一種硅膠振膜和揚聲器模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及電聲產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅膠振膜和揚聲器模組。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)動圈式揚聲器的振動音圈由音圈本體和音圈引線組成，音圈引線一般由兩種形式出現(xiàn):其一，音圈引線粘附在振膜上，但此方法易導(dǎo)致振動系統(tǒng)失衡，造成振膜偏振；其二，音圈引線懸浮在振膜與外殼之間，但此方法對音圈引線的弧度、高度以及對正負極引線的對稱性要求極高，否則音圈引線容易碰到外殼或振膜，造成聲學(xué)不良問題。并且以上兩種方法當揚聲器在大功率模式下長時間工作時，振動音圈和音圈引線經(jīng)過反復(fù)彎折，存在音圈引線斷線的潛在風(fēng)險，產(chǎn)品穩(wěn)定性較差。
[0003]另外，業(yè)界有采用電鍍或磁控濺射等技藝形成導(dǎo)電層來替代振動音圈引線的方案，但是由于電鍍或磁控濺射形成的導(dǎo)電層金屬粒子排列稀疏，存在導(dǎo)電層自身電阻過高、導(dǎo)電層容易脫落等缺陷。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]鑒于上述問題，提出了本實用新型以便提供克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種硅膠振膜和揚聲器模組，本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:
[0005]一方面，本實用新型提供了一種硅膠振膜，包括位于中心的平面部、設(shè)置于所述平面部邊緣的折環(huán)部以及與所述折環(huán)部外圍相連用于粘接外殼的固定部；采用激光刻蝕技術(shù)在所述硅膠振膜的表面刻蝕有兩條對稱的線槽；
[0006]每條線槽均沉積有一條導(dǎo)電金屬層，每條導(dǎo)電金屬層的兩端均設(shè)置有第一焊接部和第二焊接部，所述第一焊接部沉積于所述硅膠振膜靠近折環(huán)部的平面部，用于在音圈內(nèi)側(cè)焊接音圈的繞線抽頭；所述第二焊接部沉積于所述硅膠振膜的固定部，用于焊接外殼上的焊盤；連接所述第一焊接部和所述第二焊接部的中間部沉積于所述硅膠振膜中形成導(dǎo)電通路。
[0007]優(yōu)選地，所述兩條導(dǎo)電金屬層的上表面低于所述硅膠振膜的表面，或者與所述硅膠振膜的表面平齊。
[0008]優(yōu)選地，所述兩條導(dǎo)電金屬層的第一焊接部對稱地沉積于所述平面部靠近折環(huán)部的中心位置處。
[0009]本技術(shù)方案的硅膠振膜在表面對稱地刻蝕兩條線槽，每條線槽均沉積有一條導(dǎo)電金屬層，該導(dǎo)電金屬層的兩端焊接部能夠分別與音圈和焊盤焊接，從而利用導(dǎo)電金屬層可以實現(xiàn)音圈和焊盤的連接。利用硅膠振膜上沉積的兩條導(dǎo)電金屬層代替音圈引線的方案，第一，能夠解決傳統(tǒng)方案中音圈引線碰撞引起的聽音不良的問題，提高產(chǎn)品聲學(xué)性能；第二，沉積于線槽內(nèi)的導(dǎo)電金屬層不但能夠不占用額外的空間，還能夠避免大功率下振動音圈引線斷線的風(fēng)險，提高產(chǎn)品穩(wěn)定性；第三，導(dǎo)電金屬層沉積在刻蝕的線槽中，使得導(dǎo)電層不易脫落，更為穩(wěn)定，且相比于電鍍或磁控濺射等技術(shù)，金屬沉積獲得的導(dǎo)電金屬層更致密均勻，電導(dǎo)率更高，不易發(fā)生龜裂。
[0010]另一方面，本實用新型還提供了一種揚聲器模組，包括收容于外殼內(nèi)部的振動系統(tǒng)；所述振動系統(tǒng)包括上述技術(shù)方案提供的硅膠振膜；
