可追蹤芯片及其制作方法和電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種可追蹤芯片及其制作方法和電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]MEMS 麥克風(fēng)芯片是基于 MEMS (Micro-Electro-Mechanical System，微型機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)制造的麥克風(fēng)芯片。由于MEMS麥克風(fēng)芯片具有封裝體積小、可靠性高以及成本低等優(yōu)點(diǎn)，因此，已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用在手機(jī)、平板電腦、監(jiān)聽設(shè)備等各種具有語音功能的電子設(shè)備中。
[0003]現(xiàn)有的MEMS麥克風(fēng)芯片的制作方法是先在一個(gè)硅晶圓上制作多個(gè)芯片，然后對(duì)芯片進(jìn)行切割封裝后形成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的MEMS麥克風(fēng)芯片。但是，由于每個(gè)封裝后的MEMS麥克風(fēng)芯片的外觀都是一樣的，因此，人們無法對(duì)封裝后的MEMS麥克風(fēng)芯片進(jìn)行辨識(shí)跟蹤，也就無法根據(jù)封裝后的MEMS麥克風(fēng)芯片的性能來對(duì)硅晶圓進(jìn)行質(zhì)量參數(shù)的分析以及制作工藝的改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種可追蹤芯片及其制作方法和電子設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中封裝后的芯片無法辨識(shí)跟蹤的問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0006]—種可追蹤芯片，所述芯片的結(jié)構(gòu)層上具有第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)；
[0007]所述第一標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在硅晶圓上的曝光區(qū)域，所述硅晶圓具有多個(gè)曝光區(qū)域，且同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同；
[0008]所述第二標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)所述芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的不同芯片的第二標(biāo)識(shí)不同。
[0009]優(yōu)選的，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)位于所述芯片的同一結(jié)構(gòu)層的不同區(qū)域。
[0010]優(yōu)選的，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)分別位于所述芯片的不同結(jié)構(gòu)層上，在垂直于所述芯片基底的方向上，所述第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)的投影無交疊。
[0011 ] 優(yōu)選的，所述芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片，所述MEMS麥克風(fēng)芯片包括基底層以及依次位于所述基底層頂部的第一絕緣層、振膜層、第二絕緣層和背極層；
[0012]所述基底層上具有聲腔通孔；
[0013]所述第一絕緣層上對(duì)應(yīng)所述聲腔通孔的部位為貫穿所述第一絕緣層上下表面的第一通孔；
[0014]所述振膜層包括有效振動(dòng)區(qū)和無效振動(dòng)區(qū)，所述有效振動(dòng)區(qū)覆蓋所述聲腔通孔，所述無效振動(dòng)區(qū)位于所述有效振動(dòng)區(qū)的周邊；
[0015]所述第二絕緣層上對(duì)應(yīng)所述聲腔通孔的部位為貫穿所述第二絕緣層上下表面的第二通孔；
[0016]所述背極層包括背極區(qū)和背極固定區(qū)，所述背極區(qū)覆蓋所述聲腔通孔，所述背極固定區(qū)位于所述背極區(qū)的周邊；
[0017]其中，所述第一標(biāo)識(shí)位于所述背極層的背極固定區(qū)上，所述第二標(biāo)識(shí)位于所述無效振動(dòng)區(qū)上。
[0018]優(yōu)選的，所述第一標(biāo)識(shí)包括阿拉伯?dāng)?shù)字、英文字母或阿拉伯?dāng)?shù)字和英文字母的組合；所述第二標(biāo)識(shí)包括阿拉伯?dāng)?shù)字、英文字母或阿拉伯?dāng)?shù)字和英文字母的組合。
[0019]一種可追蹤芯片的制作方法，應(yīng)用于如上任一項(xiàng)所述的芯片，包括:
[0020]在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)，以標(biāo)識(shí)所述芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第二標(biāo)識(shí)不同；
[0021]在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)，以標(biāo)識(shí)所述芯片在所述硅晶圓上的曝光區(qū)域，其中，所述硅晶圓上具有多個(gè)曝光區(qū)域，同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同。
[0022]優(yōu)選的，在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)的過程為:對(duì)所述硅晶圓進(jìn)行多次曝光，以在所述硅晶圓的每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)；
[0023]在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)的過程為:對(duì)所述硅晶圓進(jìn)行一次曝光，以在所述硅晶圓的每個(gè)曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第一標(biāo)識(shí)。
[0024]優(yōu)選的，所述芯片為MEMS麥克風(fēng)芯片，則在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片上形成第二標(biāo)識(shí)的過程包括:
[0025]在硅晶圓的曝光區(qū)域內(nèi)的芯片表面形成第一膜層，所述芯片包括基底層和位于所述基底層表面的第一絕緣層；
