本發(fā)明涉及粘貼于被粘附物表面而保護(hù)被粘附物表面的表面保護(hù)片及其基材，特別是涉及為了保護(hù)形成于晶片表面的電路等而粘貼于晶片表面使用的半導(dǎo)體晶片用表面保護(hù)片及其基材。

背景技術(shù)：

對(duì)于半導(dǎo)體晶片而言，通常在表面形成了電路之后，為了調(diào)整晶片厚度而對(duì)晶片背面?zhèn)葘?shí)施磨削加工。在對(duì)晶片背面進(jìn)行磨削加工時(shí)，在晶片表面粘貼用于保護(hù)電路的被稱為背磨膠帶的表面保護(hù)片。

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)品的高度化、復(fù)雜化，形成于晶片表面的電路變得容易受到靜電帶來(lái)的影響。因此，為了防止剝離時(shí)的剝離帶電等，對(duì)背磨膠帶開(kāi)始要求防靜電性能。另外，隨著近年來(lái)的晶片的極薄化，為了防止磨削后的晶片翹曲等，對(duì)背磨膠帶要求高應(yīng)力松弛特性。

因此，目前，如專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的那樣，正在進(jìn)行如下研究：通過(guò)由氨基甲酸酯類低聚物形成支撐膜，并在該支撐膜中配合金屬鹽防靜電劑，從而使粘合膠帶具有防靜電性能和高應(yīng)力松弛特性。

但是，對(duì)于專利文獻(xiàn)1的粘合膠帶而言，使金屬鹽防靜電劑的添加量增加時(shí)，膜剛性降低等物理特性發(fā)生變化、來(lái)自于防靜電劑的金屬離子轉(zhuǎn)移至粘合劑、及作為被粘附物的半導(dǎo)體晶片的表面電路，存在成為導(dǎo)致不良情況的隱患。因此，專利文獻(xiàn)1所公開(kāi)的粘合膠帶存在難以賦予高防靜電性能的問(wèn)題。

另外，專利文獻(xiàn)2、3中，公開(kāi)了在半導(dǎo)體加工用粘合膠帶的基材上設(shè)置配合有導(dǎo)電性高分子、季胺鹽單體等防靜電劑的防靜電層作為與支撐膜不同的層的方案。但是，這些使用了導(dǎo)電性高分子、季胺鹽單體的方案與專利文獻(xiàn)1同樣地存在難以賦予高防靜電性能的問(wèn)題。

另一方面，專利文獻(xiàn)4中記載了可以利用具有優(yōu)異導(dǎo)電性的導(dǎo)電性氧化錫粉末作為防靜電劑。使用專利文獻(xiàn)4中公開(kāi)的金屬填料代替例如專利文獻(xiàn)2、3中公開(kāi)的防靜電劑時(shí)，可期待提高背磨膠帶的防靜電性能。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-177542號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2007-099984號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開(kāi)2011-210944號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2012-041245號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明所要解決的課題

然而，在專利文獻(xiàn)2、3中公開(kāi)的防靜電層中使用專利文獻(xiàn)4的金屬填料時(shí)，在基材具有高應(yīng)力松弛特性的情況下，在防靜電層上容易產(chǎn)生裂紋。裂紋的產(chǎn)生不僅成為外觀不良的原因，而且在裂紋中阻斷電荷的移動(dòng)，因此，即使是肉眼看不見(jiàn)的裂紋，也會(huì)導(dǎo)致防靜電性能的降低。但是，目前在使用金屬填料、且使基材具有高應(yīng)力松弛特性的情況下，未發(fā)現(xiàn)能夠充分抑制裂紋產(chǎn)生的防靜電層。

本發(fā)明是鑒于以上的問(wèn)題而完成的，其課題在于提供一種表面保護(hù)片用基材，所述表面保護(hù)片用基材在防靜電層中配合有金屬填料的情況下，可防止裂紋產(chǎn)生并賦予高防靜電性能，并且對(duì)基材賦予高應(yīng)力松弛特性，也可以防止晶片的翹曲。

用于解決課題的技術(shù)方案

本發(fā)明人等為了解決上述課題而進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，即使在為了賦予高防靜電性能而使用了給定量以上的金屬填料、且使用了應(yīng)力松弛特性高的基材的情況下，也能夠通過(guò)使用氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作為防靜電層形成用組合物的固化性成分來(lái)防止在防靜電層中產(chǎn)生裂紋，從而完成了下述本發(fā)明。

即，本發(fā)明提供以下的(1)～(9)。

(1)一種表面保護(hù)片用基材，其具備：支撐膜、和設(shè)置于該支撐膜的一個(gè)面的防靜電層，其中，

所述表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率為60％以上，

所述防靜電層是使含有固化性成分及金屬填料的防靜電層形成用組合物固化而形成的，

相對(duì)于所述固化性成分和金屬填料的總質(zhì)量，所述金屬填料為55質(zhì)量％以上，且所述固化性成分含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

(2)根據(jù)上述(1)所述的表面保護(hù)片用基材，其中，所述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物選自具有聚酯骨架的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物及具有聚醚骨架的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

(3)根據(jù)上述(1)或(2)所述的表面保護(hù)片用基材，其中，所述支撐膜是使含聚氨酯的固化性樹(shù)脂組合物固化而得到的固化聚氨酯膜。

(4)根據(jù)上述(3)所述的表面保護(hù)片用基材，其中，用于形成所述支撐膜的含聚氨酯的固化性樹(shù)脂組合物含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

