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      防信息泄漏裝置的制造方法_2

      文檔序號:8668545閱讀:來源:國知局
      管D5組成,晶體管Q4的發(fā)射極經(jīng)電阻R14連接于電源+5V,集電極經(jīng)電阻R16連接于地,還連接于二極管D5的負(fù)極,基極連接于放大器中的第一級放大器的檢測端DTl ;二極管D5的正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO的中間節(jié)點(diǎn);第二電開關(guān)由晶體管Q5、電阻R17、電阻R21和二極管D8組成,晶體管Q5的發(fā)射極經(jīng)電阻R17連接于電源+5V,集電極經(jīng)電阻R21連接于地,還連接于二極管D8的負(fù)極,基極連接于放大器中的第二級放大器的檢測端DT2 ;二極管D8的正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn);第三電開關(guān)由晶體管Q6、電阻R18、電阻R22和二極管D9組成,晶體管Q6的發(fā)射極經(jīng)電阻R18連接于電源+5V,集電極經(jīng)電阻R22連接于地,還連接于二極管D9的負(fù)極,基極連接于放大器中的第三級放大器的檢測端DT3 ;二極管D9的正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)。第四電開關(guān)由二極管Dl組成,二極管Dl的負(fù)極連接于放大器中的第一級放大器的檢測端DTl,正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO的中間節(jié)點(diǎn);第五電開關(guān)由二極管D2組成,二極管D2的負(fù)極連接于放大器中的第二級放大器的檢測端DT2,正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO的中間節(jié)點(diǎn)。第六電開關(guān)由二極管D3組成,二極管D3的負(fù)極連接于放大器中的第三級放大器的檢測端DT3,正極連接于電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,即電阻R7和電阻RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)。
      [0030]電平轉(zhuǎn)換器由電阻R7、電阻R10、電容C26、晶體管Q2、電阻R5、電阻R8、電阻R11、電阻Rl3、晶體管Q3和電阻R6組成,其中,電阻R7和RlO相串聯(lián),并連接于電源+5V和地之間,其中間節(jié)點(diǎn)為電平轉(zhuǎn)換器的輸入端,電容C26并連于電阻RlO兩端,用于濾除紋波,以防止誤動作。電阻R5和R8相串聯(lián),并連接于電源+5V和地之間,其中間節(jié)點(diǎn)為晶體管Q2的發(fā)射極提供一個合適的靜態(tài)工作點(diǎn),晶體管Q2的集電極經(jīng)電阻R13接地,基極連接于電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)。晶體管Q3工作于開關(guān)狀態(tài),其集電極經(jīng)電阻R6連接于電源+5V,發(fā)射極接地,基極經(jīng)電阻Rll連接于晶體管Q2的集電極。
      [0031]放大芯片MAR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)在2.8-4V時,處于正常工作狀態(tài),當(dāng)?shù)谝患壏糯笃髡9ぷ鲿r,連接于DTl的晶體管Q4處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D5處于截止?fàn)顟B(tài),二極管Dl處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓不受影響,晶體管Q2處于截止?fàn)顟B(tài),電阻Rl3兩端的電壓為零,晶體管Q3也處于截止?fàn)顟B(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓為+5V,為單片機(jī)的一個輸入端提供高電平,同時發(fā)光二極管D13接電而發(fā)光,表不第一級放大器工作正常。當(dāng)?shù)谝环糯笃鱉AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)高于4V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DTl的二極管Dl處于截止?fàn)顟B(tài),晶體管Q4處于截止?fàn)顟B(tài),二極管D5處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受Q4截止的影響變?yōu)樾∮?2V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第一級放大器工作不正常;當(dāng)?shù)谝环糯笮酒琈AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)低于2.8V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DTl的二極管Dl處于導(dǎo)通狀態(tài),晶體管Q4處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D5處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受Dl導(dǎo)通的影響變?yōu)樾∮?3.5V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第一級放大器工作不正常。
      [0032]當(dāng)?shù)诙壏糯笃髡9ぷ鲿r,連接于DT2的晶體管Q5處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D8處于截止?fàn)顟B(tài),二極管D2處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓不受影響,晶體管Q2處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R13兩端的電壓為零,晶體管Q3也處于截止?fàn)顟B(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓為+5V,為單片機(jī)的一個輸入端提供高電平,同時發(fā)光二極管D13接電而發(fā)光,表示第二級放大器工作正常。當(dāng)?shù)诙糯笮酒琈AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)高于4V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DT2的二極管D2處于截止?fàn)顟B(tài),晶體管Q5處于截止?fàn)顟B(tài),二極管D8處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受Q5截止的影響變?yōu)樾∮?2V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第二級放大器工作不正常;當(dāng)?shù)诙糯笮酒琈AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)低于2.8V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DT2的二極管D2處于導(dǎo)通狀態(tài),晶體管Q5處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D8處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受D2導(dǎo)通的影響變?yōu)樾∮?3.5V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第二級放大器工作不正常。
