本實用新型涉及X射線平板探測器設(shè)計領(lǐng)域，特別是涉及一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來，照相平板印刷和微電子技術(shù)領(lǐng)域的不斷進步，使集成基于TFT陣列讀出裝置的大面積X射線探測器的應(yīng)用越來越普及。基于TFT的平板系統(tǒng)的電荷收集和讀出電子元件緊貼與X射線發(fā)生交互作用的材料層，使X光的探測器的結(jié)構(gòu)緊湊，并能實時轉(zhuǎn)化為數(shù)字影像，因此X射線探測器正成為醫(yī)療輻射成像，工業(yè)探傷和安檢的中堅力量。

X射線平板探測器的成像過程需要經(jīng)歷X射線到可見光，然后電荷圖像到數(shù)字圖像的成像轉(zhuǎn)換過程，通常也被稱作間接轉(zhuǎn)換型平板探測器，是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線影像探測器。在X射線照射下探測器的閃爍體或熒光體層將X射線光子轉(zhuǎn)換為可見光，而后由具有光電二極管作用的非晶硅陣列變?yōu)閳D像電信號，通過外圍電路積分讀出及A/D變換，從而獲得數(shù)字化圖像。非晶硅平板探測器具有成像速度快，良好的空間及密度分辨率，高信噪比，直接數(shù)字輸出等顯著優(yōu)點。

X射線探測器結(jié)構(gòu)中，碘化銫作為閃爍體，將接收到的X射線轉(zhuǎn)化成可見光，傳遞到玻璃表面非晶硅光電二極管上，轉(zhuǎn)化成電信號。碘化銫材料對溫度和濕度比較敏感，在現(xiàn)有的技術(shù)中，用鋁塑膜進行封裝，保證碘化銫不受外界濕氣影響。此外，玻璃上的非晶硅層對磁場比較敏感，外界的磁場變化會導(dǎo)致探測器圖像上出現(xiàn)明顯橫紋。

現(xiàn)有技術(shù)中，碘化銫表面的封裝結(jié)構(gòu)不具有磁屏蔽的效果，X射線探測器在使用過程中容易受到外界磁場干擾，從而影響到圖像效果。

基于以上所述，提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)實屬必要。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中碘化銫表面的封裝結(jié)構(gòu)不具有磁屏蔽功能，導(dǎo)致X射線探測器在使用過程中容易受到外界磁場干擾的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括覆蓋在碘化銫層表面的導(dǎo)磁層。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括蒸鍍在所述碘化銫層表面的所述導(dǎo)磁層和封裝在所述導(dǎo)磁層表面的封裝膜層。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)磁層為封裝膜層。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)磁層為坡莫合金層或軟磁材料層。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述封裝膜層為鋁塑膜層。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)磁層的厚度范圍為10～100μm。

作為本實用新型具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述碘化銫層制作在玻璃表面。

如上所述，本實用新型的具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，至少包括覆蓋在碘化銫層表面的導(dǎo)磁層。本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，既可以在碘化銫表面先蒸鍍導(dǎo)磁層，再在導(dǎo)磁層表面封裝普通封裝膜材料進行封裝；也可以直接在碘化銫表面利用導(dǎo)磁層材料進行封裝。本實用新型通過在碘化銫封裝中加入導(dǎo)磁材料，既可以達到封裝效果，又可以實現(xiàn)對非晶硅層的磁屏蔽。

附圖說明

圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本實用新型實施例一中的具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為本實用新型實施例二中的具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

元件標號說明

101A,101,201 碘化銫層

102,202 導(dǎo)磁層

103A,103 封裝膜層

104A,104,204 玻璃

具體實施方式

以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。

請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當亦視為本實用新型可實施的范疇。

如圖1所示為現(xiàn)有碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，首先通過蒸鍍和刻蝕工藝將非晶硅感光層制作在玻璃104A上，然后在所述玻璃104A上蒸鍍碘化銫層101A，最后用普通封裝膜層103A(如鋁塑膜層)進行封裝。由于碘化銫層表面的這種封裝結(jié)構(gòu)不具有磁屏蔽的效果，而玻璃上的非晶硅層對磁場又比較敏感，外界的磁場變化將會導(dǎo)致探測器圖像上出現(xiàn)明顯橫紋。鑒于此，本實用新型提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，用來解決上述問題。

