一種用于手機觸控屏驅(qū)動的ic檢測電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及檢測電路，特別是涉及一種用于手機觸控屏驅(qū)動的IC檢測電路。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏驅(qū)動IC在手機內(nèi)部負責(zé)處理手機觸摸屏信號，是人機交換的第一道橋梁。該IC的性能優(yōu)越直接影響手機觸摸屏的靈敏度和用戶的體驗感，故此IC的檢測在手機制造流程中至關(guān)重要。此IC的檢測需要外部施加一點的電壓檢測合格后才會進入下道工序裝配到柔性線路板上。
[0003]現(xiàn)有的手機觸摸屏具有高靈敏，高精度，高可靠特性。這些特性與其高性能的控制IC是分不開的，這對IC的測試也提出了極高的要求:I)要求供電電壓具有低紋波特性，紋波要求小于10毫伏。2)產(chǎn)生的電壓種類多，本測試回路共產(chǎn)生7種電壓。3)需要檢查電壓種類多，本測試回路需要供需檢查9種電壓，其中7種電壓為本測試回路產(chǎn)生，另2種電壓為被測物產(chǎn)生。4)需要監(jiān)控測量的電流數(shù)量多，本測試回路共需檢測7路電流。5)電流檢測的范圍寬，精度高。要求檢測范圍為O?40毫安，精度要求10微安。6)電壓精度高，要求能達到ImV精度輸出電壓。7)時序要求高，被測物對各電壓的上下電時序提出了極高的要求，一般要求間隔5?10_秒以內(nèi)。
[0004]圖1為常規(guī)IC供電電路的一種示意圖。圖1包括MCU模塊1-1、LD0固定電壓產(chǎn)生模塊1-2、檢壓檢流模塊1-3和模擬轉(zhuǎn)數(shù)字(ADC)模塊1-LM⑶模塊1-1作為主控模塊，通過數(shù)據(jù)SPI總線控制ADC和(GP1)普通1 口控制LDO實現(xiàn)輸出電壓0N/0FF。
[0005]圖1所示電路，因其所采用的架構(gòu)及工作原理，在電壓輸出精度上完全受控于LDO及其外圍電阻精度的影響。不能滿足被測物對所需電壓信號的要求，主要表現(xiàn)在:I)輸出電壓精度不夠高，因此種架構(gòu)不能實現(xiàn)對輸出電壓的主動控制，電壓的控制完全交由LDO+反饋電阻控制方式，輸出精度完全受限于外部反饋電阻。2)不能滿足對被測物的上下電時序要求，因為電壓的on/OFF控制是通過MCU控制LDO來實現(xiàn)的，此種控制方式會導(dǎo)致電壓上升沿過于緩慢，通常是幾十毫秒級別。而本次被測物要求時序控制在10毫秒以內(nèi)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種用于手機觸控屏驅(qū)動的IC檢測電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中輸出電壓精度低，時序控制不準確，檢測成本高的問題。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
[0008]—種用于手機觸控屏驅(qū)動的IC檢測電路，該電路包括
[0009]中央處理單元，用于發(fā)出第一開關(guān)信號、第二開關(guān)信號和電流控制信號；
[0010]恒流模塊，基于電流控制信號，產(chǎn)生與該電流控制信號相對應(yīng)的恒定電流；
[0011]恒壓模塊，基于第一開關(guān)信號和所述恒定電流，產(chǎn)生低紋波電壓；
[0012]開關(guān)模塊，基于第二開關(guān)信號，向外部檢測設(shè)備輸出所述低紋波電壓。
[0013]優(yōu)選的，所述中央處理單元采用STM32F407型微控制器。
[0014]優(yōu)選的，該電路進一步包括設(shè)置在中央處理單元和恒流模塊之間的數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊。
[0015]優(yōu)選的，該電路進一步包括設(shè)置在恒壓模塊和開關(guān)模塊之間的檢壓檢流電路，用于實時采集恒壓模塊輸出電壓和電路中的電流，并反饋回中央處理單元。
[0016]優(yōu)選的，該電路進一步包括設(shè)置在中央處理單元和檢壓檢流電路之間的模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊。
