Td-lte下行信號干擾器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及屏蔽器技術領域，尤其涉及TD-LTE下行信號干擾器。
【背景技術】
[0002]目前市場上TD-LTE信號干擾器都是VCO(壓控振蕩器)技術掃描寬帶無同步干擾，其缺點在于VCO掃描技術頻率偏移難以控制，為確保屏蔽效果一般增加帶寬犧牲功率保證覆蓋，沒有識別TD-LTE網絡載波信道和同步信號功能，這樣雖然能屏蔽手機信號，但同時也會影響到基站上行，寬帶非精準發(fā)射在相同射頻功率下效果不佳，同時影響基站收信機靈敏度降低、信噪比指標下降，直接影響移動通信基站覆蓋半徑，給運營商和手機用戶帶來損失。

【發(fā)明內容】

[0003]針對現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種TD-LTE下行信號干擾器，其能精準干擾下行載波信道并具同步控制干擾，且不對基站上行產生干擾。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0005]TD-LTE下行信號干擾器，包括TD-LTE基帶同步裝置、DDS信號發(fā)生器、開關控制單元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基帶同步裝置，用于接收時隙信號和載波信號，并將時隙信號發(fā)送至開關控制單元，將載波信號發(fā)送至DDS信號發(fā)生器，同時接收來自DDS信號發(fā)生器的頻點數(shù)據(jù)獲取信號從而根據(jù)數(shù)據(jù)獲取信號將載波頻點數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號發(fā)生器；所述DDS信號發(fā)生器，用于根據(jù)該載波頻點數(shù)據(jù)處理得到相應頻點的輸出信號，并將該輸出信號發(fā)送至開關控制單元；所述開關控制單元，用于根據(jù)該時隙信號的高低電平實現(xiàn)開閉，以使當時隙信號為高電平時對輸出信號進行傳輸至TD-LTE功率放大器，當時隙信號為低電平時對輸出信號進行攔截；所述TD-LTE功率放大器，用于將來自開關控制單元的輸出信號進行功率放大后通過天線進行輸出。
[0006]進一步的，所述TD-LTE基帶同步裝置包括接口模塊、電平轉換模塊、收發(fā)模塊和連接器模塊；所述接口模塊、電平轉換模塊和收發(fā)模塊依次連接，所述DDS信號發(fā)生器與收發(fā)模塊連接，所述開關控制單元和電平轉換模塊均與連接器模塊連接。
[0007]更進一步的，所述接口模塊采用型號為MINIPCIE 52PIN的接口芯片；所述電平轉換模塊采用型號為ADG3308的電平轉換芯片；所述收發(fā)模塊采用型號為SP3232ECA-L的收發(fā)芯片；所述連接器模塊采用型號為2.0B0X90的連接器。
[0008]進一步的，所述DDS信號發(fā)生器包括依次連接的MCU、DDS電路模塊、變頻器、低通濾波模塊、混頻模塊、高頻濾波模塊和放大模塊；所述MCU還與TD-LTE基帶同步裝置連接；所述放大模塊還與開關控制單元連接。
[0009]更進一步的，所述MCU的型號為STM32F100RC ;所述DDS電路采用型號為AD9910的DDS芯片；所述變頻器的型號為ADTl-1WT ;所述放大模塊采用型號為AG50的放大芯片。
[0010]更進一步的，所述低通濾波模塊包括電感L1、電感L2、電感L3、電容Cl、電容C2、電容C3和電容C4 ;所述電感LI的一端和電容Cl的一端均與變頻器連接；所述電感LI的另一端和電容C2的一端均與電感L2的一端連接；所述電感L2的另一端和電容C3的一端均與電感L3的一端連接；所述電感L3的另一端和電容C4的一端均與混頻模塊連接；所述電容Cl的另一端、電容C2的另一端、電容C3的另一端、電容C4的另一端均接地。
[0011]進一步的，所述TD-LTE功率放大器包括依次連接的衰減模塊、第一放大器、第二放大器、末級放大器和隔離器；所述衰減模塊還與開關控制單元連接。
[0012]更進一步的，所述衰減模塊采用型號為HSMP-3866的衰減器；所述第一放大器的型號為AG50 ;所述第二放大器的型號為麗7IC2725NBR1 ；所述末級放大器的型號為BLF7G27L-140 ;所述隔離器的型號為ISOLATER。
