本發(fā)明涉及一種利用于電子器件的制造等中的阻氣膜、利用該阻氣膜的電子器件及該阻氣膜的制造方法。

背景技術(shù)：

在有機(jī)EL顯示器等顯示裝置、半導(dǎo)體裝置、太陽(yáng)能電池等具有因水分而劣化的元件的各種電子器件；容納因水分或氧而變質(zhì)的藥劑的輸液袋；容納同樣因水分或氧而劣化的食品的管或包裝袋等中利用阻氣膜。

阻氣膜中，作為一例具有如下結(jié)構(gòu)：將聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)薄膜等樹(shù)脂薄膜作為支撐體，在該支撐體上形成有包含具有阻氣性的材料的阻氣層。

例如，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，作為包裝袋用阻氣膜(包裝袋用層疊膜)，記載有層疊型阻氣膜，該層疊型阻氣膜在支撐體上具有印刷層，在印刷層上具有粘結(jié)層，在粘結(jié)層上具有阻氣層，在阻氣層上具有密封膠層。

并且，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中還記載有對(duì)支撐體實(shí)施用于使包裝袋的開(kāi)封性良好的傷痕加工。而且，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中還記載有在印刷層上形成用于對(duì)傷痕加工的形成位置進(jìn)行定位的識(shí)別標(biāo)記(注視標(biāo)記(eye mark))。

這種阻氣膜中，作為可得到更高的阻氣性的結(jié)構(gòu)，已知有具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜，該有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)通過(guò)交替形成成為基底層(底涂層)的有機(jī)層和包含形成于該有機(jī)層上的無(wú)機(jī)化合物的無(wú)機(jī)層而成。該阻氣膜中的阻氣性主要在無(wú)機(jī)層顯現(xiàn)。

具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜通過(guò)具有成為基底層的有機(jī)層而能夠?qū)@現(xiàn)阻氣性的無(wú)機(jī)層作為連續(xù)膜而適當(dāng)?shù)匦纬?，因此具有非常高的阻氣性。并且，還已知通過(guò)具有多個(gè)有機(jī)層與無(wú)機(jī)層的層疊結(jié)構(gòu)，可得到更高的阻氣性。

作為具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜，例如專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載有如下阻氣膜(阻隔性薄膜基板)：在塑料薄膜的表面具有包含至少一層有機(jī)層和至少兩層無(wú)機(jī)層的有機(jī)層與無(wú)機(jī)層的交替層疊體，有機(jī)層包含選自聚脲、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯及聚丙烯酸甲酯中的一種以上的有機(jī)化合物，并且有機(jī)化合物的99.5質(zhì)量％以上在25℃下為固體。

然而，有機(jī)電致發(fā)光器件(有機(jī)EL器件)或太陽(yáng)能電池等電子器件通常形成在玻璃基板上。

相對(duì)于此，近年來(lái)，可實(shí)現(xiàn)輕量性和柔性?xún)?yōu)異的電子器件，因此開(kāi)始將樹(shù)脂薄膜用作基板。通過(guò)將樹(shù)脂薄膜用作電子器件的基板，能夠以輥對(duì)輥(Roll to Roll)的方式制作，因此在生產(chǎn)效率和生產(chǎn)成本方面也有利。

在此，通常有機(jī)EL器件或太陽(yáng)能電池的耐水性較弱，容易因水分而劣化。因此，將阻氣膜作為基板而制作有機(jī)EL器件等，由此還可考慮到防止水分的進(jìn)入。

例如，上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載有將具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜作為基板而制作有機(jī)EL器件的內(nèi)容。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2009-102048號(hào)公報(bào)

專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2007-30387號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)課題

為了將具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜作為基板而制作電子器件，需要形成如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所述的識(shí)別標(biāo)記，以使進(jìn)行元件的形成部件的對(duì)位等。

然而，具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜中，主要顯現(xiàn)阻氣性的無(wú)機(jī)層較硬且較脆。因此，根據(jù)識(shí)別標(biāo)記的形成位置，無(wú)機(jī)層中應(yīng)力集中在局部而導(dǎo)致?lián)p傷無(wú)機(jī)層，且導(dǎo)致阻氣性大幅降低。

并且，用作電子器件的基板的阻氣膜中并不存在如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所示的包裝袋用阻氣膜那樣可形成識(shí)別標(biāo)記的印刷層。

本發(fā)明的目的在于解決這種以往技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)，且在于提供一種阻氣膜、利用該阻氣膜的電子器件及該阻氣膜的制造方法，該阻氣膜可較佳地利用于如有機(jī)EL器件的電子器件的制造等，且具有識(shí)別標(biāo)記，其中，該阻氣膜具有基于有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的較高的阻氣性，而且還可防止由識(shí)別標(biāo)記引起的無(wú)機(jī)層的損傷。

用于解決技術(shù)課題的手段

為了解決該課題，本發(fā)明提供一種阻氣膜，該阻氣膜的特征在于，具有：支撐體；有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)，形成在支撐體上且具有至少一層有機(jī)層及至少一層無(wú)機(jī)層，并交替層疊有機(jī)層及無(wú)機(jī)層而成；及識(shí)別標(biāo)記，形成于至少一層有機(jī)層的形成面。

這種本發(fā)明的阻氣膜中，優(yōu)選在支撐體的表面形成識(shí)別標(biāo)記及有機(jī)層。

并且，優(yōu)選形成于識(shí)別標(biāo)記的形成面的有機(jī)層吸收因識(shí)別標(biāo)記而產(chǎn)生的凹凸而具有平坦的表面。

并且，優(yōu)選形成于識(shí)別標(biāo)記的形成面的有機(jī)層具有識(shí)別標(biāo)記的兩倍以上的厚度。

而且，優(yōu)選識(shí)別標(biāo)記的厚度為200nm以下，且形成于識(shí)別標(biāo)記的形成面的有機(jī)層的厚度為500nm以上。

并且，本發(fā)明提供一種電子器件，其特征在于，在本發(fā)明的阻氣膜上形成有構(gòu)成電子器件的電子元件。

并且，本發(fā)明提供一種阻氣膜的制造方法，其特征在于，在支撐體上形成有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)，并且在形成至少一層有機(jī)層之前，在有機(jī)層的形成面形成識(shí)別標(biāo)記，該有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)具有至少一層有機(jī)層和至少一層無(wú)機(jī)層，且交替層疊有機(jī)層和無(wú)機(jī)層而成。

