1. 層疊體，其至少具有：
由聚合物材料構(gòu)成的基材；以及
部分氧化薄層石墨小片層，所述部分氧化薄層石墨小片層形成于基材上且包含介由化學(xué)鍵與基材鍵合的部分氧化薄層石墨小片，并且平均厚度ta為3.0nm以上且10000nm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊體，其中，部分氧化薄層石墨小片的氧化度(O/C)為0.07~0.85。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊體，其中，所述部分氧化薄層石墨小片層實質(zhì)上不含粘接劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的層疊體，其中，所述化學(xué)鍵選自離子鍵、氫鍵和共價鍵。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的層疊體，其中，介由所述化學(xué)鍵的鍵合通過鍵合劑形成，所述鍵合劑具有與所述基材之間形成的第一化學(xué)鍵以及與所述部分氧化薄層石墨小片之間形成的第二化學(xué)鍵。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊體，其中，所述鍵合劑具有堿性官能團和選自羥基、氨基、銨基、羧基和烷氧基甲硅烷基的官能團。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的層疊體，其中，所述鍵合劑為聚合物系鍵合劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的層疊體，其中，所述部分氧化薄層石墨小片層的表面電阻率Ra的變異系數(shù)CV為10%以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的層疊體，其中，所述部分氧化薄層石墨小片層具有氧化度(O/C)為0.15以上的絕緣性部分和氧化度(O/C)小于0.15的導(dǎo)電性部分。
10.電極材料，其為使用權(quán)利要求1~9中任一項所述的層疊體而得到。
11.放熱材料，其為使用權(quán)利要求1~9中任一項所述的層疊體而得到。
12.氣體阻隔材料，其為使用權(quán)利要求1~9中任一項所述的層疊體而得到。
13.氣罐，其為使用權(quán)利要求12的氣體阻隔材料而得到。
14.層疊體的制造方法，在由聚合物材料構(gòu)成的基材上擔(dān)載具有能夠與所述基材形成化學(xué)鍵的第一鍵合性官能團和能夠與部分氧化薄層石墨小片形成化學(xué)鍵的第二鍵合性官能團的鍵合劑，使所述基材與所述第一鍵合性官能團化學(xué)鍵合，然后進一步在所述鍵合劑上涂布含有部分氧化薄層石墨小片的涂劑從而使其擔(dān)載，使所述第二鍵合性官能團與部分氧化薄層石墨小片化學(xué)鍵合，進一步在液體中對所述部分氧化薄層石墨小片的至少一部分進行還原處理。
15.部分氧化石墨用易粘接膜，其為在由聚合物材料構(gòu)成的基材上設(shè)置具有堿性官能團和選自羥基、氨基、銨基、羧基和烷氧基甲硅烷基的官能團的鍵合劑而得到。