[0013]相比現(xiàn)有技術，本發(fā)明的有益效果在于:
[0014]根據(jù)當前網絡信息，獲取載波信號，自動準確屏蔽與系統(tǒng)載波相同的信道，只干擾下行而不影響基站通信正常，提升干擾距離。
【附圖說明】
[0015]圖1為本發(fā)明的框架組成圖；
[0016]圖2為本發(fā)明的TD-LTE基帶同步裝置的框架圖；
[0017]圖3為本發(fā)明的DDS信號發(fā)生器的框架圖；
[0018]圖4為本發(fā)明的TD-LTE功率放大器的框架圖。
[0019]其中，1、TD-LTE基帶同步裝置；11、接口模塊；12、電平轉換模塊；13、收發(fā)模塊；14、連接器；2、DDS信號發(fā)生器；21、MCU ;22、DDS電路模塊；23、變頻器；24、低通濾波模塊；25、混頻模塊；26、高頻濾波模塊；27、放大模塊；3、開關控制單元；31、衰減模塊；32、第一放大器；33、第二放大器；34、末級放大器；35、隔離器；4、TD-LTE功率放大器。
【具體實施方式】
[0020]下面，結合附圖以及【具體實施方式】，對本發(fā)明新型做進一步描述:
[0021]參見圖1至圖4，本發(fā)明提供的TD-LTE下行信號干擾器主要包括TD-LTE基帶同步裝置1、DDS信號發(fā)生器2、開關控制單元3和TD-LTE功率放大器4 ；TD-TLE是基于OFDMA技術、由3GPP組織制定的全球通用標準，包括FDD和TDD兩種模式用于成對頻譜和非成對頻譜，TD-LTE即Time Divis1n Long Term Evolut1n (分時長期演進)，是正交頻分復用。DDS信號發(fā)生器2采用直接數(shù)字頻率合成(Direct Digital Synthesis，簡稱DDS)技術，把信號發(fā)生器的頻率穩(wěn)定度、準確度提供到與基準頻率相同的水平，并且可以在很快的頻率范圍內進行精細的頻率調節(jié)，這種信號源可工作于調節(jié)狀態(tài)，可對輸出電平進行調節(jié)，也可輸出各種波形。
[0022]本實施例的TD-LTE基帶同步裝置1，用于接收時隙信號和載波信號，并將時隙信號發(fā)送至開關控制單元3，將載波信號發(fā)送至DDS信號發(fā)生器2，TD-LTE基帶同步裝置I獲取時隙信號和載波信號的技術由現(xiàn)有技術可獲知，同時接收來自DDS信號發(fā)生器2的頻點數(shù)據(jù)信號從而根據(jù)數(shù)據(jù)獲取信號將載波頻點數(shù)據(jù)發(fā)送至DDS信號發(fā)生器2 ;DDS信號發(fā)生器2，用于根據(jù)該載波頻點數(shù)據(jù)處理得到相應頻點的上行的輸出信號，該輸出信號屏蔽了上行信號，并將該輸出信號發(fā)送至開關控制單元3;開關控制單元3，根據(jù)該時隙信號的高低電平實現(xiàn)開閉，以使當時隙信號為高電平時對輸出信號進行傳輸至TD-LTE功率放大器4，當時隙信號為低電平時對輸出信號進行攔截；TD-LTE功率放大器4，用于將來自開關控制單元3的輸出信號功率進行放大后通過天線進行輸出。本實施例的頻點數(shù)據(jù)為載波參數(shù)，包括物理小區(qū)地址、下行頻點、上行頻點，TD-LTE基帶同步裝置I接收到數(shù)據(jù)獲取信號后悔向DDS信號發(fā)生器2發(fā)出應答，表示發(fā)送命令成功，并且將頻點數(shù)據(jù)信號發(fā)送至DDS信號發(fā)生器2。
[0023]TD-LTE基帶同步裝置I自動完成TD-TLE無線網絡的小區(qū)搜索和無線信令處理，得到精確的TDD(Time Divis1n Duplexing，即時分雙工)上下行時隙信號，上下行時隙比等信息，通過接口將上下行時隙信號和載波信道信號輸出。時隙信號在高電平的情況下，可以導通開關控制單元3，當時隙信號為低電平時，開關控制單元3關閉。具體的，TD-LTE基帶同步裝置I包括接口模塊11、電平轉換模塊12、收發(fā)模塊13和連接器14模塊；接口模塊11、電平轉換模塊12、收發(fā)模塊13依次連接，并且DDS信號發(fā)生器2與收發(fā)模塊連接，開關控制單元3和電平轉換模塊12均與連接器14模塊連接。TD-LTE基帶同步裝置I通過天線拾取到時隙信號，經過接口模塊11輸出下行同步指示信號，之后送到電平轉換模塊1