      [0033]當(dāng)?shù)谌壏糯笃髡9ぷ鲿r,連接于DT3的晶體管Q6處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D9處于截止?fàn)顟B(tài),二極管D3處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓不受影響,晶體管Q2處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R13兩端電壓為零,晶體管Q3也處于截止?fàn)顟B(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓為+5V,為單片機(jī)的一個輸入端提供高電平,同時發(fā)光二極管D13接電而發(fā)光,表示第三級放大器工作正常。當(dāng)?shù)谌糯笮酒琈AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)高于4V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DT3的二極管D3處于截止?fàn)顟B(tài),晶體管Q6處于截止?fàn)顟B(tài),二極管D9處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受Q6截止的影響變?yōu)樾∮?2V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第二級放大器工作不正常;當(dāng)?shù)谌糯笮酒琈AR-8+的靜態(tài)工作點(diǎn)低于2.8V時,處于非正常工作狀態(tài),連接于DT3的二極管D3處于導(dǎo)通狀態(tài),晶體管Q6處于導(dǎo)通狀態(tài),二極管D9處于截止?fàn)顟B(tài),電阻R7和RlO相串聯(lián)的中間節(jié)點(diǎn)電壓受D3導(dǎo)通的影響變?yōu)樾∮?3.5V,晶體管Q2處于導(dǎo)通狀態(tài),電阻R13兩端的電壓大于IV,晶體管Q3處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),R6和R23中間節(jié)點(diǎn)電壓小于IV,為單片機(jī)的一個輸入端提供低電平,同時發(fā)光二極管D13斷電而不發(fā)光,表示第三級放大器工作不正常。
      [0034]圖6為本實(shí)用新型提供的低通濾波器的電路圖,如圖6所示,本實(shí)用新型提供的低通濾波器為7階契比雪夫?yàn)V波器,由電感L10、電感L11、電感L9、電感L12、電容C27、電容C28、電容C29、電容C25組成。由于三極管擊穿所產(chǎn)生的噪聲信號,帶寬較寬,如果不加限制,很可能影響其它信號,于是在產(chǎn)生噪聲后,將其通過低通濾波器,使它的帶寬限制在一定范圍內(nèi),本實(shí)用新型優(yōu)選通帶工作頻率范圍為OMHz到300MHz。
      [0035]以上已結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的構(gòu)思和實(shí)例作了詳盡說明,但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到,在沒有脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下,任何基于本實(shí)用新型作出的改進(jìn)和變換仍然屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)的內(nèi)容。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種防信息泄漏裝置,其特征在于,包括噪聲發(fā)生裝置,所述噪聲發(fā)生裝置用于產(chǎn)生白噪聲,所述白噪聲通過耦合器耦合到電源線上。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,還包括電源濾波器,所述電源濾波器用于濾除電源線上電力線載波信息。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,還包括AC/DC放大器,所述AC/DC放大器用于從電源線上取出交流電源,并轉(zhuǎn)換為直流電源。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,還包括放大器,所述放大器用于放大噪聲發(fā)生裝置所產(chǎn)生白噪聲信息。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,還包括低通濾波器,所述低通濾波器用于對放大器所放大的白噪聲信息進(jìn)行濾波。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,還包括工作狀態(tài)監(jiān)測與顯示裝置,所述工作狀態(tài)監(jiān)測與顯示裝置用于監(jiān)測防信息泄漏裝置的工作電流和工作時間,并進(jìn)行顯示。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,電源濾波器的阻帶工作頻率范圍為 150KHz 到 400MHz。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,低通濾波器的通帶頻率截止頻率為300MHz。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的防信息泄漏裝置,其特征在于,所述耦合器為電容耦合器或者電感耦合器。
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種防信息泄漏裝置,屬于信息安全技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型提供的防信息泄漏裝置包括噪聲發(fā)生裝置,所述噪聲發(fā)生裝置用于產(chǎn)生白噪聲,所述白噪聲通過耦合線圈耦合到電源線上。本實(shí)用新型采用寬帶電源濾波器,濾除用電設(shè)備電源線上加載的有用信息,同時加入寬帶白噪聲源,對空間輻射信息進(jìn)行干擾,從而實(shí)現(xiàn)在線纜和空間的信息屏蔽。白噪聲源采用三極管擊穿電路,然后經(jīng)過放大,變成中功率白噪聲信號,再經(jīng)過低通濾波器濾波,產(chǎn)生一定帶寬的白噪聲,既能有效地干擾用電設(shè)備的輻射信號,又不影響其它設(shè)備的正常運(yùn)行。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單,體積小,經(jīng)過測試,可以有效地解決用電設(shè)備電磁輻射信號的造成的信息泄漏問題。
      【IPC分類】H04K1-02, H04K3-00, H04B3-56
      【公開號】CN204376901
      【申請?zhí)枴緾N201420870635
      【發(fā)明人】李大慶
      【申請人】李大慶
      【公開日】2015年6月3日
      【申請日】2014年12月29日
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