本發(fā)明涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置及方法。
背景技術(shù):
GPON/EPON是天然的廣播網(wǎng)絡(luò),采用單纖波分復(fù)用技術(shù)。下行采用1490nm波長(zhǎng),數(shù)據(jù)從OLT設(shè)備到多個(gè)ONU設(shè)備以廣播式下行(時(shí)分復(fù)用技術(shù)TDM),ONU設(shè)備根據(jù)標(biāo)識(shí)處理自己的數(shù)據(jù),丟棄其它的數(shù)據(jù)。上行采用時(shí)分多址接入技術(shù)(TDMA)分時(shí)隙給ONU設(shè)備傳輸上行流量。當(dāng)ONU設(shè)備在注冊(cè)時(shí)成功后,OLT設(shè)備會(huì)根據(jù)系統(tǒng)的配置,給ONU設(shè)備分配特定的帶寬,帶寬對(duì)于PON層面來(lái)說(shuō),就是多少可以傳輸數(shù)據(jù)的基本時(shí)隙。在一個(gè)OLT端口(PON端口)下面,所有的ONU設(shè)備與OLT設(shè)備的PON端口之間時(shí)鐘是嚴(yán)格同步的,每一個(gè)ONU設(shè)備只能夠在OLT設(shè)備給他分配的時(shí)刻上面開(kāi)始,用分配給它的時(shí)隙長(zhǎng)度傳輸數(shù)據(jù)。通過(guò)時(shí)隙分配和時(shí)延補(bǔ)償,確保多個(gè)ONU設(shè)備的數(shù)據(jù)信號(hào)耦合到一根光纖時(shí),各個(gè)ONU設(shè)備的上行包不會(huì)互相干擾。
ONU設(shè)備中的光模塊長(zhǎng)發(fā)光:光模塊的上行正常是突發(fā)機(jī)制,只有在分配到的時(shí)隙進(jìn)行發(fā)送,其它時(shí)間是關(guān)斷的。長(zhǎng)發(fā)光可能是光模塊本身失效或者是環(huán)境因素,如雨水順著光纖倒灌到光模塊,導(dǎo)致光模塊異常。這是PON系統(tǒng)最嚴(yán)重的的故障之一,將會(huì)導(dǎo)致同一OLT接口下的ONU設(shè)備上網(wǎng)異常,而且故障診斷困難。
目前,對(duì)光模塊是否屬于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)的檢測(cè),常見(jiàn)方法如下:
方法一:CPU通過(guò)定時(shí)檢測(cè)光模塊的TX發(fā)送周期是否大于最大OLT授權(quán)周期,或者是ping OLT設(shè)備,判斷光模塊是否處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài),如果是則通過(guò)開(kāi)關(guān)關(guān)斷光模塊的發(fā)送電源VCCT。這種方法主要依賴(lài)CPU軟件檢測(cè)來(lái)實(shí)現(xiàn),主要存在的缺點(diǎn)是光模塊異常時(shí)TX_FAULT信號(hào)本身也可能異常,而且也增加了CPU的利用率,降低了系統(tǒng)的轉(zhuǎn)發(fā)性能;或者在長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí)也可能ping通OLT設(shè)備。另外CPU軟件某個(gè)進(jìn)程掛死或異常時(shí)誤關(guān)斷光模塊電源導(dǎo)致上行鏈路不通,或者是檢測(cè)模塊異常而不能關(guān)斷光模塊電源仍然導(dǎo)致長(zhǎng)發(fā)光。
方法二:
OLT設(shè)備定時(shí)在空閑狀態(tài)下通過(guò)輪詢(xún)方式逐個(gè)關(guān)斷ONU,檢測(cè)上行報(bào)文MAC和功率來(lái)判斷哪個(gè)ONU長(zhǎng)發(fā)光。這種方法主要能發(fā)現(xiàn)長(zhǎng)發(fā)光的ONU設(shè)備,但是無(wú)法實(shí)時(shí)解決問(wèn)題,ONU設(shè)備已經(jīng)異常,從OLT設(shè)備側(cè)下發(fā)任何命令都不響應(yīng),只能到現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行處理。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問(wèn)題之一。為此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提出一種基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,一方面,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置,包括:
光模塊;
供電電源,所述供電電源通過(guò)一MOS管開(kāi)關(guān)電路連接至所述光模塊的發(fā)射電源端;
電流檢測(cè)電路,所述電流檢測(cè)電路連接于所述MOS管開(kāi)關(guān)電路和所述發(fā)射電源端之間,用以檢測(cè)所述發(fā)射電源端的工作電流;
看門(mén)狗電路,所述看門(mén)狗電路與所述電流檢測(cè)電路及MOS管開(kāi)關(guān)電路相連,用以根據(jù)所述工作電流控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路的通斷。
另外,根據(jù)本發(fā)明上述實(shí)施例的基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,還包括:
CPU,所述CPU的GPIO引腳與所述MOS管開(kāi)關(guān)電路相連,用以控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路的通斷。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述電流檢測(cè)電路包括:
電流采樣模塊,用以采集所述發(fā)射電源端的工作電流;
比較器,所述比較器與所述電流采樣模塊,用以將所述工作電流的平均值與預(yù)設(shè)門(mén)限值進(jìn)行比較,當(dāng)所述工作電流的平均值小于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值時(shí),則輸出方波信號(hào)至所述看門(mén)狗電路,所述看門(mén)狗電路根據(jù)所述方波信號(hào)輸出高電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路保持導(dǎo)通;
當(dāng)所述工作電流的平均值大于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值,則輸出恒定電平信號(hào)至所述看門(mén)狗電路,所述看門(mén)狗電路根據(jù)所述恒定電平信號(hào)輸出低電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述電流采樣模塊包括第一電阻、第二電阻及第一電容,其中,所述第一電阻的一端與所述供電電源及所述比較器的第一反相輸入端相連,所述第一電阻的另一端與發(fā)射電源端及第二電阻的一端相連,所述第二電阻的另一端與所述比較器的第一同相輸入端及第一電容的一端相連,所述第一電容的另一端及所述比較器的接地端共同接地;
所述比較器的第一輸出端連接至一第四電阻的一端,所述第四電阻的另一端連接至一第三電阻及一第二電容的一端,所述第三電阻的另一端與所述供電電源相連,所述第二電容的另一端接地;
所述比較器的正電源端連接至一電源電壓VDD,所述電源電壓VDD通過(guò)一第四電容接地,所述比較器的第二輸出端連接至一第七電阻及一第五電容一端,所述第七電阻的另一端連接所述看門(mén)狗電路,所述第五電容的另一端接地,所述比較器的第二反相輸入端與所述第二電容的所述一端相連,所述比較器的第二同相輸入端連接至一第五電阻、一第六電阻及一第三電容的一端,所述第五電阻的另一端接所述供電電源,所述第六電阻的另一端及所述第三電容的另一端共同接地。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述看門(mén)狗電路包括看門(mén)狗芯片、第十電容、第十一電容、第十電阻、第十一電阻、第十二電阻、第三電阻、第十二電容、第十四電阻、第十五電阻及第十六電阻;
所述第十電阻的一端連接所述供電電源,所述第十電阻的另一端與所述看門(mén)狗芯片的手動(dòng)復(fù)位引腳、第十電容及第十一電阻的一端相連,所述第十一端組的另一端與所述看門(mén)狗芯片的看門(mén)狗輸出引腳相連,所述第十電容的另一端接地;
所述第十一電容的一端與所述看門(mén)狗芯片的正電源端及所述供電電源相連,所述第一電容的另一端與所述看門(mén)狗芯片的接地端共同接地;所述第十三電阻的一端與所述看門(mén)狗芯片的電源監(jiān)控輸出引腳及第十二電阻的一端相連,所述第十三電阻的另一端與電源電壓端VCC2及第十二電容的一端相連,所述第十二電阻的另一端及第十二電容的另一端接地;
所述第十四電阻的一端與所述看門(mén)狗芯片的電源掉落信號(hào)輸出引腳相連,所述第十四電阻的另一端與所述供電電源及第十五電阻的一端相連,所述第十五電阻的另一端與所述看門(mén)狗芯片的復(fù)位輸出引腳相連,所述第十六電阻的一端與所述看門(mén)狗芯片的看門(mén)狗輸入引腳相連;
所述看門(mén)狗芯片的復(fù)位輸出引腳與所述MOS管開(kāi)關(guān)電路相連,所述看門(mén)狗芯片的看門(mén)狗輸入引腳與所述電流檢測(cè)電路相連。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述MOS管開(kāi)關(guān)電路包括第二十電容、第二十一電容、MOS管、第二十電阻、第四十一電阻、三極管、第二十一電阻、第二十二電容、第三十三電阻及第二十二電阻;
所述第二十電容的一端與所述二十一電容的一端及MOS管的漏極相連,所述第二十電容及第二十一電容的另一端共同接地,所述MOS管的源極接所述發(fā)射電源端及第二十電阻的一端,所述MOS管的柵極接所述三極管的集電極、第二十電阻及第四十一電阻的一端,所述第四十一電阻的另一端接所述三極管的基極及第二十一電阻的一端,所述三極管的發(fā)射極接地,所述第二十一電阻的另一端與所述第二十二電容、第二十三電阻、第二十二電阻的一端相連,所述第二十二電容及第三十三電阻的另一端共同接地,所述第二十二電阻的另一端與所述看門(mén)狗芯片的復(fù)位輸出引腳相連。
另一方面,根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法,應(yīng)用于如上所述的檢測(cè)裝置,包括:
電流檢測(cè)電路檢測(cè)光模塊的發(fā)射電源端的工作電流;
看門(mén)狗電路根據(jù)所述工作電流控制MOS管開(kāi)關(guān)電路的通斷。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,所述電流檢測(cè)電路檢測(cè)光模塊的發(fā)射電源端的工作電流包括:
采集光模塊采集光模塊的發(fā)射電源端的工作電流;
