硅。
[0082]上述第二導(dǎo)電材料層18的材質(zhì)為多晶硅，其它實(shí)施例中，也可以為金屬，例如銅、
TP -Tf- O
[0083]本步驟中，如圖8所示，第四通孔24底壁、側(cè)壁及通孔24外的第三犧牲層16上也形成了第二導(dǎo)電層18，上述通孔24及底壁、側(cè)壁附著的第二導(dǎo)電層18形成了導(dǎo)電插塞26(參見圖1所示)。
[0084]參照圖9所示，在所述第二導(dǎo)電材料層18 (參見圖8所示)上、第三凹槽160 (參見圖8所示)以及第一通孔17 (參見圖8所示)內(nèi)形成鈍化層19，圖形化所述鈍化層19分別形成暴露可動敏感薄膜的第二通孔20、暴露固定電極的第三通孔21以及若干聲音傳輸通道開孔22。
[0085]本實(shí)施例中鈍化層19的材質(zhì)為氮化硅，該層材質(zhì)需不同于第一犧牲材料層12、第二犧牲材料層15以及第三犧牲材料層16的材質(zhì)。
[0086]參照圖10所示，至少在所述第二通孔20與第三通孔21底部、側(cè)壁及通孔外的鈍化層19上形成第三導(dǎo)電材料層23，以分別形成引出可動敏感薄膜和固定電極電信號的接觸電極。
[0087]第三導(dǎo)電材料層23的材質(zhì)例如為銅、鉻、金等。上述僅在第二通孔20與第三通孔21底部、側(cè)壁形成第三導(dǎo)電材料層23是基于成本考慮，當(dāng)然，也可以在第二通孔20與第三通孔21內(nèi)填滿上述第三導(dǎo)電材料層23。
[0088]參照圖11所示，從所述襯底10的背面形成貫穿所述襯底10的開口，以形成聲音傳輸通道開口 25,所述聲音傳輸通道開口 25與所述若干聲音傳輸通道開孔22相對。
[0089]在形成聲音傳輸通道開口 25時,襯底10的背面優(yōu)選先形成一層氧化娃層(未圖示)，以保護(hù)非刻蝕區(qū)域。在上述刻蝕過程中，第一材料層11的第二部分112為刻蝕終止層。
[0090]對于殘余的第一材料層11的第二部分112，經(jīng)聲音傳輸通道開口 25腐蝕去除，例如對于多晶硅第二部分112，采用金屬堿溶液去除。
[0091]參照圖1所示，經(jīng)聲音傳輸通道開孔22至少腐蝕第三犧牲材料層16、第二犧牲材料層15，以及第一犧牲材料層12，以形成空腔30釋放可動敏感薄膜，所述可動敏感薄膜為單臂梁14’，所述單臂梁14’的自由端靠近端頭區(qū)域具有被絕緣層13覆蓋的第一凸起141，以隔絕所述空腔30內(nèi)壁的靜電荷傳輸至所述單臂梁14’。
[0092]上述腐蝕液例如為HF酸。當(dāng)然，腐蝕去除第一犧牲材料層12后，還可以繼續(xù)腐蝕單臂梁14’固定端的第二犧牲材料層15、第三犧牲材料層16，僅由鈍化層19支撐該單臂梁14’的固定端。
[0093]雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種MEMS麥克風(fēng)，包括: 空腔； 形成在所述空腔內(nèi)的固定電極與可動敏感薄膜； 其特征在于，所述可動敏感薄膜為一端固定，另一端懸空的單臂梁，所述單臂梁的自由端靠近端頭區(qū)域具有被絕緣層覆蓋的第一凸起，以隔絕所述空腔內(nèi)壁的靜電荷傳輸至所述單臂梁。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述單臂梁的自由端端頭與第一凸起之間的區(qū)域也覆蓋有絕緣層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述空腔包括前腔與后腔，所述空腔的頂壁、部分側(cè)壁以及所述單臂梁圍合成所述前腔，半導(dǎo)體襯底、部分空腔側(cè)壁以及所述單臂梁圍合成所述后腔，所述空腔的頂壁形成有若干聲音傳輸通道開孔，所述固定電極位于所述空腔的頂壁，所述襯底上形成有聲音傳輸通道開口，所述單臂梁上的第一凸起與所述襯底的表面相對。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述襯底上還具有第二凸起，所述第二凸起與所述單臂梁的自由端的端頭相對。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，還包括將襯底接地的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞為所述空腔側(cè)壁。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MEMS麥克風(fēng)，其特征在于，所述可動敏感薄膜與固定電極的電信號通過空腔頂部的電連接結(jié)構(gòu)引出。8.