這種本發(fā)明的阻氣膜的制造方法中，優(yōu)選在支撐體形成識(shí)別標(biāo)記及有機(jī)層。

并且，優(yōu)選通過(guò)利用組合物的涂布法來(lái)形成有機(jī)層，該組合物包含聚合性化合物。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，在具有顯現(xiàn)較高的阻氣性的有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜中，形成有識(shí)別標(biāo)記，并且識(shí)別標(biāo)記被有機(jī)層覆蓋，因此能夠防止由于識(shí)別標(biāo)記引起無(wú)機(jī)層中應(yīng)力集中在局部而無(wú)機(jī)層受損。

從而，根據(jù)本發(fā)明，能夠利用形成有識(shí)別標(biāo)記且具有較高的阻氣性的阻氣膜而制造有機(jī)EL器件等電子器件。

附圖說(shuō)明

圖1為示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜的一例的圖。

圖2(A)及圖2(B)為示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜另一例的圖。

圖3為示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜的另一例的圖。

圖4(A)及圖4(B)為示意性地表示以往的阻氣膜的一例的俯視圖，圖4(C)為示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜的一例的俯視圖。

圖5(A)為示意性地表示以往的阻氣膜的一例的圖，圖5(B)為示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜的一例的圖。

具體實(shí)施方式

以下，根據(jù)附圖中所表示的較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明阻氣膜、電子器件及阻氣膜的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

圖1中示意性地表示本發(fā)明的阻氣膜的一例。

圖1所示的阻氣膜10基本上具有如下而構(gòu)成，即支撐體12、形成于支撐體12的表面的第一層有機(jī)層14、形成于有機(jī)層14的表面的第一層無(wú)機(jī)層16、形成于第一層無(wú)機(jī)層16的表面的第二層有機(jī)層14、形成于第二層有機(jī)層14的表面的第二層無(wú)機(jī)層16。并且，在支撐體12的表面形成有識(shí)別標(biāo)記20。

以下將進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，形成于無(wú)機(jī)層16的底層的有機(jī)層14作為用于適當(dāng)形成無(wú)機(jī)層16的基底層(底涂層)而發(fā)揮作用。即，圖1所示的阻氣膜10具有兩組成為基底的有機(jī)層14和在其上的無(wú)機(jī)層16的組合。

另外，本發(fā)明的阻氣膜并不限定于該結(jié)構(gòu)，若具有交替形成有機(jī)層14和無(wú)機(jī)層16的有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)，則可利用各種結(jié)構(gòu)。

例如，如圖2(A)中示意性地表示的阻氣膜30，可以在最上層具有第三層有機(jī)層14。該情況下，最上層的有機(jī)層14作為用于保護(hù)無(wú)機(jī)層16的保護(hù)層而發(fā)揮作用。

或者，如圖2(B)中示意性地表示的阻氣膜32，可以為僅具有一組無(wú)機(jī)層16和成為基底的有機(jī)層14的組合的結(jié)構(gòu)。或者，可以為具有三組以上的無(wú)機(jī)層16和成為基底的有機(jī)層14的組合的結(jié)構(gòu)。

而且，還可以為在支撐體12上形成無(wú)機(jī)層16，并在其上具有一組以上的無(wú)機(jī)層16和成為基底的有機(jī)層14的組合的結(jié)構(gòu)。有機(jī)層14基本上通過(guò)涂布法形成，但在形成有機(jī)層14的組合物中包含溶解支撐體12的成分的情況下，通過(guò)該結(jié)構(gòu)能夠保護(hù)支撐體12。

阻氣膜10中，關(guān)于支撐體12，并不限定于具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜，還可以利用在各種阻氣膜或各種層疊型阻氣膜中作為支撐體而利用的各種公知的片狀物。

作為支撐體12，具體而言，優(yōu)選例示包含聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯等各種樹(shù)脂材料(高分子材料)的薄膜。

并且，本發(fā)明中，可以將在這種樹(shù)脂材料制薄膜的表面形成有保護(hù)層、粘結(jié)層、反光層、防反射層、遮光層、平坦化層、緩沖層、應(yīng)力緩和層等用于獲得各種功能的層(膜)的物體用作支撐體12。

圖1(圖2(A)及圖2(B))所示的阻氣膜10中，在支撐體12的表面即有機(jī)層14的形成面形成識(shí)別標(biāo)記20。識(shí)別標(biāo)記20使用于在阻氣膜10的表面或背面形成電子器件等的圖案時(shí)，在阻氣膜10的表面或背面層疊其他基材等時(shí)等的對(duì)位等。

關(guān)于識(shí)別標(biāo)記20，在以下進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

另外，本例中，阻氣膜10的表面為形成有機(jī)層及無(wú)機(jī)層的一側(cè)，背面為未形成有機(jī)層及無(wú)機(jī)層的一側(cè)。

阻氣膜10具有兩層有機(jī)層14。如圖示例，形成于無(wú)機(jī)層16的下側(cè)的有機(jī)層14作為用于適當(dāng)形成顯現(xiàn)阻氣性的無(wú)機(jī)層16的基底層而發(fā)揮功能。

