-DPCCH 與第二導頻所在的DPCCH功率的比值；
[0135] 或者，
[0136] 計算模塊401可以用于根據(jù) 導頻為基準的E-DPCCH的第二增益因子β %liUq，其中，ec表示第二增益因子為E-DPCCH的 增益因子，i表示采用第二增益因子的E-DPCCH對應的E-DroCH采用格式為第i個E-TFC，uq 表示增益因子未量化，β。2表示第二導頻所在的DPCCH的增益因子，k_ i表示第i個E-TFC 的碼道數(shù)，k表示E-TFC的碼道索引，β ed&k表示第i個E-TFC的第k個碼道對應的增益因 子，用于E-DTOCH的功率配置，Λ T2TP是高層下發(fā)參數(shù)，表示數(shù)據(jù)業(yè)務功率與總導頻功率的比 值，是高層下發(fā)的第二導頻的幅度參數(shù)，表示E-DPCCH與第二導頻所在的DPCCH功 率的比值。
[0137] 處理模塊402,用于根據(jù)第一增益因子和第二增益因子按照預設規(guī)則確定目標增 益因子。
[0138] 舉例來說，處理模塊402可以用于比較第一增益因子和第二增益因子，確定大的 增益因子作為目標增益因子可以是是下述四種情況：
[0139] 處理模塊402可以用于若第一增益因子為 第二增益因子為β%= ?^2·Α^，則確定目標增益因子

[0143] 發(fā)射模塊403,用于根據(jù)目標增益因子確定發(fā)射功率，并按照發(fā)射功率發(fā)射 E-DPCOL
[0144] 本發(fā)明實施例提供的UE，增強專用物理信道的發(fā)射方法包括E-DPCCH的發(fā)射方 法，適用于上行雙導頻發(fā)射，雙導頻包括第一導頻和第二導頻，該方法包括：以第一導頻為 基準計算E-DPCCH的第一增益因子，以第二導頻為基準計算E-DPCCH的第二增益因子；根 據(jù)第一增益因子和第二增益因子按照預設規(guī)則確定目標增益因子；根據(jù)目標增益因子確定 發(fā)射功率，并按照發(fā)射功率發(fā)射E-DPCCH。這樣一來，通過第一導頻和第二導頻為基準分 別得到滿足boosting的限制配置的功率時宏站正確接收E-DroCH的條件和宏站正確接收 E-DPCCH的條件，再根據(jù)預設規(guī)則確定一個目標增益因子來同時滿足boosting的限制配置 的功率時宏站正確接收E-DroCH的條件和宏站正確接收E-DPCCH的條件。
[0145] 圖5為本發(fā)明實施例提供的另一 UE的結構TK意圖，如圖5所7K，UE50用于發(fā)射 E-DPCCH和E-DroCH，其中，發(fā)射的E-DroCH中包含SI，如圖5所示，UE50適用于上行雙導頻 發(fā)射，雙導頻包括第一導頻和第二導頻，UE50包括：計算模塊501、確定模塊502、處理模塊 503和發(fā)射模塊504。
[0146] 計算模塊501，用于以第二導頻為基準計算E-DPCCH的第二增益因子。
[0147] 確定模塊502,用于根據(jù)E-DroCH上承載的信息內容，確定用于計算E-DroCH的 第三增益因子的導頻為第一導頻或第二導頻，并使得計算模塊501基于確定的導頻計算 E-DroCH的第三增益因子。
[0148] 進一步地，確定模塊502,具體用于若E-DroCH中包含調度信息SI，則確定用于計 算E-DTOCH的第三增益因子的導頻為第二導頻，并使得計算模塊501基于第二導頻導頻計 算E-DroCH的第三增益因子。
[0149] 舉例來說，計算模塊501可以用于根據(jù)
計算以第二導頻為基準的E-DPCCH的第 二增益因子β %liUq，其中，ec表示第二增益因子為E-DPCCH的增益因子，i采用第二增益因 子的E-DPCCH對應的E-DroCH采用格式為第i個E-TFC，uq表示增益因子未量化，β。2表示 第二導頻所在的DPCCH的增益因子，k_ i表示第i個E-TFC的碼道數(shù)，k表示E-TFC的碼道 索引，β edilik表示第i個E-TFC的第k個碼道對應的第一增益因子，用于E-DroCH的功率配 置，Λ胃是高層下發(fā)參數(shù)，表示數(shù)據(jù)業(yè)務功率與總導頻功率的比值，是高層下發(fā)的第二 導頻的幅度參數(shù)，表示E-DPCCH與第二導頻所在的DPCCH功率的比值。
[0151] 進一步地，計算模塊301還可以用于根據(jù)外插公式
:計算以第二導頻為基準的E-DroCH的第三增益因子 β edlIh_，3 4 表示第i個E-TFC對應的E-DroCH的增益因子，外插公式采用位于待插值 的第i個E-TFC前后的參考E-TFC作為目標參考E-TFC，其中，β ed#f為針對每個目標參考 E-TFC利用公式β ed，raf = β。2 · Aed2得到的參考增益因子，Lq表示第i個目標參考E-TFC 的碼道數(shù)，Keii表示第i個目標參考E-TFC的碼塊大小，Leiraf為目標參考E-TFC的碼道數(shù)， 為目標參考E-TFC的碼塊大小，Aharq為高層下發(fā)的參數(shù)，