實施例一

如圖2所示，本實施例提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括覆蓋在碘化銫層101表面的導(dǎo)磁層102。具體地，所述封裝結(jié)構(gòu)包括蒸鍍在所述碘化銫層101表面的導(dǎo)磁層102和封裝在所述導(dǎo)磁層102表面的封裝膜層103。

需要說明的是，在本實施例的封裝結(jié)構(gòu)中，所述導(dǎo)磁層102可以只蒸鍍在碘化銫層101的表面(不包括兩側(cè))，也不需蒸鍍在玻璃104表面上。

作為示例，所述導(dǎo)磁層102可以為坡莫合金層或軟磁材料層，當然，在其他實施例中，也可以是合適的導(dǎo)磁材料，如納米非晶材料等，在此不限。

在本實施例中，所述封裝膜層103可以是不具有磁屏蔽功能的普通封裝膜層材料，例如，鋁塑膜層等，只要不透水氣即可。

作為示例，所述導(dǎo)磁層102的厚度范圍為10～100μm。優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層102的厚度范圍為50～100μm。本實施例中，所述導(dǎo)磁層102的厚度為60μm。

作為示例，所述碘化銫層101制作在玻璃104表面。所述玻璃104表面制作有非晶硅層(未予以圖示)，碘化銫層101覆蓋在玻璃104表面的非晶硅層上。

本實施例提供的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，通過導(dǎo)磁層102和封裝膜層103共同對碘化銫層101進行封裝，其中導(dǎo)磁層102還可以對玻璃104表面的非晶硅層進行磁屏蔽，從而提高X射線平板探測器的抗磁能力和抗干擾性，提升探測器的整體性能。

實施例二

如圖3所示，本實施例提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括覆蓋在碘化銫層201表面的導(dǎo)磁層202。具體地，所述導(dǎo)磁層202為封裝膜層。

需要說明的是，在本實施例的封裝結(jié)構(gòu)中，所述導(dǎo)磁層202不僅覆蓋在碘化銫層201的水平表面，而且還覆蓋在所述碘化銫層201的兩側(cè)，另外，玻璃204表面上也都覆蓋。

作為示例，所述導(dǎo)磁層202作為封裝膜層，可以為坡莫合金層或軟磁材料層，當然，在其他實施例中，也可以是合適的導(dǎo)磁材料，如納米非晶材料，在此不限。

作為示例，所述導(dǎo)磁層202的厚度范圍為10～100μm。優(yōu)選地，所述導(dǎo)磁層202的厚度范圍為50～100μm。本實施例中，所述導(dǎo)磁層202的厚度為80μm。

作為示例，所述碘化銫層201制作在玻璃204表面。所述玻璃204表面制作有非晶硅層，碘化銫層201覆蓋在玻璃204表面的非晶硅層上。

本實施例提供的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，通過導(dǎo)磁層202對碘化銫層201進行封裝，其中導(dǎo)磁層202既可以起到碘化銫層201封裝作用，提高抗潮能力，又可以對玻璃204表面的非晶硅層進行磁屏蔽，從而提高X射線平板探測器的抗磁能力和抗干擾性，提升探測器的整體性能。

綜上所述，本實用新型提供一種具有磁屏蔽能力的碘化銫封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)至少包括覆蓋在碘化銫層表面的導(dǎo)磁層。本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)，既可以在碘化銫表面先蒸鍍導(dǎo)磁層，再在導(dǎo)磁層表面封裝普通封裝膜材料進行封裝；也可以直接在碘化銫表面利用導(dǎo)磁層材料進行封裝。本實用新型通過在碘化銫封裝中加入導(dǎo)磁材料，既可以達到封裝效果，又可以實現(xiàn)對非晶硅層的磁屏蔽。

所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。

上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。