通過(guò)具有成為這種基底層的有機(jī)層14，包埋支撐體12的表面的凹凸、粘附在支撐體12的表面的雜質(zhì)等而可將無(wú)機(jī)層16的成膜面設(shè)成適合無(wú)機(jī)層16的成膜的狀態(tài)。由此，可去除如支撐體12的表面的凹凸或雜質(zhì)的痕跡等成為無(wú)機(jī)層16的無(wú)機(jī)化合物不易附著膜的區(qū)域，且可在基板的整個(gè)表面，無(wú)間隙地形成適當(dāng)?shù)臒o(wú)機(jī)層16。

另外，如圖2(A)所示的阻氣膜30，形成于阻氣膜的表面(最表層)的有機(jī)層14作為用于保護(hù)無(wú)機(jī)層16的保護(hù)層(外涂層)而發(fā)揮作用的情況如上述。

有機(jī)層14為包含有機(jī)化合物的層，基本上是聚合單體或低聚物等而成。有機(jī)層14的形成材料并無(wú)限定，可利用各種公知的有機(jī)化合物。

具體而言，優(yōu)選例示聚酯、丙烯酸樹(shù)脂、甲基丙烯酸樹(shù)脂、甲基丙烯酸-馬來(lái)酸共聚物、聚苯乙烯、透明氟樹(shù)脂、聚酰亞胺、氟化聚酰亞胺、聚酰胺、聚酰胺酰亞胺、聚醚酰亞胺、纖維素?；?、聚氨酯、聚醚醚酮、聚碳酸酯、脂環(huán)式聚烯烴、聚芳酯、聚醚砜、聚砜、芴環(huán)改性聚碳酸酯、脂環(huán)改性聚碳酸酯、芴環(huán)改性聚酯、丙烯酸化合物等熱塑性樹(shù)脂或聚硅氧烷、其他有機(jī)硅化合物的膜。該些可以并用多種。

其中，從玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或強(qiáng)度優(yōu)異等方面考慮，優(yōu)選由自由聚合性化合物和/或于官能團(tuán)具有醚基的陽(yáng)離子聚合性化合物的聚合物構(gòu)成的有機(jī)層14。

其中，除了上述玻璃化轉(zhuǎn)變溫度或強(qiáng)度優(yōu)異以外，從折射率較低，透明性較高的光學(xué)特性?xún)?yōu)異等方面考慮，尤其優(yōu)選例示以丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的單體或低聚物等的聚合物為主成分的丙烯酸樹(shù)脂或甲基丙烯酸樹(shù)脂來(lái)作為有機(jī)層14。

其中，尤其優(yōu)選例示二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯(DPGDA)、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯(TMPTA)、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯(DPHA)等以2官能以上、尤其3官能以上的丙烯酸酯和/或丙烯酸甲酯的單體或低聚物等的聚合物為主成分的丙烯酸樹(shù)脂或甲基丙烯酸樹(shù)脂。并且，優(yōu)選使用多種這種丙烯酸樹(shù)脂或甲基丙烯酸樹(shù)脂。

另外，除了這種主要成為有機(jī)層14的有機(jī)化合物以外，有機(jī)層14還可以含有溶劑、表面活性劑、聚合引發(fā)劑、硅烷偶聯(lián)劑等各種成分。

在此，有機(jī)層14優(yōu)選不包含溶解后述的溶解識(shí)別標(biāo)記20的成分。

有機(jī)層14的厚度并無(wú)限定，優(yōu)選設(shè)為500～5000nm。

通過(guò)將有機(jī)層14的厚度設(shè)為500nm以上，能夠包埋支撐體12的表面的凹凸或粘附于支撐體12的表面的雜質(zhì)而將有機(jī)層14的表面，即無(wú)機(jī)層16的成膜面平坦化。

并且，通過(guò)將有機(jī)層14的厚度設(shè)為5000nm以下，能夠較佳地抑制產(chǎn)生因有機(jī)層14過(guò)厚而引起的有機(jī)層14的龜裂和阻氣膜10的翹曲等問(wèn)題。

考慮到以上方面，有機(jī)層14的厚度更優(yōu)選設(shè)為1000～3000nm。

在此，在形成有識(shí)別標(biāo)記20的層表面所形成的有機(jī)層14，換言之，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14優(yōu)選包埋因識(shí)別標(biāo)記20引起的形成面的段差而其表面平坦。

而且，為了形成平坦的有機(jī)層14，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14優(yōu)選具有識(shí)別標(biāo)記20的厚度的兩倍以上的厚度。即，圖1所示的阻氣膜10中，形成于支撐體12的表面的有機(jī)層14優(yōu)選具有識(shí)別標(biāo)記20的厚度的兩倍以上的厚度。

通過(guò)將覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的厚度設(shè)為識(shí)別標(biāo)記20的厚度的兩倍以上，能夠吸收因具有識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的支撐體12的凹凸而使該有機(jī)層14的表面平坦。由此，能夠在覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14上適當(dāng)形成無(wú)機(jī)層16。

具體而言，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的厚度優(yōu)選500nm以上，更優(yōu)選1000nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選2000nm以上。

將進(jìn)行后述，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選200nm以下。因此，通過(guò)將覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的厚度設(shè)為500nm以上，能夠進(jìn)一步較佳地吸收因具有識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的支撐體12的凹凸來(lái)使該有機(jī)層14的表面平坦。

另外，本發(fā)明中，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的表面平坦表示，作為一例，在以識(shí)別標(biāo)記20為中心的半徑1mm的范圍內(nèi)，有機(jī)層14表面的最高位置與最低位置的高度差為100nm以下。

并且，以識(shí)別標(biāo)記20為中心的半徑1mm的范圍是指具有與內(nèi)切識(shí)別標(biāo)記20的圓的中心相同的中心的半徑1mm的圓的內(nèi)側(cè)。

這種表面平坦的有機(jī)層14可使用將上述TMPTA等聚合性化合物溶解于溶劑而成的液狀組合物，并通過(guò)形成包含有機(jī)化合物的層的所謂涂布法而形成。

