本征模式的頻率fr以接下來的式記 述。
[0061] 式（1)
[0062]
[0063] 其中，A為立方體的寬度（y方向的長度），B為立方體的高度（z方向的長度），C 為立方體的進(jìn)深（x方向的長度），c為真空中的光速，m、n、s分別為整數(shù)。此處A、B、C根 據(jù)在導(dǎo)波管中經(jīng)常被使用的定義，成為B〈A〈C的關(guān)系。當(dāng)在相對于各個(gè)本征模式使其激發(fā) 的位置配置有具有fr附近的頻率的激發(fā)源的情況下，在殼體內(nèi)部產(chǎn)生空腔共振。另外，在 依據(jù)CFP4MSA的光收發(fā)機(jī)的情況下，外形尺寸由MSA規(guī)定，從而內(nèi)部的空間的大小成為從外 部尺寸減去殼體的厚度的值。具體而言，例如，內(nèi)部空間的尺寸成為20.Immx7. 4mmx58. 5mm。
[0064] 在立方體的空腔的高度方向產(chǎn)生駐波的條件能夠從式（1)求得。n= 1，即在電場 強(qiáng)度分布中，在高度中央部產(chǎn)生波腹（anti-node)，且在上下端產(chǎn)生波節(jié)（node)在將電磁 波的自由空間的波長設(shè)為Ag( =c/f)的情況下，需要至少B比Ag/2大。并且，n= 2,即 在電場強(qiáng)度分布中，在高度中央部以及上下端產(chǎn)生波節(jié)（node)，且在高度1/4xB、3/4xB產(chǎn) 生波腹（anti-node)需要至少B比Ag大。
[0065] 頻率25. 78GHz與頻率27. 95GHz的在自由空間的波長Xg為11. 6mm與10. 7mm。 在CFP4的情況下，內(nèi)部空間的高度B為7. 4mm，因此能夠?qū)С霎a(chǎn)生n= 1的本征模式，不產(chǎn) 生n= 2 (以上）的本征模式。另外，如后所述，在CFP2的情況下，內(nèi)部空間的高度B也為 10. 4mm，因此相同地能夠?qū)С霎a(chǎn)生n= 1的本征模式，不產(chǎn)生n= 2 (以上）的本征模式。
[0066] 為了使n= 1的本征模式高效地衰減，內(nèi)部空間的高度中央部，即在電場強(qiáng)度分布 中，在成為波腹的部分配置在殼體的寬度方向具有寬幅的電阻體，從而只要將其表面電阻 調(diào)整為難以產(chǎn)生電磁波的反射的值即可。對于n= 0的本征模式而言，在高度方向的任意 的位置均產(chǎn)生相同的電場分布，因此能夠以上述電阻體的配置來使本征模式衰減。另外，不 產(chǎn)生n= 2的本征模式，因此上述電阻體的配置能夠覆蓋全部的本征模式。
[0067] 圖6、圖7、圖8是通過三維電磁場解析方法計(jì)算在上述的立方體的空腔產(chǎn)生的本 征模式的結(jié)果。如圖6的表所示，在頻率25. 78GHz與頻率27. 95GHz的附近存在多個(gè)本征 模式。各本征模式的頻率與式（1)良好地一致，從而如上述的預(yù)測那樣，產(chǎn)生n=l的模 式，但不產(chǎn)生n= 2的模式。另外，n、m、s任一個(gè)成為0的模式僅產(chǎn)生TE模式（transverse electricmode橫電波模），但在n、m、s均不成為0的模式中，TE模式與TM模式（transverse magneticmode橫磁模式）兩個(gè)退化。
[0068] 圖7、圖8表不本征模式的電場強(qiáng)度分布的一個(gè)例子。圖7是在頻率25. 43GHz產(chǎn) 生的（0、1、6)TE模式的（a)導(dǎo)體壁面中的電場強(qiáng)度分布與（b)高度中央部的面的電場強(qiáng)度 分布。電場強(qiáng)度的大小以濃淡表示，越濃越大，越淡越小。明確在中央部的面產(chǎn)生電場強(qiáng)度 成為較大的波腹的部分，為了使該本征模式高效地衰減，只要將在水平具有寬幅且寬度較 寬的電阻體配置于高度中央部即可。另一方面，也明確在上下表面不產(chǎn)生電場，因此例如即 使在上下表面（即殼體內(nèi)部的上表面與底面）配置電阻體也無法相對于該本征模式獲得衰 減效果。