(5)根據(jù)上述(1)～(4)中任一項(xiàng)所述的表面保護(hù)片用基材，其中，所述金屬填料是金屬氧化物填料。

(6)根據(jù)上述(5)所述的表面保護(hù)片用基材，其中，所述金屬氧化物填料是磷摻雜氧化錫的粒子。

(7)一種表面保護(hù)片，是在上述(1)～(6)中任一項(xiàng)所述的表面保護(hù)片用基材的表面設(shè)置粘合部而成的。

(8)根據(jù)上述(7)所述的表面保護(hù)片，其中，所述粘合部設(shè)置于所述表面保護(hù)片用基材的設(shè)置有防靜電層側(cè)的面。

(9)根據(jù)上述(7)或(8)所述的表面保護(hù)片，其中，所述粘合部按照設(shè)置有粘合部的區(qū)域包圍沒(méi)有設(shè)置粘合部的區(qū)域的方式局部地設(shè)置在所述表面保護(hù)片用基材上。

發(fā)明效果

在本發(fā)明中，在防靜電層中配合有金屬填料的情況下，可防止裂紋產(chǎn)生并賦予高防靜電性能，并且也可以對(duì)基材賦予高應(yīng)力松弛特性而防止晶片的翹曲。

附圖說(shuō)明

圖1示出了本發(fā)明的表面保護(hù)片的一個(gè)實(shí)施方式。

圖2示出了本發(fā)明的表面保護(hù)片的其它實(shí)施方式。

圖3是用于示出本發(fā)明的表面保護(hù)片及其使用方法的一個(gè)例子的示意性剖面圖。

符號(hào)說(shuō)明

1 支撐膜

2 防靜電層

3 粘合部

5 表面保護(hù)片用基材

10 表面保護(hù)片

11 半導(dǎo)體晶片

12 電路

20 研磨機(jī)

具體實(shí)施方式

以下，使用實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。

(表面保護(hù)片用基材)

本發(fā)明的表面保護(hù)片用基材具備：支撐膜、和設(shè)置于該支撐膜的一個(gè)面的防靜電層。以下，對(duì)本發(fā)明的表面保護(hù)片用基材的各構(gòu)件更詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書(shū)中，“(甲基)丙烯酸”作為表示“丙烯酸”或“甲基丙烯酸”中一者或兩者的用語(yǔ)使用。另外，“(甲基)丙烯酸酯”作為表示“丙烯酸酯”或“甲基丙烯酸酯”中一者或兩者的用語(yǔ)使用，其它類似用語(yǔ)也與它們一樣處理。

[防靜電層]

本發(fā)明的防靜電層是使含有固化性成分及金屬填料的防靜電層形成用組合物固化而形成的。

＜固化性成分＞

固化性成分是利用能量線等進(jìn)行聚合固化，保持金屬填料，且在支撐膜上形成被膜的成分，可以使用含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作為主成分的物質(zhì)。

在本發(fā)明中，如后面所述，表面保護(hù)片用基材由于其應(yīng)力松弛性能高且容易伸長(zhǎng)，而且防靜電層中的金屬填料的含量多，因此容易在防靜電層產(chǎn)生裂紋。本發(fā)明的防靜電層通過(guò)含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物作為固化性成分而賦予足夠的柔軟性，由此，可以抑制防靜電層的裂紋的產(chǎn)生。

氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物為能量線聚合性，在分子內(nèi)具有能量線聚合性的雙鍵，通過(guò)紫外線、電子束等能量線照射而進(jìn)行聚合固化形成被膜，具體而言，是具有(甲基)丙烯?；湍蛲殒I的化合物。

該氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物例如是使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯等與末端異氰酸酯聚氨酯預(yù)聚物反應(yīng)而得到的，所述末端異氰酸酯聚氨酯預(yù)聚物是多元醇化合物與多異氰酸酯化合物反應(yīng)而得到的。

作為本發(fā)明的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，上述多元醇化合物為聚醚類多元醇或聚酯類多元醇，由此，優(yōu)選使用具有聚醚骨架或聚酯骨架的多元醇。本發(fā)明中，通過(guò)具有聚醚骨架或聚酯骨架而容易表現(xiàn)出防靜電層的柔軟性。

作為上述多異氰酸酯化合物，可以列舉：異佛爾酮二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4-二異氰酸酯等。另外，作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，可使用例如：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯等。

對(duì)于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物而言，可以將多種這些化合物組合而使用。

氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量?jī)?yōu)選為800～5000。通過(guò)使氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量為5000以下，可以提高交聯(lián)密度，使防靜電層的強(qiáng)度增加，易于防止裂紋的產(chǎn)生。另外，通過(guò)使重均分子量為800以上，可以防止防靜電層的交聯(lián)密度過(guò)高，不容易失去涂層的柔軟性。另外，從這樣的觀點(diǎn)考慮，更優(yōu)選重均分子量在1000～3000的范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書(shū)中，重均分子量是利用凝膠滲透色譜(GPC)法測(cè)定的換算成標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的值。

對(duì)于固化性成分而言，可以在不損害本發(fā)明目的的范圍內(nèi)含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物以外的成分。作為這樣的固化性成分，可以列舉：環(huán)氧丙烯酸酯低聚物、低分子丙烯酸酯等。

固化性成分中的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的比例通常為60～100質(zhì)量％，優(yōu)選為80～100質(zhì)量％，固化性成分可以僅由氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物構(gòu)成。