比較器將所述工作電流的平均值與預(yù)設(shè)門(mén)限值進(jìn)行比較,當(dāng)所述工作電流的平均值小于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值時(shí),則輸出方波信號(hào)至所述看門(mén)狗電路,當(dāng)所述工作電流的平均值大于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值,則輸出恒定電平信號(hào)至所述看門(mén)狗電路;
所述看門(mén)狗電路根據(jù)所述工作電流控制MOS管開(kāi)關(guān)電路的通斷包括:
看門(mén)狗電路根據(jù)所述方波信號(hào)輸出高電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路保持導(dǎo)通;
看門(mén)狗電路根據(jù)所述恒定電平信號(hào)輸出低電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明提供的基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法及裝置,通過(guò)電流檢測(cè)電路檢測(cè)光模塊的發(fā)射電源端的工作電流,再通過(guò)看門(mén)狗電路根據(jù)所述工作電流控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路的通斷。由于在光模塊處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),其工作電流是呈現(xiàn)恒定不變的狀態(tài)而且大于正常工作時(shí)的平均電流,所以,通過(guò)該檢測(cè)該工作電流可以更加準(zhǔn)確地判斷光模塊是否處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài),而且在長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),可以通過(guò)控制MOS管開(kāi)關(guān)電路斷開(kāi),進(jìn)而起到及時(shí)關(guān)斷長(zhǎng)發(fā)光的光模塊,避免對(duì)其他ONU設(shè)備造成影響。同時(shí),降低ONU的維護(hù)難度與成本。此外,本發(fā)明完全通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)、關(guān)斷電源,不再依賴(lài)CPU來(lái)判斷,檢測(cè)判斷及控制更加可靠。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置中電流檢測(cè)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置中看門(mén)狗電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置中MOS管開(kāi)關(guān)電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法的流程圖;
圖6是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法中步驟S10的流程圖;
圖7是本發(fā)明實(shí)施例基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法中步驟S20 的流程圖。
本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例,參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施方式
下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例,所述實(shí)施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的,旨在用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術(shù)語(yǔ)“中心”、“縱向”、“橫向”、“長(zhǎng)度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時(shí)針”、“逆時(shí)針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作,因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
此外,術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中,“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上,除非另有明確具體的限定。
在本發(fā)明中,除非另有明確的規(guī)定和限定,術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術(shù)語(yǔ)應(yīng)做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機(jī)械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過(guò)中間媒介間接相連,可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
參照?qǐng)D1所示,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)裝置,可以用于對(duì)ONU設(shè)備中的光模塊10是否處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè),并在檢測(cè)到處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),控制光模塊10的電源斷開(kāi)。其包括光模塊10、供電電源11、電流檢測(cè)電路12及看門(mén)狗電路14。
