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      一種低音輻射器及一種電子設(shè)備的制造方法

      文檔序號(hào):10095415閱讀:1011來(lái)源:國(guó)知局
      一種低音輻射器及一種電子設(shè)備的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種低音輻射器及一種電子設(shè)備。
      【背景技術(shù)】
      [0002]時(shí)下,手機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備成為用戶最常使用的電子設(shè)備,隨著用戶對(duì)電子設(shè)備外放輸出的音頻質(zhì)量要求的不斷提高,電子設(shè)備中音頻輸出單元的設(shè)計(jì)的要求也越來(lái)越尚。
      [0003]由于用戶有利用手機(jī)等電子設(shè)備的揚(yáng)聲器播放音頻的需要,現(xiàn)有技術(shù)中,通常來(lái)講,揚(yáng)聲器是直接內(nèi)置在電子設(shè)備后腔體中的,在設(shè)計(jì)電子設(shè)備的音頻輸出單元時(shí),為了滿足電子設(shè)備薄型化發(fā)展的需求,現(xiàn)有電子設(shè)備中的揚(yáng)聲器單元的尺寸設(shè)計(jì)比較小。
      [0004]本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中技術(shù)方案的過(guò)程中,至少發(fā)現(xiàn)上述現(xiàn)有技術(shù)中存在如下技術(shù)問(wèn)題:
      [0005]由于現(xiàn)有技術(shù)中的電子設(shè)備采用了將揚(yáng)聲器直接內(nèi)置在電子設(shè)備后腔體的技術(shù)手段,由于電子設(shè)備的厚度較薄,揚(yáng)聲器單元尺寸較小,施加電壓驅(qū)動(dòng)起來(lái)越容易,振動(dòng)速度就越快,因而只適合播放高頻率的音頻,可見(jiàn),現(xiàn)有技術(shù)中的電子設(shè)備存在在揚(yáng)聲器尺寸較小的條件下,揚(yáng)聲器不能提供較好的低音效果的技術(shù)問(wèn)題,進(jìn)而,存在用戶在使用電子設(shè)備過(guò)程中,用戶體驗(yàn)不高的問(wèn)題。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0006]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種低音輻射器,用于現(xiàn)有技術(shù)中的電子設(shè)備在揚(yáng)聲器尺寸較小的條件下,揚(yáng)聲器不能提供較好的低音效果的技術(shù)問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了降低揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)的技術(shù)效果。
      [0007]本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種低音輻射器,包括:
      [0008]N個(gè)腔體,所述N個(gè)腔體中的每一個(gè)腔體內(nèi)部設(shè)置有一揚(yáng)聲器,其中,N為大于等于1的整數(shù);
      [0009]無(wú)源輻射器,由第N+1個(gè)腔體和第一振動(dòng)部件構(gòu)成;
      [0010]導(dǎo)管,包括與所述N個(gè)腔體對(duì)應(yīng)的N端和與所述第N+1個(gè)腔體對(duì)應(yīng)的第N+1端,其中,所述N端中的每端與所述N個(gè)腔體中的一個(gè)腔體相導(dǎo)通,所述第N+1端與所述第N+1個(gè)腔體相導(dǎo)通;
      [0011 ] 其中,在N個(gè)揚(yáng)聲器處于工作狀態(tài)時(shí),所述N個(gè)揚(yáng)聲器在所述N個(gè)腔體內(nèi)部產(chǎn)生的氣流通過(guò)所述N個(gè)端進(jìn)入所述導(dǎo)管,進(jìn)而經(jīng)由所述第N+1端導(dǎo)入所述第N+1個(gè)腔體內(nèi),以使所述第一振動(dòng)部件發(fā)生振動(dòng),進(jìn)而降低所述N個(gè)揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)。
      [0012]可選的,所述N個(gè)腔體中的每一個(gè)腔體上還設(shè)置有第一開(kāi)口,共N個(gè)第一開(kāi)口,其中,所述N個(gè)第一開(kāi)口與所述N端——對(duì)應(yīng)地連接。
      [0013]可選的,所述第N+1個(gè)腔體的第一面上還設(shè)置有第二開(kāi)口,其中,所述第二開(kāi)口與所述第N+1端相連接。
      [0014]可選的,所述N個(gè)腔體和所述第N+1個(gè)腔體為金屬或塑料腔體,所述導(dǎo)管為金屬或塑料導(dǎo)管。
      [0015]可選的,在所述N個(gè)腔體中的每一個(gè)腔體和所述N端中的每端相連接的第一連接位置還設(shè)置有第一密封部件,共N個(gè)第一密封部件;
      [0016]在所述第N+1個(gè)腔體和所述第N+1端相連接的第二連接位置還設(shè)置有第二密封部件。
      [0017]可選的,所述第一振動(dòng)部件具體為:
      [0018]振膜,設(shè)置于所述第N+1個(gè)腔體表面不同于所述第一面的第二面;或
      [0019]設(shè)置于所述第N+1個(gè)腔體內(nèi)部距離所述第二面一預(yù)設(shè)值的位置。
      [0020]可選的,所述無(wú)源輻射器還包括:振膜折環(huán),設(shè)置在所述第二面上,連接所述第N+1個(gè)腔體中的第三面和所述振膜,以使所述振膜在所述N個(gè)揚(yáng)聲器處于工作狀態(tài)時(shí),沿垂直于所述第二面的方向進(jìn)行往復(fù)運(yùn)動(dòng),其中,所述第二面與所述第三面之間具有第一公共邊。
      [0021]可選的,所述無(wú)源輻射器的口徑大于所述N個(gè)揚(yáng)聲器中的任意一個(gè)揚(yáng)聲器的口徑;
      [0022]其中,所述無(wú)源輻射器的口徑為所述振膜的直徑,所述揚(yáng)聲器的口徑為所述揚(yáng)聲器的振膜的直徑。
      [0023]另一方面,本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)一種電子設(shè)備,包括:
      [0024]殼體;
      [0025]處理器,設(shè)置在所述殼體內(nèi);