另外，防靜電層形成用組合物優(yōu)選不含有丙烯酸類單體等聚合性單體。通過(guò)不含有聚合性單體，可使防靜電層的強(qiáng)度增加，易于防止裂紋的產(chǎn)生。

＜金屬填料＞

在本發(fā)明中，金屬填料對(duì)表面保護(hù)片用基材賦予防靜電性能。在本發(fā)明中，金屬填料是指金屬單體或合金的填料、或者具有導(dǎo)電性的金屬氧化物填料，優(yōu)選為金屬氧化物填料。金屬填料的形狀沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為粒子。其平均粒徑?jīng)]有特別限定，例如為0.005～5μm，優(yōu)選為0.01～1μm。平均粒徑是利用粒度分布測(cè)定裝置(日機(jī)裝株式會(huì)社制Microtrac UPA-150)測(cè)定的值。

作為金屬氧化物，可以列舉：銻摻雜氧化錫(ATO)、鉭摻雜氧化錫(TaTO)、鈮摻雜氧化錫(NbTO)、氟摻雜氧化錫(FTO)、磷摻雜氧化錫(PTO)等氧化錫類化合物；錫摻雜氧化銦(ITO)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)等氧化錫類化合物以外的金屬氧化物。這些化合物可以單獨(dú)使用1種，也可以組合2種以上使用。

作為金屬填料，優(yōu)選使用氧化錫類化合物，其中，由于環(huán)境負(fù)擔(dān)小且防靜電性能高，因此更優(yōu)選使用磷摻雜氧化錫。

相對(duì)于固化性成分和金屬填料的總質(zhì)量，金屬填料配合55質(zhì)量％以上。在本發(fā)明中，金屬填料的配合量低于55質(zhì)量％時(shí)，表面保護(hù)片用基材不能具有足夠的防靜電性能。為了獲得更高的防靜電性能，優(yōu)選金屬填料的上述配合量為65質(zhì)量％以上。另外，作為金屬填料的配合量的上限值，為了利用固化性成分適當(dāng)?shù)乇３纸饘偬盍?、且使表面保護(hù)片用基材容易保持片狀，優(yōu)選為90質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為80質(zhì)量％以下。

＜光聚合引發(fā)劑＞

防靜電層形成用組合物可以進(jìn)一步含有光聚合引發(fā)劑。通過(guò)含有光聚合引發(fā)劑，可以減少防靜電層形成用組合物的聚合固化所需要的能量線的照射量、照射時(shí)間。

作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲基醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙基醚、苯偶姻異丁基醚、苯甲酰苯甲酸、苯甲酰苯甲酸甲酯、安息香雙甲醚、2,4-二乙基噻噸酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、芐基二苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、苯偶酰、聯(lián)芐、丁二酮、2-氯蒽醌、或者2,4,6-三甲基苯甲?；交趸⒌?。相對(duì)于固化性成分100質(zhì)量份，優(yōu)選以0.05～15質(zhì)量份、進(jìn)一步優(yōu)選以0.1～10質(zhì)量份的比例使用光聚合引發(fā)劑。

在本發(fā)明的防靜電層形成用組合物中可以根據(jù)需要進(jìn)一步配合其它的添加劑。另外，防靜電層的厚度沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為0.2～20μm，更優(yōu)選為0.5～10μm。

防靜電層形成用組合物通常以上述固化性成分和金屬填料作為主成分，相對(duì)于防靜電層形成用組合物總量，它們的總量通常為80質(zhì)量％以上，優(yōu)選為90質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為95質(zhì)量％以上。另外，相對(duì)于組合物總量，它們的總量為100質(zhì)量％以下即可，例如在含有光聚合引發(fā)劑的情況等中，優(yōu)選為99.9質(zhì)量％以下。需要說(shuō)明的是，防靜電層形成用組合物總量是指在利用其制造過(guò)程中揮發(fā)的溶劑等對(duì)組合物進(jìn)行稀釋的情況下除去該稀釋溶劑等后的量。后面敘述的含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物總量也同樣處理。

[支撐膜]

對(duì)于本發(fā)明的支撐膜而言，如下所述，可以選擇能夠使表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率為60％以上的支撐膜，通?？梢允构袒詷?shù)脂組合物固化而得到，優(yōu)選為使含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物固化而得到的固化聚氨酯膜。含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物包含具有尿烷鍵的樹(shù)脂成分，優(yōu)選為含有以下詳細(xì)敘述的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物或非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物的物質(zhì)，更優(yōu)選含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。通過(guò)在支撐膜中使用氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，可容易地通過(guò)調(diào)整低聚物的分子量來(lái)調(diào)整支撐膜的交聯(lián)密度。另外，通過(guò)使用該低聚物，支撐膜的交聯(lián)密度相對(duì)增高，即使在支撐膜中配合防靜電劑也不難以提高防靜電性能，但在本發(fā)明中，由于設(shè)置了防靜電層，因此可以使防靜電性能充分地得到提高。

＜氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物＞

含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物中含有的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物優(yōu)選從作為用于形成上述防靜電層的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物而示例出的物質(zhì)中選擇使用。其中，為了確保高應(yīng)力松弛特性，其重均分子量通常使用比用于形成防靜電層的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物更大的重均分子量。具體而言，用于形成支撐膜的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的重均分子量?jī)?yōu)選為1000～50000，更優(yōu)選為5000～30000。另外，對(duì)于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物而言，在上述當(dāng)中，優(yōu)選使用具有聚醚骨架或聚酯骨架的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，更優(yōu)選具有聚酯骨架的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。