[0011]所述硅膠振膜的折環(huán)部的內(nèi)側(cè)固定有音圈，所述硅膠振膜的兩條導(dǎo)電金屬層的第一焊接部分別與所述音圈兩端的繞線抽頭焊接，所述兩條導(dǎo)電金屬層的第二焊接部分別與外殼上的兩個焊盤焊接。
[0012]本技術(shù)方案揚聲器模組通過沉積于硅膠振膜中的兩條導(dǎo)電金屬層代替?zhèn)鹘y(tǒng)方案中的音圈引線，使兩條導(dǎo)電金屬層的第一焊接部與音圈內(nèi)側(cè)的繞圈抽頭焊接，第二焊接部與外殼上的焊盤焊接，解決了音圈引線碰撞振膜或外殼引起的聽音不良問題，提高了模組的聲學(xué)性能；同時避免了大功率下振動音圈引線斷裂的風(fēng)險，提高了揚聲器模組的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0013]圖1為本實用新型實施例提供的硅膠振膜主視圖；
[0014]圖2為本實用新型實施例提供的硅膠振膜截面圖；
[0015]圖3-a為本實用新型實施例提供的硅膠振膜剖線A處的放大示意圖；沉積導(dǎo)電金屬層過程的放大示意圖；
[0016]圖3-b為本實用新型實施例提供的硅膠振膜剖線A處刻蝕的線槽放大示意圖；
[0017]圖3-c為本實用新型實施例提供的在硅膠振膜剖線A處的線槽沉積導(dǎo)電金屬層的放大示意圖；
[0018]圖3-d為本實用新型實施例提供的硅膠振膜剖線A處的導(dǎo)電金屬層放大示意圖；
[0019]圖中:1、平面部；2、折環(huán)部；3、固定部；4、第一焊接部；5、第二焊接部；6、中間部；7、導(dǎo)電金屬層；8、線槽。
【具體實施方式】
[0020]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。
[0021]如圖1與圖2共同所示，本實施例提供了一種硅膠振膜，包括位于中心的平面部1、設(shè)置于平面部I邊緣的折環(huán)部2以及與折環(huán)部2外圍相連用于粘接外殼的固定部3。
[0022]本實施例采用激光刻蝕技術(shù)在硅膠振膜的表面刻蝕有兩條對稱的線槽，以保證振膜的平衡性。
[0023]其中，每條線槽均沉積有一條導(dǎo)電金屬層，每條導(dǎo)電金屬層的兩端均設(shè)置有第一焊接部4和第二焊接部5，第一焊接部4沉積于硅膠振膜靠近折環(huán)部2的平面部1，用于在音圈內(nèi)側(cè)焊接音圈的繞線抽頭；第二焊接部5沉積于硅膠振膜的固定部3，用于焊接外殼上的焊盤；連接第一焊接部4和第二焊接部5的中間部6沉積于硅膠振膜中形成導(dǎo)電通路。
[0024]本實施例中可以采用下述方法對硅膠振膜進行再加工，以獲得具有兩條導(dǎo)電金屬層的硅膠振膜:
[0025]采用激光刻蝕技術(shù)在硅膠振膜的表面刻蝕兩條對稱的線槽，以保證振膜的平衡性；
[0026]將金屬導(dǎo)電材料沉積在兩條對稱的線槽中，獲得兩條導(dǎo)電金屬層。
[0027]其中，每條導(dǎo)電金屬層的兩端均沉積有第一焊接部和第二焊接部，第一焊接部沉積于硅膠振膜靠近折環(huán)部的平面部，用于在音圈內(nèi)側(cè)焊接音圈的繞線抽頭；第二焊接部沉積于硅膠振膜的固定部，用于焊接外殼上的焊盤；連接第一焊接部和第二焊接部的中間部沉積于硅膠振膜中形成導(dǎo)電通路。在本實施例的一優(yōu)選方案中，為不影響產(chǎn)品內(nèi)部空間，上述兩條導(dǎo)電金屬層的上表面低于硅膠振膜的表面，或者與硅膠振膜的表面平齊。
[0028]具體的，如圖3-a?圖3-d共同所示，為本實施例提供的硅膠振膜剖線A處沉積導(dǎo)電金屬層的過程示意圖，本實施例中硅膠振膜未在其表面刻蝕線槽時的狀態(tài)如圖3-a所示，采用激光刻蝕技術(shù)在該硅膠振膜的表面刻蝕線槽后的狀態(tài)如圖3-b所示，本實施例采用電化學(xué)的金屬沉積方法在硅膠振膜的線槽內(nèi)沉積金屬導(dǎo)電材料，在硅膠振膜的線槽內(nèi)沉積金屬導(dǎo)電材料的過程如圖3-c所示，在硅膠振膜的線槽內(nèi)完全沉積金屬