[0017]優(yōu)選的，所述恒壓模塊包括開關(guān)信號輸入端和線性穩(wěn)壓器；
[0018]所述線性穩(wěn)壓器的恒流信號輸入端作為恒壓模塊的恒流信號輸入端，所述線性穩(wěn)壓器的開啟信號輸入端通過第一電阻與所述開關(guān)信號輸入端連接，所述線性穩(wěn)壓器的關(guān)閉信號輸入端通過第二電阻與所述開啟信號輸入端連接，所述線性穩(wěn)壓器的輸出端作為恒壓模塊的恒定電壓輸出端。
[0019]優(yōu)選的，所述恒壓模塊進一步包括
[0020]連接在線性穩(wěn)壓器開啟信號輸入端與地極之間的第一電容；
[0021]設(shè)置在線性穩(wěn)壓器旁路端和輸出端之間的第三電容。
[0022]優(yōu)選的，所述恒流模塊包括控制信號輸入端、運算放大器、與其串聯(lián)連接的三極管和恒流輸出端口；
[0023]所述運算放大器的正端與所述控制信號輸入端連接，所述運算放大器的輸出端與第一三極管的基極連接，所述第一三極管的發(fā)射極與所述運算放大器的負端連接，所述第一三極管的集電極與所述恒流輸出端連接。
[0024]優(yōu)選的，所述恒流模塊進一步包括
[0025]連接在第一三極管集電極和地極之間的第三電阻和第四電阻；
[0026]連接在第一三極管發(fā)射極和地極之間的第五電阻；
[0027]連接在運算放大器輸出端和第一三極管基極之間的第六電阻；
[0028]連接在所述運算放大器和控制信號輸入端的第七電阻；
[0029]負極端與第一三極管基極連接，正極端與地極連接的二極管;和
[0030]連接在運算放大器正端與地極之間的第四電容。
[0031]優(yōu)選的，所述開關(guān)模塊包括恒定電流輸入端、開關(guān)信號輸入端和H3S4465型P溝道MOS 管;
[0032]所述MOS管的源極通過第八電阻與其柵極連接；
[0033]所述MOS管的漏極通過第十一電阻與地極連接；
[0034]所述開關(guān)信號輸入端通過第十二電阻和第二三極管與MOS管的柵極連接，第二三極管的基極與第十二電阻連接，第二三極管的集電極與MOS管的柵極連接，第二三極管的發(fā)射極與地極連接；
[0035]恒定電流輸入端與MOS管的源極連接；
[0036]該開關(guān)模塊進一步包括連接在MOS管源極和地極之間的第二電容；
[0037]連接在MOS管源極和地極之間的第九電阻。
[0038]本發(fā)明的有益效果如下:
[0039]本發(fā)明所述技術(shù)方案使用恒流源控制LDO使其輸出高精度低紋波電壓，并通過LDO與mosfet的結(jié)合實現(xiàn)上下電時序精確可控，提高了后道工序良品通過率，更降低了生產(chǎn)成本。本方案采用閉環(huán)控制方式實現(xiàn)IC所需的5種低紋波，可實現(xiàn)ImV精度的連續(xù)可變驅(qū)動電壓;本方案能檢測到IC的IuA的消費電流及變化，能夠解決電壓連續(xù)可變和低紋波輸出兼顧的問題。
【附圖說明】
[0040]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細的說明；
[0041]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中IC檢測電路的示意圖；
[0042]圖2示出本發(fā)明所述IC檢測電路的示意圖；
[0043]圖3示出本發(fā)明所述IC檢測電路中恒流模塊、恒壓模塊和開關(guān)模塊結(jié)合的硬件電路圖。
[0044]附圖標號
[0045 ] 1-1、處理模塊，1-2、電壓產(chǎn)生電路，1-3、反饋電路，1-4、模數(shù)轉(zhuǎn)換器；
[0046]2-1、中央處理單元，2-2、恒壓模塊，2-3、檢壓檢流電路，2-4、模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊，2-5、數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊，2-6、恒流模塊，2-7、開關(guān)模塊。
【具體實施方式】