本發(fā)明中，如圖1所示的阻氣膜10，具有多個(gè)有機(jī)層14的情況下，各有機(jī)層14的厚度可以相同，也可以彼此不同。并且，各有機(jī)層14的形成材料可以相同也可以不同。

無(wú)機(jī)層16為包含無(wú)機(jī)化合物的層。

阻氣膜10中的阻氣性主要由無(wú)機(jī)層16顯現(xiàn)。

無(wú)機(jī)層16的形成材料并無(wú)限定，可利用各種包含顯現(xiàn)阻氣性的無(wú)機(jī)化合物的層。

具體而言，優(yōu)選例示包含氧化鋁、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋯、氧化鈦、氧化銦錫(ITO)等金屬氧化物；氮化鋁等金屬氮化物；碳化鋁等金屬碳化物；氧化硅、氧化氮化硅、氧碳化硅、氧化氮化碳化硅等硅氧化物；氮化硅、氮化碳化硅等硅氮化物；碳化硅等硅碳化物；它們的氫化物；它們的兩種以上的混合物；及它們的含氫化合物等無(wú)機(jī)化合物的膜。

尤其，氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧化鋁從透明性較高并且能夠顯現(xiàn)優(yōu)異的阻氣性的方面考慮，優(yōu)選利用。其中，氮化硅除了阻氣性?xún)?yōu)異以外，透明性也較高，因此尤其優(yōu)選利用。

關(guān)于無(wú)機(jī)層16的膜厚，根據(jù)形成材料，適當(dāng)確定能夠顯現(xiàn)作為目標(biāo)的阻氣性的厚度即可。另外，根據(jù)本發(fā)明人的研究，無(wú)機(jī)層16的厚度優(yōu)選設(shè)為10～200nm。

通過(guò)將無(wú)機(jī)層16的厚度設(shè)為10nm以上，可形成穩(wěn)定地顯現(xiàn)充分的阻氣性的無(wú)機(jī)層16。并且，無(wú)機(jī)層16通常較脆，若過(guò)厚則有可能產(chǎn)生龜裂或裂紋、剝離等，從而通過(guò)將無(wú)機(jī)層16的厚度設(shè)為200nm以下，能夠防止產(chǎn)生龜裂。

并且，考慮到這種方面，無(wú)機(jī)層16的厚度優(yōu)選設(shè)為15～100nm，尤其優(yōu)選設(shè)為20～75nm。

另外，本發(fā)明中，如圖1所示的阻氣膜10或圖2(A)所示的阻氣膜30，具有多個(gè)無(wú)機(jī)層16的情況下，各無(wú)機(jī)層16的厚度可以相同也可以不同。并且，同樣地，阻氣膜具有多個(gè)無(wú)機(jī)層16的情況下，各無(wú)機(jī)層16的形成材料可以相同也可以不同。

阻氣膜10在支撐體12的表面具有識(shí)別標(biāo)記20。

阻氣膜10中，在將阻氣膜10用作基板的電子器件的制造等中，識(shí)別標(biāo)記20可利用于各種用途。

作為一例，識(shí)別標(biāo)記20可利用于通過(guò)輥對(duì)輥(Roll to Roll)等沿長(zhǎng)邊方向輸送長(zhǎng)條狀阻氣膜10時(shí)的阻氣膜10的蛇行(meandering)的控制等。以下的說(shuō)明中，還將“輥對(duì)輥”稱(chēng)為“RtoR”。

并且，識(shí)別標(biāo)記20可利用于施加張力的情況等阻氣膜10變形時(shí)的張力或變形的控制。

并且，將阻氣膜10作為基板的電子器件的制造中，識(shí)別標(biāo)記20還可利用于形成構(gòu)成電子器件的電子元件等的一種或多種圖案等時(shí)的元件等的形成位置的對(duì)位、阻氣膜10的變形測(cè)定或校正、阻氣膜10與圖案等的形成裝置之間的間隙的測(cè)定或控制等中。

并且，識(shí)別標(biāo)記20還可利用于進(jìn)行阻氣膜10彼此的貼合或阻氣膜10與其他基材的貼合等時(shí)的對(duì)位、對(duì)時(shí)、間隙的控制等中。

而且，識(shí)別標(biāo)記20還可利用于阻氣膜10的制造信息或長(zhǎng)條狀阻氣膜10的長(zhǎng)邊方向上的位置信息的獲取等。

即，本發(fā)明的阻氣膜10中，識(shí)別標(biāo)記20可利用于各個(gè)部件的對(duì)位或輸送的控制，各種信息的提供等，也可作為成為電子器件等的制造中的位置的基準(zhǔn)的所謂全球?qū)?zhǔn)標(biāo)記而利用。

本發(fā)明的阻氣膜10中，利用于這種用途的識(shí)別標(biāo)記20形成于有機(jī)層14的形成面。換言之，本發(fā)明的阻氣膜10中，在識(shí)別標(biāo)記20的形成面形成有機(jī)層14。即，識(shí)別標(biāo)記20被有機(jī)層14覆蓋。

如圖1所示的阻氣膜10，優(yōu)選在支撐體12形成識(shí)別標(biāo)記20及有機(jī)層14。

本發(fā)明中，通過(guò)具有這種結(jié)構(gòu)，在具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜中，實(shí)現(xiàn)了可作為有機(jī)EL器件等的基板而較佳地利用的阻氣膜。

如上述，作為阻氣性較高的阻氣膜，已知有具有交替形成顯現(xiàn)阻氣性的無(wú)機(jī)層16和成為該無(wú)機(jī)層的基底層的有機(jī)層14而成的有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜。并且，還可考慮將具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜用作有機(jī)EL器件等電子器件的基板。