[0152] 參考E-TFC由網(wǎng)絡側下發(fā)，β c2表示第二導頻所在的DPCCH的增益因子，Aed2是高 層下發(fā)的第二導頻參數(shù)，4^表示參考E-TFC對應的E-DroCH與第二導頻所在的DPCCH功 率的比值；
[0153] 或者，計算模塊301還可以用于根據(jù)內插公式
計算以第二導頻為基準的E-DTOCH的第三增益因子β ed&halV內插公式采用比待插值 的第i個E-TFC的最大參考E-TFC作為目標參考E-TFC，β ed，rafil與β ?2為不同的第三 增益因子，與L^fi2為不同的目標參考E-TFC的碼道數(shù)，和!^為不同的目 標參考E-TFC的碼塊大小。
[0155] 處理模塊503,用于根據(jù)第二增益因子確定第二發(fā)射功率，還用于根據(jù)第三增益因 子確定第三發(fā)射功率。
[0156] 發(fā)射模塊504,用于按照第二發(fā)射功率發(fā)射E-DPCCH，按照第三發(fā)射功率發(fā)射 E-DPDCH0
[0157] 由于UE可以分別利用第二導頻為功率基準的計算各自的增益因子，再通過各自 的增益因子得到對應的發(fā)射功率，以各自對應的發(fā)射功率進行發(fā)射，因此可以使得宏站正 確接收E-DPCCH和E-DroCH，其中，E-DroCH含有需要被宏站正確接收的SI信息。
[0158] 圖6為本發(fā)明實施例提供的又一 UE的結構示意圖，如圖6所示，UE60用于發(fā)射 E-DPCCH，如圖6所示，UE60適用于上行雙導頻發(fā)射，雙導頻包括第一導頻和第二導頻，UE60 包括：計算模塊601、確定模塊602和發(fā)射模塊603。
[0159] 計算模塊601，用于當確定模塊602確定E-DPCCH處于增強boosting狀態(tài)時，以第 一導頻為基準計算E-DPCCH的第一增益因子。
[0160] 舉例來說，計算模塊601，具體用于根據(jù) 計算以第一導頻為基準的E-DPCCH的第
一增益因子β %liUq，其中，β d表示第一導頻所在的DPCCH的增益因子，k_ i表示第i個 E-TFC的碼道數(shù)，k表示E-TFC的碼道索引，β ed, Ik表示第i個E-TFC的第k個碼道對應的 增益因子，用于E-DTOCH的功率配置，Λ T2TP是高層下發(fā)參數(shù)，表示數(shù)據(jù)業(yè)務功率與總導頻功 率的比值，是高層下發(fā)的第一導頻參數(shù)，尤,表示E-DPCCH與第一導頻所在的DPCCH功 率的比值。
[0162] 發(fā)射模塊603,用于根據(jù)第一增益因子確定發(fā)射功率，并按照發(fā)射功率發(fā)射 E-DPCOL
[0163] 本發(fā)明實施例提供了在boosting狀態(tài)下以第一導頻為基準計算E-DPCCH的第一 增益因子的情況，以保證E-DPCCH能被正確接收。
[0164] 本領域普通技術人員可以理解：實現(xiàn)上述各方法實施例的全部或部分步驟可以通 過程序指令相關的硬件來完成。前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質中。該程 序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述各方法實施例的步驟；而前述的存儲介質包括：ROM、RAM、磁碟 或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質。
[0165] 最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制； 盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其 依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征 進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技 術方案的范圍。
【主權項】
