻處理，得到IQ中頻信號(hào)，并將IQ中頻信號(hào)輸出；

當(dāng)發(fā)射射頻信號(hào)時(shí)，本振信號(hào)輸入給第二放大單元，第二放大單元對(duì)本振信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的本振信號(hào)輸入給混頻單元，IQ中頻信號(hào)輸入給混頻單元，

混頻單元對(duì)IQ中頻信號(hào)和經(jīng)放大處理后的本振信號(hào)進(jìn)行混頻處理，得到射頻信號(hào)，并將射頻信號(hào)輸入給衰減單元；衰減單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行衰減處理，并將衰減處理后的射頻信號(hào)輸入給第一放大單元，第一放大單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的射頻信號(hào)輸入給保護(hù)單元，保護(hù)單元接收射頻信號(hào)，對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行隔直處理，得到發(fā)射射頻信號(hào)，并將發(fā)射射頻信號(hào)輸出。

混頻單元的兩路輸出的中頻信號(hào)為正交信號(hào)。

陶瓷為高溫共燒陶瓷。

本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是：

(1)本實(shí)用新型基于系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)，通過(guò)合理布局，將多個(gè)射頻功能單元集成于10mm*10mm以內(nèi)的CQFN封裝，提高了集成度，有效縮小了尺寸，同時(shí)減少了調(diào)試工作量，節(jié)約了成本；

(2)本實(shí)用新型選用高溫共燒陶瓷(HTCC)作為基板材料，實(shí)現(xiàn)了電路印制板和封裝一體化設(shè)計(jì)，減少尺寸的同時(shí)減少了生產(chǎn)工序，產(chǎn)品工藝穩(wěn)定性好、成品率高、適用于大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型接收射頻信號(hào)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型發(fā)射射頻信號(hào)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)封裝示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述。

一種基于SIP技術(shù)的射頻電路功能模塊，包括混頻單元、衰減單元、第一放大單元、第二放大單元和保護(hù)單元，

如圖3所示，混頻單元、衰減單元、第一放大單元、第二放大單元和保護(hù)單元集成于陶瓷無(wú)引線載體封裝中，

如圖1所示，當(dāng)接收射頻信號(hào)時(shí)，射頻信號(hào)輸入到保護(hù)單元，保護(hù)單元接收射頻信號(hào)，對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行限幅處理，并將限幅處理后的射頻信號(hào)輸入給第一放大單元，第一放大單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的射頻信號(hào)輸入給衰減單元，衰減單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行衰減處理，并將衰減處理后的射頻信號(hào)輸入給混頻單元；

本振信號(hào)輸入給第二放大單元，第二放大單元對(duì)本振信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的本振信號(hào)輸入給混頻單元，混頻單元對(duì)經(jīng)衰減處理后的射頻信號(hào)及經(jīng)放大處理后的本振信號(hào)進(jìn)行混頻處理，得到IQ中頻信號(hào)，并將IQ中頻信號(hào)輸出；

如圖2所示，當(dāng)發(fā)射射頻信號(hào)時(shí)，本振信號(hào)輸入給第二放大單元，第二放大單元對(duì)本振信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的本振信號(hào)輸入給混頻單元，IQ中頻信號(hào)輸入給混頻單元，

混頻單元對(duì)IQ中頻信號(hào)和經(jīng)放大處理后的本振信號(hào)進(jìn)行混頻處理，得到射頻信號(hào)，并將射頻信號(hào)輸入給衰減單元；衰減單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行衰減處理，并將衰減處理后的射頻信號(hào)輸入給第一放大單元，第一放大單元對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行放大處理，并將放大處理后的射頻信號(hào)輸入給保護(hù)單元，保護(hù)單元接收射頻信號(hào)，對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行隔直處理，得到發(fā)射射頻信號(hào)，并將發(fā)射射頻信號(hào)輸出。

混頻單元的兩路輸出的中頻信號(hào)為正交信號(hào),可通過(guò)組合頻率計(jì)算將中頻頻率調(diào)整至所選頻率，確保無(wú)組合頻率落在工作頻段內(nèi)。

本實(shí)用新型選用HTCC陶瓷基板設(shè)計(jì)陶瓷無(wú)引線片式載體(CQFN)，實(shí)現(xiàn)電路基板和封裝一體化設(shè)計(jì)，生產(chǎn)工序簡(jiǎn)單，整個(gè)產(chǎn)品尺寸小于10mm*10mm。

本實(shí)用新型選取的各功能芯片均為超寬帶器件，射頻信號(hào)頻率為12GHz-18GHz，中頻信號(hào)頻率為DC-3.5GHz，并可以通過(guò)更換同類型芯片擴(kuò)展頻率適用范圍。同時(shí)可以更換內(nèi)部的功能單元滿足不同的性能需求，產(chǎn)品性能一致性好，具備很強(qiáng)的通用性。

本實(shí)用新型未公開(kāi)內(nèi)容為本領(lǐng)域技術(shù)人員公知常識(shí)。