為了將具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜用作電子器件的基板，需要形成用于進(jìn)行構(gòu)成電子器件的電子元件的圖案的定位的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等識(shí)別標(biāo)記。

在具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜形成識(shí)別標(biāo)記的情況下，通?？紤]在表面或背面形成識(shí)別標(biāo)記。即，若為圖1所示的阻氣膜10，則考慮在最表層的無(wú)機(jī)層16的表面或支撐體12的背面形成識(shí)別標(biāo)記。

然而，根據(jù)本發(fā)明人的研究，若在阻氣膜10的表面或背面形成識(shí)別標(biāo)記20，則由于因識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的凹凸，在電子器件的制造工序或操作時(shí)的物理接觸、伴隨電子器件的制造時(shí)的加熱的工序或藥液工序等中，有可能對(duì)無(wú)機(jī)層16的局部施加力或應(yīng)力，從而導(dǎo)致?lián)p傷無(wú)機(jī)層16。

具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜10中，顯現(xiàn)阻氣性的為無(wú)機(jī)層16。因此，若無(wú)機(jī)層16受損，則導(dǎo)致阻氣性降低。

并且，如圖4(A)及圖5(A)中示意性表示，將阻氣膜10使用于電子器件的基板的情況下，為了避免因無(wú)機(jī)層16受損而引起的阻氣性降低的影響，考慮在識(shí)別標(biāo)記20與電子器件的形成區(qū)域DA或密封端部P之間設(shè)置裕度空間。即，考慮將電子器件的形成間隔設(shè)為較寬，并將電子器件的形成區(qū)域DA或密封端部P與識(shí)別標(biāo)記20之間的間隔設(shè)為較寬，從有可能因識(shí)別標(biāo)記20而無(wú)機(jī)層16受損且以虛線表示的區(qū)域d去除形成區(qū)域DA或密封端部P。

然而，在該情況下，電子器件的成品效率即面積使用效率變差而導(dǎo)致電子器件的制造成本增大。

為了使電子器件的成品效率良好，如圖4(B)中示意性表示，還可考慮減少識(shí)別標(biāo)記20的數(shù)量。

然而，如上述若減少識(shí)別標(biāo)記20的數(shù)量，則導(dǎo)致構(gòu)成電子器件的各圖案之間的對(duì)位精度或薄膜等的貼合位置精度降低。

另外，圖4(A)～圖4(C)、圖5(A)及圖5(B)中，符號(hào)C為各電子器件各自的切斷部。

并且，圖5(A)及圖5(B)中，符號(hào)36為密封部件，符號(hào)38為密封薄膜。而且，圖5(A)中，左側(cè)電子器件的密封部件36例示邊緣密封，右側(cè)電子器件的密封部件36例示整面密封。

在阻氣膜10的表面或背面形成識(shí)別標(biāo)記20的情況下，考慮以無(wú)機(jī)層16不受損的方式進(jìn)行之后的工序。然而，該情況下，為了以無(wú)機(jī)層16不受損的方式進(jìn)行之后的工序，因各種工序或設(shè)備的制約而有可能增加電子器件等的生產(chǎn)成本。

而且，阻氣膜10通過(guò)RtoR制造的情況較多，并且利用通過(guò)RtoR制造的阻氣膜10的電子器件的制造工序等中利用RtoR的情況也較多。在此，若在表面或背面具有識(shí)別標(biāo)記20，則由于因識(shí)別標(biāo)記而產(chǎn)生的凹凸，卷繞阻氣膜10時(shí)，在寬度方向上只有識(shí)別標(biāo)記的形成位置隆起而無(wú)法進(jìn)行均勻的卷取。

相對(duì)于此，關(guān)于本發(fā)明的阻氣膜10，在具有有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)的阻氣膜中，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20而形成有機(jī)層14。

因此，本發(fā)明的阻氣膜10中，可由有機(jī)層14包埋因具有識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的凹凸。因此，物理接觸、伴隨加熱的工序或藥液工序中，防止對(duì)無(wú)機(jī)層16的局部施加力或應(yīng)力，從而防止無(wú)機(jī)層16受損。并且，通過(guò)RtoR卷繞時(shí)，也可均勻地卷繞阻氣膜10。

而且，本發(fā)明的阻氣膜10中，確保了識(shí)別標(biāo)記20的形成位置和其周邊的平坦性及阻氣性。因此，如圖4(C)及圖5(B)中示意性表示將阻氣膜10使用于有機(jī)EL器件等電子器件的基板時(shí)，能夠?qū)㈦娮悠骷男纬蓞^(qū)域DA或密封端部P與識(shí)別標(biāo)記20之間的間隔最小化。其結(jié)果，能夠提高電子器件的成品效率，并降低電子器件的制造成本。而且，無(wú)需減少識(shí)別標(biāo)記20的數(shù)量，因此能夠以高精度進(jìn)行構(gòu)成電子器件的各圖案之間的對(duì)位、薄膜等的貼合。并且，還能夠防止因無(wú)機(jī)層16的損傷而產(chǎn)生的水分等對(duì)電子器件產(chǎn)生的不良影響。

有機(jī)層14與無(wú)機(jī)層16的層疊方向上的識(shí)別標(biāo)記20的形成位置并不限定于圖1所示的支撐體12的表面。

即，若為有機(jī)層14的形成面，則識(shí)別標(biāo)記20可形成于層疊方向上的各層。例如，如圖3中示意性表示，可以在第一層無(wú)機(jī)層16的表面形成識(shí)別標(biāo)記20及第二層有機(jī)層14?；蛘撸梢栽诓煌亩鄠€(gè)層中形成識(shí)別標(biāo)記20。

但是，考慮到識(shí)別標(biāo)記20的形成容易性、防止無(wú)機(jī)層16受損等，如圖1所示，識(shí)別標(biāo)記20優(yōu)選僅在支撐體12形成而在支撐體12的表面形成有機(jī)層14。