具體的,供電電源11通過(guò)一MOS管開(kāi)關(guān)電路13連接至所述光模塊10的發(fā)射電源端VCCT。電流檢測(cè)電路12連接于所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13和所述發(fā)射電源端VCCT之間,用以檢測(cè)所述發(fā)射電源端VCCT的工作電流??撮T(mén)狗電路14與所述電流檢測(cè)電路12及MOS管開(kāi)關(guān)電路13相連,用以根據(jù)所述工作電流控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13的通斷。
根據(jù)本發(fā)明提供的基于電流的ONU光模塊10長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法及裝置,通過(guò)電流檢測(cè)電路12檢測(cè)光模塊10的發(fā)射電源端VCCT的工作電流,再通過(guò)看門(mén)狗電路14根據(jù)所述工作電流控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13的通斷。由于光模塊10在正常工作狀態(tài)時(shí),光模塊10的發(fā)射電源端VCCT的工作電流時(shí)是周期變化的脈沖信號(hào),而在光模塊10處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),其工作電流是呈現(xiàn)恒定不變的狀態(tài)而且大于正常工作時(shí)的平均電流,所以,通過(guò)該檢測(cè)該工作電流可以更加準(zhǔn)確地判斷光模塊10是否處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài),而且在長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),可以通過(guò)控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi),進(jìn)而起到及時(shí)關(guān)斷長(zhǎng)發(fā)光的光模塊10,避免對(duì)其他ONU設(shè)備造成影響。同時(shí),降低ONU的維護(hù)難度與成本。此外,本發(fā)明完全通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)、關(guān)斷電源,不再依賴(lài)CPU15來(lái)判斷,檢測(cè)判斷及控制更加可靠。
參照?qǐng)D1所示,在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,還包括CPU15,所述CPU15的GPIO引腳與所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13相連,用以控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13的通斷。
需要說(shuō)明的是,該CPU15可以是ONU設(shè)備中的CPU15,例如PAS6301芯片等。
也就是說(shuō),本實(shí)施例中,也可以通過(guò)CPU15來(lái)人工控制MOS開(kāi)關(guān)電路的通斷,進(jìn)而關(guān)斷貨開(kāi)啟光模塊10的發(fā)送功能,有利于遠(yuǎn)程的故障診斷。
參照?qǐng)D2所示,在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,電流檢測(cè)電路12包括電流采樣模塊121及比較器U1,電流采樣模塊121用以采集所述發(fā)射電源端VCCT的工作電流;比較器U1與所述電流采樣模塊121,用以將所述工作電流的平均值與預(yù)設(shè)門(mén)限值進(jìn)行比較。
當(dāng)所述工作電流的平均值小于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值時(shí),則輸出方波信號(hào)至所述看門(mén)狗電路14,所述看門(mén)狗電路14根據(jù)所述方波信號(hào)輸出高電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13保持導(dǎo)通。當(dāng)所述工作電流的平均值大于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值,則輸出恒定電平信號(hào)至所述看門(mén)狗電路14,所述看門(mén)狗電路14根據(jù)所述恒定電平信號(hào)輸出低電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi)。
