国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種mems麥克風(fēng)的制作方法

      文檔序號(hào):9978105閱讀:824來(lái)源:國(guó)知局
      一種mems麥克風(fēng)的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種MEMS麥克風(fēng)。
      【背景技術(shù)】
      [0002]MEMS麥克風(fēng)是一種用微機(jī)械加工技術(shù)制作出來(lái)的聲電換能器,其具有體積小、頻響特性好、噪聲低等特點(diǎn)。隨著電子設(shè)備的小巧化、薄型化發(fā)展,MEMS麥克風(fēng)被越來(lái)越廣泛地運(yùn)用到這些設(shè)備上。
      [0003]MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品中包含一個(gè)基于電容檢測(cè)的MEMS芯片和一個(gè)ASIC芯片,MEMS芯片的電容會(huì)隨著輸入聲音信號(hào)的不同產(chǎn)生相應(yīng)的變化,再利用ASIC芯片對(duì)變化的電容信號(hào)進(jìn)行處理和輸出從而實(shí)現(xiàn)對(duì)聲音的拾取。MEMS芯片通常包括具有背腔的基底、在基底上方設(shè)置的由背極板和振膜構(gòu)成的平行板電容器,振膜接收外界的聲音信號(hào)并發(fā)生振動(dòng),從而使平行板電容器產(chǎn)生一個(gè)變化的電信號(hào),實(shí)現(xiàn)聲-電轉(zhuǎn)換功能。
      [0004]目前對(duì)于MEMS麥克風(fēng)產(chǎn)品的信噪比的要求越來(lái)越高,理論上可以通過(guò)增大MEMS芯片的電容面積來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目的,但這需要重新開(kāi)發(fā)、設(shè)計(jì)、制作一個(gè)新的MEMS芯片,成本和難度都很高。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0005]本實(shí)用新型的目的是提供一種增大檢測(cè)電容面積的MEMS麥克風(fēng)的新的技術(shù)方案。
      [0006]本實(shí)用新型提出了一種MEMS麥克風(fēng),包括:第一 PCB板、設(shè)置于第一 PCB板上方的第二 PCB板、設(shè)置于第二 PCB板上方的MEMS芯片、以及外殼;所述第二 PCB板和外殼圍成腔體,將所述MEMS芯片封裝在腔體內(nèi)部;所述MEMS芯片包括并列的第一 MEMS單元和第二MEMS單元;所述第一 PCB板開(kāi)設(shè)有第一通孔;所述第二 PCB板對(duì)應(yīng)于第一 MEMS單元開(kāi)設(shè)有第二通孔,并且對(duì)應(yīng)于第二 MEMS單元開(kāi)設(shè)有第三通孔;所述第一通孔位于第二通孔和第三通孔之間,所述第一、第二、第三通孔互相連通以形成分岔的聲孔。
      [0007]優(yōu)選的,所述第一 MEMS單元和第二 MEMS單元分別為差分電容結(jié)構(gòu),分別包括??位于中間的振膜,位于振膜上方的第一背極板以及位于振膜下方的第二背極板。
      [0008]優(yōu)選的,所述第一 PCB板與第二 PCB板接觸的一面開(kāi)設(shè)有第一凹槽,所述第一凹槽連通所述第一、第二、第三通孔以形成所述分岔的聲孔。
      [0009]優(yōu)選的,所述第二 PCB板與第一 PCB板接觸的一面開(kāi)設(shè)有第二凹槽,所述第二凹槽連通所述第一、第二、第三通孔以形成所述分岔的聲孔。
      [0010]優(yōu)選的,所述第一 PCB板與第二 PCB板接觸的一面開(kāi)設(shè)有第一凹槽,所述第二 PCB板與第一 PCB板接觸的一面開(kāi)設(shè)有與所述第一凹槽相對(duì)的第二凹槽;所述第一凹槽和第二凹槽連通所述第一、第二、第三通孔以形成所述分岔的聲孔。
      [0011]優(yōu)選的,還包括設(shè)置于第二 PCB板上的ASIC芯片和轉(zhuǎn)接器;所述第一 MEMS單元和第二 MEMS單元通過(guò)轉(zhuǎn)接器與所述ASIC芯片電連接。
      [0012]優(yōu)選的,還包括設(shè)置于第二PCB板上的ASIC芯片;所述第一MEMS單元和第二MEMS單元通過(guò)第二 PCB板上的電路與所述ASIC芯片電連接。
      [0013]優(yōu)選的,還包括設(shè)置于第二 PCB板上的ASIC芯片;所述ASIC芯片通過(guò)所述第二PCB板與第一 PCB板電連接,進(jìn)而通過(guò)第一 PCB板背面的焊盤(pán)與外部電路連接。
      [0014]優(yōu)選的,還包括設(shè)置于第二 PCB板上的ASIC芯片,所述第一 MEMS單元和第二 MEMS單元共用所述ASIC芯片。
      [0015]優(yōu)選的,所述第一 MEMS單元和第二 MEMS單元并聯(lián)。
      [0016]本實(shí)用新型利用兩個(gè)MEMS單元增大檢測(cè)電容的面積,無(wú)需重新開(kāi)發(fā)一個(gè)大面積檢測(cè)電容的MEMS芯片,本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng)提高了麥克風(fēng)產(chǎn)品的信噪比,從而提升了麥克風(fēng)產(chǎn)品的性能。并且,本實(shí)用新型的兩個(gè)MEMS單元共用一個(gè)分岔的聲孔,使得進(jìn)入到兩個(gè)MEMS單元內(nèi)部的聲音的能量相同,能夠明顯降低麥克風(fēng)產(chǎn)品在高頻部分的相位誤差。
      [0017]通過(guò)以下參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述,本實(shí)用新型的其它特征及其優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚。
      【附圖說(shuō)明】