阻氣膜10的面方向上的識(shí)別標(biāo)記20的形成位置、數(shù)量及大小根據(jù)阻氣膜10的用途、阻氣膜10的大小、后工序中的狹縫寬度、電子器件的布置、識(shí)別標(biāo)記20的用途、識(shí)別標(biāo)記20的形狀、識(shí)別標(biāo)記檢測(cè)機(jī)的能力等適當(dāng)設(shè)定即可。另外，利用RtoR的情況下，阻氣膜10的大小是指阻氣膜10的寬度。

識(shí)別標(biāo)記20的形狀可根據(jù)識(shí)別標(biāo)記20的用途等而使用記號(hào)、數(shù)字、文字、圖案化的花樣、未圖案化的花樣等各種形狀。

作為一例，將識(shí)別標(biāo)記20用作對(duì)位，即所謂的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的情況下，例示十字、印刷等中所使用的規(guī)矩線、四邊形等多邊形、圓或橢圓或點(diǎn)、莫爾條紋干涉圖案等。

將識(shí)別標(biāo)記20用作薄膜的變形量測(cè)定用標(biāo)記的情況下，例示十字、印刷等中所使用的規(guī)矩線、四邊形等多邊形、圓或橢圓或點(diǎn)、莫爾條紋干涉圖案等。

將識(shí)別標(biāo)記20利用于間隙控制的情況下，例示各種形狀的光反射性區(qū)域、莫爾條紋圖案等。

而且，將識(shí)別標(biāo)記用作制造信息、工序條件信息、長(zhǎng)邊的位置信息的各種信息源的情況下，例示文字、數(shù)字、各種記號(hào)等。

識(shí)別標(biāo)記20的形成材料可利用在對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等中所利用的公知的各種材料。因此，識(shí)別標(biāo)記20的形成材料中可利用在各種對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記等中所利用的各種公知的具有光吸收性或光反射性的材料或公知的透明、半透明的材料。

作為一例，作為具有光吸收性或光反射性的材料，例示鉻、鋁等各種金屬材料、各種油墨等。并且，作為透明、半透明材料，例示氧化銦錫(ITO)或氧化鋅等透明導(dǎo)電性材料或氧化硅、氧化鋁、氮化硅等介電質(zhì)材料等。

另外，識(shí)別標(biāo)記20通常由可通過(guò)可見(jiàn)光檢測(cè)的材料形成。然而，根據(jù)需要，可以由僅以特定波長(zhǎng)光可檢測(cè)的材料形成識(shí)別標(biāo)記20，如僅以紅外線可檢測(cè)的材料、僅以紫外線可檢測(cè)的材料等。

識(shí)別標(biāo)記20的厚度根據(jù)覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的厚度、阻氣膜10的厚度、層疊方向上的識(shí)別標(biāo)記20的位置、阻氣膜10的面方向上的識(shí)別標(biāo)記20的位置等適當(dāng)設(shè)定即可。

在此，如上述，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選為有機(jī)層14的1/2以下。由此，通過(guò)吸收因具有識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的支撐體12的凹凸，可在工序中使覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的表面平坦化。

具體而言，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選為200nm以下，更優(yōu)選為100nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為50nm以下。如上述，覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的厚度優(yōu)選為500nm以上。因此，將識(shí)別標(biāo)記20的厚度設(shè)為200nm以下，由此通過(guò)吸收因具有識(shí)別標(biāo)記20而產(chǎn)生的支撐體12的凹凸而可進(jìn)一步較佳地使覆蓋識(shí)別標(biāo)記20的有機(jī)層14的表面平坦。

并且，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選還考慮識(shí)別標(biāo)記20的形成材料來(lái)設(shè)定。作為一例，在識(shí)別標(biāo)記20的形成材料為金屬等具有光吸收性或光反射性的材料的情況下，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選為30nm以上。并且，識(shí)別標(biāo)記20的形成材料為介電質(zhì)等透明、半透明的材料的情況下，識(shí)別標(biāo)記20的厚度優(yōu)選為150nm以上。

根據(jù)識(shí)別標(biāo)記的形成材料設(shè)定識(shí)別標(biāo)記20的厚度，由此能夠可靠地檢測(cè)識(shí)別標(biāo)記20等，因此優(yōu)選。

而且，識(shí)別標(biāo)記并不限定于如圖示例那樣的凸?fàn)?，也可以為凹狀?/p>

識(shí)別標(biāo)記為凹狀的情況下，上述識(shí)別標(biāo)記20的厚度可以取代識(shí)別標(biāo)記的深度。并且，可使用金屬材料或油墨對(duì)凹狀識(shí)別標(biāo)記標(biāo)顏色。

本發(fā)明的電子器件為如下：在這種本發(fā)明的阻氣膜10(30、32)的表面或背面或兩面形成構(gòu)成有機(jī)EL器件的有機(jī)EL元件、構(gòu)成太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換元件等構(gòu)成電子器件的電子元件而成。

本發(fā)明的電子器件可利用所有的公知的各種電子器件。具體而言，例示有機(jī)EL器件、太陽(yáng)能電池、電子紙、電致變色器件、觸摸面板等。

這種電子器件通過(guò)公知的方法制作即可。

另外，本發(fā)明的阻氣膜10具有識(shí)別標(biāo)記20，因此能夠使用其來(lái)進(jìn)行構(gòu)成電子元件的圖案的形成位置的定位或RtoR中的阻氣膜10的蛇行的控制。因此，根據(jù)本發(fā)明，可穩(wěn)定地得到適當(dāng)?shù)碾娮悠骷?/p>

以下，通過(guò)對(duì)圖1所示的阻氣膜10的制造方法的一例進(jìn)行說(shuō)明來(lái)對(duì)本發(fā)明的阻氣膜的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。

