par和第二電容120Cfd，第一電容110將電源信號(hào)的電源噪聲耦合至浮置擴(kuò)散區(qū) FD，并通過(guò)源跟隨晶體管100輸出至第一子輸出端pxda。第一噪聲通路還包括有：偏置模塊 200、增益模塊300。偏置模塊200包括：第一晶體管201、第二晶體管202,第一晶體管201 的第一端2011接源跟隨晶體管100的第三端1003,第一晶體管201的第二端2012接第二 晶體管202的第一端2021，第二晶體管202的第二端2022接地，第二晶體管202的第三端 2023接偏置電容210。增益模塊300包括：第三晶體管301、第四晶體管302、第五晶體管 303、第六晶體管304、第三電容310、第四電容320、第五電容330。其中，第三電容310的第 一極連接有寄生的列電容130Ccol，第三電容310的第二級(jí)連接于第四電容320的第一級(jí)， 第四電容320的第二級(jí)連接第二子節(jié)點(diǎn)340,第二子節(jié)點(diǎn)340分別連接第四晶體管302的第 二端3022與第五晶體管303的第一端3031，第三晶體管301的第一端3011接第四晶體管 302的第一端3021，第五晶體管303的第二端3032接第六晶體管304的第一端3041，第六 晶體管304的第二端3042接地，第二子節(jié)點(diǎn)340接輸出端Pxdo并接第四電容330。在第一 噪聲通路中通過(guò)第一電容110與第二電容120的比值計(jì)算出第一輸出噪聲信號(hào)的增益。在 本實(shí)施例中源跟隨晶體管100、第一晶體管201、第二晶體管202、第五晶體管303、第六晶體 管304為NMOS晶體管。第三晶體管301、第四晶體管302為PMOS晶體管。
[0029] 請(qǐng)參見(jiàn)圖2,在第二噪聲通路中，包括：比例調(diào)節(jié)模塊400,比例調(diào)節(jié)模塊400連接 至偏置模塊200的第一節(jié)點(diǎn)nbd410,偏置模塊200連接至源跟隨晶體管100的第三端1003 及第一子輸出端Pxda再連接至增益模塊300。在本實(shí)施例中比例調(diào)節(jié)模塊400為電容調(diào) 節(jié)模塊，電容調(diào)節(jié)模塊的第一端401接源跟隨晶體管100的電源信號(hào)VPIX;電容調(diào)節(jié)模塊 包括：選擇控制電容組420和偏置電容430,所述電源信號(hào)經(jīng)選擇控制電容組420接第二端 402 ;偏置電容430的一端接第二端402,另一端接地。選擇控制電容組420由若干并聯(lián)的電 容組成，每一支路分別設(shè)置有開(kāi)關(guān)適于控制每一電容通路的導(dǎo)通，每一支路的電容值按照2 倍的比例設(shè)置，調(diào)節(jié)選擇控制電容組的等效電容的大小接續(xù)調(diào)節(jié)等效電容與偏置電容430 的比值，進(jìn)而調(diào)節(jié)第二輸出噪聲信號(hào)。其中，電容組等效電容與偏置電容的比值為1:10至 1:20之間。
[0030] 請(qǐng)同時(shí)參考圖1、圖2 ;通過(guò)第一電容110與第二電容120的比值計(jì)算出第一輸出 噪聲信號(hào)的增益；通過(guò)電容組等效電容與偏置電容430的比值計(jì)算出第二輸出噪聲信號(hào)的 增益，第一輸出噪聲信號(hào)的增益與第二輸出噪聲信號(hào)的增益相同，相位相反以相互抵消。
[0031] 第一輸出噪聲信號(hào)的增益為：
其中，Cpar為第一電容，Cfd為第二電容，Cnoican為電容組等效電容，Cbias為偏置電 容，這樣，源跟隨晶體管上的所加的電源噪聲通過(guò)兩個(gè)通路到達(dá)輸出端pxdo處，其幅值大 小一樣，符號(hào)相反，在輸出端Pxdo處相互抵消，起到抑制像素單元供電電源噪聲的目的。
[0032] 第二實(shí)施例： 請(qǐng)參考圖3、圖4,圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例中涉及的第一噪聲通路的電路示意圖。圖 4為本發(fā)明第二實(shí)施例中涉及的第二噪聲通路的電路示意圖。圖3中，圖像傳感器像素單元 的源跟隨晶體管100的第一端1001接電源信號(hào)，源跟隨晶體管100的第二端1002接浮置 擴(kuò)散區(qū)FD，源跟隨晶體管100的第三端1003接偏置模塊200及第一子輸出端pxda，第一 噪聲通路還包括有增益模塊；其中第一噪聲通路還包括：連接于源跟隨晶體管的第一電容 IlOCpar和第二電容120Cfd，第一電容110將電源信號(hào)的電源噪聲耦合至浮置擴(kuò)散區(qū)FD， 并通過(guò)源跟隨晶體管100輸出至第一子輸出端pxda連接。第一噪聲通路還包括有：偏置模 塊200、增益模塊300。偏置模塊200包括：第一晶體管201、第二晶體管202,第一晶體管 201的第一端2011接源跟隨晶體管100的第三端1003,第一晶體管201的第二端1002接 第二晶體管202的第一端2021，第二晶體管202的第二端接地，第二晶體管202的第三端接 偏置電容210。