在含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的情況下，優(yōu)選含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物進(jìn)一步含有能量線聚合性單體。如果含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物僅含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，則有時(shí)難以成膜，但通過(guò)使用能量線聚合性單體進(jìn)行稀釋，成膜性容易變得良好。而且，柔軟性等各種物性也容易變得良好。作為能量線聚合性單體，是在分子內(nèi)具有能量線聚合性的雙鍵的單體。

含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物優(yōu)選含有能量線聚合性單體和能量線聚合性的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的混合物作為主成分，通過(guò)能量線的照射而進(jìn)行固化。

作為能量線聚合性單體的具體例子，可以列舉：(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、對(duì)甲酚環(huán)氧乙烷改性(甲基)丙烯酸酯、鄰甲酚環(huán)氧乙烷改性(甲基)丙烯酸酯、間甲酚環(huán)氧乙烷改性(甲基)丙烯酸酯、苯酚環(huán)氧乙烷改性(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等芳香族化合物；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊烯基酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊基酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊烯氧基酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯等脂環(huán)族化合物；或者(甲基)丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸嗎啉酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己內(nèi)酰胺等雜環(huán)化合物。

為了提高后面敘述的應(yīng)力松弛性，能量線聚合性單體優(yōu)選使用具有體積較大的基團(tuán)的(甲基)丙烯酸酯，上述當(dāng)中，更優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯等。另外，作為能量線聚合性單體，可以根據(jù)需要使用多官能(甲基)丙烯酸酯。

相對(duì)于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物100質(zhì)量份，優(yōu)選以5～900質(zhì)量份、進(jìn)一步優(yōu)選以10～500質(zhì)量份、特別優(yōu)選以30～200質(zhì)量份的比例使用能量線聚合性單體。

含有氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物可以進(jìn)一步含有光聚合引發(fā)劑。通過(guò)含有光聚合引發(fā)劑，可以減少含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物的聚合固化所需要的能量線的照射量、照射時(shí)間。作為光聚合引發(fā)劑，優(yōu)選適當(dāng)選擇作為上述防靜電層形成用組合物中配合的光聚合引發(fā)劑而列舉的光聚合引發(fā)劑來(lái)使用。相對(duì)于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物和能量線聚合性單體的總量100質(zhì)量份，優(yōu)選以0.05～15質(zhì)量份、進(jìn)一步優(yōu)選以0.1～10質(zhì)量份的比例使用光聚合引發(fā)劑。

＜非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物＞

在含有非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物的情況下，含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物含有能量線聚合性單體作為稀釋劑。該含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物以這些非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物和能量線聚合性單體的混合物作為主成分，可通過(guò)能量線的照射被固化而成膜。非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物是指不與能量線聚合性單體反應(yīng)的氨基甲酸酯聚合物。非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物例如是在能量線聚合性單體中使多元醇化合物與多異氰酸酯反應(yīng)而得到的。在多元醇化合物的羥基與多異氰酸酯的反應(yīng)中，可以使用二丁基錫二月桂酸酯等催化劑。

作為能夠在非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物中使用的多元醇化合物，優(yōu)選在1分子中具有2個(gè)或2個(gè)以上的羥基的多元醇化合物，優(yōu)選聚醚類多元醇、聚酯類多元醇、聚碳酸酯類多元醇。

作為能夠在非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物中使用的多異氰酸酯，可以列舉：芳香族、脂肪族、脂環(huán)族的二異氰酸酯、這些二異氰酸酯的二聚物、三聚物等。作為芳香族、脂肪族、脂環(huán)族的二異氰酸酯，可以列舉：甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、亞萘基二異氰酸酯、亞苯基二異氰酸酯、丁烷-1,4-二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、環(huán)己烷-1,4-二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-4,4-二異氰酸酯、1,3-雙(異氰酸酯甲基)環(huán)己烷、甲基環(huán)己烷二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯等。另外，也可使用它們的二聚物、三聚物、多苯基甲烷多異氰酸酯。這些多異氰酸酯類可以單獨(dú)使用或組合2種以上使用。

另外，作為與非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物同時(shí)使用的能量線聚合性單體，可使用通過(guò)能量線照射能夠聚合的具有不飽和雙鍵的單體。從反應(yīng)性方面考慮，優(yōu)選使用丙烯酸類單體。作為優(yōu)選使用的丙烯酸類單體，可以列舉例如：(甲基)丙烯酸；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯等烷基的碳原子數(shù)為1～12左右的各種(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基的(甲基)丙烯酸酯?？梢耘c這些丙烯酸類單體同時(shí)使用乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、馬來(lái)酸的單或二酯、苯乙烯及其衍生物、N-羥甲基丙烯酰胺、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、N,N-二甲基氨基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基氨基丙基甲基丙烯酰胺、丙烯酸2-羥基丙酯、丙烯?；鶈徇,N-二甲基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、酰亞胺丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮、低聚酯丙烯酸酯、ε-己內(nèi)酯丙烯酸酯等單體。另外，可以根據(jù)需要使用多官能(甲基)丙烯酸酯。

在使用非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物的情況下，含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物可以含有光聚合引發(fā)劑。對(duì)于光聚合引發(fā)劑而言，可以適當(dāng)選擇作為能夠在防靜電層形成用組合物中配合的光聚合引發(fā)劑而示例出的光聚合引發(fā)劑來(lái)使用，也可以使用其它的現(xiàn)有公知的光聚合引發(fā)劑。