另外，本發(fā)明的制造方法中，可以通過(guò)RtoR制作阻氣膜10或者還可以使用切片狀支撐體12并由所謂的單片式(批量式)來(lái)形成阻氣膜10。

如眾所周知，RtoR是指如下制作方法：從將長(zhǎng)條狀被成膜材料卷繞成輥狀而成的材料輥送出被成膜材料，并將被成膜材料沿長(zhǎng)邊方向輸送的同時(shí)進(jìn)行成膜，將已成膜的被成膜材料再次卷繞成輥狀?？紤]到生產(chǎn)性，本發(fā)明的制造方法中優(yōu)選利用RtoR。

另外，以下所示的制作方法中，通過(guò)RtoR形成的阻氣膜與通過(guò)單片式形成的阻氣膜基本上相同。

首先，在支撐體12的一面的規(guī)定位置形成識(shí)別標(biāo)記20。

識(shí)別標(biāo)記20根據(jù)形成材料而通過(guò)公知的方法形成即可。

例如，以金屬形成識(shí)別標(biāo)記20的情況下，例示基于使用掩膜的金屬膜的成膜的形成方法；在支撐體12形成金屬膜之后，利用光刻等進(jìn)行蝕刻的形成方法；基于使用金屬漿料等的印刷的形成方法等。另外，金屬膜的成膜通過(guò)真空蒸鍍、濺射、等離子體CVD等公知的氣相沉積法形成即可。

并且，以油墨形成識(shí)別標(biāo)記20的情況下，通過(guò)凸版印刷、凹版印刷、網(wǎng)版印刷、噴墨等公知的印刷方法形成識(shí)別標(biāo)記20即可。

接著，在支撐體12的形成有識(shí)別標(biāo)記20的一面形成有機(jī)層14。

有機(jī)層14根據(jù)欲形成的有機(jī)層14而通過(guò)公知的方法形成即可。作為一例，有機(jī)層14通過(guò)如下所謂的涂布法形成：制備包含有機(jī)溶劑、成為有機(jī)層14的聚合性化合物(單體、二聚體、三聚體、低聚物、聚合物等)、表面活性劑、硅烷偶聯(lián)劑等的組合物，并將該涂布液進(jìn)行涂布、干燥，進(jìn)而根據(jù)需要通過(guò)紫外線照射等聚合(交聯(lián))聚合性化合物。

在此，如上述，有機(jī)層14優(yōu)選不包含溶解識(shí)別標(biāo)記20的成分。因此，通過(guò)涂布法形成有機(jī)層14的情況下，優(yōu)選使用不溶解識(shí)別標(biāo)記20的溶劑來(lái)制備成為有機(jī)層14的組合物。并且，除了溶劑以外，成為有機(jī)層14的組合物優(yōu)選還不包含溶解識(shí)別標(biāo)記20的成分。

接著，在有機(jī)層14的表面形成無(wú)機(jī)層16。

無(wú)機(jī)層16也根據(jù)欲形成的無(wú)機(jī)層16而通過(guò)公知的方法形成即可。作為一例，無(wú)機(jī)層16通過(guò)CCP-CVD或ICP-CVD等的等離子體CVD、磁控濺射或反應(yīng)性濺射等濺射、真空蒸鍍等氣相成膜法形成。

接著，在無(wú)機(jī)層16表面，以與上述相同的方式形成第二層有機(jī)層14。另外，該第二層有機(jī)層14可以使用包含溶解識(shí)別標(biāo)記的溶劑等的組合物來(lái)形成。

而且，在第二層有機(jī)層14的表面，以與上述相同的方式形成第二層無(wú)機(jī)層16來(lái)制作阻氣膜10。

通過(guò)進(jìn)一步重復(fù)進(jìn)行該有機(jī)層14與無(wú)機(jī)層16的形成，可得到具有三組以上的基底的有機(jī)層14和無(wú)機(jī)層16的組合的阻氣膜。并且，可以在最上層，以相同的方式形成用于保護(hù)無(wú)機(jī)層16的有機(jī)層14。

另外，制作圖3所示的阻氣膜32的情況下，在支撐體12的表面不形成識(shí)別標(biāo)記20，而形成第一層有機(jī)層14及無(wú)機(jī)層16之后，在第一層無(wú)機(jī)層16的表面，以與上述相同的方式形成識(shí)別標(biāo)記20。

接著，在形成有識(shí)別標(biāo)記20的無(wú)機(jī)層16上，以與上述相同的方式形成第二層有機(jī)層14及無(wú)機(jī)層16即可。

以上，對(duì)本發(fā)明的阻氣膜、電子器件及阻氣膜的制造方法進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種改良或變更。

實(shí)施例

以下，舉出本發(fā)明的具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

[實(shí)施例1]

制作了在支撐體12上具有識(shí)別標(biāo)記20、第一層有機(jī)層14、第一層無(wú)機(jī)層16、第二層有機(jī)層14及第二層無(wú)機(jī)層16的如圖1所示的阻氣膜10。

支撐體12使用了寬度1000mm、厚度100μm、長(zhǎng)度100m的PET薄膜(TOYOBO CO.,LTD.制COSMOSHINE A4300)。

＜識(shí)別標(biāo)記20的形成＞

將支撐體12的輥裝填于通過(guò)真空蒸鍍進(jìn)行成膜的基于RtoR的通常的成膜裝置的規(guī)定位置，并將支撐體12插入到規(guī)定的輸送路徑中。使用該裝置在整個(gè)支撐體12形成厚度200nm的鋁膜并卷繞成輥狀。

接著，將形成有鋁膜的支撐體12的輥裝填于具有抗蝕劑涂布/干燥部的基于RtoR的通常的裝置的規(guī)定位置，并將支撐體12插入到規(guī)定的輸送路徑中。使用該裝置，在形成于支撐體12的鋁膜上形成厚度500nm的抗蝕劑膜并卷繞成輥狀。