1. 一種增強專用物理控制信道E-DPCCH的發(fā)射方法，適用于上行雙導頻發(fā)射，所述雙 導頻包括第一導頻和第二導頻，其特征在于，包括： 以所述第一導頻為基準計算所述E-DPCCH的第一增益因子，以所述第二導頻為基準計 算所述E-DPCCH的第二增益因子； 根據(jù)所述第一增益因子和所述第二增益因子按照預設規(guī)則確定目標增益因子； 根據(jù)所述目標增益因子確定發(fā)射功率，并按照所述發(fā)射功率發(fā)射所述E-DPCCH。2. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述第一導頻為基準計算E-DPCCH 的第一增益因子包括： 根S計算以所述第一導頻為基準的E-DPCCH的第一增益 因子0 %liUq，其中，ec表示所述第一增益因子為E-DPCCH的增益因子，i表示采用所述第一 增益因子的E-DPCCH對應的增強專用物理數(shù)據(jù)信道E-DTOCH采用格式為第i個增強傳送格 式組合E-TFC，uq表不所述第一增益因子未量化； 或者，根據(jù)|計算以所述第一導頻為基準的 E-DPCCH的第一增益因子0%liUq，其中，所述Pd表示所述第一導頻所在的專用物理控制信 道DPCCH的增益因子，所述k_i表示第i個所述E-TFC的碼道數(shù)，所述k表示E-TFC的碼道 索引，所述@ed&k表示第i個所述E-TFC的第k個碼道對應的增益因子，用于所述E-DTOCH 的功率配置，所述△T2TP是高層下發(fā)參數(shù)，表示數(shù)據(jù)業(yè)務功率與總導頻功率的比值，所述 是高層下發(fā)的第一導頻參數(shù)，所述表示所述E-DPCCH與所述第一導頻所在的所述DPCCH 功率的比值。3. 根據(jù)權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述以所述第二導頻為基準計算所述 E-DPCCH的第二增益因子包括： 根據(jù)@。2*心2計算以所述第二導頻為基準的E-DPCCH的第二增益因子其 中，ec表示所述第二增益因子為E-DPCCH的增益因子，所述表示所述第二導頻所在的所 述DPCCH的增益因子，所述是高層下發(fā)的第二導頻參數(shù)，所述平方值為所述E-DPCCH 與所述第二導頻所在的所述DPCCH功率的比值； 或者， 根據(jù)計算以所述第二導頻為基準的E-DPCCH 的第二增益因子0%liUq，其中，ec表示所述第二增益因子為E-DPCCH的增益因子，i表示采 用所述第二增益因子的E-DPCCH對應的E-DTOCH采用格式為第i個E-TFC，uq表示所述增 益因子未量化，所述0。2表示所述第二導頻所在的DPCCH的增益因子，所述k_i表示第i 個所述E-TFC的碼道數(shù)，所述k表示E-TFC的碼道索引，所述0ed&k表示第i個所述E-TFC 的第k個碼道對應的增益因子，用于所述E-DH)CH的功率配置，所述AT2TP是高層下發(fā)參數(shù)， 表示數(shù)據(jù)業(yè)務功率與總導頻功率的比值，所述是高層下發(fā)的第二導頻的幅度參數(shù)，所述 4 :表示所述E-DPCCH與所述第二導頻所在的所述DPCCH功率的比值。4.根據(jù)權利要求1~3任一項所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一增益因子和 所述第二增益因子按照預設規(guī)則確定目標增益因子包括： 比較所述第一增益因子和所述第二增益因子，確定大的增益因子作為所述目標增益因 子。5.根據(jù)權利要求4所述的方法，其特征在于，所述比較所述第一增益因子和所述第二 增益因子，確定大的增益因子作為所述目標增益因子包括 ： 若所述第一增益因子戈所述第二增益因子為= 3。2 ?A^，則確定目標增益因號若所述第一增益因子為所述第二增益因子為I。= ?心2，則確定目標增益因子若所述第一增益因子為所述第二增益6. -種增強專用物理控制信道E-DPCCH和增強專用物理數(shù)據(jù)信道E-DroCH的發(fā)射方 法，適用于上行雙導頻發(fā)射，所述雙導頻包括第一導頻和第二導頻，其特征在于，包括： 以所述第二導頻為基準計算所述E-DPCCH的第二增益因子； 根據(jù)所述E-DTOCH上承載的信息內容，確定用于計算所述E-DTOCH的第三增益因子的 導頻為所述第一導頻或所述第二導頻，并基于確定的導頻計算所述E-DTOCH的第三增益因 子； 根據(jù)所述第二增益因子確定第二發(fā)射功率，根據(jù)所述第三增益因子確定第三發(fā)射功 率； 按照所述第二發(fā)射功率發(fā)射所述E-DPCCH，按照所述第三發(fā)射功率發(fā)射所述E-DH)CH。7. 根據(jù)權利要求6所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述E-DTOCH上承載的信息內 容，確定用于計算所述E-DTOCH的第三增益因子的導頻為所述第一導頻或所述第二導頻， 并基于確定的導頻計算所述E-DTOCH的第三增益因子，包括： 若所述E-DTOC