電平，然后通過連接器14發(fā)送至開關(guān)控制單元3 ;TD-LTE基帶同步裝置I通過收發(fā)模塊13接收來自DDS信號發(fā)生器2的頻點數(shù)據(jù)獲取信號，之后并依次通過電平轉(zhuǎn)換模塊12、收發(fā)模塊13將該經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換的載波頻點數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號發(fā)生器2。本實施例優(yōu)選的，接口模塊11采用型號為MINIPCIE 52PIN的接口芯片；電平轉(zhuǎn)換模塊12采用型號為ADG3308的電平轉(zhuǎn)換芯片；收發(fā)模塊13采用型號為SP3232ECA-L的收發(fā)芯片；連接器14模塊采用型號為2.0B0X90的連接器14。
[0024]DDS信號發(fā)生器2包括依次連接的MCU 2UDDS電路模塊22、變頻器23、低通濾波模塊24、混頻模塊25、高頻濾波模塊26和放大模塊27 ；MCU 21還與TD-LTE基帶同步裝置I連接；放大模塊27還與開關(guān)控制單元3連接。MCU 21驅(qū)動DDS電路模塊22工作，負(fù)責(zé)初始化DDS電路，控制發(fā)送頻點數(shù)據(jù)獲取信號至TD-LTE基帶同步裝置1，并接收來自TD-LTE基帶同步裝置I的載波信號和載波頻點數(shù)據(jù)，從而得到相應(yīng)頻點的載波信道信號，該相應(yīng)頻點的載波信道信號經(jīng)過變頻器23變?yōu)殡妷狠敵鲂盘?，由于其為低頻信號，需要經(jīng)過混頻模塊25混頻后才能得到需要的高頻信號，之后經(jīng)過高頻濾波模塊26進行高頻濾波，得到倍頻信號，最后經(jīng)過放大模塊27進行信號放大得到最終的輸出信號，再輸出至開關(guān)控制單元3。
[0025]本實施例優(yōu)選的，MCU 21的型號為STM32F100RC ；DDS電路采用型號為AD9910的DDS芯片；變頻器23的型號為ADTl-1WT ;放大模塊27采用型號為AG50的放大芯片。
[0026]另外，DDS信號發(fā)生器2中的低通濾波模塊24包括電感L1、電感L2、電感L3、電容Cl、電容C2、電容C3和電容C4 ;電感LI的一端和電容Cl的一端均與變頻器23連接；電感LI的另一端和電容C2的一端均與電感L2的一端連接；電感L2的另一端和電容C3的一端均與電感L3的一端連接；電感L3的另一端和電容C4的一端均與混頻模塊25連接；電容Cl的另一端、電容C2的另一端、電容C3的另一端、電容C4的另一端均接地。
[0027]TD-LTE功率放大器4包括兩級推動放大器和末級放大器34，具體的，包括依次連接的衰減模塊31、第一放大器32、第二放大器33、末級放大器34和隔離器35 ;衰減模塊31還與開關(guān)控制單元3連接。上述的第一放大器32和第二放大器33均為推動放大器。來自DDS信號發(fā)生器2的載波信道信號經(jīng)過TD-LTE功率放大器4進行一系列的功率放大后達到符合要求的功率，再經(jīng)過隔離后輸出。衰減模塊31采用型號為HSMP-3866的衰減器；所述第一放大器32的型號為AG50 ;第二放大器33的型號為麗7IC2725NBR1 ;所述末級放大器34的型號為BLF7G27L-140 ;隔離器35的型號為ISOLATER。
[0028]本發(fā)明的TD-LTE基帶同步裝置I采用基帶處理技術(shù)獲取時隙信號和載波信道信號，同步精度更高，給系統(tǒng)時隙窄帶精準(zhǔn)屏蔽提供技術(shù)條件，同步下行屏蔽而不影響上行，不干擾基站，干擾源采用DDS技術(shù)，頻率精準(zhǔn)，自動獲取載波屏蔽。
[0029]對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及形變，而所有的這些改變以及形變都應(yīng)該屬于本發(fā)明新型權(quán)利要求的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，包括TD-LTE基帶同步裝置、DDS信號發(fā)生器、開關(guān)控制單元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基帶同步裝置，用于接收時隙信號和載波信號，并將時隙信號發(fā)送至開關(guān)控制單元，將載波信號發(fā)送至DDS信號發(fā)生器，同時接收來自DDS信號發(fā)生器的頻點數(shù)據(jù)獲取信號從而根據(jù)數(shù)據(jù)獲取信號將載波頻點數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號發(fā)生器；所述DDS信號發(fā)生器，用于根據(jù)該載波頻點數(shù)據(jù)處理得到相應(yīng)頻點的輸出信號，并將該輸出信號發(fā)送至開關(guān)控制單元；所述開關(guān)控制單元，用于根據(jù)該時隙信號的高低電平實現(xiàn)開閉，以使當(dāng)時隙信號為高電平時對輸出信號進行傳輸至TD-LTE功率放大器，當(dāng)時隙信號為低電平時對輸出信號進行攔截；所述TD-LTE功率放大器，用于將來自開關(guān)控制單元的輸出信號進行功率放大后通過天線進行輸出。