＜其它的添加劑＞

另外，在支撐膜形成用的固化性樹(shù)脂組合物中可以配合其它的添加劑，例如，為了使表面保護(hù)片用基材的防靜電性能更良好，可以配合金屬鹽防靜電劑等防靜電劑。作為金屬鹽防靜電劑，優(yōu)選使用鋰鹽類防靜電劑。

另外，支撐膜的厚度根據(jù)表面保護(hù)片用基材所要求的性能等而進(jìn)行調(diào)整，優(yōu)選為20～300μm，更優(yōu)選為50～200μm。

需要說(shuō)明的是，如上所述，含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物優(yōu)選將能量線聚合性的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物及非反應(yīng)性氨基甲酸酯聚合物中的至少任一種和根據(jù)需要而配合的能量線聚合性單體作為主成分，相對(duì)于含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物總量，它們的總量通常為80質(zhì)量％以上，優(yōu)選為90質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為95質(zhì)量％以上。另外，相對(duì)于組合物總量，它們的總量為100質(zhì)量％以下即可，例如，在含有光聚合引發(fā)劑的情況等時(shí)，優(yōu)選為99.9質(zhì)量％以下。

[表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率]

本發(fā)明的表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率為60％以上。應(yīng)力松弛率低于60％時(shí)，在磨削晶片的背面而使其變薄時(shí)，存在晶片上產(chǎn)生翹曲、開(kāi)裂等的隱患。從進(jìn)一步防止晶片的翹曲、開(kāi)裂的觀點(diǎn)考慮，本發(fā)明的表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率優(yōu)選為70～100％，更優(yōu)選為75～95％。

本發(fā)明中，雖然并未特別限定，但如上所述，通過(guò)支撐膜為固化聚氨酯膜，可以使應(yīng)力松弛率在上述范圍內(nèi)。需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明中，應(yīng)力松弛率是指使基材伸長(zhǎng)10％時(shí)1分鐘后的應(yīng)力松弛率，可以用后面敘述的測(cè)定方法進(jìn)行測(cè)定。

[表面保護(hù)片用基材的楊氏模量]

另外，表面保護(hù)片用基材的楊氏模量?jī)?yōu)選為10～1000MPa的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為40～200MPa的范圍內(nèi)。通過(guò)在這樣的范圍內(nèi)，可以使表面保護(hù)片用基材的支撐性能良好。另外，表面保護(hù)片用基材的楊氏模量特別優(yōu)選為100MPa以下。通過(guò)將楊氏模量設(shè)為100MPa以下，可容易地保持較高的防翹曲效果。

[表面保護(hù)片用基材的制造方法]

本發(fā)明的表面保護(hù)片用基材沒(méi)有特別限定，例如，可以用以下的方法來(lái)制造。

首先，通過(guò)澆注法等在剝離膜上涂布支撐膜形成用組合物(例如含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物)，然后使支撐膜形成用組合物半固化，在剝離膜上形成支撐膜中間材料。另外，另行在剝離膜上涂布根據(jù)需要用有機(jī)溶劑等進(jìn)行了稀釋的防靜電層形成用組合物，根據(jù)需要對(duì)其進(jìn)行干燥，在剝離膜上形成防靜電層用膜。

接著，使形成于剝離膜上的防靜電層用膜和形成于剝離膜上的支撐膜中間材料疊合，然后使防靜電層用膜和支撐膜中間材料固化，可以得到在支撐膜的一面上設(shè)有防靜電層的表面保護(hù)片用基材。根據(jù)需要適當(dāng)剝離2張剝離膜。

在本發(fā)明中，支撐膜形成用組合物及防靜電層形成用組合物優(yōu)選為如上所述能夠利用能量線進(jìn)行固化的物質(zhì)，在該情況下，支撐膜及防靜電層的固化可以通過(guò)紫外線、電子束等能量線來(lái)進(jìn)行。

(表面保護(hù)片)

下面，參照?qǐng)D1～3對(duì)本發(fā)明的表面保護(hù)片進(jìn)行說(shuō)明。

如圖1、2所示，表面保護(hù)片10由具備上述支撐膜1和設(shè)置于支撐膜1上的防靜電層2的表面保護(hù)片用基材5、以及設(shè)置于表面保護(hù)片用基材5的任一個(gè)面的粘合部3構(gòu)成。粘合部3優(yōu)選由單層的粘合劑層構(gòu)成，只要是在芯材膜的兩面形成粘合劑層而得到的雙面粘合膠帶等將表面保護(hù)片10粘貼于被粘附物的膠帶即可。

這里，如圖1、2所示，優(yōu)選在表面保護(hù)片用基材5的設(shè)置有防靜電層2的面上設(shè)置粘合部3。由此，在表面保護(hù)片10粘貼于被粘附物(例如半導(dǎo)體晶片11)時(shí)，防靜電層2設(shè)置得比支撐膜1更靠近被粘附物側(cè)，因此，可以有效地防止從被粘附物上剝離表面保護(hù)片10時(shí)的剝離帶電。但是，粘合部3也可以設(shè)置在與設(shè)置有防靜電層2的面相反側(cè)的面。如圖1所示，本發(fā)明的粘合部3可以設(shè)置在表面保護(hù)片用基材5的整個(gè)面，也可以如圖2所示設(shè)置于一部分。