      [0026]低音輻射器,設(shè)置在所述殼體內(nèi)部,與所述處理器連接;其中,所述低音輻射器包括:N個(gè)腔體,所述N個(gè)腔體中的每一個(gè)腔體內(nèi)部設(shè)置有一揚(yáng)聲器,其中,N為大于等于1的整數(shù);無(wú)源輻射器,由第N+1個(gè)腔體和第一振動(dòng)部件構(gòu)成;導(dǎo)管,包括與所述N個(gè)腔體對(duì)應(yīng)的N端和與所述第N+1個(gè)腔體對(duì)應(yīng)的第N+1端,其中,所述N端中的每端與所述N個(gè)腔體中的一個(gè)腔體相導(dǎo)通,所述第N+1端與所述第N+1個(gè)腔體相導(dǎo)通;其中,在N個(gè)揚(yáng)聲器處于工作狀態(tài)時(shí),所述N個(gè)揚(yáng)聲器在所述N個(gè)腔體內(nèi)部產(chǎn)生的氣流通過(guò)所述N個(gè)端進(jìn)入所述導(dǎo)管,進(jìn)而經(jīng)由所述第N+1端導(dǎo)入所述第N+1個(gè)腔體內(nèi),以使所述第一振動(dòng)部件發(fā)生振動(dòng),進(jìn)而降低所述N個(gè)揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)。
      [0027]其中,在N個(gè)揚(yáng)聲器處于工作狀態(tài)時(shí),所述N個(gè)揚(yáng)聲器在所述N個(gè)腔體內(nèi)部產(chǎn)生的氣流通過(guò)所述N個(gè)端進(jìn)入所述導(dǎo)管,進(jìn)而經(jīng)由所述第N+1端導(dǎo)入所述第N+1個(gè)腔體內(nèi),以使所述第一振動(dòng)部件發(fā)生振動(dòng),進(jìn)而降低所述N個(gè)揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)。
      [0028]本申請(qǐng)實(shí)施例中的上述一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案,至少具有如下一種或多種技術(shù)效果:
      [0029]—、本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案,由于采用通過(guò)導(dǎo)管的N端將N個(gè)設(shè)置有揚(yáng)聲器的腔體進(jìn)行連接,并且通過(guò)第N+1端與無(wú)源輻射器相連接的技術(shù)手段,所以,在N個(gè)揚(yáng)聲器處于工作狀態(tài)時(shí),N個(gè)揚(yáng)聲器在N個(gè)腔體內(nèi)部產(chǎn)生的氣流通過(guò)N端進(jìn)入所述導(dǎo)管,經(jīng)由所述第N+1端導(dǎo)入第N+1個(gè)腔體內(nèi),以使無(wú)源輻射器的第一振動(dòng)部件發(fā)生振動(dòng)。所以,有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中的電子設(shè)備在揚(yáng)聲器尺寸較小的條件下,揚(yáng)聲器不能提供較好的低音效果的技術(shù)問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了降低N個(gè)揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)的技術(shù)效果。
      [0030]二、本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案,由于采用了在所述N個(gè)腔體中的每一個(gè)腔體和所述N端中的每端相連接的第一連接位置還設(shè)置有第一密封部件,共N個(gè)第一密封部件,在所述第N+1個(gè)腔體和所述第N+1端相連接的第二連接位置還設(shè)置有第二密封部件的技術(shù)手段,所以,由于揚(yáng)聲器工作產(chǎn)生的氣流在通過(guò)N端進(jìn)入導(dǎo)管,進(jìn)入無(wú)源輻射器中,由于第一密封部件和第二密封部件的設(shè)置進(jìn)而能夠有效避免導(dǎo)管和N+1個(gè)腔體內(nèi)部工作氣體泄露,實(shí)現(xiàn)有效降低低頻響點(diǎn)的技術(shù)效果。
      [0031]三、本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案,由于采用了將無(wú)源輻射器的口徑設(shè)計(jì)成為大于所述N個(gè)揚(yáng)聲器中的任意一個(gè)揚(yáng)聲器的口徑,即無(wú)源輻射器的振膜的直徑大于揚(yáng)聲器的振膜的直徑的技術(shù)手段,所以,能進(jìn)一步將小尺寸揚(yáng)聲器產(chǎn)生低音的負(fù)擔(dān)轉(zhuǎn)嫁到更大尺寸的無(wú)源輻射器上,將揚(yáng)聲器低頻響應(yīng)點(diǎn)延伸得更低,實(shí)現(xiàn)低音和中頻響應(yīng)更加準(zhǔn)確,分離度更好的技術(shù)效果。
      【附圖說(shuō)明】
      [0032]為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例。
      [0033]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例一中一種低音輻射器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0034]圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例一中一種低音福射器的結(jié)構(gòu)的俯視圖;
      [0035]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例一中無(wú)源輻射器的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0036]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例一中一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0037]本實(shí)用新型提供一種低音輻射器,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的電子設(shè)備在揚(yáng)聲器尺寸較小的條件下,揚(yáng)聲器不能提供較好的低音效果的技術(shù)問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了降低N個(gè)揚(yáng)聲器的低頻響點(diǎn)的技術(shù)效果。
      [0038]本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案為解決上述問(wèn)題,總體
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