如上所述,由于光模塊10在正常工作狀態(tài)時(shí),光模塊10的發(fā)射電源端VCCT的工作電流時(shí)是周期變化的脈沖信號(hào)(方波脈沖),而在光模塊10出現(xiàn)長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),其工作電流是呈現(xiàn)恒定不變的狀態(tài)而且大于正常工作時(shí)的平均電流,因此,本實(shí)施例中,通過(guò)預(yù)先設(shè)置預(yù)設(shè)門(mén)限值,該預(yù)設(shè)門(mén)限值略大于正常工作時(shí)的平均電流即可,如此,比較器U1可以先根據(jù)電流采樣模塊121采集的工作電流計(jì)算在一個(gè)周期內(nèi)的平均值,將該工作電流的平均值與預(yù)設(shè)門(mén)限值進(jìn)行比較,只要工作電流的平均值低于預(yù)設(shè)門(mén)限值,則說(shuō)明該光模塊10處于正常工作狀態(tài),此時(shí),比較器U1輸出方波信號(hào)至看門(mén)狗電路14進(jìn)行喂狗,看門(mén)狗電路14則根據(jù)該方波信號(hào)保持高電平輸出,進(jìn)而控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13保持導(dǎo)通。而一旦工作電流的平均值大于預(yù)設(shè)門(mén)限值,則說(shuō)明該光模塊10處于長(zhǎng)發(fā)光模塊10,此時(shí),比較器U1輸出恒定電平信號(hào)至看門(mén)狗電路14停止喂狗,看門(mén)狗電路14則根據(jù)該恒定電平信號(hào)輸出低電平,進(jìn)而控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi),進(jìn)而切斷處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)的光模塊10的發(fā)射電源端VCCT的供電電源11。本實(shí)施例中,采用上述比較判斷方式,可以確保長(zhǎng)方光檢測(cè)更加可靠準(zhǔn)確,同時(shí),確??砷L(zhǎng)發(fā)光的光模塊10能夠被及時(shí)斷開(kāi)。
參照?qǐng)D2所示,在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中,電流采樣模塊121包括第一電阻R1、第二電阻R2及第一電容C1,其中,所述第一電阻R1的一端與所述供電電源11及所述比較器U1的第一反相輸入端IN1-相連,所述第一電阻R1的另一端與發(fā)射電源端VCCT及第二電阻R2的一端相連,所述第二電阻R2的另一端與所述比較器U1的第一同相輸入端IN1+及第一電容C1的一端相連,所述第一電容C1的另一端及所述比較器U1的接地端GND共同接地;比較器U1的第一輸出端Output1連接至一第四電阻R4的一端,所述第四電阻R4的另一端連接至一第三電阻R3及一第二電容C2的一端,所述第三電阻R3的另一端與所述供電電源11相連,所述第二電容C2的另一端接地;比較器U1的正電源端VCC連接至一電源電壓VDD,所述電源電壓VDD通過(guò)一第四電容C4接地,所述比較器U1的第二輸出端Output2連接至一第七電阻R7及一第五電容C5一端,所述第七電阻R7的另一端連接所述看門(mén)狗電路14,所述第五電容C5的另一端接地,所述比較器U1的第二反相輸入端IN2-與所述第二電容C2的所述一端相連,所述比較器U1的第二同相輸入端IN2+連接至一第五電阻R5、一第六電阻R6及一第三電容C3的一端,所述第五電阻R5的另一端接所述供電電源11,所述第六電阻R3的另一端及所述第三電容C3的另一端共同接地。
其中,由第一電阻R1、第二電阻R2及第一電容C1組成的電流采樣模塊121檢測(cè)光模塊10的發(fā)射電源端VCCT的工作電流之后,通過(guò)第一反相輸入端IN1-及第一正相輸入端IN1+輸入比較器U1,經(jīng)過(guò)比較器U1與預(yù)設(shè)門(mén)限值比較后,通過(guò)第二輸出端Output2輸出方波信號(hào)至看門(mén)狗電路14進(jìn)行喂狗操作,或者輸出恒定電平信號(hào)至看門(mén)狗電路14停止喂狗。
參照?qǐng)D3所示,看門(mén)狗電路14包括看門(mén)狗芯片U2、第十電容C10、第十一電容C11、第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12、第三電阻R3、第十二電容C12、第十四電阻R14、第十五電阻R15及第十六電阻R16;所述第十電阻R10的一端連接所述供電電源11,所述第十電阻R10的另一端與所述看門(mén)狗芯片U2的手動(dòng)復(fù)位引腳第十電容C10及第十一電阻R11的一端相連,所述第十一電阻R11的另一端與所述看門(mén)狗芯片U2的看門(mén)狗輸出引腳相連,所述第十電容C10的另一端接地;所述第十一電容C11的一端與所述看門(mén)狗芯片U2的正電源端VCC及所述供電電源11相連,所述第十一電容C1的另一端與所述看門(mén)狗芯片U2的接地端GND共同接地;所述第十三電阻R13的一端與所述看門(mén)狗芯片U2的電源監(jiān)控輸出引腳PFI及第十二電阻R12的一端相連,所述第十三電阻R13的另一端與電源電壓端VCC2及第十二電容C12的一端相連,所述第十二電阻R12的另一端及第十二電容R12的另一端接地;所述第十四電阻R14的一端與所述看門(mén)狗芯片U2的電源掉落信號(hào)輸出引腳相連,所述第十四電阻R14的另一端與所述供電電源11及第十五電阻R15的一端相連,所述第十五電阻R15的另一端與所述看門(mén)狗芯片U2的復(fù)位輸出引腳相連,所述第十六電阻R16的一端與所述看門(mén)狗芯片U2的看門(mén)狗輸入引腳WD相連;所述看門(mén)狗芯片U2的復(fù)位輸出引腳與所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13相連,所述看門(mén)狗芯片U2的看門(mén)狗輸入引腳WD與所述電流檢測(cè)電路12相連。
其中,看門(mén)狗芯片U2的看門(mén)狗輸入引腳WD接入比較器U1的第二輸出端Output2輸出方波信號(hào)或恒定電平信號(hào),對(duì)應(yīng)的,看門(mén)狗芯片U2的復(fù)位輸出引腳輸出高電平或低電平,進(jìn)而通過(guò)高電平控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13導(dǎo)通,通過(guò)低電平控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi)。