本發(fā)明的表面保護(hù)片10以例如待實(shí)施給定加工的被加工物作為被粘附物，隔著粘合部3粘貼于該被粘附物表面，對(duì)被粘附物表面進(jìn)行保護(hù)。更具體而言，本發(fā)明的表面保護(hù)片10粘貼于半導(dǎo)體晶片11的表面，對(duì)設(shè)置于半導(dǎo)體晶片11的表面的電路12等進(jìn)行保護(hù)。

表面保護(hù)片10優(yōu)選如圖3所示，例如，在利用研磨機(jī)20磨削半導(dǎo)體晶片11的背面時(shí)，作為保護(hù)半導(dǎo)體晶片的表面的背磨膠帶而使用，也可以用于其它用途。背面磨削后的半導(dǎo)體晶片的厚度沒(méi)有特別限定，例如為1～300μm，優(yōu)選為10～100μm左右。

例如，在從背面研磨后的晶片表面剝離表面保護(hù)片10時(shí)，現(xiàn)有的表面保護(hù)片有可能因剝離帶電而對(duì)晶片造成不良影響，但在本發(fā)明中，通過(guò)使用防靜電性能良好的表面保護(hù)片用基材5，可以適當(dāng)?shù)胤乐箮щ?。另外，本發(fā)明的表面保護(hù)片10由于表面保護(hù)片用基材5的應(yīng)力松弛率如上所述較高，因此，即使晶片11因背面磨削而極薄化也不會(huì)在晶片11上產(chǎn)生翹曲、開(kāi)裂等。

需要說(shuō)明的是，圖3示出了在表面保護(hù)片10的一部分形成粘合部3的例子，在表面保護(hù)片10的整個(gè)面上設(shè)置粘合部3的情況也同樣處理。

作為形成粘合劑層的粘合劑，可以列舉例如：丙烯酸類、橡膠類、聚硅氧烷類、聚乙烯基醚等粘合劑。例如，在粘合部由單層的粘合劑層構(gòu)成的情況下，粘合劑層可以通過(guò)用公知的方法在表面保護(hù)片用基材5上疊層粘合劑而形成。

作為粘合劑，可以使用能量線固化型、加熱發(fā)泡型、水溶脹型的粘合劑，其中，優(yōu)選使用能量線固化型粘合劑。另外，作為能量線固化型粘合劑，可以列舉：紫外線固化型、電子束固化型的粘合劑，特別優(yōu)選紫外線固化型粘合劑。對(duì)于表面保護(hù)片而言，通過(guò)使用能量線固化型粘合劑，以高粘合力粘貼于半導(dǎo)體晶片，并且在從半導(dǎo)體晶片上剝離時(shí)可以通過(guò)照射能量線而使粘合力降低。因此，在對(duì)半導(dǎo)體晶片的電路等適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行保護(hù)，并剝離表面保護(hù)片時(shí)，可以防止破壞半導(dǎo)體晶片表面的電路、將粘合劑轉(zhuǎn)貼于半導(dǎo)體晶片上的情況。

粘合部3的厚度可以根據(jù)設(shè)置于待粘貼表面保護(hù)片的半導(dǎo)體晶片上的電路的高度等而適當(dāng)調(diào)整，在以單層的粘合劑層形成的情況下，優(yōu)選為3～100μm，進(jìn)一步優(yōu)選為5～50μm，更優(yōu)選為7～30μm左右。通過(guò)將粘合部3的厚度設(shè)為這些下限值以上，可以容易地獲得粘合力，能夠確保保護(hù)功能。另外，通過(guò)設(shè)為上限值以下，能夠以單層的粘合劑層容易地形成。

另外，可以使用在芯材膜的兩面形成粘合劑層而得到的雙面粘合膠帶。雙面粘合膠帶的厚度優(yōu)選為5～300μm，進(jìn)一步優(yōu)選為10～200μm左右。

另外，在本發(fā)明中，對(duì)于粘合部3的厚度而言，特別優(yōu)選其為30μm以下的情況下。在厚度為30μm以下時(shí)，在將表面保護(hù)用片粘貼于半導(dǎo)體晶片的情況下，表面保護(hù)片用基材和半導(dǎo)體晶片表面接近。這樣接近時(shí)，容易發(fā)生表面保護(hù)片的剝離帶電，但在本發(fā)明中，由于表面保護(hù)片用基材具有高防靜電性能，因此可以充分地抑制剝離帶電的產(chǎn)生。

在本發(fā)明的粘合部3設(shè)置于表面保護(hù)片用基材5的一部分的情況下，例如，表面保護(hù)片被設(shè)計(jì)為與成為被粘附物的被加工物基本相同的形狀(在半導(dǎo)體晶片的情況下為圓形)，僅在其外周部分設(shè)置粘合部作為粘合部區(qū)域，另一方面，也可以將被該粘合部區(qū)域圍繞的區(qū)域作為未設(shè)置粘合部的區(qū)域(非粘合部區(qū)域)。由此，例如表面保護(hù)片10如圖3所示粘貼于半導(dǎo)體晶片11時(shí)，非粘合部區(qū)域與待形成半導(dǎo)體晶片11中央的電路12的區(qū)域(電路形成區(qū)域)對(duì)置，粘合部區(qū)域與未形成半導(dǎo)體晶片11的電路12的外周粘接。非粘合部區(qū)域呈現(xiàn)與晶片11的形狀相對(duì)應(yīng)的形狀，通常形成為圓形，同時(shí)粘合部區(qū)域形成為圓環(huán)狀。