2.如權(quán)利要求1所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述TD-LTE基帶同步裝置包括接口模塊、電平轉(zhuǎn)換模塊、收發(fā)模塊和連接器模塊；所述接口模塊、電平轉(zhuǎn)換模塊和收發(fā)模塊依次連接，所述和DDS信號發(fā)生器與收發(fā)模塊連接，所述開關(guān)控制單元和電平轉(zhuǎn)換模塊均與連接器模塊連接。
3.如權(quán)利要求2所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述接口模塊采用型號Sminipcie 52pin的接口芯片；所述電平轉(zhuǎn)換模塊采用型號為ADG3308的電平轉(zhuǎn)換芯片；所述收發(fā)模塊采用型號為SP3232ECA-L的收發(fā)芯片；所述連接器模塊采用型號為2.0B0X90的連接器。
4.如權(quán)利要求1所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述DDS信號發(fā)生器包括依次連接的MCU、DDS電路模塊、變頻器、低通濾波模塊、混頻模塊、高頻濾波模塊和放大模塊；所述MCU還與TD-LTE基帶同步裝置連接；所述放大模塊還與開關(guān)控制單元連接。
5.如權(quán)利要求4所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述MCU的型號為STM32F100RC ;所述DDS電路采用型號為AD9910的DDS芯片；所述變頻器的型號為ADTl-1ffT ;所述放大模塊采用型號為AG50的放大芯片。
6.如權(quán)利要求4所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述低通濾波模塊包括電感L1、電感L2、電感L3、電容Cl、電容C2、電容C3和電容C4 ;所述電感LI的一端和電容Cl的一端均與變頻器連接；所述電感LI的另一端和電容C2的一端均與電感L2的一端連接；所述電感L2的另一端和電容C3的一端均與電感L3的一端連接；所述電感L3的另一端和電容C4的一端均與混頻模塊連接；所述電容Cl的另一端、電容C2的另一端、電容C3的另一端、電容C4的另一端均接地。
7.如權(quán)利要求1所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述TD-LTE功率放大器包括依次連接的衰減模塊、第一放大器、第二放大器、末級放大器和隔離器；所述衰減模塊還與開關(guān)控制單元連接。
8.如權(quán)利要求7所述的TD-LTE下行信號干擾器，其特征在于，所述衰減模塊采用型號為HSMP-3866的衰減器；所述第一放大器的型號為AG50 ;所述第二放大器的型號為MW7IC2725NBR1 ;所述末級放大器的型號為BLF7G27L-140 ;所述隔離器的型號為ISOLATER。
【專利摘要】本發(fā)明涉及TD-LTE下行信號干擾器，包括TD-LTE基帶同步裝置、DDS信號發(fā)生器、開關(guān)控制單元和TD-LTE功率放大器；TD-LTE基帶同步裝置，用于接收時隙信號并將時隙信號發(fā)送至開關(guān)控制單元，同時接收來自DDS信號發(fā)生器的頻點數(shù)據(jù)獲取信號從而將載波頻點數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號發(fā)生器；DDS信號發(fā)生器用于根據(jù)該載波頻點數(shù)據(jù)處理得到輸出信號，并將該輸出信號發(fā)送至開關(guān)控制單元；開關(guān)控制單元用于根據(jù)該時隙信號的高低電平實現(xiàn)開閉，以使當(dāng)時隙信號為高電平時對輸出信號進行傳輸至TD-LTE功率放大器；TD-LTE功率放大器用于將來自開關(guān)控制單元的輸出信號功率放大后進行輸出。本發(fā)明根據(jù)當(dāng)前網(wǎng)絡(luò)信息，獲取載波信號，自動準(zhǔn)確屏蔽與系統(tǒng)載波相同的信道，只干擾下行而不影響基站通信正常。
【IPC分類】H04K3-00
【公開號】CN104753625
【申請?zhí)枴緾N201510157604
【發(fā)明人】吳麓峰, 蔣俊榮, 于平, 吳金字
【申請人】深圳市唐誠興業(yè)科技有限公司
【公開日】2015年7月1日
【申請日】2015年4月3日