—種MEMS麥克風(fēng)的形成方法，其特征在于，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底正面具有第一犧牲材料層，所述第一犧牲材料層表面具有第一凹槽； 在所述第一凹槽的底壁及側(cè)壁形成絕緣層； 在所述絕緣層及部分區(qū)域的第一犧牲材料層上形成第一導(dǎo)電材料層，所述第一導(dǎo)電材料層用于形成可動敏感薄膜，所述可動敏感薄膜在對應(yīng)第一凹槽處形成第一凸起； 在所述第一犧牲材料層以及第一導(dǎo)電材料層上形成第二犧牲材料層，所述第二犧牲層至少在預(yù)定形成聲音傳輸通道開孔的區(qū)域具有若干第二凹槽； 在所述第二犧牲材料層上以及第二凹槽內(nèi)形成第三犧牲材料層，所述第三犧牲材料層表面具有對應(yīng)所述第二凹槽的第三凹槽； 刻蝕所述第二犧牲材料層與第三犧牲材料層形成暴露所述第一導(dǎo)電材料層一端的第一通孔； 在所述第三凹槽外的第三犧牲材料層上形成第二導(dǎo)電材料層，在預(yù)定形成聲音傳輸通道開孔的區(qū)域去除所述第二導(dǎo)電材料層，所述第二導(dǎo)電材料層用于形成固定電極； 在所述第二導(dǎo)電材料層上、第三凹槽以及第一通孔內(nèi)形成鈍化層，圖形化所述鈍化層分別形成暴露可動敏感薄膜的第二通孔、暴露固定電極的第三通孔以及若干聲音傳輸通道開孔； 至少在所述第二通孔與第三通孔底部、側(cè)壁及通孔外的鈍化層上形成第三導(dǎo)電材料層，以分別形成引出可動敏感薄膜和固定電極電信號的接觸電極； 從所述襯底的背面形成貫穿所述襯底的開口，以形成聲音傳輸通道開口，所述聲音傳輸通道開口與所述若干聲音傳輸通道開孔相對； 經(jīng)聲音傳輸通道開孔至少腐蝕第三犧牲材料層、第二犧牲材料層，以及第一犧牲材料層，以形成空腔釋放可動敏感薄膜，所述可動敏感薄膜為單臂梁，所述單臂梁的自由端靠近端頭區(qū)域具有被絕緣層覆蓋的第一凸起，以隔絕所述空腔內(nèi)壁的靜電荷傳輸至所述單臂M ο9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述第一凹槽的底壁及側(cè)壁形成絕緣層時，還在所述第一凹槽開口處的第一犧牲材料層上形成絕緣層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的形成方法，其特征在于，所提供的半導(dǎo)體襯底正面還形成有包括第一部分的第一材料層，所述第一部分形成第二凸起，所述第二凸起與所述單臂梁的自由端的端頭相對。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，所提供的半導(dǎo)體襯底正面形成有包括第二部分的第一材料層，所述第二部分對應(yīng)所述襯底的預(yù)定形成聲音傳輸通道開口。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層還在預(yù)定形成暴露襯底的通孔區(qū)域具有第二凹槽，刻蝕形成所述第一通孔同時，還刻蝕所述第三犧牲材料層與所述第一犧牲材料層，形成暴露所述襯底的第四通孔，在形成所述第二導(dǎo)電材料層同時，所述第四通孔底壁、側(cè)壁及通孔外的第三犧牲層上形成第二導(dǎo)電層。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，刻蝕形成所述第一通孔后，還在所述第一通孔底壁、側(cè)壁及第三犧牲層上形成黏附材料層，所述黏附材料層用于黏附所述第三犧牲材料層與后續(xù)形成在其上的第二導(dǎo)電材料層。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的形成方法，其特征在于，刻蝕形成所述第一通孔以及第四通孔后，還在所述第一通孔與第四通孔的底壁、側(cè)壁及第三犧牲層上形成黏附材料層，并去除所述第四通孔底壁的所述黏附材料層，所述黏附材料層用于黏附所述第三犧牲材料層與后續(xù)形成在其上的第二導(dǎo)電材料層。15.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的形成方法，其特征在于，所述第一材料層材質(zhì)為多晶硅。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的形成方法，其特征在于，經(jīng)聲音傳輸通道開口腐蝕所述第一材料層的第二部分。
【專利摘要】一種MEMS麥克風(fēng)及其形成方法。本發(fā)明在作為可動敏感薄膜的單臂梁靠近自由端區(qū)域上設(shè)置第一凸起，以減小該單臂梁與空腔內(nèi)其它部件接觸的幾率，此外，上述第一凸起上還覆蓋有絕緣層，使得即使該第一凸起與其它部件由于靜電吸附接觸后，靜電荷不會通過可動敏感薄膜釋放，因而避免了MEMS麥克風(fēng)中噪聲的產(chǎn)生。
【IPC分類】H04R19/04, H04R31/00
【公開號】CN104980858
【申請?zhí)枴緾N201410131408
【發(fā)明人】劉國安, 徐偉, 劉煊杰
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2015年10月14日
【申請日】2014年4月2日