而且，將形成有抗蝕劑膜的支撐體12的輥裝填于通過(guò)光刻法形成圖案的基于RtoR的通常的裝置的規(guī)定位置，并將支撐體12插入到規(guī)定的輸送路徑中，該裝置具有接觸曝光部、顯影部、沖洗部、蝕刻部、清洗部及干燥部。使用該裝置，在支撐體12表面形成包含鋁的厚度200nm的識(shí)別標(biāo)記20并卷繞成輥狀。

識(shí)別標(biāo)記20的形狀為十字形，線寬度為50μm，縱橫長(zhǎng)度為250μm。

識(shí)別標(biāo)記20在支撐體12的寬度方向上以20cm的間隔、在支撐體12的長(zhǎng)邊方向上以30cm的間隔形成。

＜第一層有機(jī)層14的形成＞

對(duì)TMPTA(DAICEL CYTEC CO.制)及光聚合引發(fā)劑(LAMBERTI公司制、ESACURE KTO46)進(jìn)行稱(chēng)量，以使質(zhì)量比成為95:5，將這些溶解于MEK后制備了用于形成有機(jī)層14的固體成分濃度15質(zhì)量％的組合物。

將該涂布液填充于基于RtoR的通常的成膜裝置的涂布部的規(guī)定位置，該裝置具有基于模涂布機(jī)的涂布部、基于溫風(fēng)的干燥部及基于紫外線照射的固化部。并且，將已卷取形成有識(shí)別標(biāo)記20的支撐體12的輥裝填于該成膜裝置的規(guī)定位置并將支撐體12插入到規(guī)定的輸送路徑中。

成膜裝置中，將形成有識(shí)別標(biāo)記20的支撐體12沿長(zhǎng)邊方向輸送的同時(shí)通過(guò)模涂布機(jī)涂布涂布液，并使其經(jīng)3分鐘通過(guò)50℃的干燥部。然后，照射紫外線(累積照射量約600mJ/cm²)之后，通過(guò)UV固化來(lái)使其固化并卷繞，在支撐體12的形成有識(shí)別標(biāo)記20的面形成有機(jī)層14并卷繞成輥狀。有機(jī)層14的厚度為2000nm。

＜第一層無(wú)機(jī)層16的形成＞

將形成有有機(jī)層14的支撐體12的輥裝填于通過(guò)CCP-CVD(容量結(jié)合型等離子體CVD)而進(jìn)行成膜的、基于RtoR的通常的CVD成膜裝置的規(guī)定位置，并將支撐體12插入到規(guī)定的輸送路徑中。

該CVD成膜裝置中，沿長(zhǎng)邊方向輸送形成有有機(jī)層14的支撐體12的同時(shí)在有機(jī)層14上，作為無(wú)機(jī)層16而形成氮化硅膜并卷繞成輥狀。

原料氣體使用硅烷氣體(流量160sccm)、氨氣(流量370sccm)、氫氣(流量590sccm)及氮?dú)?流量240sccm)。電源使用頻率13.56MHz的高頻電源，并將等離子體激發(fā)功率設(shè)為800W。將成膜壓設(shè)為40Pa。無(wú)機(jī)層16的膜厚為30nm。

＜第二層有機(jī)層14及無(wú)機(jī)層16的形成＞

改變厚度，除此以外，以與上述相同的方式，在第一層無(wú)機(jī)層16上形成第二層有機(jī)層14，而且以與上述相同的方式在第二層有機(jī)層14上形成了第二層無(wú)機(jī)層。第二層有機(jī)層14的膜厚為1000nm，且第二層無(wú)機(jī)層的膜厚為30nm。

[比較例1]

不在支撐體12的表面形成識(shí)別標(biāo)記20，除此以外，以與實(shí)施例1相同的方式，制作了將有機(jī)層14和無(wú)機(jī)層16交替形成各兩層的阻氣膜。

[比較例2]

不在支撐體12的表面形成識(shí)別標(biāo)記20，并以與實(shí)施例1相同的方式，制作將有機(jī)層14和無(wú)機(jī)層16交替形成各兩層的阻氣膜，并以與實(shí)施例1相同的方式，在第二層(最表層)無(wú)機(jī)層16的表面形成了識(shí)別標(biāo)記20。

[阻氣性試驗(yàn)]

通過(guò)鈣測(cè)定方法測(cè)定了已制作的阻氣膜的水蒸氣滲透率。具體而言，利用G.NISATO、P.C.P.BOUTEN、P.J.SLIKKERVEER等SID Conference Record of the International Display Research Conference 1435-1438頁(yè)中所記載的方法測(cè)定了水蒸氣滲透率[g/(m²·day)]。

其結(jié)果，實(shí)施例1的阻氣膜10的水蒸氣滲透率為6.2×10^-6g/(m²·day)。

并且，比較例1的阻氣膜的水蒸氣滲透率為5.8×10^-6g/(m²·day)。

而且，比較例2的阻氣膜的水蒸氣滲透率為2.8×10^-4g/(m²·day)。

即，本發(fā)明的阻氣膜10盡管具有識(shí)別標(biāo)記20，但具有與比較例1的阻氣膜相同的阻氣性，該比較例1的阻氣膜具有不具有識(shí)別標(biāo)記20的通常的有機(jī)無(wú)機(jī)層疊結(jié)構(gòu)。相對(duì)于此，在表面形成有識(shí)別標(biāo)記20的比較例2的阻氣膜由于識(shí)別標(biāo)記20而導(dǎo)致無(wú)機(jī)層16受損，與其他兩個(gè)相比，認(rèn)為阻氣性被降低。

從以上的結(jié)果，明確了本發(fā)明的效果。

符號(hào)說(shuō)明

10、30、32-阻氣膜

12-支撐體

14-有機(jī)層

16-無(wú)機(jī)層

20-識(shí)別標(biāo)記

36-密封部件

38-密封薄膜