表面保護(hù)片10的粘合部可以設(shè)置于表面的一部分，通過(guò)設(shè)置非粘合部區(qū)域，配合有金屬填料的防靜電層2露出于外部，該露出的防靜電層2與被粘附物表面對(duì)置。因此，防靜電層2的防靜電效果不因通過(guò)粘合部3的存在而減少，使在從被粘附物上剝離表面保護(hù)片10時(shí)產(chǎn)生的剝離帶電有效地降低。另外，通過(guò)設(shè)置非粘合部區(qū)域，防止粘合部3粘接于晶片中央的電路形成區(qū)域，因此不易發(fā)生由于粘合劑對(duì)電路12的轉(zhuǎn)貼而導(dǎo)致的不良情況。

在局部地設(shè)置粘合部3的情況下，粘合部3優(yōu)選在疊層于表面保護(hù)片用基材之前進(jìn)行沖裁等加工而形成。沖裁加工如下所述進(jìn)行：例如，首先準(zhǔn)備在粘合部的兩面疊層有剝離膜的疊層體，并進(jìn)行沖裁，使得粘合部和一張剝離膜為與非粘合部區(qū)域一致的形狀。然后，在將粘合部的沖裁后的部分和一張剝離膜剝離之后，將粘合部貼合于表面保護(hù)片用基材而形成表面保護(hù)片。

實(shí)施例

以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明并不受這些例子的限制。

本發(fā)明中的評(píng)價(jià)方法及物性的測(cè)定方法如下所述。

＜應(yīng)力松弛率＞

使用Orientec公司制造的Tensilon RTA-100對(duì)裁切成寬度15mm的長(zhǎng)方形的表面保護(hù)片用基材的試驗(yàn)片進(jìn)行了測(cè)定。具體而言，將試驗(yàn)片以?shī)A頭間的長(zhǎng)度為100mm的方式用夾頭夾持兩端，在室溫(23℃)下以200mm/分的速度進(jìn)行拉伸，根據(jù)10％伸長(zhǎng)時(shí)的應(yīng)力A和停止伸長(zhǎng)1分鐘后的應(yīng)力B用應(yīng)力松弛率＝(A-B)/A×100(％)來(lái)計(jì)算。

＜楊氏模量＞

對(duì)于表面保護(hù)片用基材的楊氏模量而言，使用萬(wàn)能拉伸試驗(yàn)機(jī)(Orientec公司制造的Tensilon RTA-T-2M)，按照J(rèn)IS K7161：1994，在23℃、濕度50％的環(huán)境下以200mm/分的拉伸速度進(jìn)行測(cè)定。

＜重均分子量＞

利用凝膠滲透色譜(GPC)法測(cè)定了換算為標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的重均分子量Mw。

測(cè)定裝置：在東曹株式會(huì)社制造的高速GPC裝置“HLC-8120GPC”中將高速柱“TSK guard column H_XL-H”、“TSK Gel GMH_XL”、“TSK GelG2000H_XL”(以上均為東曹株式會(huì)社制造)以該順序連接而進(jìn)行測(cè)定。

柱溫：40℃、送液速度：1.0mL/分、檢測(cè)器：差示折射率計(jì)

＜剝離帶電＞

將實(shí)施例或比較例中得到的表面保護(hù)片粘貼于晶片電路面，制作晶片和表面保護(hù)片的疊層體，將該疊層體在溫度23℃、濕度50％RH的環(huán)境下放置30天。接著，使用琳得科株式會(huì)社制造的Adwill RAD-2700，利用附帶的UV照射裝置在照度230mW、光量1000mJ的條件下對(duì)表面保護(hù)片進(jìn)行UV照射，然后將表面保護(hù)片以500mm/分從晶片上進(jìn)行剝離。這時(shí)，在距晶片表面50mm的距離使用集電式電位測(cè)定儀(春日電機(jī)株式會(huì)社制造的KSD-6110)，在23℃、濕度50％RH的環(huán)境下對(duì)表面保護(hù)片所帶電的帶電電位進(jìn)行了測(cè)定(測(cè)定下限值0.1kV)。

＜防靜電層的裂紋＞

使用貼帶機(jī)(琳得科株式會(huì)社制造的Adwill RAD-3510)將實(shí)施例或比較例中制作的表面保護(hù)片粘貼于厚度750μm的12英寸硅晶片的電路形成面。用研磨裝置(DISCO公司制造的DGP-8760)將晶片磨削至50μm，然后將表面保護(hù)片從晶片上剝離，用數(shù)字顯微鏡觀察防靜電層面，確認(rèn)防靜電層有無(wú)裂紋。

＜磨削后的晶片的翹曲＞

使用貼帶機(jī)(琳得科株式會(huì)社制造的Adwill RAD-3500)將實(shí)施例或比較例中制作的表面保護(hù)片粘貼于硅晶片(300mmZ、厚度750μm)。然后，使用研磨裝置(DISCO公司制造的DFD-840)將硅晶片的厚度磨削為150μm。在磨削后，不除去表面保護(hù)片，而載置于符合JIS B 7513：1992的平面度1級(jí)的精密檢查用的平臺(tái)上，使得表面保護(hù)片在上側(cè)。

在測(cè)定中，將平臺(tái)設(shè)為零地點(diǎn)，求出17處的測(cè)定值，將最大值設(shè)為翹曲量。將翹曲量為5mm以上作為“有”翹曲，將翹曲量低于5mm作為“無(wú)”翹曲。

[實(shí)施例1]