[0069] 圖8是在頻率25. 67GHz產(chǎn)生的（2、1、2)TM模式的（a)導(dǎo)體壁面中的電場強(qiáng)度分 布與（b)高度中央部的面的電場強(qiáng)度分布。明確在中央部的面產(chǎn)生電場強(qiáng)度成為較大的波 腹的部分，為了使該本征模式高效地衰減，只要將在水平具有寬幅且寬度較寬的電阻體配 置于高度中央部即可。另一方面，也明確在上下表面不產(chǎn)生電場，因此即使在上下表面（即 殼體內(nèi)部的上表面與底面）配置電阻體也無法相對于該本征模式獲得衰減效果。
[0070] 如上，根據(jù)我方的研究，在殼體的內(nèi)部空間的上表面與下表面之間配置電阻體，將 其電阻體的形狀構(gòu)成為在殼體的寬度方向具有寬幅，從而發(fā)現(xiàn)了能夠使在光收發(fā)機(jī)的殼體 內(nèi)部欲產(chǎn)生的25GHz以及28GHz附近的全部的本征模式衰減。
[0071] 此外，在實(shí)際的光收發(fā)器中，被上部殼體與下部殼體包圍的內(nèi)部空間的形狀不限 定于立方體，另外，也配置有TOSA、ROSA之類的由金屬構(gòu)成的部件，因此共振現(xiàn)象變得比此 時(shí)進(jìn)一步復(fù)雜，但上述的機(jī)理相同地發(fā)揮功能。
[0072] 圖9是通過三維電磁場解析方法計(jì)算圖1所示的光收發(fā)機(jī)的構(gòu)造的不需要的電磁 波強(qiáng)度的結(jié)果的圖表。頻率范圍形成25. 78GHz~28. 25GHz，作為一個(gè)指針求得該范圍中的 頻率依存性。利用?標(biāo)記表示使用了本實(shí)施方式的基板支架120的情況下的結(jié)果。此處， 基板支架120具有導(dǎo)電率10S/m。為了比較，而利用〇表示在相同構(gòu)造中僅削除基板支架 120的情況下的結(jié)果。在不存在基板支架120的情況下，在殼體內(nèi)部觀測到多個(gè)較強(qiáng)的共振 模式，不需要的電磁波強(qiáng)度與頻率的變化一同較大地變動(dòng)。另外，其變動(dòng)寬度超過了 10dB。 與此相對，在應(yīng)用基板支架120的情況下，能夠抑制殼體內(nèi)部的共振，從而由頻率變化帶來 的不需要的電磁波強(qiáng)度的變動(dòng)寬度縮小3dB以下，進(jìn)而能夠減少頻率的變動(dòng)。另外，不需要 的電磁波強(qiáng)度通過應(yīng)用基板支架120而減少了 12dB以上。
[0073] 如上所述，在本實(shí)施方式中，基板支架120在多處（兩處）且在上述殼體的寬度方 向具有寬幅。如上，在印刷電路基板102的前方端附近與后方端附加的兩處且在上述殼體 的寬度方向具有寬幅，在殼體的內(nèi)部空間的上表面與下表面之間配置電阻體，從而具有減 少來自前方即在與光纖連接的光連接器和殼體部件之間產(chǎn)生的間隙的不需要的電磁波放 射與來自后方即在與網(wǎng)絡(luò)設(shè)備連接的電連接器和殼體部件之間產(chǎn)生的間隙的不需要的電 磁波放射雙方的效果。
[0074] 另外，根據(jù)本實(shí)施方式，在作為電調(diào)制信號而和比特率為25. 78Gbit/s與 27. 95Gbit/s雙方的方式對應(yīng)的lOOGbit/s級的雙模式光收發(fā)機(jī)中，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠減少金 屬殼體內(nèi)部的空腔共振的光收發(fā)機(jī)。并且，能夠?qū)崿F(xiàn)兼得不需要的電磁波的減少與低成本 化的光收發(fā)機(jī)。
[0075] 此外，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式，也可以利用與在上述實(shí)施方式中表示的結(jié) 構(gòu)實(shí)際上相同的結(jié)構(gòu)、能夠起到相同的作用效果的結(jié)構(gòu)或者實(shí)現(xiàn)相同的目的的結(jié)構(gòu)進(jìn)行置 換。
