半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造、超聲波模塊以及搭載有超聲波模塊的超聲波內(nèi)視鏡系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體元件與撓性基板連接的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造、超聲波模塊以及搭載有超聲波模塊的超聲波內(nèi)視鏡系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，公開有一種技術(shù)，在將具有內(nèi)導(dǎo)線以及基底膜的撓性基板與具有外部連接電極的基板進(jìn)行連接的半導(dǎo)體器件中，在該基板的側(cè)面?zhèn)韧ㄟ^粘合劑來粘合基底膜(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]此外，公開有一種技術(shù)，在具有攝像元件和撓性基板的攝像模塊中，通過具有沿著攝像元件的背面延伸的部分的引導(dǎo)部件，對上述攝像元件和上述撓性基板進(jìn)行固定(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本專利第4100965號公報
[0007]專利文獻(xiàn)2:日本特開2009-188802號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的課題
[0009]然而，近年來，半導(dǎo)體元件具有薄型化的趨勢，因此在側(cè)面進(jìn)行粘合的專利文獻(xiàn)I記載的技術(shù)中，有時粘合強(qiáng)度不充分。
[0010]另一方面，在專利文獻(xiàn)2的技術(shù)中，在作為引導(dǎo)部件而使用粘合劑的情況下，雖然通過沿著攝像元件的背面延伸的部分能夠擴(kuò)大粘合面積，但是由于粘合劑會繞到半導(dǎo)體元件表面，因此有可能對半導(dǎo)體元件的性能產(chǎn)生負(fù)面影響。
[0011]本發(fā)明是鑒于上述情況而進(jìn)行的，其目的在于提供一種半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造，能夠不對半導(dǎo)體元件的性能產(chǎn)生影響，而通過簡單的方法提高粘合強(qiáng)度。
[0012]用于解決課題的手段
[0013]為了解決上述課題并實現(xiàn)目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，具備:半導(dǎo)體元件，形成板狀，在表面具有外部連接電極；支撐部件，層疊于上述半導(dǎo)體元件而與上述半導(dǎo)體元件粘合，粘合面成為與上述半導(dǎo)體元件大致相同形狀的柱狀，層疊方向的厚度比上述半導(dǎo)體元件厚；以及撓性基板，與上述外部連接電極連接，上述撓性基板配置于上述半導(dǎo)體元件以及上述支撐部件的側(cè)面，并且通過粘合劑與上述支撐部件粘合。
[0014]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，在上述支撐部件的與上述半導(dǎo)體元件粘合的粘合面附近設(shè)置有粘合劑存積部。
[0015]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，上述支撐部件的粘合面的不與上述撓性基板相接的邊的長度，比上述半導(dǎo)體元件的不與上述撓性基板相接的邊的長度短。
[0016]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，在上述支撐部件和上述撓性基板上形成有對準(zhǔn)標(biāo)記。
[0017]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，在上述支撐部件形成有電路。
[0018]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，上述對準(zhǔn)標(biāo)記為電極。
[0019]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，上述支撐部件具有中空部。
[0020]此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的特征在于，在上述發(fā)明中，上述半導(dǎo)體元件為超聲波振子，在上述支撐部件內(nèi)部的中空部配置對超聲波的傳播進(jìn)行吸收的襯底材料。
[0021]此外，本發(fā)明的超聲波模塊的特征在于，具備:多個超聲波元件，在表面具有外部連接電極，成為棱柱狀；支撐部件，層疊于在與長邊方向正交的方向上排列有多個的上述多個超聲波振子而與該超聲波元件粘合，層疊方向的厚度比上述超聲波振子厚；以及撓性基板，與上述外部連接電極連接，上述撓性基板配置在上述超聲波振子以及上述支撐部件的側(cè)面，并且通過粘合劑與上述支撐部件粘合。
[0022]此外，本發(fā)明的超聲波內(nèi)視鏡系統(tǒng)的特征在于，在前端部搭載有上述超聲波模塊。
[0023]發(fā)明的效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明，通過將配置在半導(dǎo)體元件以及支撐部件的側(cè)面的撓性基板、與層疊于半導(dǎo)體元件而粘合的支撐部件進(jìn)行粘合，由此能夠不對半導(dǎo)體元件的性能產(chǎn)生影響而提高粘合強(qiáng)度。
【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。
[0026]圖2是圖1的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的A-A線截面圖。
[0027]圖3是本發(fā)明的實施方式I的變形例I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。
