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      熱熔接的揚聲器結構的制作方法

      文檔序號:8597746閱讀:476來源:國知局
      熱熔接的揚聲器結構的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本實用新型是關于一種揚聲器結構,特別是指一種熱熔接的揚聲器結構。
      【背景技術】
      [0002]一般音樂播放產品在市面上已十分普及,如耳機、喇叭或音箱等等,其主要的功能是在于能夠帶給人們聽覺上的享受,除了達到放松心情的效果之外,也兼具娛樂性,因此非常受到消費者的青睞。
      [0003]目前市面上音樂播放產品的結構上大多都僅包括有振膜與供振膜組裝的振膜定位座,而現有振膜與振膜固定座主要的組合方式大致上有膠合、扣合及嵌入成型(InsertMolding)等,但上述組合方式于實際制造上仍存在下述問題點:
      [0004]對于膠合的方式來說,除了容易產生溢膠或斷膠等情形外,且制造過程必須耗費許多時間等待黏膠凝固。對于扣合的方式來說,振膜與振膜固定座必須設置相對應的扣合元件,因此,不僅增加結構的復雜度,且使用一段時間后振膜容易松動而影響聲音質量。對于嵌入成型的方式來說,由于其制程上會伴隨高溫,因此容易破壞振膜的結構,且制造的速度慢。
      【實用新型內容】
      [0005]有鑒于上述問題,本實用新型提供一種熱熔接的揚聲器結構,包括基座、振膜及蓋體,其中基座包括有第一熱熔接部,振膜是設置于基座上,蓋體設置于基座與振膜上,蓋體包括有第二熱熔接部,其中第二熱熔接部與基座的第一熱熔接部相互熔接定位,并使振膜固定于基座與蓋體之間,上述揚聲器結構可以是位于耳機、喇叭或音箱的殼體內。
      [0006]其中上述第一熱熔接部或第二熱熔接部可為超音波熔接線,也就是說,所述第一熱熔接部或第二熱熔接部的其中一個熱熔接部為超音波熔接線。藉此,可將基座、振膜及蓋體組合后,再通過超音波器針對第一熱熔接部與第二熱熔接部的部位產生高溫而相互熔接,使蓋體與基座相互結合定位,并使振膜固定于基座與蓋體之間,而使揚聲器結構整體形成一件式型態(tài)而達到增加結構強度、不易產生誤差而松動且避免破壞振模的功效。此外,通過熱熔接方式可達到大量生產、簡化制程、質量穩(wěn)定及成本降低等優(yōu)點。
      [0007]于一實施例中,上述超音波熔接線可為一封閉線型態(tài)且環(huán)繞設置于基座或蓋體的周邊。于另一實施例中,超音波熔接線也可包括多個熱熔接區(qū)段與形成于上述熱熔接區(qū)段間的多個間隙,也就是說,超音波熔接線也可以是不連續(xù)的線段。
      [0008]于一實施例中,基座包括有底壁、連接于底壁外圍的環(huán)周壁及形成于底壁與環(huán)周壁之間的容置槽,振膜是位于容置槽中,蓋體是抵靠于環(huán)周壁上,第一熱熔接部與第二熱熔接部是位于蓋體與環(huán)周壁的抵靠處,也就是說,第一熱熔接部是位在蓋體抵靠于環(huán)周壁的面上,而第二熱熔接部是位在環(huán)周壁抵靠于蓋體的面上。
      [0009]于一實施例中,蓋體包括面向于基座的內側面與凸出于內側面的定位部,定位部是抵靠于振膜的表面,藉以使振膜獲得定位。于一實施例中,上述定位部可包括位于不同高度位置的外環(huán)面與內環(huán)面,也就是說,定位部可呈階梯狀環(huán)體型態(tài),而外環(huán)面是抵靠于基座的底壁,內環(huán)面則抵靠于振膜的表面。
      [0010]于一實施例中,基座可包括另一個第一熱恪接部,蓋體可包括另一個第二熱恪接部,上述另一第一熱熔接部與上述另一第二熱熔接部是位于外環(huán)面與底壁的抵靠處,也就是說,另一第一熱熔接部是位在外環(huán)面上,而另一第二熱熔接部是位在底壁抵靠于外環(huán)面的表面上。