[0026]在所述第一膜層上形成第一光刻膠層，并以具有第二標(biāo)識(shí)圖形的第一掩膜板為掩膜對(duì)所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光顯影；
[0027]以所述曝光顯影后的第一光刻膠層為掩膜對(duì)所述第一膜層進(jìn)行刻蝕，形成具有第二標(biāo)識(shí)的振膜層，所述第二標(biāo)識(shí)位于所述振膜層的無效振動(dòng)區(qū)。
[0028]優(yōu)選的，所述芯片為MEM S麥克風(fēng)芯片，則在所述芯片上形成第一標(biāo)識(shí)的過程包括:
[0029]在所述芯片上形成第二絕緣層，并在所述第二絕緣層上形成覆蓋整個(gè)硅晶圓的第二膜層；
[0030]在所述第二膜層的表面形成第二光刻膠層，并以具有第一標(biāo)識(shí)圖形的第二掩膜板為掩膜對(duì)所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光顯影；
[0031]以所述曝光顯影后的第二光刻膠層為掩膜對(duì)所述第二膜層進(jìn)行刻蝕，形成具有第一標(biāo)識(shí)的背極層，其中，所述第一標(biāo)識(shí)位于所述背極層的背極固定區(qū)上，且在垂直于所述基底層的方向上，所述第一標(biāo)識(shí)和所述第二標(biāo)識(shí)的投影無交疊。
[0032]一種電子設(shè)備，包括如上任一項(xiàng)所述的可追蹤芯片。
[0033]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0034]本發(fā)明所提供的可追蹤芯片及其制作方法和電子設(shè)備，根據(jù)芯片上的第一標(biāo)識(shí)就可以確定該芯片在晶圓上的曝光區(qū)域，根據(jù)第二標(biāo)識(shí)就可以確定該芯片在該曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，從而可以確定該芯片在硅晶圓上的位置，進(jìn)而可以根據(jù)封裝后的芯片的性能參數(shù)獲知硅晶圓上與該芯片對(duì)應(yīng)的區(qū)域的缺陷信息，這樣就可以在后續(xù)的制作過程中對(duì)制作工藝進(jìn)行改進(jìn)，避免由于硅晶圓自身的缺陷而影響芯片性能的問題。
【附圖說明】
[0035]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0036]圖1為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的可追蹤芯片的俯視圖；
[0037]圖2為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的可追蹤芯片的剖面圖；
[0038]圖3為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的硅晶圓上的曝光區(qū)域分布圖；
[0039]圖4為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第一掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖5為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供的第二掩膜板的部分結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖6為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的可追蹤芯片的制作方法流程圖；
[0042]圖7為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的第二標(biāo)識(shí)的制作流程圖；
[0043]圖8為本發(fā)明的另一實(shí)施例提供的第一標(biāo)識(shí)的制作流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0044]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0045]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了一種可追蹤芯片，該可追蹤芯片的結(jié)構(gòu)層上具有第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)；所述第一標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)該芯片在硅晶圓上的曝光區(qū)域，所述硅晶圓具有多個(gè)曝光區(qū)域，且同一曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)相同，不同曝光區(qū)域內(nèi)的芯片的第一標(biāo)識(shí)不同；所述第二標(biāo)識(shí)用于標(biāo)識(shí)該芯片在對(duì)應(yīng)曝光區(qū)域內(nèi)的位置信息，其中，同一曝光區(qū)域內(nèi)的不同芯片的第二標(biāo)識(shí)不同。
[0046]本實(shí)施例中，第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)可以位于一芯片的同一結(jié)構(gòu)層的不同區(qū)域，也可以分別位于芯片的不同結(jié)構(gòu)層上。當(dāng)?shù)谝粯?biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)分別位于芯片的不同結(jié)構(gòu)層上時(shí)，在垂直于芯片基底的方向上，第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)的投影無交疊。
[0047]本實(shí)施例中的芯片可以為任意種類的芯片或傳感器，本發(fā)明并不對(duì)此進(jìn)行限定。當(dāng)然，該芯片也可以是MEMS麥克風(fēng)芯片，下面就結(jié)合MEMS麥克風(fēng)芯片的具體結(jié)構(gòu)來對(duì)第一標(biāo)識(shí)和第二標(biāo)識(shí)進(jìn)行說明，但是，本發(fā)明中的芯片結(jié)構(gòu)并不僅限于此。
[0048]參考圖1和圖2，該MEMS麥克風(fēng)芯片包括基底層1以及依次位于基底層1頂部的第一絕緣層2、振膜層3、第二絕緣層4、背極層5、第一電極6和第二電極7。
[0049]參考圖2，基底層1上具有聲腔通孔10 ;第一絕緣層2位于基底層1的上方，且第一絕緣層2上對(duì)應(yīng)聲腔通孔10的部位為貫穿第一絕緣層2上下表面的第一通孔20 ;振膜層3位于第一絕緣層2的上方，且該振膜層3包括有效振動(dòng)區(qū)30和無效振動(dòng)區(qū)31，有效振動(dòng)區(qū)30覆蓋聲腔通孔10，無效振動(dòng)區(qū)31位于有效振動(dòng)區(qū)30的周邊；第二絕緣層4位于振膜層3的上方，且第二絕緣層4上