      [0018]被結(jié)合在說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示出了本實(shí)用新型的實(shí)施例,并且連同其說(shuō)明一起用于解釋本實(shí)用新型的原理。
      [0019]圖1是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0020]圖2是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)第一實(shí)施例的第一 PCB板的俯視圖。
      [0021]圖3是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)第一實(shí)施例的第一 PCB板的側(cè)視圖。
      [0022]圖4是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)第一實(shí)施例的第二 PCB板的仰視圖。
      [0023]圖5是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)第一實(shí)施例的第二 PCB板的側(cè)視圖。
      [0024]圖6是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0025]圖7是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)第二實(shí)施例的第二 PCB板的側(cè)視圖。
      [0026]圖8是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的MEMS芯片和ASIC芯片連接方式的第一實(shí)施例的示意圖。
      [0027]圖9是本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的MEMS芯片和ASIC芯片連接方式的第二實(shí)施例的示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0028]現(xiàn)在將參照附圖來(lái)詳細(xì)描述本實(shí)用新型的各種示例性實(shí)施例。應(yīng)注意到:除非另外具體說(shuō)明,否則在這些實(shí)施例中闡述的部件和步驟的相對(duì)布置、數(shù)字表達(dá)式和數(shù)值不限制本實(shí)用新型的范圍。
      [0029]以下對(duì)至少一個(gè)示例性實(shí)施例的描述實(shí)際上僅僅是說(shuō)明性的,決不作為對(duì)本實(shí)用新型及其應(yīng)用或使用的任何限制。
      [0030]對(duì)于相關(guān)領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的技術(shù)、方法和設(shè)備可能不作詳細(xì)討論,但在適當(dāng)情況下,技術(shù)、方法和設(shè)備應(yīng)當(dāng)被視為說(shuō)明書(shū)的一部分。
      [0031]在這里示出和討論的所有例子中,任何具體值應(yīng)被解釋為僅僅是示例性的,而不是作為限制。因此,示例性實(shí)施例的其它例子可以具有不同的值。
      [0032]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類似項(xiàng),因此,一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義,則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步討論。
      [0033]參考圖1-5介紹本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu):
      [0034]MEMS麥克風(fēng)包括第一 PCB板100、設(shè)置于第一 PCB板100上方的第二 PCB板200、設(shè)置于第二 PCB板200上方的MEMS芯片300,以及外殼I。第二 PCB板200和外殼I圍成腔體,將MEMS芯片300封裝在腔體內(nèi)部。
      [0035]MEMS芯片300包括并列的第一 MEMS單元301和第二 MEMS單元302,第一 MEMS單元301具有第一 MEMS電容結(jié)構(gòu),第二 MEMS單元302具有第二 MEMS電容結(jié)構(gòu),其中第一 MEMS電容和第二 MEMS電容可以為并聯(lián)。
      [0036]第一 PCB板100開(kāi)設(shè)有第一通孔102 ;第二 PCB板200對(duì)應(yīng)于第一 MEMS單元301開(kāi)設(shè)有第二通孔202,并且對(duì)應(yīng)于第二 MEMS單元開(kāi)設(shè)有第三通孔203 ;第一通孔102位于第二通孔202和第三通孔203之間,第一、第二、第三通孔102、202、203互相連通以形成分岔的聲孔。在第一實(shí)施例中,第一 PCB板100與第二 PCB板200接觸的一面開(kāi)設(shè)有第一凹槽101,第一、第二、第三通孔102、202、203是通過(guò)第一凹槽101連通形成分岔的聲孔。
      [0037]MEMS芯片300和外殼1、第二 PCB板200共同圍成后聲腔400。上述聲孔的設(shè)置,能夠使進(jìn)入到兩個(gè)MEMS單元的聲波更為均勻,使得兩個(gè)MEMS單元更加相當(dāng)于一個(gè)大面積檢測(cè)電容的MEMS單元;同時(shí)還可以滿足從麥克風(fēng)下方進(jìn)音的需求,以及對(duì)MEMS芯片提供一定的保護(hù),防止粉塵或固體顆粒進(jìn)入MEMS芯片內(nèi)部對(duì)振膜造成破壞。
      [0038]上述第一 MEMS電容結(jié)構(gòu)
      當(dāng)前第1頁(yè)1 2 
      網(wǎng)友詢問(wèn)留言 已有0條留言
      • 還沒(méi)有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1