1.一種氣態(tài)靶中子源，其特征在于，包括依次連接的離子注入系統(tǒng)(1)、差分真空系統(tǒng)(2)和氣態(tài)靶(3)；
所述離子注入系統(tǒng)(1)用于產(chǎn)生單束或多束平行離子束流，每束所述離子束流的包絡小于所述差分真空系統(tǒng)(2)的內(nèi)徑；
所述差分真空系統(tǒng)(2)用于將所述離子束流傳輸至所述氣態(tài)靶(3)；
所述氣態(tài)靶(3)中包括反應氣體，所述反應氣體與所述離子束流發(fā)生聚變反應，產(chǎn)生中子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述離子注入系統(tǒng)(1)包括依次連接的離子源(11)、加速管(12)、真空獲得系統(tǒng)(13)、和磁鐵系統(tǒng)(14)，其中，所述磁鐵系統(tǒng)(14)用于對所述離子束流進行聚焦。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述離子注入系統(tǒng)(1)還包括束流分離裝置(15)，所述束流分離裝置(15)用于將單束離子束流分離為所述多束平行離子束流。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述氣態(tài)靶(3)包括多個氣態(tài)靶室(31)，所述氣態(tài)靶室(31)的個數(shù)與所述多束平行離子束流的個數(shù)相同，且與所述多束平行離子束流一一對應。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述氣態(tài)靶(3)還包括多個束流收集裝置(32)，每個所述束流收集裝置(32)與每個所述氣態(tài)靶室(31)相連，用于回收未與所述反應氣體發(fā)生聚變反應的所述離子束流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述差分真空系統(tǒng)(2)包括至少一級差分真空系統(tǒng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述差分真空系統(tǒng)(2)包括一級差分真空系統(tǒng)(21)和二級差分真空系統(tǒng)(23)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述一級差分真空系統(tǒng)(21)和所述二級差分真空系統(tǒng)(23)之間的管道壁外還設置有四象限磁鐵(22)，所述四象限磁鐵(22)用于對所述離子束流進行聚焦。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述一級差分真空系統(tǒng)(21)包括與所述一級差分真空系統(tǒng)(21)相連的第一真空泵；所述二級差分真空系統(tǒng)(23)包括與所述二級差分真空系統(tǒng)(23)相連的第二真空泵。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述差分真空系統(tǒng)(2)包括小孔徑法蘭、小直徑管道、間歇閥門、真空泵中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述氣態(tài)靶(3)還包括氣體回收和循環(huán)系統(tǒng)(33)，所述氣體回收和循環(huán)系統(tǒng)(33)的一端與所述第一真空泵和第二真空泵(24)連接；另一端與所述氣態(tài)靶室(31)連接；所述氣體回收和循環(huán)系統(tǒng)(33)用于提純所述反應氣體，并回收提純后的反應氣體，再將所述提純后的反應氣體輸入至所述氣態(tài)靶室(31)進行聚變反應。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11任意一項所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述離子束流為氘束流或氘氚混合束流。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣態(tài)靶中子源，其特征在于，所述反應氣體為氘氣、氘化物、氚氣、氚化物，或氘氣、氘化物、氚氣、氚化物的任意至少兩種的混合氣體。