參照?qǐng)D4所示,MOS管開(kāi)關(guān)電路13包括第二十電容R20、第二十一電容R21、MOS管Q2、第二十電阻R20、第四十一電阻R41、三極管Q1、第二十一電阻R21、第二十二電容C22、第三十三電阻R33及第二十二電阻R22;所述第二十電容C20的一端與所述二十一電容C21的一端及MOS管Q2的漏極相連,所述第二十電容C20及第二十一電容C21的另一端共同接地,所述MOS管Q2的源極接所述發(fā)射電源端VCCT及第二十電阻R20的一端,所述MOS管Q2的柵極接所述三極管Q1的集電極、第二十電阻R20及第四十一電阻R41的一端,所述第四十一電阻R41的另一端接所述三極管Q1的基極及第二十一電阻R21的一端,所述三極管Q1的發(fā)射極接地,所述第二十一電阻R21的另一端與所述第二十二電容C22、第二十三電阻R23、第二十二電阻R22的一端相連,所述第二十二電容C22及第三十三電阻R33的另一端共同接地,所述第二十二電阻R22的另一端與所述看門(mén)狗芯片U2的復(fù)位輸出引腳相連。
當(dāng)?shù)诙娮鑂22的另一端接入高電平時(shí),則MOS管Q2導(dǎo)通,而當(dāng)?shù)诙娮鑂22的另一端接入低電平時(shí),則MOS管Q2斷開(kāi)。
參照?qǐng)D5所示,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法,應(yīng)用于如上述實(shí)施例所述的檢測(cè)裝置,包括:
S10、電流檢測(cè)電路12檢測(cè)光模塊的發(fā)射電源端VCCT的工作電流。
S20、看門(mén)狗電路14根據(jù)所述工作電流控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13的通斷。
參照?qǐng)D6及圖7所示,在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,步驟S10包括:
S101、采集光模塊采集光模塊的發(fā)射電源端VCCT的工作電流。
S102、比較器U1將所述工作電流的平均值與預(yù)設(shè)門(mén)限值進(jìn)行比較,當(dāng)所述工作電流的平均值小于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值時(shí),則輸出方波信號(hào)至所述看門(mén)狗電路14,當(dāng)所述工作電流的平均值大于所述預(yù)設(shè)門(mén)限值,則輸出恒定電平信號(hào)至所述看門(mén)狗電路14。
步驟S20包括:
S201、看門(mén)狗電路14根據(jù)所述方波信號(hào)輸出高電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13保持導(dǎo)通。
S202、看門(mén)狗電路14根據(jù)所述恒定電平信號(hào)輸出低電平至所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13,以使所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi)。
根據(jù)本發(fā)明提供的基于電流的ONU光模塊長(zhǎng)發(fā)光檢測(cè)方法,通過(guò)電流檢測(cè)電路12檢測(cè)光模塊的發(fā)射電源端VCCT的工作電流,再通過(guò)看門(mén)狗電路14根據(jù)所述工作電流控制所述MOS管開(kāi)關(guān)電路13的通斷。由于光模塊在正常工作狀態(tài)時(shí),光模塊的發(fā)射電源端VCCT的工作電流時(shí)是周期變化的脈沖信號(hào)(方波脈沖),而在光模塊處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),其工作電流是呈現(xiàn)恒定不變的狀態(tài)而且大于正常工作時(shí)的平均電流,所以,通過(guò)該檢測(cè)該工作電流可以更加準(zhǔn)確地判斷光模塊是否處于長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài),而且在長(zhǎng)發(fā)光狀態(tài)時(shí),可以通過(guò)控制MOS管開(kāi)關(guān)電路13斷開(kāi),進(jìn)而起到及時(shí)關(guān)斷長(zhǎng)發(fā)光的光模塊,避免對(duì)其他ONU設(shè)備造成影響。同時(shí),降低ONU的維護(hù)難度與成本。此外,本發(fā)明完全通過(guò)硬件電路實(shí)現(xiàn)電流檢測(cè)、關(guān)斷電源,不再依賴(lài)CPU來(lái)判斷,檢測(cè)判斷及控制更加可靠。
在本說(shuō)明書(shū)的描述中,參考術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書(shū)中,對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且,描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。
盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例,可以理解的是,上述實(shí)施例是示例性的,不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。