連，所述第二反相器B2的輸入端與所述第二與非門G2的輸出端相連，第二反相器B2的輸出端與所述電平轉(zhuǎn)換電路中的第二 NMOS管MN2的柵極相連；
[0026]所述第一匪OS管MNl的源極與所述第二匪OS管MN2的源極接地，所述第一匪OS管MNl的漏極與所述第一 PMOS管MPI的漏極、所述第二 PMOS管MP2的柵極、以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的第三PMOS管MP3的柵極、傳輸門TG的門控制信號(hào)輸出端相連于節(jié)點(diǎn)NI，所述第二NMOS管MN2的漏極與所述第一 PMOS管MPl的柵極、所述第二 PMOS管MP2的漏極、以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的傳輸門TG的門控制信號(hào)輸入端相連于節(jié)點(diǎn)N2，所述第一 PMOS管MPl的源極、所述第二 PMOS管MP2的源極以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的第三PMOS管MP3的源極與復(fù)位電平輸入端相連；
[0027]所述第三PMOS管MP3的漏極以及所述傳輸門TG的信號(hào)輸出端與復(fù)位信號(hào)輸出端相連，所述傳輸門TG的信號(hào)輸入端連接到Vblooming輸出端。
[0028]進(jìn)一步地，所述第一匪OS管麗I的尺寸大于所述第一 PMOS管MPl的尺寸，所述第二NMOS管麗2的尺寸大于所述第二 PMOS管MP2的尺寸。
[0029]進(jìn)一步地，在所述不交疊信號(hào)產(chǎn)生電路中，所述與非門Gl、G2，以及反相器B1、B2、B3采用3.3V工藝MOS管。
[0030]進(jìn)一步地，在所述電平轉(zhuǎn)換電路中，所述PMOS管MPl、MP2，以及NMOS管麗1、麗2采用5V工藝MOS管。
[0031 ]進(jìn)一步地，在所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中，所述PMOS管MP3以及傳輸門TG采用5V工藝MOS管。
[0032]提高抗飽和能力的方法是增大像素單元復(fù)位管柵極的復(fù)位信號(hào)低電平的電壓值，本實(shí)用新型中采用IV取代OV作為復(fù)位信號(hào)的低電平電壓，提供像素積分期間復(fù)位管的低電平偏置信號(hào)，提高了像素最大輸出擺幅，同時(shí)消除了圖像滯后與弱光條件下的非線性響應(yīng)，增強(qiáng)了像素的抗飽和能力。
[0033]通過(guò)實(shí)驗(yàn)，硬復(fù)位實(shí)現(xiàn)像素的復(fù)位控制信號(hào)高電平為4.5V，在不同的光電流下，硬復(fù)位電路使像素復(fù)位到固定的3.3V復(fù)位電壓，復(fù)位電壓的最大差異為40μν，像素被完全復(fù)位。
[0034]當(dāng)然，上述說(shuō)明并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，其特征在于:包括不交疊信號(hào)產(chǎn)生電路、電平轉(zhuǎn)換電路以及抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路，其中: 所述不交疊信號(hào)產(chǎn)生電路含有2個(gè)與非門Gl、G2，3個(gè)反相器B1、B2、B3; 所述電平轉(zhuǎn)換電路含有2個(gè)PMOS管MPl、MP2，2個(gè)NMOS管MNl、MN2 ； 所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路含有I個(gè)PMOS管MP3，I個(gè)傳輸門TG; 所述第一與非門Gl設(shè)有兩個(gè)輸入端、一個(gè)輸出端，所述第二與非門G2設(shè)有兩個(gè)輸入端、一個(gè)輸出端，所述第一與非門Gl的兩個(gè)輸入端分別與復(fù)位開(kāi)關(guān)、所述第二與非門G2的輸出端相連，所述第二與非門G2的兩個(gè)輸入端分別與所述第一與非門Gl的輸出端、第三反相器B3的輸出端相連，所述第三反相器B3的輸入端與復(fù)位開(kāi)關(guān)相連，所述第一反相器BI的輸入端與所述第一與非門Gl的輸出端相連，第一反相器BI的輸出端與所述電平轉(zhuǎn)換電路中的第一NMOS管MNl的柵極相連，所述第二反相器B2的輸入端與所述第二與非門G2的輸出端相連，第二反相器B2的輸出端與所述電平轉(zhuǎn)換電路中的第二 NMOS管MN2的柵極相連； 所述第一匪OS管麗I的源極與所述第二匪OS管麗2的源極接地，所述第一匪OS管MNl的漏極與所述第一 PMOS管MPl的漏極、所述第二 PMOS管MP2的柵極、以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的第三PMOS管MP3的柵極、傳輸門TG的門控制信號(hào)輸出端相連于節(jié)點(diǎn)NI，所述第二NMOS管麗2的漏極與所述第一 PMOS管MPl的柵極、所述第二 PMOS管MP2的漏極、以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的傳輸門TG的門控制信號(hào)輸入端相連于節(jié)點(diǎn)N2，所述第一 PMOS管MPI的源極、所述第二 PMOS管MP2的源極以及所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中的第三PMOS管MP3的源極與復(fù)位電平輸入端相連； 所述第三PMOS管MP3的漏極以及所述傳輸門TG的信號(hào)輸出端與復(fù)位信號(hào)輸出端相連，所述傳輸門TG的信號(hào)輸入端連接到Vblooming輸出端。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，其特征在于:在所述電平轉(zhuǎn)換電路中，所述第一匪OS管MNl的尺寸大于所述第一PMOS管MPl的尺寸，所述第二匪OS管MN2的尺寸大于所述第二 PMOS管MP2的尺寸。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，其特征在于:在所述不交疊信號(hào)產(chǎn)生電路中，所述與非門Gl、G2，以及反相器B1、B2、B3采用3.3V工藝MOS管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，其特征在于:在所述電平轉(zhuǎn)換電路中，所述PMOS管MPl、MP2，以及NMOS管麗1、麗2采用5V工藝MOS管。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，其特征在于:在所述抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中，所述PMOS管MP3以及傳輸門TG采用5V工藝MOS管。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種圖像傳感器像素硬復(fù)位保護(hù)電路，包括不交疊信號(hào)產(chǎn)生電路、電平轉(zhuǎn)換電路以及抗飽和負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路。本實(shí)用新型中在電平轉(zhuǎn)換電路中采用交叉耦合PMOS管結(jié)構(gòu)，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，電路功耗較小，對(duì)像素陣列負(fù)載依賴性不高；在負(fù)載驅(qū)動(dòng)電路中嵌入了抗飽和結(jié)構(gòu)，采用1V取代0V作為復(fù)位信號(hào)的低電平電壓，提供像素積分期間復(fù)位管的低電平偏置信號(hào)，提高了像素最大輸出擺幅，同時(shí)消除了圖像滯后與弱光條件下的非線性響應(yīng)，增強(qiáng)了像素的抗飽和能力。
【IPC分類】H04N5/374, H04N5/3745
【公開(kāi)號(hào)】CN205232331
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201521089673
【發(fā)明人】魏民會(huì)
【申請(qǐng)人】惠州市盛微電子有限公司
【公開(kāi)日】2016年5月11日
【申請(qǐng)日】2015年12月24日