增益模塊300包括：第三晶體管301、第四晶體管302、第五晶體管303、第六 晶體管304、第三電容310、第四電容320、第五電容330。其中，第三電容310的第一極連接 有寄生的列電容130Ccol，第三電容310的第二級(jí)連接于第四電容320的第一級(jí)，第四電容 320的第二級(jí)連接第二子節(jié)點(diǎn)340,第二子節(jié)點(diǎn)340分別連接第四晶體管302的第二端3022 與第五晶體管303的第一端3031，第三晶體管301的第一端3011接第四晶體管302的第一 端3021，第五晶體管303的第二端3032接第六晶體管304的第一端3041，第六晶體管304 的第二端3042接地，第二子節(jié)點(diǎn)接輸出端Pxdo并接第四電容330。在第一噪聲通路中通過(guò) 第一電容110與第二電容120的比值計(jì)算出第一輸出噪聲信號(hào)的增益。在本實(shí)施例中源跟 隨晶體管100、第一晶體管201、第二晶體管202、第五晶體管303、第六晶體管304為NMOS 晶體管。第三晶體管301、第四晶體管302為PMOS晶體管。
[0033] 請(qǐng)參見(jiàn)圖4,在第二噪聲通路中，包括：比例調(diào)節(jié)模塊400,比例調(diào)節(jié)模塊400連接 至增益模塊300。在本實(shí)施例中比例調(diào)節(jié)模塊400為電容調(diào)節(jié)模塊，電容調(diào)節(jié)模塊的第一 端401接源跟隨晶體管100的電源信號(hào)；電容調(diào)節(jié)模塊包括：選擇控制電容組420和偏置 電容430,所述電源信號(hào)經(jīng)選擇控制電容組420接第二端402 ;偏置電容430的一端接第二 端402,另一端接地。選擇控制電容組420由若干并聯(lián)的電容組成，每一支路分別設(shè)置有開(kāi) 關(guān)適于控制每一電容通路的導(dǎo)通，每一支路的電容值按照2倍的比例設(shè)置，調(diào)節(jié)選擇控制 電容組的等效電容的大小接續(xù)調(diào)節(jié)等效電容與偏置電容430的比值，進(jìn)而調(diào)節(jié)第二輸出噪 聲信號(hào)。其中，電容組等效電容與偏置電容430的比值為1:10至1:20之間。還包括反相 模塊，第二端連接至反相模塊500進(jìn)一步連接至增益模塊300,反相模塊包括：第七晶體管 501、第八晶體管502,所述第二端402接第七晶體管501的柵極，所述第七晶體管501的源 級(jí)接地，漏極接第八晶體管502的漏極，所述八晶體管502的源級(jí)接電源信號(hào)，所述第八晶 體管502的柵極接反相輸出信號(hào)至增益模塊300。
[0034] 請(qǐng)同時(shí)參考圖3、圖4 ;通過(guò)第一電容110與第二電容120的比值計(jì)算出第一輸出 噪聲信號(hào)的增益；通過(guò)電容組等效電容與偏置電容430的比值計(jì)算出第二輸出噪聲信號(hào)的 增益，第一輸出噪聲信號(hào)的增益與第二輸出噪聲信號(hào)的增益相同，相位相反以相互抵消。
[0035] 第一輸出噪聲信號(hào)的增益為：
因?yàn)榈诹w管304、第七晶體管501電流及尺寸相等；第三晶體管301、第八晶體管 502的電流及尺寸相等，所以

其中，Cpar為第一電容，Cfd為第二電容，Cnoican為電容組等效電容，Cbias為偏置電 容，這樣，源跟隨晶體管上的所加的電源噪聲通過(guò)兩個(gè)通路到達(dá)輸出端pxdo處，其幅值大 小一樣，符號(hào)相反，在輸出端Pxdo處相互抵消，起到抑制像素單元供電電源噪聲的目的。
[0036] 第三實(shí)施例： 請(qǐng)參考圖5、圖6,圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例中涉及的第一噪聲通路的電路示意圖。圖 6為本發(fā)明第三實(shí)施例中涉及的第二噪聲通路的電路示意圖。圖5中，圖像傳感器像素單元 的源跟隨晶體管100的第一端1001接電源信號(hào)VPIX，源跟隨晶體管100的第二端1002接浮 置擴(kuò)散區(qū)FD，源跟隨晶體管100的第三端1003接偏置模塊200及第一子輸出端pxda;其中 第一噪聲通路還包括：連接于源跟隨晶體管100的第一電容IlOCpar和第二電容120Cfd， 第一電容110將電源信號(hào)的電源噪聲耦合至浮置擴(kuò)散區(qū)FD，并通過(guò)源跟隨晶體管100輸出 至第一子輸出端pxda連接。第一噪聲通路還包括有：偏置模塊200、比較器600。偏置模塊 200包括：第一晶體管201、第二晶體管202,第一晶體管201的第一端2011接源跟隨晶體管 100的第三端1003,第一晶體管201的第二端1002接第二晶體管202的第一端2021，第二 晶體管202的第二端接地，第二晶體管202的第三端接偏置電容210。比較器包括：第九晶 體管601、第十晶體管602、第十一晶體管603、第十二晶體管604、第十三晶體管605、第十四 晶體管606。其中，比較器第一端6