br>[0215]構(gòu)造成控制所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的高感度像素控制柵，
[0216]其中所述高感度像素控制柵當(dāng)在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積電荷時以及當(dāng)轉(zhuǎn)移所述電荷時設(shè)定為低水平。
[0217](8) 一種電子設(shè)備，包括:
[0218]包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素；和
[0219]構(gòu)造成控制所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的低感度像素控制柵。
[0220](9) 一種固態(tài)圖像拾取元件，包括
[0221 ] 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素，
[0222]所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位深部在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的外側(cè)在水平方向上延伸。
[0223](10)根據(jù)上述(9)所述的固態(tài)圖像拾取元件，
[0224]其中所述像素是多個像素，
[0225]所述固態(tài)圖像拾取元件還包括
[0226]構(gòu)造成將在所述多個像素中的第一像素的所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓并將在與第一像素相鄰的第二像素的所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部。
[0227](11)根據(jù)上述(10)所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括
[0228]在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)的相反側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。
[0229](12)根據(jù)上述(10)所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括
[0230]在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。
[0231](13)根據(jù)上述(9)?(11)中任一項所述的固態(tài)圖像拾取元件，
[0232]其中所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件朝向外側(cè)部分地延伸。
[0233](14)根據(jù)上述(9)?(13)中任一項所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括
[0234]構(gòu)造成控制所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的低感度像素控制柵。
[0235](15)根據(jù)上述(14)所述的固態(tài)圖像拾取元件，
[0236]其中所述低感度像素控制柵當(dāng)在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積電荷時變?yōu)楦咚讲?dāng)轉(zhuǎn)移所述電荷時變?yōu)榈退健?br>[0237](16) 一種電子設(shè)備，包括
[0238]包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素，
[0239]所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位深部在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的外側(cè)在水平方向上延伸。
[0240](17) 一種固態(tài)圖像拾取元件，包括
[0241 ] 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素，
[0242]所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場比所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場強。
[0243](18)根據(jù)上述(17)所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括:
[0244]構(gòu)造成將在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部；和
[0245]在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)的相反側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。
[0246](19)根據(jù)上述(17)所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括:
[0247]構(gòu)造成將在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部；和
[0248]在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。
[0249](20) 一種電子設(shè)備，包括
[0250]包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素，
[0251]所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場比所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場強。
[0252]附圖標(biāo)記說明
[0253]130 像素130-1低感度像素
[0254]130-2高感度像素135-1光電二極管
[0255]137-1電荷電壓轉(zhuǎn)換部138電路
[0256]160像素160-1低感度像素
[0257]160-2高感度像素161-1,61-2電荷電壓轉(zhuǎn)換部
[0258]170像素170-1低感度像素
[0259]170-2高感度像素190像素
[0260]190-2高感度像素191光電二極管
[0261]210像素210-1低感度像素
[0262]211控制柵220像素
[0263]220-1低感度像素220-2高感度像素
[0264]221電路223-1電荷電壓轉(zhuǎn)換部
[0265]230像素230-1低感度像素
[0266]230-2高感度像素250像素
[0267]250-1低感度像素250-2高感度像素
[0268]251電荷電壓轉(zhuǎn)換部260藍色像素
[0269]261，262綠色像素263紅色像素
[0270]280像素280-1低感度像素
[0271]280-2高感度像素281片上透鏡
[0272]300像素300-2高感度像素
[0273]301控制柵320像素
[0274]320-1低感度像素321-1光電二極管
[0275]500圖像拾取裝置
【主權(quán)項】
1.一種固態(tài)圖像拾取元件，包括: 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素；和 構(gòu)造成控制所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的低感度像素控制柵。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述低感度像素控制柵當(dāng)在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積電荷時變?yōu)楦咚讲?dāng)轉(zhuǎn)移所述電荷時變?yōu)榈退健?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述低感度像素控制柵在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)的相反側(cè)形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 構(gòu)造成將在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓并將在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述像素排列成貝爾排列， 其中對于綠色的所述像素，所述高感度像素、所述低感度像素和所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的配置相同，以及 其中對于紅色的所述像素和藍色的所述像素，所述高感度像素、所述低感度像素和所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的配置相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 構(gòu)造成將光收集到所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件上的透鏡。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 構(gòu)造成控制所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的高感度像素控制柵， 其中所述高感度像素控制柵當(dāng)在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積電荷時以及當(dāng)轉(zhuǎn)移所述電荷時設(shè)定為低水平。8.一種電子設(shè)備，包括: 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素；和 構(gòu)造成控制所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的低感度像素控制柵。9.一種固態(tài)圖像拾取元件，包括 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素， 所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位深部在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的外側(cè)在水平方向上延伸。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述像素是多個像素， 所述固態(tài)圖像拾取元件還包括 構(gòu)造成將在所述多個像素中的第一像素的所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓并將在與第一像素相鄰的第二像素的所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)的相反側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件朝向外側(cè)部分地延伸。14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括 構(gòu)造成控制所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的低感度像素控制柵。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的固態(tài)圖像拾取元件， 其中所述低感度像素控制柵當(dāng)在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積電荷時變?yōu)楦咚讲?dāng)轉(zhuǎn)移所述電荷時變?yōu)榈退健?6.—種電子設(shè)備，包括 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素， 所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電位深部在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的外側(cè)在水平方向上延伸。17.—種固態(tài)圖像拾取元件，包括 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素， 所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場比所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場強。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括: 構(gòu)造成將在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部；和 在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)的相反側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的固態(tài)圖像拾取元件，還包括: 構(gòu)造成將在所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件中蓄積的電荷轉(zhuǎn)換成電壓的電荷電壓轉(zhuǎn)換部；和 在所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件和所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的光入射側(cè)形成并構(gòu)造成將圖像拾取信號作為通過所述電荷電壓轉(zhuǎn)換部的轉(zhuǎn)換獲得的電壓信號讀出的電路。20.—種電子設(shè)備，包括 包含高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素的像素， 所述低感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場比所述高感度像素的光電轉(zhuǎn)換元件的電場強。
【專利摘要】本公開涉及一種固態(tài)圖像拾取元件和電子設(shè)備，所述固態(tài)圖像拾取元件能夠生成高精度的具有大的動態(tài)范圍的圖像拾取信號。其中，像素包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素?？刂茤趴刂扑龅透卸认袼刂械墓怆娹D(zhuǎn)換元件的電位。本公開例如可以適用于包括高感度像素和感度比所述高感度像素低的低感度像素并控制所述低感度像素中的光電轉(zhuǎn)換元件的電位的CMOS圖像傳感器。
【IPC分類】H04N5/355, H04N5/374
【公開號】CN105324986
【申請?zhí)枴緾N201480035386
【發(fā)明人】吉村匡平, 正垣敦, 吉原郁夫, 鈴木亮司, 町田貴志, 伊澤慎一郎
【申請人】索尼公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2014年7月8日
【公告號】US20160156862, WO2015012098A1