本發(fā)明涉及散裂中子源相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種轉(zhuǎn)盤式中子斬波器。

背景技術(shù)：
散裂中子源是通過加速器驅(qū)動(dòng)高能質(zhì)子轟擊重金屬靶體，從而得到高中子通量的中子束流。先進(jìn)的中子源是中子科學(xué)研究的基礎(chǔ)，能夠?yàn)槲镔|(zhì)微觀結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的研究提供必要的工具。而不同研究和實(shí)驗(yàn)需要的中子束流波段不盡相同，因此需要根據(jù)不同的需要對中子束流進(jìn)行截取。目前尚無真正意義上能夠用于散裂中子源的中子束流截取裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在真空、輻射環(huán)境下連續(xù)穩(wěn)定工作，用于截取指定波長范圍的中子束的一種轉(zhuǎn)盤式中子斬波器。為達(dá)到上述功能，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是：一種轉(zhuǎn)盤式中子斬波器，包括真空密封腔體和轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤設(shè)置在所述真空密封腔體內(nèi)并由伺服電機(jī)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)置有扇形開口，所述真空密封腔體在前后兩側(cè)上對應(yīng)設(shè)置有中子束窗，中子束窗是中子束流經(jīng)過真空密封腔體的通道。優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)盤前后兩端面均設(shè)置有環(huán)形凹槽帶，所述凹槽帶上覆蓋有涂層，涂層用于吸收和阻擋中子。優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)盤式中子斬波器還包括對射式光電傳感器，所述對射式光電傳感器固定安裝在所述真空密封腔體上。優(yōu)選地，所述轉(zhuǎn)盤式中子斬波器還包括溫度傳感器和真空測量計(jì)，所述溫度傳感器和真空測量計(jì)分別安裝在所述真空密封腔體內(nèi)。優(yōu)選地，所述涂層是硼10粉與環(huán)氧膠的混合物。優(yōu)選地，所述真空密封腔體和所述轉(zhuǎn)盤采用超硬鋁制成。本發(fā)明的有益效果在于：一種轉(zhuǎn)盤式中子斬波器，包括真空密封腔體和轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤設(shè)置在所述真空密封腔體內(nèi)并由伺服電機(jī)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，所述轉(zhuǎn)盤上設(shè)置有扇形開口，所述真空密封腔體在前后...