[0076] 例如，如上所述，由尼龍樹脂構(gòu)成基板支架120,但不限定于此，例如也可以為聚苯 乙烯（PS)樹脂、聚苯硫醚（PPS)樹脂。另外，在構(gòu)成基板支架120的樹脂使用碳黑作為填 料，但不限定于此。具體而言，只要能夠以低成本實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電率為l-l〇〇〇S/m的范圍即可，例 如，也可以為石墨、碳納米管（CNT)、碳納米線圈等。
[0077]另外，如上所述，將基板支架120的寬度形成相當(dāng)于殼體內(nèi)部空間的寬度A的95% 的大小，但寬度W的值不限定于此。若對照圖6所示的本征模式，則存在在內(nèi)部空間的寬度 方向產(chǎn)生最大m= 3的模式的可能性。若鑒于此，則為了覆蓋m= 3的模式的電場強(qiáng)度的 三個(gè)峰值（波腹），而需要內(nèi)部空間的寬度A的2/3以上的寬度。當(dāng)然寬度W的值優(yōu)選更接 近殼體內(nèi)部空間的寬度A，但也可以在寬度A的2/3~1 (即67 %~100% )的范圍內(nèi)進(jìn)行 選擇。此外，上述圖1~圖9所示的結(jié)構(gòu)等為一個(gè)例子，本實(shí)施方式不限定于此。
[0078][第二實(shí)施方式]
[0079] 接下來，對本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。在本實(shí)施方式中，主要基板支架的形 狀與上述第一實(shí)施方式不同。此外，以下，對與第一實(shí)施方式相同的點(diǎn)省略說明。
[0080]圖10是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光收發(fā)機(jī)的內(nèi)部構(gòu)造的上下方向的分解立 體圖，圖11是搭載于本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光收發(fā)機(jī)的基板支架的構(gòu)造圖。
[0081] 如圖10以及圖11所示，基板支架121在單獨(dú)的位置且在殼體的寬度方向具有寬 幅。該寬幅部分呈平面形狀，例如，形成寬度19mm(W)、進(jìn)深24_的平面形狀。另外，基板 支架121優(yōu)選由導(dǎo)電率為l-1000S/m的范圍的電阻體構(gòu)成。并且，更加優(yōu)選由導(dǎo)電率為 10-100S/m的范圍的電阻體構(gòu)成。具體而言，例如，基板支架121由將碳黑使用為填料的尼 龍樹脂構(gòu)成，其導(dǎo)電率為l〇S/m。此外，圖10以及圖11所示的電阻體（基板支架121)的 寬幅部分的形狀為一個(gè)例子，也可以為其他的形狀。例如，在圖10以及圖11中，示出了電 阻體由一個(gè)平面形狀構(gòu)成的情況，但也可以構(gòu)成為具有鄰接的多個(gè)平面形狀。另外，如上所 述，對由電阻體形成基板支架121的情況進(jìn)行了說明，但也可以與基板支架121單獨(dú)地設(shè)置 電阻體。具體而言，例如，在該情況下，也可以不由電阻體形成基板支架121，而與基板支架 121單獨(dú)地設(shè)置在上部殼體100或者下部殼體101的寬度方向具有平面形狀的寬幅的電阻 體。
[0082] 通過本實(shí)施方式，也能夠獲得與第一實(shí)施方式相同的效果。具體而言，例如，在作 為電調(diào)制信號而和比特率為25. 78Gbit/s與27. 95Gbit/s雙方的方式對應(yīng)的100Gbit/s級 的雙模式光收發(fā)機(jī)中，能夠提出能夠減少金屬殼體內(nèi)部的空腔共振的光收發(fā)機(jī)的構(gòu)造。并 且，能夠?qū)崿F(xiàn)兼得不需要的電磁波的減少與低成本化的光收發(fā)機(jī)。