[0047]為了更清楚地說明本發(fā)明，下面結(jié)合優(yōu)選實施例和附圖對本發(fā)明做進一步的說明。附圖中相似的部件以相同的附圖標記進行表示。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當理解，下面所具體描述的內(nèi)容是說明性的而非限制性的，不應(yīng)以此限制本發(fā)明的保護范圍。
[0048]如圖2所示，本發(fā)明公開了一種用于手機觸控屏驅(qū)動的IC檢測電路，該電路包括用于發(fā)出第一開關(guān)信號、第二開關(guān)信號和電流控制信號的中央處理單元2-1、基于電流控制信號，產(chǎn)生與該電流控制信號相對應(yīng)的恒定電流的恒流模塊2-6、基于第一開關(guān)信號和所述恒定電流，產(chǎn)生低紋波電壓的恒壓模塊2-2和基于第二開關(guān)信號，向外部檢測設(shè)備輸出所述低紋波電壓的開關(guān)模塊2-7。本方案中，所述中央處理單元2-1采用具有ARM內(nèi)核的32bit的STM32F407型微控制器，其管腳輸出信號頻率可達到72MHz。該電路進一步包括設(shè)置在中央處理單元2-1和恒流模塊2-6之間的數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊2-5，該數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊2-5采用12bit數(shù)模轉(zhuǎn)換器。該電路進一步包括設(shè)置在恒壓模塊2-2和開關(guān)模塊2-7之間的檢壓檢流電路2-3，該電路檢壓檢流電路2-3用于實時采集恒壓模塊2-2輸出電壓和電路中的電流，并反饋回中央處理單元2-1;該電路進一步包括設(shè)置在中央處理單元2-1和檢壓檢流電路2-3之間的模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊2-4，該模數(shù)轉(zhuǎn)換模塊2-4采用16BIT模數(shù)轉(zhuǎn)換器。如圖3所示，本方案中，所述恒壓模塊2-2包括開關(guān)信號輸入端和線性穩(wěn)壓器U2;所述線性穩(wěn)壓器U2的恒流信號輸入端作為恒壓模塊2-2的恒流信號輸入端，所述線性穩(wěn)壓器U2的開啟信號輸入端通過第一電阻Rl與所述開關(guān)信號輸入端連接，所述線性穩(wěn)壓器U2的關(guān)閉信號輸入端通過第二電阻R2與所述開啟信號輸入端連接，所述線性穩(wěn)壓器U2的輸出端作為恒壓模塊2-2的恒定電壓輸出端。所述恒壓模塊2-2進一步包括連接在線性穩(wěn)壓器U2開啟信號輸入端與地極之間的第一電容Cl;設(shè)置在線性穩(wěn)壓器U2旁路端和輸出端之間的第三電容C3。本方案中，所述恒流模塊2-6包括控制信號輸入端、運算放大器U1A、與其串聯(lián)連接的第一三極管Ql和恒流輸出端口；所述運算放大器的UlA正端與所述控制信號輸入端連接，所述運算放大器UlA的輸出端與第一三極管Ql的基極連接，所述第一三極管Ql的發(fā)射極與所述運算放大器UlA的負端連接，所述第一三極管Ql的集電極與所述恒流輸出端連接。所述恒流模塊2-6進一步包括連接在第一三極Ql管集電極和地極之間的第三電阻R3和第四電阻R4;連接在第一三極管Ql發(fā)射極和地極之間的第五電阻R5;連接在運算放大器UlA輸出端和第一三極管Ql基極之間的第六電阻R6;連接在所述運算放大器UlA和控制信號輸入端的第七電阻R7;負極端與第一三極管Ql基極連接，正極端與地極連接的二極管D8;和，連接在運算放大器UlA正端與地極之間的第四電容C4。本方案中，優(yōu)選的，所述開關(guān)模塊2-7包括恒定電流輸入端、開關(guān)信號輸入端和FDS4465型P溝道MOS管;所述MOS管的源極通過第八電阻R8與其柵極連接;所述MOS管的漏極通過第十一電阻Rll與地極連接;所述開關(guān)信號輸入端通過第十二電阻R107和第二三極管Q2與MOS管的柵極連接，第二三極管Q2的基極與第十二電阻R107連接，第二三極管Q2的集電極與MOS管的柵極連接，第二三極管Q2的發(fā)射極與地極連接;恒定電流輸入端與MOS管的源極連接；該開關(guān)模塊2-7進一步包括連接在MOS管源極和地極之間的第二電容C2;連接在MOS管源極和地極之間的第九電阻R9。