(支撐膜中間材料的制作)

將由二官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(重均分子量12000)50質(zhì)量份、作為能量線聚合性單體的丙烯酸異冰片酯25質(zhì)量份和丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯25質(zhì)量份的混合物及光聚合引發(fā)劑(DAROCUR 1173、BASF公司制造)1質(zhì)量份構(gòu)成的含聚氨酯固化性樹(shù)脂組合物在剝離膜上涂布鋪展，所述二官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物是在由分子量2000的聚酯類多元醇和異佛爾酮二異氰酸酯合成的聚氨酯低聚物的末端加成丙烯酸2-羥基乙酯而得到的，通過(guò)紫外線照射(230mW、1000mJ)而預(yù)固化，在剝離膜上形成厚度100μm的支撐膜中間材料。

(防靜電層用膜的制作)

使由具有聚酯骨架的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(聚合平均分子量2000)構(gòu)成的固化性成分100質(zhì)量份(換算為固體成分，以下相同)溶解于有機(jī)溶劑而得到的溶液和將平均粒徑0.1μm的磷摻雜氧化錫230質(zhì)量份分散于有機(jī)溶劑而得到的分散液進(jìn)行混合，進(jìn)一步配合光聚合引發(fā)劑(BASF公司制造IRGACURE 184)2質(zhì)量份，用甲乙酮稀釋至全部固體成分的質(zhì)量比例為20％，得到了防靜電層形成用組合物。將該防靜電層形成用組合物涂布于重新準(zhǔn)備的剝離膜的一面，在100℃下干燥1分鐘，在剝離膜上形成了厚度為2μm的防靜電層用膜。

(表面保護(hù)片用基材的制作)

使形成于剝離膜上的防靜電層用膜和形成于其它剝離膜上的支撐膜中間材料貼合，使它們相互密合，按照230mW、1000mJ的條件照射紫外線，使防靜電層用膜固化，同時(shí)使支撐膜中間材料進(jìn)一步固化，然后對(duì)防靜電層側(cè)的剝離膜進(jìn)行剝離，由此得到了帶剝離膜的表面保護(hù)片用基材。將表面保護(hù)片用基材的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。需要說(shuō)明的是，對(duì)于各評(píng)價(jià)而言，將剝離膜剝離后進(jìn)行。

(表面保護(hù)片的制作)

在表面保護(hù)片用基材的設(shè)有防靜電層的面上局部地疊層紫外線固化型粘合劑，使其為20μm的厚度，從而形成粘合劑層，然后對(duì)支撐膜中間材料側(cè)的剝離片進(jìn)行剝離，制作了表面保護(hù)片。這里，粘合劑層是外徑為300mm的圓形且僅在距其外周5mm的范圍形成，形成圓環(huán)狀的粘合部區(qū)域，非粘合部區(qū)域?yàn)閳A形。將表面保護(hù)片的各評(píng)價(jià)結(jié)果示于表1。

[實(shí)施例2]

將防靜電層形成用組合物中配合的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物變更為以由聚醚類多元醇和異佛爾酮二異氰酸酯合成的聚氨酯低聚物作為骨架的二官能氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(聚合平均分子量2000)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。

[實(shí)施例3]

相對(duì)于固化性成分100質(zhì)量份，將磷摻雜氧化錫的配合量變更為150質(zhì)量份，除此以外，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。

[比較例1]

相對(duì)于固化性成分100質(zhì)量份，將磷摻雜氧化錫的配變更合量為100質(zhì)量份，除此以外，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。

[比較例2]

將防靜電層形成用組合物中的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物變更為丙烯酸環(huán)氧酯低聚物(聚合平均分子量2,000)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。

[比較例3]

將防靜電層形成用組合物中的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物變更為丙烯酸環(huán)氧酯低聚物(聚合平均分子量2,000)。而且，將支撐膜變更為以下的支撐膜，將防靜電層形成用組合物直接涂布于支撐膜，并在100℃下進(jìn)行1分鐘干燥，得到了表面保護(hù)片用基材，除此以外，與實(shí)施例1同樣地實(shí)施。

支撐膜：在由60μm的聚丙烯構(gòu)成的中間層的兩面設(shè)有由10μm的低密度聚乙烯構(gòu)成的表層的聚烯烴類膜

表1

※表1中，填料的質(zhì)量％表示金屬填料相對(duì)于固化性成分與金屬填料的總計(jì)的質(zhì)量％。

※表1中的固化性成分如下所述。

UA(ES)：聚酯類氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物

UA(ET)：聚醚類氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物

EA：環(huán)氧丙烯酸酯低聚物

根據(jù)表1的結(jié)果可知，在實(shí)施例1～3中，通過(guò)將防靜電層的固化性成分設(shè)為氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，并將表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率設(shè)為60％以上，即使在較大量地使用金屬填料的情況下也可以防止防靜電層中的裂紋的產(chǎn)生，降低剝離帶電，且可以防止在晶片發(fā)生翹曲。

相比之下，對(duì)于比較例1而言，由于金屬填料的使用量少，因此，不能使剝離帶電充分地降低。另外，對(duì)于比較例2而言，雖然大量地使用了金屬填料，但在固化性成分中未使用氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，因此，在防靜電層產(chǎn)生裂紋，不能使剝離帶電充分地降低。另外，對(duì)于比較例3而言，由于表面保護(hù)片用基材的應(yīng)力松弛率低，因此，在粘貼有表面保護(hù)片的晶片產(chǎn)生翹曲。