      [0011]于一實施例中,振膜可包括有至少一個穿孔,基座或蓋體的內側對應上述穿孔設有至少一個凸塊,上述凸塊是位于穿孔中,使振膜在置入基座的容置槽中時,可限位在一預定位置。
      【附圖說明】
      [0012]圖1為本實用新型揚聲器結構的立體圖。
      [0013]圖2為本實用新型揚聲器結構的分解立體圖。
      [0014]圖3為本實用新型揚聲器結構的分解剖視圖。
      [0015]圖4為本實用新型揚聲器結構的組合剖視圖。
      [0016]圖5為本實用新型揚聲器結構的加工示意圖。
      [0017]圖6為本實用新型揚聲器結構另一實施例的分解立體圖。
      [0018]圖7為本實用新型第一熱熔接部另一實施例的立體圖。
      [0019]其中附圖標記:
      [0020]1、Ia 揚聲器結構
      [0021]2治具
      [0022]10基座
      [0023]11、11a、Ilb 第一熱熔接部
      [0024]111熱熔接區(qū)段
      [0025]112間隙
      [0026]12底壁
      [0027]13環(huán)周壁
      [0028]14 容置槽
      [0029]15凸塊
      [0030]20振膜
      [0031]21穿孔
      [0032]30蓋體
      [0033]31、31a第二熱熔接部
      [0034]32內側面
      [0035]33定位部
      [0036]34外環(huán)面
      [0037]35內環(huán)面
      【具體實施方式】
      [0038]如圖1至4所示,為本實用新型揚聲器結構的立體圖、分解立體圖、分解剖視圖及組合剖視圖。所述揚聲器結構I包括基座10、振膜20及蓋體30。于本實施例中,基座10為圓形環(huán)體型態(tài),包括有底壁12、連接于底壁12外圍的環(huán)周壁13、形成于底壁12與環(huán)周壁13之間的容置槽14及第一熱熔接部11。也就是說,容置槽14是朝底壁12內凹的凹槽型態(tài)。而所述第一熱熔接部11為一超音波熔接線且環(huán)繞于環(huán)周壁13遠離底壁12的環(huán)面上。換言之,超音波熔接線是環(huán)繞設置于基座10的周邊。
      [0039]如圖3所示,上述振膜20可為一陶瓷振膜或一金屬振膜且呈一圓形片體型態(tài),而振膜20是位在容置槽14中且抵靠于基座10的底壁12。于此,所述振膜20是直接放置在容置槽14中。
      [0040]上述蓋體30為一圓形環(huán)體型態(tài),包括面向于基座10的內側面32、凸出于內側面32的定位部33及第二熱熔接部31,其中,第二熱熔接部31為基座10的內側面32對應于第一熱熔接部11的位置處。換言之,第二熱熔接部31為基座10內側面32預定與第一熱熔接部11相互熔接的部分表面,也就是說,第一熱熔接部11與第二熱熔接部31是位于蓋體30與環(huán)周壁13的抵靠處。但并不局限于此,于另一態(tài)樣中,也可以是第二熱熔接部31為超音波熔接線,而第一熱熔接部11為基座10的環(huán)周壁13遠離底壁12的環(huán)面。或者,于又一態(tài)樣中,第一熱熔接部11與第二熱熔接部31也可皆為超音波熔接線。
      [0041]如圖4所示,所述蓋體30是抵靠于環(huán)周壁13上,而第二熱熔接部31是與基座10的第一熱熔接部11相互熱熔接合定位,使蓋體30與基座10形成
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