[0028]圖4是圖3的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的B-B線截面圖。
[0029]圖5是本發(fā)明的實施方式I的變形例2的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的截面圖。
[0030]圖6是本發(fā)明的實施方式I的變形例3的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的截面圖。
[0031]圖7是本發(fā)明的實施方式2的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。
[0032]圖8是圖7的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的C-C線截面圖。
[0033]圖9是本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。
[0034]圖10是表示本發(fā)明的實施方式3的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的撓性基板粘合前的構(gòu)造的立體圖。
[0035]圖11是圖9的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的D-D線截面圖。
[0036]圖12是對本發(fā)明的實施方式3的變形例的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造進(jìn)行說明的立體圖。
[0037]圖13是本發(fā)明的實施方式4的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。
[0038]圖14是圖13的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的E-E線截面圖。
[0039]圖15是本發(fā)明的實施方式4的變形例的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的截面圖。
[0040]圖16是表示本發(fā)明的實施方式5的超聲波模塊所使用的超聲波振子的構(gòu)成的示意圖。
[0041]圖17是示意性地表示本發(fā)明的實施方式5的超聲波模塊的立體圖。
[0042]圖18是使用了超聲波模塊的超聲波內(nèi)視鏡系統(tǒng)的整體構(gòu)成圖。
[0043]圖19是表示圖18的超聲波內(nèi)視鏡系統(tǒng)的插入部的前端部的構(gòu)造的圖。
[0044]圖20是表示圖19的前端部的超聲波模塊的構(gòu)造的圖。
【具體實施方式】
[0045]以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式(以下，稱為“實施方式”)進(jìn)行說明。此夕卜，不通過該實施方式來限定本發(fā)明。此外，在附圖的記載中，對于相同部分賦予相同的符號。此外，附圖是示意圖，需要留意各部件的厚度與寬度的關(guān)系、各部件的比率等與現(xiàn)實不同。即使在附圖的相互間，也包括相互的尺寸的關(guān)系、比率不同的部分。
[0046](實施方式I)
[0047]圖1是本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。圖2是圖1的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的A-A線截面圖。本發(fā)明的實施方式I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造100具備硅襯底1、支撐部件2以及撓性基板3。
[0048]硅襯底I成為板狀，在表面具備外部連接電極4。在圖1中表示具有2個外部連接電極4的硅襯底1，但外部連接電極4的數(shù)量不限定于此。此外，硅襯底I包含于本發(fā)明的半導(dǎo)體元件。
[0049]支撐部件2層疊于硅襯底I而與硅襯底I粘合，支撐部件2的與硅襯底I粘合的粘合面，為與硅襯底I的粘合面大致相同形狀的柱狀。在本實施方式I中，支撐部件2的層疊方向的厚度形成為比硅襯底I的層疊方向的厚度更厚。支撐部件2的厚度優(yōu)選為0.5mm程度以上的厚度。
[0050]支撐部件2例如由樹脂等形成，將加工為規(guī)定形狀的支撐部件2通過粘合劑與硅襯底I層疊而粘合?；蛘?，也可以在使未固化的樹脂固化而形成支撐部件2時，與硅襯底I粘合。此外，支撐部件2的材料只要是能夠擔(dān)保絕緣性的材料，則不限定于樹脂。
[0051]撓性基板3在內(nèi)部具有內(nèi)導(dǎo)線5，通過能夠彎曲的絕緣性薄膜6覆蓋內(nèi)導(dǎo)線5而成。撓性基板3配置在硅襯底I以及支撐部件2的側(cè)面，將未被絕緣性薄膜6覆蓋的內(nèi)導(dǎo)線5折彎，由此與硅襯底I的外部連接電極4連接。內(nèi)導(dǎo)線5與外部連接電極4的連接例如通過焊錫那樣的導(dǎo)電性接合材料來電連接。
[0052]支撐部件2與撓性基板3通過粘合劑7粘合。在本實施方式I中，將支撐部件2的層疊方向的厚度形成得厚于硅襯底I的層疊方向的厚度，因此粘合面積變大，能夠使固定強(qiáng)度提尚。
[0053]此外，在本實施方式I中，未將硅襯底I的側(cè)面與撓性基板3進(jìn)行粘合，因此粘合劑7不會繞到硅襯底I的表面，不會對硅襯底I的性能產(chǎn)生影響。
[0054]在上述實施方式I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造100中，在硅襯底I的一個側(cè)面配置撓性基板3并進(jìn)行連接，但在對置的2個側(cè)面配置個別的撓性基板3而不進(jìn)行連接。
[0055]圖3是本發(fā)明的實施方式I的變形例I的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的立體圖。圖4是圖3的半導(dǎo)體器件連接構(gòu)造的B-B